RU2011154696A - Гибридная интегральная схема свч - Google Patents

Гибридная интегральная схема свч Download PDF

Info

Publication number
RU2011154696A
RU2011154696A RU2011154696/07A RU2011154696A RU2011154696A RU 2011154696 A RU2011154696 A RU 2011154696A RU 2011154696/07 A RU2011154696/07 A RU 2011154696/07A RU 2011154696 A RU2011154696 A RU 2011154696A RU 2011154696 A RU2011154696 A RU 2011154696A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
heat
integrated circuit
generating component
recess
dielectric substrate
Prior art date
Application number
RU2011154696/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2489770C1 (ru
Inventor
Константин Владимирович Дудинов
Виктор Анатольевич Иовдальский
Нина Валентиновна Ганюшкина
Александр Генрихович Далингер
Михаил Петрович Духновский
Александра Константиновна Ратникова
Юрий Юрьевич Федоров
Original Assignee
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") filed Critical Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток")
Priority to RU2011154696/07A priority Critical patent/RU2489770C1/ru
Publication of RU2011154696A publication Critical patent/RU2011154696A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2489770C1 publication Critical patent/RU2489770C1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

1. Гибридная интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизационного покрытия, а на обратной стороне - экранное заземляющее металлизационное покрытие, при этом диэлектрическая подложка расположена обратной стороной на металлическом теплоотводящем основании и соединена с ним, на лицевой стороне диэлектрической подложки выполнено, по меньшей мере, одно углубление, в дне которого выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, заполненное электро- и теплопроводящим материалом, при этом упомянутое углубление предназначено для расположения, по меньшей мере, одного активного тепловыделяющего компонента, контактные площадки которого соединены с топологическим рисунком металлизационного покрытия проволочными соединениями, при этом глубина углубления обеспечивает расположение лицевых поверхностей активного тепловыделяющего компонента и диэлектрической подложки в одной плоскости, все элементы гибридной интегральной схемы соединены электрически, отличающаяся тем, что в гибридную интегральную схему дополнительно введена теплорассеивающая пластина с коэффициентом теплопроводности не менее 250 Вт/(м·град) и расположена непосредственно на дне упомянутого углубления, а активный тепловыделяющий компонент расположен на лицевой - противоположной стороне теплорассеивающей пластины, при этом последняя выполнена с заданными геометрическими размерами, толщиной (0,025-0,5)·10м, размером, в плане превышающим соответствующий размер активного тепловыделяющего компонента, а сквозное отверстие заполнено электро- и теплопроводящ�

Claims (5)

1. Гибридная интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизационного покрытия, а на обратной стороне - экранное заземляющее металлизационное покрытие, при этом диэлектрическая подложка расположена обратной стороной на металлическом теплоотводящем основании и соединена с ним, на лицевой стороне диэлектрической подложки выполнено, по меньшей мере, одно углубление, в дне которого выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, заполненное электро- и теплопроводящим материалом, при этом упомянутое углубление предназначено для расположения, по меньшей мере, одного активного тепловыделяющего компонента, контактные площадки которого соединены с топологическим рисунком металлизационного покрытия проволочными соединениями, при этом глубина углубления обеспечивает расположение лицевых поверхностей активного тепловыделяющего компонента и диэлектрической подложки в одной плоскости, все элементы гибридной интегральной схемы соединены электрически, отличающаяся тем, что в гибридную интегральную схему дополнительно введена теплорассеивающая пластина с коэффициентом теплопроводности не менее 250 Вт/(м·град) и расположена непосредственно на дне упомянутого углубления, а активный тепловыделяющий компонент расположен на лицевой - противоположной стороне теплорассеивающей пластины, при этом последняя выполнена с заданными геометрическими размерами, толщиной (0,025-0,5)·10-3 м, размером, в плане превышающим соответствующий размер активного тепловыделяющего компонента, а сквозное отверстие заполнено электро- и теплопроводящим материалом с коэффициентом теплопроводности 100-430 Вт/(м·град) и расположено в плане равномерно, перепад температуры ∆t по высоте от активного тепловыделяющего компонента до обратной стороны металлического теплоотводящего основания, толщина теплорассеивающей пластины h, отношение площади сквозного отверстия в дне углубления ко всей его площади W, коэффициент теплопроводности теплорассеивающей пластины λ, удельная плотность теплового потока между теплорассеивающей пластиной и обратной стороной металлического теплоотводящего основания q, площадь теплорассеивающей пластины S в плане находятся в следующей полиномиальной зависимости:
∆t(h,W,λ,q,S)=[P1·h3+P2·h2+P3·h+P4+P5·h2·(1/W)+P6·h·(1/W)+P7·(1/W)+P8·(1/W)2 +10-3·Р9·(1/W)3+10-3·Р10·h·(1/W)2]·q·S,
где t - перепад температуры по высоте от активного тепловыделяющего компонента до обратной стороны металлического теплоотводящего основания, °С,
h - толщина теплорассеивающей пластины, м,
W - отношение площади сквозного отверстия в дне углубления ко всей его площади, %,
λ - коэффициент теплопроводности теплорассеивающей пластины, Вт/(м·град),
q - плотность теплового потока между теплорассеивающей пластиной и обратной стороной металлического теплоотводящего основания, Вт/м2,
S - площадь лицевой стороны теплорассеивающей пластины, м2,
Р1-10 - интерполяционные полиномы,
где P1=-455,646+0,444586·λ-0,000335923·λ2+1,54809·10-7·λ3-2,9823·10-11·λ4,
Р2=377,843-0,375365·λ+0,000285492·λ2-1,30761·10-7·λ3+2,49428·10-11·λ4,
Р3=-88,6036+0,0878182·λ-6,72438·10-5·λ2+3,04692·10-8·λ3-5,72084·10-12·λ4,
Р4=16,5167-0,00944878·λ+7,77748·10-6·λ2-3,47195·10-9·λ3+6,20848·10-13·λ4,
P5=0,128092-0,000196569·λ+1,6179·10-7·λ2-6,3764·10-11·λ3+9,63112·10-15·λ4,
Р6=-8,4941+0,00848523·λ-7,42837·10-6·λ2+3,11324·10-9·λ3-5,00756·10-13·λ4,
Р7=14,8724-0,00938909·λ+8,25044·10-6·λ2-3,45956·10-9·λ3+5,55552·10-13·λ4,
P8=-1,99507+0,00124401·λ-1,08972·10-6·λ2+4,55367·10-10·λ3-7,28519·10-14·λ4,
Р9=2,19877-0,001372·λ+1,20243·10-6·λ2-5,02695·10-10·λ3+8,04568·10-14·λ4,
Р10=9,31721-0,00927111·λ+8,12386·10-6·λ2-3,40783·10-9·λ3+5,48631·10-13·λ4.
2. Гибридная интегральная схема СВЧ по п.1, отличающаяся тем, что диэлектрическая подложка может быть выполнена однослойной либо многослойной.
3. Гибридная интегральная схема СВЧ по п.1, отличающаяся тем, что активный тепловыделяющий компонент выполнен в виде, по меньшей мере, одного кристалла мощного диода либо мощного транзистора СВЧ, либо интегральной схемы, например усилителя мощности СВЧ.
4. Гибридная интегральная схема СВЧ по п.1, отличающаяся тем, что теплорассеивающая пластина выполнена из алмаза с металлизационным покрытием, при этом металлизационное покрытие на лицевой ее стороне может быть выполнено в виде топологического рисунка пленочных проводников, через которые контактные площадки активного тепловыделяющиего компонента могут быть соединены с топологическим рисунком металлизационного покрытия диэлектрической подложки.
5. Гибридная интегральная схема СВЧ по пп.1 и 4, отличающаяся тем, что на лицевой стороне теплорассеивающей пластины может быть выполнено дополнительно углубление, на дне которого расположен активный тепловыделяющий компонент.
RU2011154696/07A 2011-12-30 2011-12-30 Гибридная интегральная схема свч RU2489770C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011154696/07A RU2489770C1 (ru) 2011-12-30 2011-12-30 Гибридная интегральная схема свч

