PL96074B1 - Sposob galwanicznego pokrywania cynowa powloka przedmiotow zelaznych - Google Patents

Sposob galwanicznego pokrywania cynowa powloka przedmiotow zelaznych Download PDF

Info

Publication number
PL96074B1
PL96074B1 PL1975178329A PL17832975A PL96074B1 PL 96074 B1 PL96074 B1 PL 96074B1 PL 1975178329 A PL1975178329 A PL 1975178329A PL 17832975 A PL17832975 A PL 17832975A PL 96074 B1 PL96074 B1 PL 96074B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
coating
bath
naphthol
acid
agent
Prior art date
Application number
PL1975178329A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of PL96074B1 publication Critical patent/PL96074B1/pl

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/30Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
    • C25D3/32Electroplating: Baths therefor from solutions of tin characterised by the organic bath constituents used

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób galwanicz¬ nego cynowania przedmiotów zelaznych zanurzo¬ nych w kapieli galwanicznej i polaczonych ze zród¬ lem elektrolizujacego pradu tak, ze stanowia ka¬ tode, a kapiel zawiera kwasny elektrolit, sól cyny- i roztwór co najmniej jednego organicznego srodka zwiekszajacego polysk.Galwaniczne powlekanie cyna mozna prowadzic za pomoca róznych kwasnych elektrolitów, ale we wszystkich znanych procesach prowadzonych na skale techniczna konieczne jest stosowanie co naj¬ mniej trzech skladników kapieli, a mianowicie zródla kwasu, rozpuszczalnej soli cyny i jednego lub wiekszej liczby skladników zwiekszajacych po¬ lysk, gdyz inaczej nie mozna uzyskac gladkiej, przy¬ legajacej i polyskujacej powloki cynowej.Jako srodki zwiekszajace polysk szczególnie sku¬ teczne okazaly sie rózne tlenki polialkilenowe, opi¬ sane na przyklad w opisie patentowym Stanów Zjed¬ noczonych Ameryki nr 2 457 152. Szczególnie korzy¬ stnie stosuje sie srodki wytworzone na drodze reakcji 1 mola naftolu z 3—15 molami tlenku etylenu, to jest zwiazki o ogólnym wzorze C10H7O(C2H4O)nH, w którym n oznacza liczbe 3—15. Wprawdzie zwiaz¬ ki te daja znfaczne korzysci w porównaniu z in¬ nymi znanymi srodkami, ale i one maja szereg wad, które wystepuja zwlaszcza przy stosowaniu tych srodków w procesach galwanicznego powleka¬ nia na skale techniczna, z duza predkoscia. Zwiaz¬ ki o wyzej podanym wzorze majace krótszy lan¬ io cuch, to jest gdy n oznacza liczbe 3—9, sa tylko slabo rozpuszczalne w zwyklych kwasnych elektro¬ litach, takich jak kwas siarkowy lub kwas fenolo- sulfonowy, na skutek czego w kapieli galwanicznej tworzy sie produkty smolowe, które osadzaja sie na walkach prowadzacych, na scianach urzadzen i na wytwarzanej powloce. Zwiazki o podanym wy¬ zej wzorze majace dluzszy lancuch sa wprawdzie bardzo dobrze rozpuszczalne ale uzyte w skutecz¬ nych ilosciach powoduja nadmierne powstawanie piany, która zmniejsza przewodnictwo elektrolit** jest trudna do opanowania i zmusza do stosowa¬ nia kosztownych srodków przeciwdzialajacych po¬ wstawaniu piany, a poza tym maja ograniczony zakres dzialania zmuszajac do stosowania wiek- / szych gestosci pradu w celu otrzymania powloki polyskujacej, a nie zamglonej.Sposób wedlug wynalazku umozliwia wytwarza¬ nie powlok cynowych na przedmiotach zelaznych metoda galwanicznego powlekania przy uzyciu ta¬ kich srodków zwiekszajacych polysk, które nie da¬ ja niepozadanych produktów ubocznych, ani piany, moga byc stosowane przy róznych gestosciach pradu, sa calkowicie rozpuszczalne w elektrolicie, przy czym rozpuszczalnosc te zachowuja równiez po dluzszym ich magazynowaniu.Cecha sposobu wedlug wynalazku jest to, ze proces galwanicznego powlekania cyna prowadza sie w kapieli zawierajacej w 1 litrze okolo 1—12 g etoksylowanego kwasu naftalenosulfonowego o 96 0743 96 074 £ ogólnym wzorze