PL96074B1 - Sposob galwanicznego pokrywania cynowa powloka przedmiotow zelaznych - Google Patents
Sposob galwanicznego pokrywania cynowa powloka przedmiotow zelaznych Download PDFInfo
- Publication number
- PL96074B1 PL96074B1 PL1975178329A PL17832975A PL96074B1 PL 96074 B1 PL96074 B1 PL 96074B1 PL 1975178329 A PL1975178329 A PL 1975178329A PL 17832975 A PL17832975 A PL 17832975A PL 96074 B1 PL96074 B1 PL 96074B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- coating
- bath
- naphthol
- acid
- agent
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 title claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 23
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 11
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- 238000006277 sulfonation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 241000408529 Libra Species 0.000 claims 1
- 238000007046 ethoxylation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 13
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 10
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 8
- WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N (2E)-2-Tetradecenal Chemical compound CCCCCCCCCCC\C=C\C=O WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N 0.000 description 6
- 229940044654 phenolsulfonic acid Drugs 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910006069 SO3H Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 3
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 3
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 2
- RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]ethanol Chemical compound OCCC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IULJSGIJJZZUMF-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O IULJSGIJJZZUMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZOVBIIWPDQIHF-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1S(O)(=O)=O BZOVBIIWPDQIHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100036092 Alpha-endosulfine Human genes 0.000 description 1
- 101000876352 Homo sapiens Alpha-endosulfine Proteins 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonic acid Chemical class C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 1
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
- C25D3/32—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin characterised by the organic bath constituents used
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób galwanicz¬ nego cynowania przedmiotów zelaznych zanurzo¬ nych w kapieli galwanicznej i polaczonych ze zród¬ lem elektrolizujacego pradu tak, ze stanowia ka¬ tode, a kapiel zawiera kwasny elektrolit, sól cyny- i roztwór co najmniej jednego organicznego srodka zwiekszajacego polysk.Galwaniczne powlekanie cyna mozna prowadzic za pomoca róznych kwasnych elektrolitów, ale we wszystkich znanych procesach prowadzonych na skale techniczna konieczne jest stosowanie co naj¬ mniej trzech skladników kapieli, a mianowicie zródla kwasu, rozpuszczalnej soli cyny i jednego lub wiekszej liczby skladników zwiekszajacych po¬ lysk, gdyz inaczej nie mozna uzyskac gladkiej, przy¬ legajacej i polyskujacej powloki cynowej.Jako srodki zwiekszajace polysk szczególnie sku¬ teczne okazaly sie rózne tlenki polialkilenowe, opi¬ sane na przyklad w opisie patentowym Stanów Zjed¬ noczonych Ameryki nr 2 457 152. Szczególnie korzy¬ stnie stosuje sie srodki wytworzone na drodze reakcji 1 mola naftolu z 3—15 molami tlenku etylenu, to jest zwiazki o ogólnym wzorze C10H7O(C2H4O)nH, w którym n oznacza liczbe 3—15. Wprawdzie zwiaz¬ ki te daja znfaczne korzysci w porównaniu z in¬ nymi znanymi srodkami, ale i one maja szereg wad, które wystepuja zwlaszcza przy stosowaniu tych srodków w procesach galwanicznego powleka¬ nia na skale techniczna, z duza predkoscia. Zwiaz¬ ki o wyzej podanym wzorze majace krótszy lan¬ io cuch, to jest gdy n oznacza liczbe 3—9, sa tylko slabo rozpuszczalne w zwyklych kwasnych elektro¬ litach, takich jak kwas siarkowy lub kwas fenolo- sulfonowy, na skutek czego w kapieli galwanicznej tworzy sie produkty smolowe, które osadzaja sie na walkach prowadzacych, na scianach urzadzen i na