RO130592A2 - Fotorezist cu sensibilizatori conţinând pământuri rare - Google Patents
Fotorezist cu sensibilizatori conţinând pământuri rare Download PDFInfo
- Publication number
- RO130592A2 RO130592A2 ROA201001031A RO201001031A RO130592A2 RO 130592 A2 RO130592 A2 RO 130592A2 RO A201001031 A ROA201001031 A RO A201001031A RO 201001031 A RO201001031 A RO 201001031A RO 130592 A2 RO130592 A2 RO 130592A2
- Authority
- RO
- Romania
- Prior art keywords
- photoresist
- rare earth
- rare earths
- making
- group
- Prior art date
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 65
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- -1 rare earth compound Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 claims abstract 2
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 4
- 125000005609 naphthenate group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SEEPANYCNGTZFQ-UHFFFAOYSA-N sulfadiazine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)NC1=NC=CC=N1 SEEPANYCNGTZFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 11
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 claims 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N Butyl carbitol 6-propylpiperonyl ether Chemical compound C1=C(CCC)C(COCCOCCOCCCC)=CC2=C1OCO2 FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims 3
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M Lactate Chemical compound CC(O)C([O-])=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims 3
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229960005235 piperonyl butoxide Drugs 0.000 claims 3
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- TXBBUSUXYMIVOS-UHFFFAOYSA-N thenoyltrifluoroacetone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)CC(=O)C1=CC=CS1 TXBBUSUXYMIVOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- NZZIMKJIVMHWJC-UHFFFAOYSA-N dibenzoylmethane Chemical group C=1C=CC=CC=1C(=O)CC(=O)C1=CC=CC=C1 NZZIMKJIVMHWJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 3
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 2
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-dinitroanilino)-4-methylpentanoic acid Chemical compound CC(C)CC(C(O)=O)NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N butyronitrile Chemical compound CCCC#N KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la o compoziţie de fotorezist cu sensibilizatori conţinând pământuri rare, şi la o metodă de producere a acestuia, utile în litografierea circuitelor integrate cu lumină vizibilă. Compoziţia conform invenţiei cuprinde două componente: un fotorezist sensibil la radiaţii UV/DUV/EUV şi un compus cu pământuri rare, care permit înregistrarea unei imagini la expunerea la lumină din spectrul vizibil. Metoda conform invenţiei constă într-o primă etapă de dizolvare, într-un solvent organic, a unui fotorezist sensibil la radiaţii UV/DUV/EUV, urmată de adăugarea şi amestecarea unui compus cu pământuri rare, solubil în soluţia obţinută în prima etapă, şi realizarea de straturi subţiri.
Description
FOTOREZIST CU SENSIBILIZATORI CONTININD
PAMINTURI RARE
Cererea de brevet de invenție „Fotorezist cu sensibilizatori continind paminturi rare” este o continuare a cererii de brevet de invenție nr. 00835/19.10.2009 cu același titlu care a fost retrasa.
DOMENIUL TEHNIC AL INVENȚIEI
Prezenta invenție se refera in general la domeniile: fabricația circuitelor integrate, litografiere si chimia polimerilor. In mod particular, invenția descrie compoziții de fotorezist si metode de realizare a acestora. Fotorezistul cu sensibilizatori continind paminturi rare este util in litografierea circuitelor integrate cu lumina vizibila.
STADIUL TEHNICII
In procesul de producție a componentelor electronice care necesita litografiere (circuitele integrate si circuitele imprimate), faza de corodare a straturilor multiple este una dintre cele mai importante etape. Metoda utilizata pe scara larga consta in acoperirea substratului cu fotorezist, expunerea acestuia la lumina ultravioleta (UV), urmata de corodarea selectiva a unor zone ale substratului. Se cunosc doua tipuri de fotorezist: a) fotorezistul pozitiv care permite corodarea substratului in zonele expuse, b) fotorezistul negativ care se polimerizeaza in zonele expuse, avind drept urmare împiedicarea corodarii substratului in aceste zone. Sursa uzuala de radiații
UV este o lampa cu vapori de mercur, care emite intr-o banda larga, cu trei linii intense la 436nm (linia G), 405nm (linia H) si 365nm (linia I). Linia cea mai intensa este linia I. Cercetările recente din domeniul litografiei s-au orientat spre realizarea de compoziții de
fotorezist sensibile la radiațiile laser. Litografia DUV (Deep-UV) utilizează radiații cu lungimile de unda 248nm si 193nm furnizate de laserii cu excimeri: KrF (248nm) si ArF (193nm). Pentru litografia EUV (Extreme-UV) se cercetează surse de radiații X, emise de plasme realizate cu laseri de mare putere. Lungimea de unda a radiației selectate pentru $2010 0 1 Ο 5 1 - 2 9 -10- 2015 utilizarea in domeniul litografiei EUV este 13,5nm. S-au realizat compoziții de fotorezist, specifice pentru fiecare lungime de unda utilizata in litografie. De exemplu pentru 248nm (fotorezist KrF) fotorezistul conține rășini fenolice iar pentru 193nm (fotorezist ArF) compoziția include rășini metacrilice.
