JPS6331125A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6331125A JPS6331125A JP17393986A JP17393986A JPS6331125A JP S6331125 A JPS6331125 A JP S6331125A JP 17393986 A JP17393986 A JP 17393986A JP 17393986 A JP17393986 A JP 17393986A JP S6331125 A JPS6331125 A JP S6331125A
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- cathode
- semiconductor substrate
- auxiliary electrode
- glass film
- immersed
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- Pending
Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
［従来の技術］
従来、所定の素子を形成した半導体基板上にガラスパッ
シベーション膜となるガラス膜を電気泳動法にて形成す
ることにより、半導体装置の製造が行われている。すな
わち、第５図に示す如く、絶縁容器１内にアセトン等の
有機溶媒中にガラス粉末を分散させ、かつ、アンモニア
等を添加してガラス粉末を正に帯電してなる電着液２を
収容する。次いで、被処理体である半導体基板を陰極３
として電着液２内に浸漬する。すなわち、陰極３は、電
源装置４の負極に接続されている。次いで、電着液２内
に陰極３に対向するようにして、白金又は金製の陽極５
を浸漬する。すなわち、陽極５は、電源装置４の正極に
接続されている。而して、陰極３と陽極５間に電源装置
４により所定の電流を所定時間流す。これによって半導
体基板である電極３の表面にガラス膜を付着させる。
シベーション膜となるガラス膜を電気泳動法にて形成す
ることにより、半導体装置の製造が行われている。すな
わち、第５図に示す如く、絶縁容器１内にアセトン等の
有機溶媒中にガラス粉末を分散させ、かつ、アンモニア
等を添加してガラス粉末を正に帯電してなる電着液２を
収容する。次いで、被処理体である半導体基板を陰極３
として電着液２内に浸漬する。すなわち、陰極３は、電
源装置４の負極に接続されている。次いで、電着液２内
に陰極３に対向するようにして、白金又は金製の陽極５
を浸漬する。すなわち、陽極５は、電源装置４の正極に
接続されている。而して、陰極３と陽極５間に電源装置
４により所定の電流を所定時間流す。これによって半導
体基板である電極３の表面にガラス膜を付着させる。
［発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、上述の半導体装置の製造方法によるもの
では、例えば直径３インチの半導体基板の表面にガラス
膜を形成した場合、ガラス膜の設定膜厚を１とすると、
第４図に特性線（ｎ）にて示す如く、ガラス膜の膜厚は
、半導体基板の周辺部ではその他の部分の膜厚の約２倍
の厚肉のものになる欠点があった。その結果、ガラス膜
の厚内の部分で内部応力が増大してガラス膜の割れを引
き起こし、半導体装置の歩留り信頼性を低下する問題が
あった。
では、例えば直径３インチの半導体基板の表面にガラス
膜を形成した場合、ガラス膜の設定膜厚を１とすると、
第４図に特性線（ｎ）にて示す如く、ガラス膜の膜厚は
、半導体基板の周辺部ではその他の部分の膜厚の約２倍
の厚肉のものになる欠点があった。その結果、ガラス膜
の厚内の部分で内部応力が増大してガラス膜の割れを引
き起こし、半導体装置の歩留り信頼性を低下する問題が
あった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、半導
体基板の表面に亘って均一な膜厚で所定のガラス膜を形
成して、歩留り及び信頼性の向上を図った半導体装置を
容易に得ることができる半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
体基板の表面に亘って均一な膜厚で所定のガラス膜を形
成して、歩留り及び信頼性の向上を図った半導体装置を
容易に得ることができる半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、有機溶媒中にガラス粉末を正に帯電した状態
で含有してなる電着液を絶縁容器に収容し、該電着液中
に所定の素子を形成した半導体基板を陰極として浸漬し
、該半導体基板の被処理面に対向するようにして陽極を
前記電着液に浸漬すると共に、前記陰極の周辺部に対向
するようにして補助電極を前記電着液に浸漬し、これら
の陰極、陽極、補助電極間に所定の電圧を印加し、前記
被処理面にガラス膜を形成することを特徴とする半導体
装置の製造方法である。
で含有してなる電着液を絶縁容器に収容し、該電着液中
に所定の素子を形成した半導体基板を陰極として浸漬し
、該半導体基板の被処理面に対向するようにして陽極を
前記電着液に浸漬すると共に、前記陰極の周辺部に対向
