RU160165U1 - Силовой модуль - Google Patents

Силовой модуль Download PDF

Info

Publication number
RU160165U1
RU160165U1 RU2015137283/28U RU2015137283U RU160165U1 RU 160165 U1 RU160165 U1 RU 160165U1 RU 2015137283/28 U RU2015137283/28 U RU 2015137283/28U RU 2015137283 U RU2015137283 U RU 2015137283U RU 160165 U1 RU160165 U1 RU 160165U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
power
base
power module
module
metallized
Prior art date
Application number
RU2015137283/28U
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Владимирович Тингаев
Григорий Викторович Цепилов
Сабир Магомед-Кадиевич Бакмаев
Владимир Михайлович Емец
Original Assignee
Закрытое акционерное общество "Межрегиональное производственное объединение технического комплектования "ТЕХНОКОМПЛЕКТ" (ЗАО "МПОТК "ТЕХНОКОМПЛЕКТ")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Закрытое акционерное общество "Межрегиональное производственное объединение технического комплектования "ТЕХНОКОМПЛЕКТ" (ЗАО "МПОТК "ТЕХНОКОМПЛЕКТ") filed Critical Закрытое акционерное общество "Межрегиональное производственное объединение технического комплектования "ТЕХНОКОМПЛЕКТ" (ЗАО "МПОТК "ТЕХНОКОМПЛЕКТ")
Priority to RU2015137283/28U priority Critical patent/RU160165U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU160165U1 publication Critical patent/RU160165U1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Силовой модуль, содержащий основание, корпус, выводы, силовые полупроводниковые приборы, отличающийся тем, что силовые полупроводниковые приборы прикреплены методом низкотемпературного спекания металлических нанопорошков к основанию модуля через металлизированные высокотеплопроводящие пластины, выполненные из поликристаллического алмаза, и соединены с образованием электрической схемы силового модуля, при этом указанные металлизированные поликристаллические алмазные пластины являются изолирующим теплоотводом между силовыми полупроводниковыми приборами и основанием силового модуля.

Description

Полезная модель относится к электронной технике и может быть использована в мощной электронной технике, а именно к охлаждению мощных полупроводниковых приборов.
Известен мощный полупроводниковый прибор (см. патент РФ №2407106, МПК H01L 29/68, приоритет 03.08.2009, опубл. 20.12.2010). Мощный полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковый кристалл, на одной стороне которого выполнен, по меньшей мере, один мощный схемный элемент, а противоположной стороной полупроводниковый кристалл расположен соосно на металлизированном, по меньшей мере, с двух противоположных сторон теплоотводящем основании, выполненном из высокотеплопроводящего материала, и соединен с ним слоем припоя. Часть поверхности металлизированного теплоотводящего основания, на которой расположен полупроводниковый кристалл, выполнена выпуклой либо вогнутой формы, при этом упомянутая форма части поверхности металлизированного теплоотводящего основания выполнена соосно и симметрично относительно центральной оси полупроводникового кристалла, форму выпуклости либо вогнутости и соответственно величину выпуклости либо вогнутости части поверхности металлизированного теплоотводящего основания между ее центром и краем определяют из заявленного соотношения.
Недостатком известного устройства является то, что выполнение заданной выпуклой либо вогнутой формы и величины теплоотводящего основания изготовленного из алмаза весьма трудоемкий и технологически сложный процесс.
Известен силовой модуль (см. патент РФ на полезную модель №1536327, МПК H01L 25/00, приоритет 12.01.2015, опубл. 27.07.2015), Силовой модуль содержит основание, выводы, корпус, плату с закрепленным на ней полупроводниковым элементом. Основание модуля выполнено по алюмооксидной технологии и включает слой алюминия и слой оксида алюминия с металлическими проводниками, образующими печатную плату, при этом корпус выполнен из металла, допускающего пайку, или покрыт материалом, допускающим пайку, полупроводниковые и другие элементы электрической схемы прикреплены пайкой к металлическим проводникам платы, и соединены с образованием электрической схемы силового модуля, причем на поверхность основания, соединяемую с корпусом, также нанесен металлический проводник, корпус соединен с основанием пайкой, а выводы изолированы от металлических частей конструкции втулками.
Недостатком известного силового модуля является использование в качестве изолирующего и теплоотводящего слоя оксида алюминия характеризующегося низкой теплопроводностью (25-30 Вт/м·К), что ведет к снижению эффективности отвода тепла и, как следствие, снижению надежности и выходной мощности силового модуля.
Техническим результатом полезной модели является повышение надежности и мощности силового модуля за счет повышения эффективности отвода тепла, а так же снижение массогабаритных характеристик модуля.
Указанный технический результат достигается заявленным силовым модулем, содержащим основание, корпус, выводы, силовые полупроводниковые приборы, причем силовые полупроводниковые приборы прикреплены методом низкотемпературного спекания металлических нанопорошков к основанию модуля через теплопроводящие пластины из поликристаллического алмаза и соединены с образованием электрической схемы силового модуля, при этом поликристаллические алмазные пластины являются изолирующим теплоотводом между силовыми полупроводниковыми приборами и основанием силового модуля.
Сущность полезной модели поясняется чертежом, где на фиг. 1 схематически представлена структура силового модуля. Силовой модуль состоит из основания 1, корпуса 2, теплоотводящих изолирующих пластин 3, силовых полупроводниковых приборов 4, выводов 5.
Основополагающим элементом заявляемого силового модуля являются изолирующие теплоотводящие пластины из поликристаллического алмаза.
Среди теплопроводящих изолирующих материалов
поликристаллический CVD-алмаз является наиболее перспективным материалом, поскольку теплопроводность поликристаллического алмаза (~1000 Вт/м·К) значительно выше теплопроводности иных используемых на сегодня материалов. Применение теплопроводящих изолирующих пластин из поликристаллического алмаза позволяет увеличить эффективность отвода тепла и значительно повысить надежность и мощность силового модуля, а так же снизить массогабаритные характеристики.
Изготовление пластин из поликристаллического алмаза включает в себя: подготовку кремниевой подложки, выращивание на ней алмазной пластины из смеси метана и водорода CVD методом и отделение ее от подложки. Далее алмазные пластины подвергаются термохимической шлифовке и многослойной металлизации последовательными слоями никеля, титана, серебра. Сторона пластины 3, обращенная к основанию модуля 1 металлизируется по всей поверхности, а сторона, обращенная к полупроводниковому прибору 4 только в пределах размера проекции полупроводникового прибора на пластину 3.
Затем элементы модуля: основание 1, металлизированные алмазные пластины 4, силовые шины 5 и силовые полупроводниковые приборы 4 соединяются методом низкотемпературного спекания. Ширина токоведущей шины под силовым полупроводниковым прибором в точности соответствует его размерам.
Для спекания используется нанопорошок серебра со средней величиной фракции ~20 нм. Для низкотемпературного спекания нанопорошковое серебро используется в виде суспензии, которая получается в виде гомогенной смеси нанопорошка серебра в толуоле.
Для реализации процессов спекания обеспечивается плавный нагрев всех соединяемых элементов в инертной среде. Кроме того, при спекании все элементы прижаты друг к другу с заданным усилием.
На завершающей стадии изготовления силового модуля производится корпусирование.
Таким образом, использование заявленной полезной модели позволяет повысить надежность и мощность силового модуля за счет повышения эффективности отвода тепла от силовых элементов, а так же снизить массогабаритные характеристики модуля.