Fotosensibilitatea fotorezistului este determinata de prezenta fotosensibilizatorului. Brevetul SUA nr. 5,225,312 descrie un fotorezist pozitiv avind fotosensibilizatori coloranti pe baza de cumarina. Alte exemple de brevete SUA cu fotosensibilizatori coloranti organici sunt: 6,376,150; 5,976,770; 5,128,232 ; si 5,492,790.
Obiectivul principal al invenției consta in realizarea unei compoziții de fotorezist avind sensibilitate mărită in domeniul radiației vizibile. In vederea îndeplinirii acestui obiectiv se descriu compoziții continind compuși cu paminturi rare.
Avantajul invenției prezente consta in înlocuirea surselor intense de lumina cu diode laser de mica putere.
EXPUNEREA INVENȚIEI
Invenția se refera la compoziții de fotorezist utilizate in domeniul litografiei cu lumina vizibila si a metodelor de producere a acestor compoziții. Radiația vizibila are o lungime de unda cuprinsa intre 450nm si 780nm.
Invenția prezenta se bazeaza pe sensibilizatori fundamental diferiți (compuși ai paminturilor rare) fata de sensibilizatorii utilizați (coloranti organici) in compozițiile convenționale de fotorezist. Colorantii organici au benzi largi de absorbție, in timp ce ionii paminturile rare au linii înguste de absorbție. Aceasta proprietate determina ca laserii sa fie mult mai eficienți pentru compozițiile de fotorezist continind compuși ai paminturilor rare.
In acord cu alt aspect al invenției prezente, se detaliaza o metoda de producere a unui fotorezist cu sensibilizatori continind paminturi rare. Metoda prezintă următoarele etape:
• dizolvarea intr-un solvent organic a unui fotorezist sensibil la radiații UV/DUV/EUV,
• adaugarea si amestecarea unui compus cu paminturi rare solubil in soluția de la (a), • realizarea de straturi subțiri.
Ο 1 ο Ο 1 03 1 - 2 3 -10- 2015
Doparea cu paminturi rare a unui fotorezist, necesita existenta unei solubilitatii ridicate a compusului cu paminturi rare in anumiti solventi organici.
Unul dintre cele mai mari avantaje a includerii ionilor paminturilor rare in fotorezist consta in controlul nivelelor energetice prin selectarea vecinătății ionilor.Transferul energetic dintre ioni si ligantii organici are eficienta cuantica apropiata de unitate.
In acord cu invenția prezenta, se descrie o alta metoda de producere a compozițiilor de fotorezist cu compuși ai paminturilor rare (săruri si/sau complcsi ai paminturilor rare) care sunt incluși in faza de monomer a procesului de polimerizare a fotorezistului.
Compușii paminturilor rare trebuie sa fie stabili termic pentru a rezista procesului de polimerizare. In acest mod, compușii paminturilor rare pot fi introduși in compoziția fotorezistului fara sa fie necesari solventii organici.
DESCRIEREA DETALIATA A INVENȚIEI
Invenția este prezentata in detaliu prin următoarele exemple, care sunt date numai cu caracter ilustrativ.O metoda de producere a unui fotorezist cu sensibilizatori avind paminturi rare, consta in amestecarea a doua soluții, una continind fotorezistul sensibil la radiații UV/DUV/EUV dizolvat intr-un solvent organic, iar a doua soluție conține compusul de paminturi rare dizolvat in același solvent. In invenție, se poate utiliza orice solvent organic care dizolva amindoua componentele si nu reacționează la lumina.
Compozițiile de fotorezist pozitiv bazate pe novolac si chinona diazina, sunt utilizate frecvent in domeniul litografiei. Solventii asociati acestui tip de fotorezist sunt: acetona, metil etil cetona, ciclohexanona, benzenul, clorbenzenul, toluenul, eterii de glicol, alcoolul izopropilic, etanolul si metanolul.
Alt mod de a include ionii de pamint rar in fotorezist consta in complexarea lor cu liganti organici.
