RO88062B1 - Sursa controlata de difuzie a zn si procedeu de obtinere - Google Patents

Abstract

Inventia se refera la o sursa controlata de difuzie a zincului în plachete de GaAs, precum si la un procedeu de obtinere a acestei surse. Sursa, conform inventiei, este realizata pe plachetele de GaAs pe care se va efectua difuzia sub forma unor straturi succesive si anume, un strat de SiO2 pentru evitarea defectarii suprafetei dispozitivului, peste care este depus un strat de Zn de grosime prestabilita 500...5000 A în functie de cerintele dispozitivului respectiv, si apoi un alt strat tampon de SiO2 puternic dopat cu fosfor, în grosime de 5000 A în scopul evitarii pierderii de Zn prin difuzia în exterior. Procedeul de obtinere a sursei, conform inventiei, consta în depunerea primului strat de SiO2, pe plachetele de GaAs prin tehnica CVD, a stratului de Zn prin tehnica depunerii în vid iar a celui de-al doilea strat de SiO2 puternic dopat cu fosfor tot prin tehnica CVD, la 400 degree C.