するようにして補助電極を前記電着液に浸漬し、これら
の陰極、陽極、補助電極間に所定の電圧を印加し、前記
被処理面にガラス膜を形成することを特徴とする半導体
装置の製造方法である。
［作用コ
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、被処理体
である半導体基板の周側面に対向するようにして補助電
極を設け、半導体基板からなる陰極とこの補助電極及び
陽極間に所定の電流を流すことにより、半導体基板の表
面全面に亘って均一な膜厚で所定のガラス膜を形成する
。その結果、製造歩留り及び信頼性の向上を達成できる
ものである。
である半導体基板の周側面に対向するようにして補助電
極を設け、半導体基板からなる陰極とこの補助電極及び
陽極間に所定の電流を流すことにより、半導体基板の表
面全面に亘って均一な膜厚で所定のガラス膜を形成する
。その結果、製造歩留り及び信頼性の向上を達成できる
ものである。
［実施例］
以下、本発明の実施例に就いて図面を参照して説明する
。
。
まず、四フッ化エチレン等からなる絶縁容器１０内に、
インプロピルアルコール、アセトン等の有機溶媒中にガ
ラス粉末を添加し、これにアンモニアを加えてガラス粉
末を正に帯電させた電着液１１を収容する。次いで、電
着液１１内にダイオード、サイリスタ等の所定の素子を
形成してなる半導体基板を陰極１２として浸漬する。つ
まり、陰極１２は、電源装置１３の負極に接続されてい
る。また、半導体基板の被処理面の部分は、酸化膜が除
去され導電性を宵する状態になっている。
インプロピルアルコール、アセトン等の有機溶媒中にガ
ラス粉末を添加し、これにアンモニアを加えてガラス粉
末を正に帯電させた電着液１１を収容する。次いで、電
着液１１内にダイオード、サイリスタ等の所定の素子を
形成してなる半導体基板を陰極１２として浸漬する。つ
まり、陰極１２は、電源装置１３の負極に接続されてい
る。また、半導体基板の被処理面の部分は、酸化膜が除
去され導電性を宵する状態になっている。
次いで、電着液ｌｌ内に陰極１２の被処理面に対向する
ようにして白金製の陽極１４を浸漬する。つまり、陽極
１４は、電源装置１３の正極に接続されいる。
ようにして白金製の陽極１４を浸漬する。つまり、陽極
１４は、電源装置１３の正極に接続されいる。
次いで、第２図に示す如く、陰極１２の周側面に対向す
るようにして１ ｍｍφの金属線からなる補助電極１５
を電着液１１内に浸漬する。補助電極１５は、電源装置
１３の電圧分岐可変抵抗器１Ｂの部分に接続されている
。電源装置１３は、直流可変電源になっており、θ〜−
３０ＱＶの電圧及びＩＡの通電ができるようになってい
る。なお、第１図中１７は、電源装置１３に取付けられ
た電圧計、１８は、電源装置１３と陰極１２間に介在さ
れた電流計である。
るようにして１ ｍｍφの金属線からなる補助電極１５
を電着液１１内に浸漬する。補助電極１５は、電源装置
１３の電圧分岐可変抵抗器１Ｂの部分に接続されている
。電源装置１３は、直流可変電源になっており、θ〜−
３０ＱＶの電圧及びＩＡの通電ができるようになってい
る。なお、第１図中１７は、電源装置１３に取付けられ
た電圧計、１８は、電源装置１３と陰極１２間に介在さ
れた電流計である。
而して、陰極１２と陽極１４間及び陰極１２と補助陽極
１５間に電源装置１３により約５〜２０秒間所定の通電
を施し、陰極１２の表面にガラス膜を電源泳動法により
形成する。このようにして形成されたガラス膜の膜厚を
調べたところ、第４図に特性線（１）にて示す如く、半
導体基板の表面全面に亘って、目的とする設定値１に極
めて近い値であることが判った。また、このガラス膜を
形成した後に分割して切り出された半導体装置は極めて
高い信頼性を示し、また、製造歩留りも高いものである
ことが判った。
１５間に電源装置１３により約５〜２０秒間所定の通電
を施し、陰極１２の表面にガラス膜を電源泳動法により
形成する。このようにして形成されたガラス膜の膜厚を
調べたところ、第４図に特性線（１）にて示す如く、半
導体基板の表面全面に亘って、目的とする設定値１に極
めて近い値であることが判った。また、このガラス膜を
形成した後に分割して切り出された半導体装置は極めて
高い信頼性を示し、また、製造歩留りも高いものである
ことが判った。
なお、補助電極１５ａは、第３図に示す如く、陰極１２
の表裏面の周辺部に対向して設けるようにしたものとし
ても良い。
の表裏面の周辺部に対向して設けるようにしたものとし
ても良い。
［発明の効果］
以上説明した如く、本発明に係る半導体装置の製造方法
によれば、半導体基板の表面全面に亘って均一な膜厚で
所定のガラス膜を形成して、歩留り及び信頼性の向上を
図った半導体装置を容易に得ることができるものである
。
によれば、半導体基板の表面全面に亘って均一な膜厚で
所定のガラス膜を形成して、歩留り及び信頼性の向上を
図った半導体装置を容易に得ることができるものである
。
第１図及び第２図は、本発明方法の実施例の説明図、第
３図は、補助電極の他の例の説明図、第４図は、ガラス
膜の厚さと半導体基板の表面の位置との藺係を示す特性
図、第５図は、従来の方法を示す説明図である。 １０・・・絶縁容器、１１・・・電着液、１２・・・陰