EXEMPLUL 1
Se dizolva separat in acetona un fotorezist de tip novolac/chinona diazina si naftenat de europiu. Amindoua soluțiile se amesteca pentru a se obține in final compoziția ( exprimata in 4 λ 2010 01031-2 9 -ίο- 2015
procente masice): fotorezist de tip novolac/chinona diazina (18% ), naftenat de europiu ( 3 %) si acetona (79 %). Compoziția se aplica uniform, cu un spiner, pe suprafața unei plachete de siliciu de 4 toii. Placheta acoperita, se încălzește 90 secunde la 110° C. Expunerea plachetei se realizează la 50mJ/cm2 cu lumina verde (λ = 532nm), furnizata de un laser Nd:YAG. O grila Ugra, continind linii si spatii de diverse dimensiuni, a fost utilizata pentru înregistrare. Developarea plachetei expuse s-a efectuat, timp de 16 secunde, intr-o soluție 7% ( procente masice) de NaOH in apa deionizata. Placheta a fost ulterior spalata in apa deionizata si uscata pe spiner. Imaginile obținute prezintă nivelurile de gri ale grilei.
EXEMPLUL 2
O compoziție de fotorezist a fost realizata intr-un mod similar cu cel prezentat in Exemplul 1, prin înlocuirea naftenatului de europiu cu un amestec de Sm(NO3)3 si Ce(NO3)3 . Azotatii hidratati de lantanide au fost preparați prin dizolvarea in acid azotic 50% a oxizilor corespunzători, operația fiind urmata de evaporarea soluției in bain-marin. Sm(NO3)3 si Ce(NO3)3 reprezintă fiecare 1,5% din masa compoziției. Scrierea cu radiația laser s-a efectuat la 20mJ/cm2. Restul procedurii descrisa in Exemplul 1 a ramas neschimbata. Inspectarea imaginii developate confirma prezenta clara a liniilor si spatiilor de 500nm.
EXEMPLUL 3
O modaliate de incorporare a ionilor paminturilor rare in fotorezist consta in încapsularea ionilor in complecși de paminturi rare, urmata de doparea directa cu aceștia. Complexul utilizat in acest exemplu este Eu(fod)3 sau europiu tri(6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-2,2-dimetil-3,5octandionat), achiziționat de la Aldrich. Doparea fotorezistului se realizează prin amestecarea complexului cu monomerii.Complexul de europiu reprezintă 0,7% din masa compoziției. Copolimerii glicidil metacrilat- alil glicidil eter, se prepara prin dizolvarea monomerilor intr
un solvent, in prezenta catalizatorului, la temperatura scăzută. Intr-un balon de 3000 ml se introduce 360 g glicidil metacrilat, 60 g alil glicidil eter, 750 ml de metil etil cetona, 2,95 g
Eu(fod)3, si 0,982 g peroxid de benzoil.Soluția este omogenizata si încălzită la 88° C. După începerea reacției, timp de 90 minute se adauga lent o soluție de 2,97 g peroxid de benzoil in
Ο 1 Ο Ο 1 Ο 3 1 - 2 9 -W- 2015
300 ml de metil etil cetona. Procesul de polimerizare dureaza 5 ore, după care amestecul de reacție este răcit la temperatura camerei. In continuare se adauga, cu agitare, 200ml de metil etil cetona. Soluția se filtrează si se adauga lent la 8 litri de metanol. Precipitatul alb este colectat si spalat in metanol. După uscarea in vid se obține 195g de copolimeri. Fotorezistul se prepara prin amestecarea a 5g de copolimeri glicidil metacrilat - alil glicidil eter cu 5g oclortoluen, 44,4 ml butironitril si 0,25 g 2,5-dietoxi-4-(p-tolylthio) benzen diazoniu hexafluorofosfat. Expunerea la radiația laser a fost stabilita la 100mJ/cm2. Restul procedurii descrisa in Exemplul 1 a ramas neschimbata.Developarea plachetei expuse s-a efectuat intr-o soluție de acetona cu metil etil cetona. Rezultatul înregistrării consta in linii si spatii de 500nm avind contrast bun.
In timp ce invenția a fost descrisa cu exemple detaliate, se considera ca se pot efectua diverse variante, care sa nu afecteze spiritul si scopul acester invenții.
Claims (17)
1. O compoziție de fotorezist cu sensibilizatori continind paminturi rare, caracterizata prin aceea ca are doua componente:
(a) un fotorezist sensibil la radiații UV/DUV/EUV, (b) un compus cu paminturi rare, care permit înregistrarea unei imagini la expunerea cu lumina apartinind spectrului vizibil.