S03H—C10H6O(C2H4O)nH, w któ¬ rym n oznacza liczbe 6 lub 7, wytworzonego przez etoksylowanie 1 mola a-naftolu lub (3-naftolu n molami tlenku etylenu i sulfonowanie otrzyma¬ nego produktu w temperaturze 50—90°C kwasem siarkowym o stezeniu wynoszacym co najmniej 90% wagowych.W celu porównania wlasciwosci srodka stosowa¬ nego w procesie prowadzonym sposobem wedlug wynalazku z wlasciwosciami znanych srodków zwiekszajacych polysk galwanicznie nakladanej powloki cynowej wykonano szereg prób, stosujac jako znane srodki etoksylowany naftol opisany w przykladach 22 i 23 opisu patentowego Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 2 457152. Próby pro¬ wadzono na skale techniczna, metoda szybkiego powlekania galwanicznego. W tablicy 1 podano wy¬ niki prób ze zwiazkami o wzorze C10H7O(C2H4O)nH? w którym* li oznacza liczbe 5—15, a w tablicy 2 podano wyniki prób ze zwiazkami o wzorze S03H— —C10H6O(C2H4O)nH, w którym n oznacza liczbe 3—15.Wyniki podane w tablicy 1 swiadcza o tym, ze addukty wymienione w tej tablicy mozna uczynic calkowicie rozpuszczalnymi w kapieli galwanicz¬ nej zwiekszajac dlugosc lancucha tlenku etyleno¬ wego tak, aby n* wynosilo co najmniej 10, ale w miare wzrastania rozpuszczalnosci wystepuja inne trudnosci, mianowicie wytwarzaja sie nadmierne ilosci piany. Male ilosci piany sa na ogól pozadane, gdyz umozliwiaja zapobieganie powstawaniu mgly, zwykle towarzyszacej procesom galwanicznego powlekania, ale duze ilosci piany stanowia powaz¬ na niedogodnosc. Poza tym, jak podano wyzej przewodnictwo elektrolitu maleje w miare wzra¬ stania ilosci piany. Zwiekszanie dlugosci lancucha w stosowanym srodku powoduje równiez koniecz¬ nosc stosowania wiekszej gestosci pradu, gdyz ina¬ czej nie uzyskuje sie powloki o zadanym polysku.Zwiekszanie gestosci pradu jest oczywiscie niepo¬ zadane, gdyz zmuszaloby do stosowania urzadzen o budowie innej od budowy urzadzen znanych.W tablicy tej symbolami EN oznaczono zwiazki o ogólnym wzorze C10H7O(C2H4O)nH, przy czym liczba obok symbolu EN oznacza wartosc n w tym wzorze. • '¦¦..-.W tablicy 2 podano wyniki analogicznych prób przeprowadzonych z sulfonowanymi zwiazkami o wzorze S03H—C10H6O(C2H4O)nH, przy czym zwiaz¬ ki te oznaczono w tablicy symbolem ENSA z do¬ datkiem liczby Oznaczajacej wartosc nxw tym wzo¬ rze. Wyniki podane w tablicy 2 swiadcza o tym, ze stosujac te zwiazki unika sie wielu trudnosci, zwiazanych ze stosowaniem analogicznych produk¬ tów nie sulfonowanych, mianowicie rozpuszczal¬ nosc tych zwiazków wzrasta tak, ze juz przy war¬ tosci n = 5 zwiazki sa calkowicie rozpuszczalne, piane w zadanej ilosci uzyskuje sie stosujac zwiaz¬ ki, w których n wynosi 5—7, a gdy n wynosi 6 lub 7 proces mozna korzystnie prowadzic przy. róz¬ nych gestosciach pradu.Na rysunku podano wykres zaleznosci ilosci pro- Tablica 1 Badany srodek EN- 5 EN- 6 EN-10 EN-15 .Najnizsza konieczna gestosc pradu w amperach/dm2 w temperaturze 54°C przy stezeniu badanego srodka 4g/litr ,4 8,0 ,4 13,4 6g/litr ,4 8,0 8,0 13,4 Charakterystyka piany Bardzo nikla Slaba Nadmierna Nadmierna , Rozpuszczalnosc srodka w% H2S04 63 81 100 100 Kwas feno- losulfo- nowy ¦ ™ .'¦ ¦ . 87 ,i ¦ ¦, 100 100 Tablica 2 Badany 1 srodek I ENSA-3 ENS^-5 fc$SA-6 ENSA-7 ENSA-10 ENSA-15 Najnizsza konieczna gestosc pradu w amperach/dm2 w temperaturze 54°C przy stezeniu badanego srodka 4g/litr ,4 8,0 ,4 ,4 8,0 Ciezki proszko¬ waty osad 6g/litr ,8 8,0 ,4 ,4 Ciezki proszko¬ waty osad Ciezki proszko¬ waty osad Charakterystyka piany Bardzo nikla Slaba Umiarkowana przy 6g/litr Nadmierna powyzej 4g/litr Nadmierne nawet przy 2g/litr Nadmierne nawet przy 2g/litr Rozpuszczalnosc srodka w °/o H2S04 83 100 100 99 99 100 Kwas feno- losulfo- nowy 87 96 99 99 99 100 196 074 6 duktów smolowych, powstajacych przy prowadze¬ niu procesu z zastosowaniem