RU1108787C - Устройство дл выт гивани монокристаллов из расплава на затравку - Google Patents

Устройство дл выт гивани монокристаллов из расплава на затравку

Info

Publication number
RU1108787C
RU1108787C SU2509202A RU1108787C RU 1108787 C RU1108787 C RU 1108787C SU 2509202 A SU2509202 A SU 2509202A RU 1108787 C RU1108787 C RU 1108787C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
chamber
seed
single crystal
crystal
seed holder
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
В.Я. Апилат
В.Я. Вакуленко
В.И. Горилецкий
В.Г. Максимов
О.С. Мюлендорф
А.В. Радкевич
Л.Д. Черницкий
Л.Г. Эйдельман
Original Assignee
Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов Научно-производственного объединени "Монокристаллреактив"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов Научно-производственного объединени "Монокристаллреактив" filed Critical Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов Научно-производственного объединени "Монокристаллреактив"
Priority to SU2509202 priority Critical patent/RU1108787C/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU1108787C publication Critical patent/RU1108787C/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Изобретение относитс  к технике выращивани  монокристаллов из расплава и может быть использовано при получении крупногабаритных оптических и сцинтилл ционных щелочно-галоидных монокристаллов , имеющих большую длину при больших диаметрах и соответственно большую массу (пор дка 100 кг).
Известно устройство дл  выт гивани  монокристаллов из расплава на затравку, содержащее камеру с размещенными в ней тиглем и нагревател ми, шток с затравкодержателем , механизмы вертикального и горизонтального перемещени  штока. Верхн   часть камеры снабжена крышкой.
По окончании процесса выт гивани , происход щего по общеприн той технологии дл  методов Чохральского или Киропулоса , выращенный .слиток монокристалла отрывают от расплава, раскрывают верхнюю крышку, поднимают шток кристаллодержател  вместе со слитком над камерой, затем перемещают в горизонтальной плоскости в сторону от камеры, опускают вниз (например, в отжиговую печь), отсоедин ют монокристалл от затравкодержател .
Однако при выгрузке иЗ камеры выращенного монокристалла он и затравка подвергаютс  тепловому удару, что приводит к частым аварийным обрывам еще до запланированного отделени  монокристалла от затравкодержател , а также к растрескиванию слитка на всех этапах перегрузки егО в печь термообработки. Кроме того, отмечаетс  возможность аварийного обрыва кристалла в моменты трогани  и остановки при перемещении в горизонтальной плоскости больших инерционных масс слитка, вис щего на сравнительно тонкой затравке.
Наиболее близким к за вл емому по технической сущности и достигаемому результату  вл етс  устройство, включающее герметичную камеру из двух частей, разьемных в горизонтальной плоскости. В верхнюю часть камеры по ее оси введен вертикальный шток с затравкодержателем, закрепленный на станине и св занный с механизмами его вращени  и осевого перемещени . В нижней части камеры установлен тигель и расположенный концентрично с ним нагреватель. Нижн   часть камеры закреплена неподвижно на станине, а верхн   установлена с возможностью перемещени  ее в вертикальной и горизонтальной плоскост х совместно со штоком затравкодержател  и механизмами его вращени  и вертикального перемещени . По окончании процесса выт гивани  монокристалл отрывают от расплава и вместе со штоком затравкодержател  поднимают вверх
настолько, чтобы свободный торец монокристалла располагалс  ниже плоскости разьема между верхней и нижней част ми камеры. Затем от нижней части камеры отсоедин ют верхнюю и вместе с монокристаллом , вис щим на затравкодержателе, перемещают вначале вертикально, а затем в горизонтальной плоскости в сторону от нижней части камеры к месту ее выгрузки,
0 котора  производитс  подачей штока вниз. Така  конструкци  частично исключает воздействие теплового удара на выращенный монокристалл до момента вывода его вниз из отведенной в сторону верхней части
5 камеры.
Недостатком устройства  вл етс  то обсто тельство , что вис щий на затравке монокристалл подвергаетс  воздействию теплового удара за счет захвата воздуха и
0 инерционных сил, возникающих в моменты трогани  с места и остановки при перемещении верхней камеры с монокристаллом в горизонтальной плоскости. В результате возможно растрескивание и аварийный об5 рыв кристалла, особенно в случае выращивани  крупногабаритных монокристаллов.
Целью изобретени   вл етс  предотвращение теплового удара при извлечении кристалла из камеры, предотвращение об0 рыва кристалла от затравкодержател .
Поставленна  цель достигаетс  тем, что верхн   часть камеры жестко закреплена на станине, а нижн   часть установлена с возможностью перемещени  по вертикали и
5 смещени  в горизонтальной плоскости, устройство снабжено подвижной термостатированной емкостью дл  приема и транспортировки кристалла, взаимодействующей с верхней частью камеры. Затрав0 кодержатель выполнен в виде накидной гайки, имеющей в нижней части формуусеченной пирамиды. Это позвол ет отдел ть затравкодержатель с выращенным монокристаллом без каких-либо дополнительных
5 приспособлений только за счет изменени  направлени  вращени  штока затравкодержател . Така  конструкци  затравкодержател  дает возможность проводить операцию отделени  выращенного моно0 кристалла от штока в услови х, когда доступ . к затравкодержателю перекрыт подвижной термостатированной емкостью, подаваемой вместо нижней части камеры и герметично соединенной с верхней частью
5 камеры дл  полного исключени  воздействи  на монокристалл теплового удара в процессе его извлечени  из камеры.