2. O compoziție de fotorezist conform revendicării 1, caracterizata prin aceea ca, conține unul sau mai multe paminturi rare selectate din grupul: ceriu (Ce), praseodim (Pr), neodin (Nd), samariu (Sm), europiu (Eu), gadoliniu (Gd), terbiu (Tb), dysprosiu (Dy), holmiu (Ho), erbiu (Er), tuliu (Tm) si yterbiu (Yb).
3. O compoziție de fotorezist conform revendicării 1, caracterizata prin aceea ca, compusul de pamint rar reprezintă (in procente masice) intre 0,1% si 10% din compoziție.
4. O compoziție de fotorezist conform revendicării 1, caracterizata prin aceea ca, compusul de pamint rar este una sau mai multe săruri selectate din grupul: nitrat, naftenat, stearat, lactat, citrat, butoxid, acetat si acetilacetonat.
5. O compoziție de fotorezist conform revendicării 1, caracterizata prin aceea ca, compusul de pamint rar este unul sau mai multi complecși de paminturi rare selectați din grupul: RE-picolinat, RE-lisamina,
RE(fod)3 (fod = 6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-2,2-dimetil-3,5-octandionat),
RE(TTA)3Phen (TTA = thenoyl trifluoroaceton, Phen = 1,10- fenantrolina),
RE(DBM)3Phen (DBM = dibenzoilmetan, Phen = 1,10- fenantrolina), 7 <λ 2 O 1 O O 1 O 3 1 - 2 9 10- 2015
RE-Ș-dicetona si RE-fulerina.
6. O compoziție de fotorezist conform revendicării 1, caracterizata prin aceea ca fotorezistul este un fotorezist pozitiv.
7. O compoziție de fotorezist conform revendicării 1, caracterizata prin aceea ca fotorezistul pozitiv este un fotorezist de tip novolac/ chinona diazina.
8. O compoziție de fotorezist conform revendicării 1, caracterizata prin aceea ca fotorezistul este un fotorezist negativ.
9. O metoda de realizare a unui fotorezist cu sensibilizatori continind paminturi rare, caracterizata prin aceea ca are următoarele etape:
(a) dizolvarea intr-un solvent organic a unui fotorezist sensibil la radiații UV/DUV/EUV, (b) adaugarea si amestecarea unui compus cu paminturi rare solubil in soluția de la (a), (c) realizarea de straturi subțiri.
10. O metoda de realizare a unui fotorezist cu sensibilizatori continind paminturi rare conform revendicării 9, caracterizata prin aceea ca solventul organic este singur sau un amestec de solventi selectați din grupul: acetona, metil etil cetona, ciclohexanona, benzen, clorbenzen, toluen, eteri de glicol, alcool izopropilic, etanol si metanol.
11. O metoda de realizare a unui fotorezist cu sensibilizatori continind paminturi rare conform revendicării 9, caracterizata prin aceea ca, conține unul sau mai multe paminturi rare selectate din grupul: ceriu (Ce), praseodim (Pr), neodin (Nd), samariu (Sm), europiu (Eu), gadoliniu (Gd), terbiu (Tb), dysprosiu (Dy), holmiu (Ho), erbiu (Er), tuliu (Tm) si yterbiu (Yb).
12. O metoda de realizare a unui fotorezist cu sensibilizatori continind paminturi rare conform revendicării 9, caracterizata prin aceea ca, compusul de pamint rar este una
Λ 2 01 Ο Ο 1 Ο 3 1 - 2 9 -19- 2115 sau mai multe săruri selectate din grupul: nitrat, naftenat, stearat, lactat, citrat, butoxid, acetat si acetilacetonat.
13. O metoda de realizare a unui fotorezist cu sensibilizatori continind paminturi rare conform revendicării 9, caracterizata prin aceea ca, compusul de pamint rar este unul sau mai multi complecși de paminturi rare selectați din grupul: RE-picolinat, RE-lisamina, RE(fod)3 (fod = 6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-2,2-dimetil-3,5-octandionat), RE(TTA)3Phen (TTA = thenoyl trifluoroaceton, Phen = 1,10- fenantrolina), RE(DBM)3Phen (DBM = dibenzoilmetan, Phen = 1,10- fenantrolina), RE-p-dicetona si RE-fulerina.
14. O metoda de realizare a unui fotorezist cu sensibilizatori continind paminturi rare, caracterizata prin aceea ca, compusul de pamint rar este introdus in faza de monomer a procesului de polimerizare a fotorezistului sensibil la radiații UV/DUV/EUV.
