PL97682B1 - Sposob elektronicznego nanoszenia kontaktow sferycznych do struktur polprzewodnikowych - Google Patents

Sposob elektronicznego nanoszenia kontaktow sferycznych do struktur polprzewodnikowych Download PDF

Info

Publication number
PL97682B1
PL97682B1 PL18322175A PL18322175A PL97682B1 PL 97682 B1 PL97682 B1 PL 97682B1 PL 18322175 A PL18322175 A PL 18322175A PL 18322175 A PL18322175 A PL 18322175A PL 97682 B1 PL97682 B1 PL 97682B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
structures
plate
electrolyte
contacts
policonductor
Prior art date
Application number
PL18322175A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL18322175A priority Critical patent/PL97682B1/pl
Publication of PL97682B1 publication Critical patent/PL97682B1/pl

Links

Landscapes

  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób elektrolitycznego nanoszenia kontaktów sferycznych do struktur pólprzewodnikowych. Sposób ten stosuje sie przy galwanicznym nanoszeniu kontaktów dla duzej ilosci elemen¬ tów pólprzewodnikowych uprzednio wytworzonych w formie struktur na plytce.Znane sposoby elektrolitycznego nanoszenia kontaktów sprowadzaja sie najczesciej do tego, ze pewna ilosc plytek z wytworzonymi strukturami zanurza sie do elektrolitu. Plytki krzemowe od strony elektrody bazy wspólnej dla wszystkich struktur przykleja sie, na przyklad do plytek szklonych i poprzez sprezynki i nakretki dociskowe mocuje w gniazdach listew doprowadzajacych prad. Znany jest równiez sposób wedlug którego plytke ze strukturami pólprzewodnikowymi utrzymuje sie od strony elektrody bazy przyssawka prózniowa.Koncentrycznie z rurka ssawki polaczona jest rurka o wiekszym przekroju poprzecznym, do której doprowadzo¬ ny jest sprezony gaz, na przyklad powietrze. Wyplywajacy gaz z rurki nadmuchowej zabezpiecza brzegi plytki przed przedostawaniem sie tam elektrolitu. Elektrolit doprowadza sie pod pewnym cisnieniem do tej strony plytki, na której nanosi sie kontakty sferyczne.Przedstawione sposoby nanoszenia kontaktów sferycznych daja ograniczone mozliwosci w uzyskiwaniu duzych wydajnosci i jakosci procesu oraz wymagaja szeregu niezbednych, precyzyjnie wykonanych czynnosci jak: zapewnienie pewnego polaczenia elektrycznego wspólnej dla wszystkich struktur pólprzewodnikowych na plytce elektrody bazy z listwa zasilajaca przy jednoczesnym zabezpieczeniu jej (elektrody bazy) przed dostepem elektrolitu. Stosowane do tego celu sprezynki nie daja pewnego polaczenia elektrycznego a maskowanie elektro¬ dy bazy plytkami szklonymi i nakretkami dociskowymi jest bardzo pracochlonne i powoduje czeste lamanie plytek krzemowych.Niedogodnoscia innych znanych sposobów jest koniecznosc stosowania kontroli w obwodach pomocni¬ czych urzadzen mocujacych: stabilizacja cisnienia sprezonego gazu w przewodzie nadmuchowym, regulacja odpo¬ wiedniego natezenia przeplywu elektrolitu omywajacego plytke krzemowa od strony nanoszenia kontaktów. To2 97 682 ostatnie jest szczególnie klopotliwe ze wzgledu na to; ze najczesciej elektfplft jest roztworem- cyjankalicznym.Ponadto w znanych i stosowanych do tego celu kapielach elektrolitycznych nie ma skladnika gwarantujacego wysoka wytrzymalosc mechaniczna gotowyeh kontaktów sferycznych, tak wazna w procesach hermetyzacji struktur. - Celem wynalazku jest usuniecie niedogodnosci znanych sposobów mocowania plytek krzemowych w ka¬ pieli i uzyskanie przy prowadzeniu procesu wysokiej niezawodnosci przy równoczesnym obnizeniu stopnia zlozo¬ nosci pomocniczych obwodów ustalajaco-mocujacych. Dalszym celem wynalazku jest zapewnienie takiego skladu kapieli, aby wytrzymalosc mechaniczna kontaktu sferycznego byla wysoka.Zagadnieniem technicznym wymagajacym rozwiazania dla osiagniecia celu jest opracowanie prostego i pewnego sposobu ustalenia plytki ze strukturami w kapieli galwanicznej, co daje wieksze niz dotychczas korzy¬ sci w uproszczeniu prowadzenia procesu nanoszenia kontaktów sferycznych oraz podnosi stopien jego niezawo¬ dnosci.Zgodnie z wynalazkiem proste i pewne mocowanie plytki na czas trwania