RO92259B1 - Circuit integrat pentru comanda unei barete de diode electroiluminiscente - Google Patents
Circuit integrat pentru comanda unei barete de diode electroiluminiscenteInfo
- Publication number
- RO92259B1 RO92259B1 RO117686A RO11768685A RO92259B1 RO 92259 B1 RO92259 B1 RO 92259B1 RO 117686 A RO117686 A RO 117686A RO 11768685 A RO11768685 A RO 11768685A RO 92259 B1 RO92259 B1 RO 92259B1
- Authority
- RO
- Romania
- Prior art keywords
- command
- controlling
- source
- mos
- mos transistor
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
Inventia se refera la un circuit electronic integrat pentru comanda unei barete de diode electroluminescente, utilitat pentru comanda afisajului. Circuitul integrat, conform inventiei este constituit dintr-o placheta substrat de siliciu în care se realizeaza un tranzistor MOS, cu poarta rezistiva, prevazut cu o sursa si mai multe drene flotante, cate una pentru fiecare element de afisare, asezate de-a lungul canalului poarta rezistiva avand un contact în dreptul sursei care se polarizeaza la unpotential constant si un contact în dreptul ultimei drene flotante la care se aplica semnalul util, elementele de afisaj fiind comandate prin tranzitoare MOS de comanda, cate unul pentru fiecare element de afisaj ale caror porti sunt legate fiecare în parte la cate o drena flotanta a tranzistorului MOS cu poarta rezidiva, sirsele tranzistoarelor MOS de comanda fiind legate între ele si împreuna la substrat constituind punctul de masa al schemei, iar drenele tranzistoarelor de comanda fiind folosite pentru conectarea elementelor de afisaj, potentialul constant la care se polarizeata sursa tranzustorului MOS fiind superior tensiunii de prag a tranzistoarelor de comanda.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RO117686A RO92259B1 (ro) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | Circuit integrat pentru comanda unei barete de diode electroiluminiscente |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RO117686A RO92259B1 (ro) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | Circuit integrat pentru comanda unei barete de diode electroiluminiscente |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RO92259A2 RO92259A2 (ro) | 1987-08-31 |
| RO92259B1 true RO92259B1 (ro) | 1987-09-01 |
Family
ID=20116586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RO117686A RO92259B1 (ro) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | Circuit integrat pentru comanda unei barete de diode electroiluminiscente |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RO (1) | RO92259B1 (ro) |
-
1985
- 1985-02-19 RO RO117686A patent/RO92259B1/ro unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RO92259A2 (ro) | 1987-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5502412A (en) | Method and circuit for driving power transistors in a half bridge configuration from control signals referenced to any potential between the line voltage and the line voltage return and integrated circuit incorporating the circuit | |
| US6211706B1 (en) | Method and circuit for driving power transistors in a half bridge configuration allowing for excessive negative swing of the output node and integrated circuit incorporating the circuit | |
| ATE251343T1 (de) | Transistor mit schwebendem gate und mehreren steuergates | |
| DE68910711D1 (de) | Zeitlich abweichende Ansteuerung zur Verwendung in integrierten Schaltungen. | |
| JPS6455857A (en) | Semiconductor integrated device | |
| DE3785162D1 (de) | Integrierte halbleiterschaltung mit als duennschichtstege auf den die aktiven transistorbereiche trennenden feldoxidbereichen angeordneten lastwiderstaende und verfahren zu ihrer herstellung. | |
| KR920022505A (ko) | 보호 소자를 갖고있는 반도체 집적회로 | |
| KR950012707A (ko) | 반도체 장치 | |
| GB1520067A (en) | Negative resistance device | |
| EP0371814A3 (en) | Light-sensitive semiconductor device | |
| ATE77184T1 (de) | Integrierte geschaltete uebertragungsschaltung. | |
| JPS6471218A (en) | Input buffer circuit and input level shift circuit | |
| DE3485235D1 (de) | Eingangssignalpegelwandler fuer eine mos-digitalschaltung. | |
| GB2355121A (en) | A stress-follower circuit configuration | |
| RO92259B1 (ro) | Circuit integrat pentru comanda unei barete de diode electroiluminiscente | |
| JPS5694670A (en) | Complementary type mis semiconductor device | |
| EP0361121A3 (en) | Semiconductor ic device with improved element isolating scheme | |
| KR940001384A (ko) | 반도체 장치 | |
| JPS5745948A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| KR930003414A (ko) | 반도체 집적 회로 장치 | |
| ES8608230A1 (es) | Disposicion semi-conductora plana | |
| ATE25897T1 (de) | Gestapelter mos-transistor. | |
| EP0421446A3 (en) | Semiconductor device wherein n-channel mosfet, p-channel mosfet and nonvolatile memory cell are formed in one chip | |
| EP0381237A3 (en) | Integrated semiconductor circuit with p and n channel mos transistors | |
| JPS56108257A (en) | Semiconductor integrated circuit device |