zwiazków o wzorze SO3H^C10H6O(C2H4O)nH, od czasu magazynowania tych zwiazków przed ich uzyciem. Na osi odcietych podano czas magazynowania próbki w tygodniach, a. na osi rzednych ilosc powstajacych produktów smolistych w miligramach. Krzywa A przedstawia te zaleznosc dla zwiazku o wyzej podanym wzorze, w którym n = 5, przy uzyciu kapieli zawierajacej kwas fenolosulfonowy. Krzywa B przedstawia te zaleznosc dla" takiego samego zwiazku, ale przy uzyciu kapieli zawierajacej kwas siarkowy, zas krzywe C i D przedstawiaja analogiczne zaleznos¬ ci dla zwiazku o wyzej podanym wzorze, w któ¬ rym n = 6, Stwierdzono, ze aczkolwiek produkty sulfonowa¬ ne daja znacznie lepsze wyniki niz znane produkty nie sulfonowane, to jednak i w takim przypadku wystepuja pewne problemy. Mianowicie*stwierdzo¬ no, ze na rozpuszczalnosc produktu sulfonowanego o wyzej podanym wzorze, w którym n = 5, w kwa¬ sie fenolosulfonowym ma znaczny wplyw czystosc kwasu fenolosulfonowego. Poza tym, jak to uwi¬ dacznia rysunek, niezaleznie od czystosci kwasu fe- nosulfonowego, produkt sulfonowany, w którym n = 5, przechowywany przed uzyciem w ciagu ok¬ resu czasu dluzszego niz 20 Jygodni, przy rozpusz¬ czaniu w kwasie fenolosulfonowym lub w kwasie siarkowym daje znacznie wieksze ilosci produktów smolistych, podczas gdy zwiazek sulfonowany, w któ¬ rym n = 6, rozpuszcza sie w analogicznych kapie¬ lach bez wytwarzania produktów smolistych nawet wtedy, gdy przed uzyciem byl magazynowany po¬ nad 1 rok.Stwierdzono równiez, -ze nawet w przypadku sulfonowanych produktów o wyzej podanym wzo¬ rze, w którym n oznacza liczbe 6 U§b 7, duzy wplyw na jakosc produktów ma sposób sulfonowania, a mianowicie temperatura i stezenie kwasu siarkp* wego. Produkt otrzymany w nieodpowiednich' wa¬ runkach wywtefa^ZJrodliw^y wplyw na, Wyglad cy¬ nowanych powierzchni i daje podczas galwanizacji zwiekszone ilosci produktów smolistych. W zwiaz¬ ku z tym, stosowane zgodnie z wynalazkiem srodki zwiekszajace polysk, to jest zwiazki o wzorze ogól¬ nym S03H—C10H6O(C2H4O)nH, w którym n ozna¬ cza liczbe 6 lub 7, wytwarza sie w ten sposób, ze najpierw etoksyluje sie naftol tlenkiem etylenu stosujac 6—7 moli tlenku etylenu na 1 mol a-naf¬ tolu lub p-naftolu, po czym otrzymany produkt sul¬ fonuje sie w temperaturze 50—90°C, korzystnie w temperaturze 80—85°C, stosujac kwas siarkowy o stezeniu wynoszacym co najmniej okolo 90%, a korzystnie 92—9&/o wagowych, przy czym im wyz¬ sze jest stezenie kwasu siarkowego, tym nizsza po¬ winna byc temperatura sulfonowania, w podanych wyzej granicach, a mianowicie, gdy stezenie kwa¬ su zbliza sie do 90°/o wagowych, to proces sulfono¬ wania prowadzi sie w temperaturze zblizonej do s 90°C, natomiast w temperaturze okolo 50°C trzeba stosowac oleum o stezeniu okolo 25°/o.Stosowane zgodnie z wynalazkiem srodki zwiek¬ szajace polysk galwanicznej powloki cynowej mo¬ ga byc stosowane w róznych, znanych kapielach galwanicznych, na przyklad zawierajacych kwas siarkowy, fenolosulfonowy, krezolosulfonowy, sul- faminowy lub fluoroborowy. Cynowanie prowadzi sie korzystnie na przyklad w ten sposób, ze przed¬ miot zelazny w postaci arkusza lub tasmy ze stali, prowadzi sie przez kapiel do galwanicznego powle¬ kania zawierajaca w 1 litrze okolo 14—45 g, a korzystnie 28—34 g jonów cynawych, okolo 1—12 g, korzystnie 3—5 g zwiazku o wzorze S03H— -^C10HsO(€2H4O)nHi ~w—którym n oznacza liczbe 6 lub 7, wytworzonego w wyzej opisany sposób i okolo 6—30 g wolnego kwa$u, w przeliczeniu na kwas siarkowy. Jako kwas korzystnie stosuje sit; kwas siarkowy, lub kwas fenolosulfonowy. Proces powlekania prowadzi sie w temperaturze 28—63°C, korzystnie w temperaturze 38—49°C. Przedmiot powlekany stanowi katode i stosujac 'prad o gestos¬ ci 5,4 A/dm2 wytwarza sie powloke o zadanej gru¬ bosci. PL