procesu uzyskuje sie dzieki wykorzystaniu geometrycznych ksztaltów plytki, jej malego ciezaru oraz wiskotycznych wlasnosci kipieli galwanicznej. Plytka spoczywa na powierzchni elektrolitu w ten sposób, ze plaszczyzna, na której nanoszone sa kontakty zwilzona jest szczelnie elektrolitem. Elektroda bazy wolna jest calkowicie od elektrolitu, a jej polacze¬ nie z biegunem zródla napiecia realizowane jest w ten sposób, ze wywiera ono niewielki nacisk na plytke odbierajac plytce pozostale stopnie swobody. Znikomy ciezar plytki oraz jej stosunkowo duza powierzchnia styku z lepkim elektrolitem nie stawiaja scislych wymagan w zakresie docisku wywieranego na elektrode bazy przy laczeniu jej z biegunem zródla pradu. Brzegi plytki sa zabezpieczone lakierem przed szkodliwym rozply¬ wem pradu przeplywajacego w czasie procesu przez plytke. W elektrolicie zanurzona jest elektroda wykonana z materialu kontaktowego i polaczona do obwodu zasilajacego, zlozonego ze zródla napiecia przemiennego i szeregowo wlaczonego opornika do ustalenia wartosci gestosci pradu podczas nanoszenia kontaktu. Kapiel elektrolityczna zawiera sól antymonu, który podnosi wytrzymalosc mechaniczna naniesionego kontaktu.Wlasnosc ta jest szczególnie pozadana przy montazu struktur pólprzewodnikowych.Przedmiot wynalazku przedstawiony jest w przykladzie wykonania na rysunku, który przedstawia plytke 1 z materialu pólprzewodnikowego z naniesionymi strukturami spoczywajaca na powierzchni kapieli elektroli¬ tycznej 5. Plytka ma zabezpieczone brzegi listwa maskujaca 6, a polaczenie 10 elektrody bazy z biegunem zródla napiecia wywiera docisk na plytke 1. W kapieli elektrolitycznej 5 zawierajacej sól antymonu w ilosci 1 g/l umieszczona jest elektroda 4 wykonana z materialu kontaktowego, na przyklad srebra. Elektroda bazy 2 wraz z elektroda 3 wlaczone sa w obwód generatora 9 napiecia przemiennego zawierajacego potencjometr 7 i miernik natezenia pradu 8 w celu ustalenia wlasciwej gestosci pradu podczas nanoszenia kontaktów do struktur znajduja¬ cych sie na plytce 1.Jak uwidoczniono na rysunku, plytke ze strukturami umieszcza sie na powierzchni elektrolitu, wykorzy¬ stujac jej znany geometryczny ksztalt kolowy. Poniewaz elektrolit charakteryzuje-sie okreslona lepkoscia, za¬ pewniajaca przenoszenie naprezen stycznych, jakie wystepuja na styku obwodu plytki z elektrolitem uniemozli¬ wiajac tym samym zatopienie plytki równiez po przylozeniu nacisku. Nacisk zapewnia plytce zupelna statecz¬ nosc bedac jednoczesnie polaczeniem elektrody bazy ze zródlem napiecia. Po polaczeniu obu elektrod ze zródlem napiecia przemiennego, 3V i ustawieniu potencjometru w takim polozeniu aby uzyskac gestosc pradu 2A/dma nastepuje elektroliza, podczas której w strukturach na plytce pólprzewodnikowej osadza sie kontakt sferyczny. Wysokosc kontaktu reguluje sie czasem trwania elektrolizy.Sposób wedlug wynalazku nie jest ograniczony jedynie do opisanego przykladu wykonania lub kombinacji, albo do stosowania razem wszystkich jego cech, lecz obejmuje równiez stosowanie pojedynczych cech. PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób elektrolitycznego nanoszenia kontaktów sferycznych do struktur pólprzewodnikowych, zna¬ mienny t y m, ze plytke pólprzewodnikowa z naniesionymi strukturami umieszcza sie na powierzchni kapie¬ li elektrolitycznej, zawierajacej znany material kontaktowy, przy czym te plytke tylko od strony plaszczyzny struktur nawilza sie kapiela, a elektrode bazy laczy sie biegunem zródla napiecia przemiennego.
  2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1,znamienny tym, ze stosuje sie zwilzajaca kapiel elektrolityczna zawiera¬ jaca sól antymonu w ilosci od 0,5-1,0 g/l w przeliczeniu na czysty antymon.97 682 PL
PL18322175A 1975-09-10 1975-09-10 Sposob elektronicznego nanoszenia kontaktow sferycznych do struktur polprzewodnikowych PL97682B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18322175A PL97682B1 (pl) 1975-09-10 1975-09-10 Sposob elektronicznego nanoszenia kontaktow sferycznych do struktur polprzewodnikowych