極、１３・・・電源装置、１４・・・陽極、１５．１５
ａ・・・補助電極、１６・・・電圧分岐可変抵抗器、１
７・・・電圧計、１８・・・電流計。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 １ 図 第３図
３図は、補助電極の他の例の説明図、第４図は、ガラス
膜の厚さと半導体基板の表面の位置との藺係を示す特性
図、第５図は、従来の方法を示す説明図である。 １０・・・絶縁容器、１１・・・電着液、１２・・・陰
極、１３・・・電源装置、１４・・・陽極、１５．１５
ａ・・・補助電極、１６・・・電圧分岐可変抵抗器、１
７・・・電圧計、１８・・・電流計。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 １ 図 第３図
Claims (1)
- 有機溶媒中にガラス粉末を正に帯電した状態で有して
なる電着液を絶縁容器に収容し、該電着液中に所定の素
子を形成した半導体基板を陰極として浸漬し、該半導体
基板の被処理面に対向するようにして陽極を前記電着液
に浸漬すると共に、前記陰極の周辺部に対向するように
して補助電極を前記電着液に浸漬し、これらの陰極、陽
極、補助電極間に所定の電圧を印加し、前記被処理面に
ガラス膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17393986A JPS6331125A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17393986A JPS6331125A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331125A true JPS6331125A (ja) | 1988-02-09 |
Family
ID=15969866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17393986A Pending JPS6331125A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6331125A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016075787A1 (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-19 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及びガラス被膜形成装置 |
| TWI657512B (zh) * | 2017-04-19 | 2019-04-21 | 新電元工業股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832421A (ja) * | 1981-08-20 | 1983-02-25 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5980938A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59218734A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP17393986A patent/JPS6331125A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832421A (ja) * | 1981-08-20 | 1983-02-25 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5980938A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59218734A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016075787A1 (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-19 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及びガラス被膜形成装置 |
| CN105981141A (zh) * | 2014-11-13 | 2016-09-28 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置的制造方法以及玻璃覆盖膜形成装置 |
| JP6029771B2 (ja) * | 2014-11-13 | 2016-11-24 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及びガラス被膜形成装置 |
| TWI657512B (zh) * | 2017-04-19 | 2019-04-21 | 新電元工業股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
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