Claims (3)

  1. Zastrzezenie patentowe 1. Sposób galwanicznego pokrywania cynowa po¬ wloka przedmiotów zelaznycli zanurzonych w ka¬ pieli i tworzacych icatode, przy czym kapiel sklada sie z kwasnego elektrolitu, soli cyny i co najmniej jednego rozpuszczonego .srodka organicznego zwiek- szajacego polysk powlok, znamienny tym, ze po¬ krywanie prowadzi sie w kapieli, która w 1 litrze zawiera okolo 1-^12 g rozpuszczonego zwiazku o ogólnym wzorze SQ3H—e10H6O(C2H4O)nH, w któ¬ rym n oznacza liczbe 6 lub 7, wytworzonego przez etoksylowanie 1 mola a-naftolu lub 0-naftolu n molami tlenku etylenu i sulfonowanie otrzyma¬ nego produktu w temperaturze 50—90°C kwasem siarkowym o stezeniu wynoszacym co najmniej 90% wagowych.
  2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako srodek zwiekszajacy polysk stosuje sie pro¬ dukt otrzymany przez etoksylowanie 1 mola a-naf¬ tolu 6 molami tlenku etylenu i nastepnie sulfono¬ wany.
  3. 3. Sposób wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze stosuje sie kapiel zawierajaca 3—5 g srodka w 1 librze. 15 20 25 30 35 40 45 5096 074 Cft ^ 30 40 30\ MO to 0 1 ' ' - ™ ^^^^^^^^¦^^^^^_^^^^__ l" L . _i T 1—1 » J l_l —1 ¦¦¦ 1 —1 1—1—1 1 1 A I I \ y J 1 rr A\ A Jb 1 III J J $ $ 10 20 40 60 BO 100 ZOO Okres magazynowania, tygodnie OZGraf. Zam. 93 (115+17 egz.) Cena 45 zl PL
PL1975178329A 1974-03-25 1975-02-24 Sposob galwanicznego pokrywania cynowa powloka przedmiotow zelaznych PL96074B1 (pl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US454057A US3860502A (en) 1974-03-25 1974-03-25 Electrodeposition of tin

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL96074B1 true PL96074B1 (pl) 1977-12-31

Family

ID=23803119

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL1975178329A PL96074B1 (pl) 1974-03-25 1975-02-24 Sposob galwanicznego pokrywania cynowa powloka przedmiotow zelaznych

Country Status (19)