Claims (1)

  1. Силовой модуль, содержащий основание, корпус, выводы, силовые полупроводниковые приборы, отличающийся тем, что силовые полупроводниковые приборы прикреплены методом низкотемпературного спекания металлических нанопорошков к основанию модуля через металлизированные высокотеплопроводящие пластины, выполненные из поликристаллического алмаза, и соединены с образованием электрической схемы силового модуля, при этом указанные металлизированные поликристаллические алмазные пластины являются изолирующим теплоотводом между силовыми полупроводниковыми приборами и основанием силового модуля.
    Figure 00000001
RU2015137283/28U 2015-09-01 2015-09-01 Силовой модуль RU160165U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015137283/28U RU160165U1 (ru) 2015-09-01 2015-09-01 Силовой модуль

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015137283/28U RU160165U1 (ru) 2015-09-01 2015-09-01 Силовой модуль

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU160165U1 true RU160165U1 (ru) 2016-03-10

Family

ID=55660594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015137283/28U RU160165U1 (ru) 2015-09-01 2015-09-01 Силовой модуль

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU160165U1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU217893U1 (ru) * 2022-12-22 2023-04-24 Акционерное общество "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС" Силовой полупроводниковый модуль

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU217893U1 (ru) * 2022-12-22 2023-04-24 Акционерное общество "ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС" Силовой полупроводниковый модуль

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20190198424A1 (en) Power module with built-in power device and double-sided heat dissipation and manufacturing method thereof
CN103187372B (zh) 芯片封装结构
CN105474418B (zh) 热电模块及包含该热电模块的热转换装置
TW200913862A (en) Circuit board structure having heat-dissipating structure
TW200945961A (en) Electrical circuit board with high thermal conductivity and manufacturing method thereof
US20110083712A1 (en) Thermoelectric Module
TW201041496A (en) A manufacturing method of circuit board module equipped with heat sink, and its product
TW200917518A (en) Co-fired ceramic module
JP2004221504A (ja) 熱電変換装置およびその製造方法
WO2016019720A1 (zh) 宽禁带半导体器件及其制备方法
TW201236227A (en) Packaged substrate and fabrication method thereof
TWI522032B (zh) 散熱模組
RU160165U1 (ru) Силовой модуль
RU2011154696A (ru) Гибридная интегральная схема свч
RU153627U1 (ru) Силовой модуль
JP5971543B2 (ja) 半導体モジュール、及び半導体チップ実装方法
CN108369912A (zh) 半导体装置及其制造方法
RU158855U1 (ru) Силовая коммутационная плата
JP2015164167A (ja) 回路基板、その製造方法、および電子装置
KR101897304B1 (ko) 파워 모듈
CN113782504B (zh) 一种集成散热器的功率模块简化封装结构及制作方法
RU2688035C1 (ru) Металлокерамический корпус силового полупроводникового модуля на основе высокотеплопроводной керамики и способ его изготовления
CN213242534U (zh) 用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板
CN212587482U (zh) 一种顶部散热半导体产品及电子产品
JP2004022983A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM9K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20200902