wytwarzanej powloce. Zwiazki o podanym wy¬ zej wzorze majace dluzszy lancuch sa wprawdzie bardzo dobrze rozpuszczalne ale uzyte w skutecz¬ nych ilosciach powoduja nadmierne powstawanie piany, która zmniejsza przewodnictwo elektrolit** jest trudna do opanowania i zmusza do stosowa¬ nia kosztownych srodków przeciwdzialajacych po¬ wstawaniu piany, a poza tym maja ograniczony zakres dzialania zmuszajac do stosowania wiek- / szych gestosci pradu w celu otrzymania powloki polyskujacej, a nie zamglonej.Sposób wedlug wynalazku umozliwia wytwarza¬ nie powlok cynowych na przedmiotach zelaznych metoda galwanicznego powlekania przy uzyciu ta¬ kich srodków zwiekszajacych polysk, które nie da¬ ja niepozadanych produktów ubocznych, ani piany, moga byc stosowane przy róznych gestosciach pradu, sa calkowicie rozpuszczalne w elektrolicie, przy czym rozpuszczalnosc te zachowuja równiez po dluzszym ich magazynowaniu.Cecha sposobu wedlug wynalazku jest to, ze proces galwanicznego powlekania cyna prowadza sie w kapieli zawierajacej w 1 litrze okolo 1—12 g etoksylowanego kwasu naftalenosulfonowego o 96 0743 96 074 £ ogólnym wzorze S03H—C10H6O(C2H4O)nH, w któ¬ rym n oznacza liczbe 6 lub 7, wytworzonego przez etoksylowanie 1 mola a-naftolu lub (3-naftolu n molami tlenku etylenu i sulfonowanie otrzyma¬ nego produktu w temperaturze 50—90°C kwasem siarkowym o stezeniu wynoszacym co najmniej 90% wagowych.W celu porównania wlasciwosci srodka stosowa¬ nego w procesie prowadzonym sposobem wedlug wynalazku z wlasciwosciami znanych srodków zwiekszajacych polysk galwanicznie nakladanej powloki cynowej wykonano szereg prób, stosujac jako znane srodki etoksylowany naftol opisany w przykladach 22 i 23 opisu patentowego Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 2 457152. Próby pro¬ wadzono na skale techniczna, metoda szybkiego powlekania galwanicznego. W tablicy 1 podano wy¬ niki prób ze zwiazkami o wzorze C10H7O(C2H4O)nH? w którym* li oznacza liczbe 5—15, a w tablicy 2 podano wyniki prób ze zwiazkami o wzorze S03H— —C10H6O(C2H4O)nH, w którym n oznacza liczbe 3—15.Wyniki podane w tablicy 1 swiadcza o tym, ze addukty wymienione w tej tablicy mozna uczynic calkowicie rozpuszczalnymi w kapieli galwanicz¬ nej zwiekszajac dlugosc lancucha tlenku etyleno¬ wego tak, aby n* wynosilo co najmniej 10, ale w miare wzrastania rozpuszczalnosci wystepuja inne trudnosci, mianowicie wytwarzaja sie nadmierne ilosci piany. Male ilosci piany sa na ogól pozadane, gdyz umozliwiaja zapobieganie powstawaniu mgly, zwykle towarzyszacej procesom galwanicznego powlekania, ale duze ilosci piany stanowia powaz¬ na niedogodnosc. Poza tym, jak podano wyzej przewodnictwo elektrolitu maleje w miare wzra¬ stania ilosci piany. Zwiekszanie dlugosci lancucha w stosowanym srodku powoduje równiez koniecz¬ nosc stosowania wiekszej gestosci pradu, gdyz ina¬ czej nie uzyskuje sie powloki o zadanym polysku.Zwiekszanie gestosci pradu jest oczywiscie niepo¬ zadane, gdyz zmuszaloby do stosowania urzadzen o budowie innej od budowy urzadzen znanych.W tablicy tej symbolami EN oznaczono zwiazki o ogólnym wzorze C10H7O(C2H4O)nH, przy czym liczba obok symbolu EN oznacza wartosc n w tym wzorze. • '¦¦..-.W tablicy 2 podano wyniki analogicznych prób przeprowadzonych z sulfonowanymi zwiazkami o wzorze S03H—C10H6O(C2H4O)nH, przy czym zwiaz¬ ki te oznaczono w tablicy symbolem ENSA z do¬ datkiem liczby Oznaczajacej wartosc nxw tym wzo¬ rze. Wyniki podane w tablicy 2 swiadcza o tym, ze stosujac te zwiazki unika sie wielu trudnosci, zwiazanych ze stosowaniem analogicznych produk¬ tów nie sulfonowanych, mianowicie rozpuszczal¬ nosc tych zwiazków wzrasta tak, ze juz przy war¬ tosci n = 5 zwiazki sa calkowicie rozpuszczalne, piane w zadanej ilosci uzyskuje sie stosujac zwiaz¬ ki, w których n wynosi 5—7, a gdy n wynosi 6 lub 7 proces mozna korzystnie prowadzic przy. róz¬ nych gestosciach pradu.Na rysunku podano wykres zaleznosci ilosci pro- Tablica 1 Badany srodek EN- 5 EN- 6 EN-10 EN-15 .Najnizsza konieczna gestosc pradu w amperach/dm2 w temperaturze 54°C przy stezeniu badanego srodka 4g/litr ,4 8,0 ,4 13,4 6g/litr ,4 8,0 8,0 13,4 Charakterystyka piany Bardzo nikla Slaba Nadmierna Nadmierna , Rozpuszczalnosc srodka w% H2S04 63 81 100 100 Kwas feno- losulfo- nowy ¦ ™ .'