Country Link
US (1) US3860502A (pl)
JP (1) JPS5760435B2 (pl)
AR (1) AR205914A1 (pl)
BE (1) BE825373A (pl)
BR (1) BR7500002A (pl)
CA (1) CA1034076A (pl)
DE (1) DE2459428C2 (pl)
ES (1) ES433440A1 (pl)
FR (1) FR2265877B1 (pl)
GB (1) GB1432127A (pl)
HU (1) HU172102B (pl)
IT (1) IT1027443B (pl)
NL (1) NL187124C (pl)
PH (1) PH10766A (pl)
PL (1) PL96074B1 (pl)
RO (1) RO69176A (pl)
TR (1) TR18571A (pl)
YU (1) YU36999B (pl)
ZA (1) ZA747706B (pl)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5066367B1 (en) * 1981-09-11 1993-12-21 I. Nobel Fred Limiting tin sludge formation in tin or tin/lead electroplating solutions
GB2157319A (en) * 1984-04-13 1985-10-23 Toyo Kohan Co Ltd Tin free steel and its production
JPS63162894A (ja) * 1986-12-26 1988-07-06 Nippon Mining Co Ltd リフロ−錫めつき材の製造方法
EP0319997B1 (en) * 1987-12-10 1995-10-04 LeaRonal, Inc. Tin, lead or tin/lead alloy electrolytes for high speed electroplating
US5174887A (en) * 1987-12-10 1992-12-29 Learonal, Inc. High speed electroplating of tinplate
US5427677A (en) * 1994-02-18 1995-06-27 Learonal, Inc. Flux for reflowing tinplate
US5814202A (en) * 1997-10-14 1998-09-29 Usx Corporation Electrolytic tin plating process with reduced sludge production
JP4812365B2 (ja) * 2005-08-19 2011-11-09 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 錫電気めっき液および錫電気めっき方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE495952A (pl) * 1943-07-07

Also Published As

Publication number Publication date
DE2459428C2 (de) 1985-05-23
NL187124C (nl) 1991-06-03
ZA747706B (en) 1975-12-31
US3860502A (en) 1975-01-14
ES433440A1 (es) 1976-11-16
DE2459428A1 (de) 1975-10-02
NL187124B (nl) 1991-01-02
YU3175A (en) 1982-02-25
NL7503088A (nl) 1975-09-29
BE825373A (fr) 1975-08-11
IT1027443B (it) 1978-11-20
JPS5760435B2 (pl) 1982-12-20
RO69176A (ro) 1981-08-17
GB1432127A (en) 1976-04-14
AU7604574A (en) 1976-06-10
TR18571A (tr) 1977-04-11
JPS50130648A (pl) 1975-10-16
FR2265877B1 (pl) 1978-12-08
HU172102B (hu) 1978-05-28
CA1034076A (en) 1978-07-04
FR2265877A1 (pl) 1975-10-24
BR7500002A (pt) 1975-12-16
YU36999B (en) 1984-08-31
PH10766A (en) 1977-09-05
AR205914A1 (es) 1976-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3770598A (en) Electrodeposition of copper from acid baths
US4110176A (en) Electrodeposition of copper
US2525942A (en) Electrodepositing bath and process
US5174887A (en) High speed electroplating of tinplate
US3769182A (en) Bath and method for electrodepositing tin and/or lead
AU2004239226B2 (en) High purity electrolytic sulfonic acid solutions
US4473448A (en) Electrodeposition of chromium
US2750334A (en) Electrodeposition of chromium
US4885064A (en) Additive composition, plating bath and method for electroplating tin and/or lead
PL96074B1 (pl) Sposob galwanicznego pokrywania cynowa powloka przedmiotow zelaznych
US4381228A (en) Process and composition for the electrodeposition of tin and tin alloys
US5024736A (en) Process for electroplating utilizing disubstituted ethane sulfonic compounds as electroplating auxiliaries and electroplating auxiliaries containing same
US4016051A (en) Additives for bright plating nickel, cobalt and nickel-cobalt alloys
US4496439A (en) Acidic zinc-plating bath
US3506548A (en) Electrodeposition of nickel
GB2039299A (en) Brightening and levelling agent for acid zinc plating baths
US5282954A (en) Alkoxylated diamine surfactants in high-speed tin plating
US3804727A (en) Electrodeposition of nickel
US5258112A (en) Electrolyte compositions
US3008883A (en) Electrodeposition of bright nickel
JP2754781B2 (ja) 錫―鉛系めっき液
CA1267655A (en) SULFATES AND SULFO-DERIVATIVES OF .beta.-NAPHTHOL POLYGLYCOL ETHERS AND ACID ZINC BATHS CONTAINING THESE COMPOUNDS
US2450794A (en) Electrodeposition of tin
US2485149A (en) Bright nickel plating compositions and process
US3711384A (en) Electrodeposition of nickel