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011154696/07A RU2489770C1 (ru) 2011-12-30 2011-12-30 Гибридная интегральная схема свч

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011154696A true RU2011154696A (ru) 2013-07-10
RU2489770C1 RU2489770C1 (ru) 2013-08-10

Family

ID=48787516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011154696/07A RU2489770C1 (ru) 2011-12-30 2011-12-30 Гибридная интегральная схема свч

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2489770C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2537695C1 (ru) * 2013-06-18 2015-01-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018182449A1 (ru) * 2017-03-27 2018-10-04 Олег Вячеславович НУЖДИН Радиатор
US20210092845A1 (en) * 2017-04-13 2021-03-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Connecting circuit boards using functional components
RU2654970C1 (ru) * 2017-05-02 2018-05-23 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") Интегральная схема СВЧ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0334397A3 (en) * 1984-05-18 1990-04-11 BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company Circuit board
SU1694021A1 (ru) * 1989-07-28 1997-02-20 Научно-производственное объединение "Исток" Гибридная интегральная схема свч
RU2006990C1 (ru) * 1991-01-22 1994-01-30 Константин Иванович Баринов Большая интегральная схема (ее варианты)
RU2227345C2 (ru) * 2002-02-26 2004-04-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" Гибридная интегральная схема свч-диапазона
RU2298255C1 (ru) * 2005-08-12 2007-04-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") Мощная гибридная интегральная схема свч-диапазона

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2537695C1 (ru) * 2013-06-18 2015-01-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Also Published As

Publication number Publication date
RU2489770C1 (ru) 2013-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3804861B2 (ja) 電気装置および配線基板
WO2008122220A1 (en) Shielding and heat-dissipating device
US10524349B2 (en) Printed circuit board with built-in vertical heat dissipation ceramic block, and electrical assembly comprising the board
TW201124774A (en) LED device and display
JP2016115782A (ja) 半導体モジュール
RU2011154696A (ru) Гибридная интегральная схема свч
JP2012064855A (ja) 半導体装置
JP2015088649A (ja) チップ支持基板の配線部裏面に放熱器設置の面領域を設定する方法およびチップ支持基板並びにチップ実装構造体
TW200524137A (en) Semiconductor apparatus
CN106783753A (zh) 半导体器件
TWI522032B (zh) 散熱模組
US9949404B2 (en) Electric device
JP6540587B2 (ja) パワーモジュール
KR20140025257A (ko) 3차원 집적회로 구조체 및 알루미늄 질화물 인터포저 기판의 방법
JP2017130618A (ja) 電子部品放熱構造
JP2016019333A (ja) 電力変換装置の冷却構造
JP2016101071A (ja) 半導体装置
JPWO2016067377A1 (ja) 放熱構造
JPWO2016067390A1 (ja) 放熱構造
RU158855U1 (ru) Силовая коммутационная плата
JP2014170834A (ja) パワー半導体の放熱構造およびこれを用いたオーディオ装置
JP6516212B2 (ja) 基板装置および電子機器
JP2014072331A (ja) 金属ベース回路基板および実装基板
WO2022255048A1 (ja) 半導体装置
CN214672591U (zh) 一种功率器件封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
PC43 Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions

Effective date: 20160225