15. O metoda de realizare a unui fotorezist cu sensibilizatori continind paminturi rare conform revendicării 14, caracterizata prin aceea ca, conține unul sau mai multe paminturi rare selectate din grupul: ceriu (Ce), praseodim (Pr), neodin (Nd), samariu (Sm), europiu (Eu), gadoliniu (Gd), terbiu (Tb), dysprosiu (Dy), holmiu (Ho), erbiu (Er), tuliu (Tm) si yterbiu (Yb).
16. O metoda de realizare a unui fotorezist cu sensibilizatori continind paminturi rare conform revendicării 14, caracterizata prin aceea ca, compusul de pamint rar este una sau mai multe săruri selectate din grupul: nitrat, naftenat, stearat, lactat, citrat, butoxid, acetat si acetilacetonat.
17. O metoda de realizare a unui fotorezist cu sensibilizatori continind paminturi rare conform revendicării 14, caracterizata prin aceea ca, compusul de pamint rar este unul sau mai multi complecși de paminturi rare selectați din grupul: RE-picolinat, RE-lisamina, RE(fod)3 (fod = 6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-2,2-dimetil-3,5-octandionat), REfTTAfiPhen (TTA = thenoyl trifluoroaceton, Phen = 1,10- fenantrolina),
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ROA201001031A RO130592B1 (ro) | 2010-10-29 | 2010-10-29 | Fotorezist cu sensibilizatori conţinând pământuri rare |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ROA201001031A RO130592B1 (ro) | 2010-10-29 | 2010-10-29 | Fotorezist cu sensibilizatori conţinând pământuri rare |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RO130592A2 true RO130592A2 (ro) | 2015-09-30 |
| RO130592B1 RO130592B1 (ro) | 2016-08-30 |
Family
ID=54196675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ROA201001031A RO130592B1 (ro) | 2010-10-29 | 2010-10-29 | Fotorezist cu sensibilizatori conţinând pământuri rare |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RO (1) | RO130592B1 (ro) |
-
2010
- 2010-10-29 RO ROA201001031A patent/RO130592B1/ro unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RO130592B1 (ro) | 2016-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI642654B (zh) | 組成物及製造器件之方法 | |
| US20160159953A1 (en) | Reagent for enhancing generation of chemical species | |
| TW201241555A (en) | Resist composition and patterning process | |
| Chen et al. | Effect of free radicals on irradiation chemistry of a double-coordination organotin (Sn4) photoresist by adjusting alkyl ligands | |
| Hesp et al. | Tetrahydropyranyl‐and furanyl‐protected polyhydroxystyrene in chemical amplification systems | |
| WO2015045426A1 (en) | Compounders for Enhancing Generation of Chemical Species | |
| CN105573056A (zh) | 一种感光干膜抗蚀剂 | |
| TW201115268A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element utilizing the composition, method for formation of resist pattern, and process for production of printed circuit board | |
| CN110325915A (zh) | 化学增幅型光致抗蚀剂组合物、光致抗蚀剂图案和用于制备光致抗蚀剂图案的方法 | |
| CN101402855A (zh) | 聚芳醚稀土配合物发光材料及其制备方法 | |
| JP2015187252A (ja) | 化学種発生向上剤 | |
| JP2025004034A (ja) | 感光性樹脂積層体 | |
| Li et al. | Functional Ligand‐Modified Perovskite Quantum Dots for Stable Full‐Color Microarrays via Photopolymerization | |
| CN105348432A (zh) | 一类聚合物型硫鎓盐类光生酸剂、制备方法及其应用 | |
| RO130592A2 (ro) | Fotorezist cu sensibilizatori conţinând pământuri rare | |
| CN105190441B (zh) | 上层膜形成用组合物以及使用了其的抗蚀图案形成方法 | |
| Destri et al. | Novel erbium-substituted oligothiophene chelates for infrared emission | |
| KR20180037981A (ko) | 화소-구분 층을 형성하는 조성물 및 방법 | |
| CN108681206A (zh) | 同时具有上转换发光功能和紫外光敏特性的复合薄膜材料及其制备方法 | |
| CN104788667B (zh) | 8-羟基喹啉端基化超支化聚酯稀土配合物及其制备方法和应用 | |
| US9547238B2 (en) | Photoresist with rare-earth sensitizers | |
| JPWO2020246566A1 (ja) | 主鎖分解型レジスト材料およびこれを含む組成物 | |
| JP2825543B2 (ja) | ネガ型放射線感応性樹脂組成物 | |
| KR20070008565A (ko) | 후막 페이스트와 상용가능한 자외선 차단 보호층 | |
| TW473646B (en) | A photoresist resin and a photoresist composition containing the same |