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18322175A PL97682B1 (pl) 1975-09-10 1975-09-10 Sposob elektronicznego nanoszenia kontaktow sferycznych do struktur polprzewodnikowych

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL97682B1 true PL97682B1 (pl) 1978-03-30

Family

ID=19973500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL18322175A PL97682B1 (pl) 1975-09-10 1975-09-10 Sposob elektronicznego nanoszenia kontaktow sferycznych do struktur polprzewodnikowych

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL97682B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB2074377B (en) Conductive polymer ptc circuit protection devices
US2407251A (en) Resistor
PL97682B1 (pl) Sposob elektronicznego nanoszenia kontaktow sferycznych do struktur polprzewodnikowych
Shibata Conductance measurement of thin oxide films on a platinum anode
US1649741A (en) Electric-current rectifier
WO1983002200A1 (en) Method for manufacturing semi-conducting devices and semi-conducting devices thus obtained
AT387563B (de) Schaltungsanordnung fuer das direkte erwaermen einer ionenschmelze, insbesondere von glas, durch durchgang eines elektrischen wechselstromes einer niedrigeren frequenz als 50 hz
US2980833A (en) Point contact rectifier device
US3042593A (en) Electrochemical method for cleansing semiconductive devices
CN205115660U (zh) 一种多孔硅制备装置
CN210703910U (zh) 一种电离子抛光设备
CN109986415A (zh) 一种电离子抛光设备及抛光方法
JPS5587941A (en) Humidity sensor
US3676314A (en) Method of electrodepositing vitreous coatings atop a multiapertured substrate
CN114885483B (zh) 一种半导体放电处理装置及其处理方法
Glasstone CXCV.—Intermittent current electrolysis. Part I. The influence of intermittent current on overvoltage
CN215815884U (zh) 一种电路新型栅极结构
JPS57153431A (en) Electroplating method for semiconductor wafer
JPH11269700A (ja) 電解液槽に吊設する電極材
Boer The preparation of ozone by electrolysis II
JPS5491255A (en) Display element
Tuzun et al. The Loss of Hydrophobicity of HTV Silicone Rubber in a Dynamic Drop Test
CN208819676U (zh) 高功率电流感测组件
JPH0834138B2 (ja) サ−ジ吸収器
JPS56142643A (en) Glass passivation for semiconductor element