На фиг. 1 приведена схема предлагаемого устройства, вертикальный разрез; на фиг.2 - то же. вид сбоку: на фиг.З - затравкодержатель с затравкой, закрепленный на штоке, вертикальный разрез.
Устройство содержит герметичную камеру , выполненную с возможностью разьема на две части - верхнюю 1 и нижнюю 2. Верхн   часть камеры закреплена неподвижно на каркасе 3, а нижн   часть 2 установлена с возможностью перемещени  в вертикальной и горизонтальной плоскост х. Дл  этих перемещений служит, например, тележка 4, установленна  на рельсах 5 и несуща  подъемно-опускные механизмы 6 в нижней части 2 камеры. В нижней части камеры размещены тигель 7 с нагревателем 8 и теплоизол ционной футеровкой 9.
В верхнюю часть камеры, герметично введен шток 10, св занный своим верхним концом с механизмом 11 его вращени  и вертикального перемещени , установленным на 3. На свободном конце штока 10 нарезана резьба, на которой навинчен затравкодержатель 12. Затравкодержатель представл ет собой накидную гайку 12 с резьбой и свободной от резьбы частью 13 отверсти . Часть 13 отверсти  имеет форму усеченнойпирамиды с вершиной, обращенной вниз, и приспособлена дл  охвата верхнего конца затравки 14, на нижнем торце которой выращиваетс  монокристалл 15.
Установка содержит также контейнер 16 (см. фиг.2) из жаростойкого материала и термостатированную емкость (термос) 17с прослойкой термоизолирующего материала 18, предназначенную дл  помещени  в него предварительно нагретого контейнера 16, Термос выполнен с возможностью перемещени  в горизонтальной плоскости. Дл  зтого перемещени  служит, например, тележка 19, которую можно передвинуть по рельсам 5. Вертикальный габарит установленного на рельсах 5 термоса 17 не должен превышать размера, обеспечивающего возможностью его расположени  под верхней частью 1 камеры, при этом диаметр наружного фланца термоса 17 должен соответствовать диаметру фланца верхней части 1 камеры.
Устройство работает следующим образом . При отведенной вниз и в сторону нижней части 2 камеры (см. фиг.2) в тигель 7 загружают исходный материал. В затравкодержателе 12 укрепл ют затравку 14 и включают привод вращени  штока 10. Перемеща  нижнюю часть 2 камеры на тележке 4. устанавливают ее соответственно с верхней частью 1 камеры и с помощью подъемно-опускного механизма 6 герметично соедин ют нижнюю часть 2 камеры с верхней 1 (см. фиг.1). С помощью нагревател  8 расплавл ют исходный материал в тигле 7. Шток 10 затравкодержател  12 опускают вниз до соприкосновени  нижнего торца затравки 14 с расплавом 20. После частичного оплавлени  затравки 14 и под5 бора температуры расплава, отвечающей отсутствию как плавлени , так и кристаллизации на затравке 14, с помощью механизма
11вертикального перемещени  штока 10 начинают,медленный подъем затравки 14.
0 При этом создаютс  услови  дл  наращивани  монокристалла 15 на затравке 14.
По достижении заданной длины монокристалла 15 его отрывают от расплава 20 быстрым перемещением штока 10 и подни5 мают настолько, чтобы нижний торец выращенного монокристалла 15 находилс  выше плоскости разъема между верхней 1 и нижней 2 част ми камеры. Затем нижнюю часть 2 камеры отсоедин ют от верхней 1, меха0 низмами 6 опускают на некоторое рассто ние и затем вместе с тележкой 4 отвод т в сторону (см.фиг.2).
Взамен отведенной в сторону нижней части 2 камеры подают под верхнюю часть
5 1 камеры термос 17, содержащий предварительно нагретый до необходимой температуры (например, в отжиговой печи) контейнер 16, и герметично соедин ют фланцы термоса 17 и нижней части 1 каме0 ры.
Шток 10 с подвешенным на затравкодержателе 12 выращенным монокристаллом 15 опускают вниз до упора его нижнего торца в дно контейнера 16. Затем включают
5 вращение штока 10 в направлении, обеспечивающем свинчивание затравкодержател 
12со штоком 10. Так как выращенный монокристалл 15 опираетс  на дно контейнера 16 и, следовательно, заторможен, а жестко со0 единенна  с ним затравка 14 имеет форму, отличную от формы тела вращени , то при этом Затравкодержатель 12 свинчиваетс  со штока 10, скольз  вниз по затравке и обеспечива  тем самым отделение выращенного
5 монокристалла 15 от штока 10, как показано на фиг.2. Затем термос 17 отвод т в сторону от выращенного монокристалла 15, отдел ют затравку 14 с затравкодержателем 12, а контейнер 16 вместе с монокристаллом по0 мещают в отжиговую печь (на чертежах не показана) дл  последующей термообработки и медленного охлаждени  до комнатной температуры.
Таким образом, предлагаема  установ5 ка позвол ет исключить воздействие на выращенный монокристалл теплового на всех этапах его извлечени  из камеры. При отсоединенной нижней части 2 камеры монокристалл 15 не будет испытывать тер loyдapa , так как его нижний торец находитс  выше плоскости разъема верхней 1 и нижней 2 частей камеры. .После присоединени  к верхней части 1 камеры термоса 17 она образует вместе с ним замкнутое пространство, защищенное от воздействи  холодного наружного воздуха, и при последующем опускании монокристалла 15 в контейнер 16 термоудар также полностью исключен.
Использование при выгрузке монокристалла 15, вис чего на затравке 14, только вертикального его перемещени  исключает воздействие на выращенный монокристалл 15 горизонтальных составл ющих инерционных си  и тем самым полностью исключает возможность его аварийного обрыва.
Выгрузка монокристалла 15 производитс  с помощью тех же механизмов 11 возвратно-поступательного перемещени  штока 10 и затравкодержател  12, которые используютс  и в процессе выращивани , и может быть легко автоматизирована.
(56) Авторское свидетельство СССР № 285818, кл. В 01J 17/06, 1974.
Патент США N 3865554, кл. B01J 17/18, 1975.

Claims (2)

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫТЯГИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА НА ЗАТРАВКУ, включающее герметичную камеру из двух частей, разъемных в горизонтальной плоскости, размещенный внутри нее тигель с нагревателем и вертикально установленный щток с затравкодержателем , закрепленный на станине, отличающеес  тем, что, с целью предотвращени  теплового удара при извлечении кристалла из камеры, верхн   часть камеры жестко
закреплена на станине, а нижн   часть установлена с возможностью перемещени  по вертикали и смещени  в горизонтальной плоскости, устройство снабжено подвижной термоста тированной емкостью дл  приема и транспортировки кристалла, взаимодействующей с верхней частью камеры .
2. Устройство по П.1, отличающеес  тем, что, с целью предотвращени  обрыва кристалла, затравкодержатель выполнен в виде накидной гайки, имеющей в нижней части форму усеченной пирамиды.
«
10.
Фиг.д
SU2509202 1977-08-18 1977-08-18 Устройство дл выт гивани монокристаллов из расплава на затравку RU1108787C (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2509202 RU1108787C (ru) 1977-08-18 1977-08-18 Устройство дл выт гивани монокристаллов из расплава на затравку

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2509202 RU1108787C (ru) 1977-08-18 1977-08-18 Устройство дл выт гивани монокристаллов из расплава на затравку

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1108787C true RU1108787C (ru) 1993-12-30

Family

ID=20718667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2509202 RU1108787C (ru) 1977-08-18 1977-08-18 Устройство дл выт гивани монокристаллов из расплава на затравку

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1108787C (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4203951A (en) Apparatus for growing single crystals from melt with additional feeding of comminuted charge
JP2008285351A (ja) 原料供給装置及びこれを備えた単結晶引上げ装置、並びに原料供給方法
JP2012091942A (ja) シリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法
CN113061980A (zh) 一种生长氟化锂单晶的装置及生长方法
RU1108787C (ru) Устройство дл выт гивани монокристаллов из расплава на затравку
JP2005053722A (ja) 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法
US3093456A (en) Method for recovery and reuse of quartz containers
US5007980A (en) Liquid encapsulated zone melting crystal growth method and apparatus
GB2139918A (en) Crystal growing apparatus
WO2019156323A1 (ko) 실리콘 공급부, 이를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 및 방법
JP3774920B2 (ja) 単結晶引上装置のヒータ機構
KR20200026247A (ko) 리차지관 및 단결정의 제조방법
US4485072A (en) Apparatus and method of growing and discharging single crystals
US5932008A (en) Apparatus for manufacturing a single-crystal and method of manufacturing a single-crystal using the same
US3986837A (en) Method of and apparatus for manufacturing single crystal compound semiconductor
JP2520924B2 (ja) 単結晶引上装置
JP2504550Y2 (ja) 単結晶引上げ装置
JP2690419B2 (ja) 単結晶の育成方法及びその装置
EP0221051A1 (en) Method and apparatus for growing single crystal bodies
KR20200085160A (ko) 단결정 성장용 열차폐 부재 및 이를 적용한 단결정 성장장치
US3212858A (en) Apparatus for producing crystalline semiconductor material
JPS6117796B2 (ru)
US6033472A (en) Semiconductor single crystal manufacturing apparatus
JP2009102194A (ja) フッ化金属単結晶体引上げ装置及び該装置を用いたフッ化金属単結晶体の製造方法
JPH01100087A (ja) 単結晶引上装置