¦ ¦ . 87 ,i ¦ ¦, 100 100 Tablica 2 Badany 1 srodek I ENSA-3 ENS^-5 fc$SA-6 ENSA-7 ENSA-10 ENSA-15 Najnizsza konieczna gestosc pradu w amperach/dm2 w temperaturze 54°C przy stezeniu badanego srodka 4g/litr ,4 8,0 ,4 ,4 8,0 Ciezki proszko¬ waty osad 6g/litr ,8 8,0 ,4 ,4 Ciezki proszko¬ waty osad Ciezki proszko¬ waty osad Charakterystyka piany Bardzo nikla Slaba Umiarkowana przy 6g/litr Nadmierna powyzej 4g/litr Nadmierne nawet przy 2g/litr Nadmierne nawet przy 2g/litr Rozpuszczalnosc srodka w °/o H2S04 83 100 100 99 99 100 Kwas feno- losulfo- nowy 87 96 99 99 99 100 196 074 6 duktów smolowych, powstajacych przy prowadze¬ niu procesu z zastosowaniem zwiazków o wzorze SO3H^C10H6O(C2H4O)nH, od czasu magazynowania tych zwiazków przed ich uzyciem. Na osi odcietych podano czas magazynowania próbki w tygodniach, a. na osi rzednych ilosc powstajacych produktów smolistych w miligramach. Krzywa A przedstawia te zaleznosc dla zwiazku o wyzej podanym wzorze, w którym n = 5, przy uzyciu kapieli zawierajacej kwas fenolosulfonowy. Krzywa B przedstawia te zaleznosc dla" takiego samego zwiazku, ale przy uzyciu kapieli zawierajacej kwas siarkowy, zas krzywe C i D przedstawiaja analogiczne zaleznos¬ ci dla zwiazku o wyzej podanym wzorze, w któ¬ rym n = 6, Stwierdzono, ze aczkolwiek produkty sulfonowa¬ ne daja znacznie lepsze wyniki niz znane produkty nie sulfonowane, to jednak i w takim przypadku wystepuja pewne problemy. Mianowicie*stwierdzo¬ no, ze na rozpuszczalnosc produktu sulfonowanego o wyzej podanym wzorze, w którym n = 5, w kwa¬ sie fenolosulfonowym ma znaczny wplyw czystosc kwasu fenolosulfonowego. Poza tym, jak to uwi¬ dacznia rysunek, niezaleznie od czystosci kwasu fe- nosulfonowego, produkt sulfonowany, w którym n = 5, przechowywany przed uzyciem w ciagu ok¬ resu czasu dluzszego niz 20 Jygodni, przy rozpusz¬ czaniu w kwasie fenolosulfonowym lub w kwasie siarkowym daje znacznie wieksze ilosci produktów smolistych, podczas gdy zwiazek sulfonowany, w któ¬ rym n = 6, rozpuszcza sie w analogicznych kapie¬ lach bez wytwarzania produktów smolistych nawet wtedy, gdy przed uzyciem byl magazynowany po¬ nad 1 rok.Stwierdzono równiez, -ze nawet w przypadku sulfonowanych produktów o wyzej podanym wzo¬ rze, w którym n oznacza liczbe 6 U§b 7, duzy wplyw na jakosc produktów ma sposób sulfonowania, a mianowicie temperatura i stezenie kwasu siarkp* wego. Produkt otrzymany w nieodpowiednich' wa¬ runkach wywtefa^ZJrodliw^y wplyw na, Wyglad cy¬ nowanych powierzchni i daje podczas galwanizacji zwiekszone ilosci produktów smolistych. W zwiaz¬ ku z tym, stosowane zgodnie z wynalazkiem srodki zwiekszajace polysk, to jest zwiazki o wzorze ogól¬ nym S03H—C10H6O(C2H4O)nH, w którym n ozna¬ cza liczbe 6 lub 7, wytwarza sie w ten sposób, ze najpierw etoksyluje sie naftol tlenkiem etylenu stosujac 6—7 moli tlenku etylenu na 1 mol a-naf¬ tolu lub p-naftolu, po czym otrzymany produkt sul¬ fonuje sie w temperaturze 50—90°C, korzystnie w temperaturze 80—85°C, stosujac kwas siarkowy o stezeniu wynoszacym co najmniej okolo 90%, a korzystnie 92—9&/o wagowych, przy czym im wyz¬ sze jest stezenie kwasu siarkowego, tym nizsza po¬ winna byc temperatura sulfonowania, w podanych wyzej granicach, a mianowicie, gdy stezenie kwa¬ su zbliza sie do 90°/o wagowych, to proces sulfono¬ wania prowadzi sie w temperaturze zblizonej do s 90°C, natomiast w temperaturze okolo 50°C trzeba stosowac oleum o stezeniu okolo 25°/o.Stosowane zgodnie z wynalazkiem srodki zwiek¬ szajace polysk galwanicznej powloki cynowej mo¬ ga byc stosowane w róznych, znanych kapielach galwanicznych, na przyklad zawierajacych kwas siarkowy, fenolosulfonowy, krezolosulfonowy, sul- faminowy lub fluoroborowy. Cynowanie prowadzi sie korzystnie na przyklad w ten sposób, ze przed¬ miot zelazny w postaci arkusza lub tasmy ze stali, prowadzi sie przez kapiel do galwanicznego powle¬ kania zawierajaca w 1 litrze okolo 14—45 g, a korzystnie 28—34 g jonów cynawych, okolo 1—12 g, korzystnie 3—5 g zwiazku o wzorze S03H— -^C10HsO(€2H4O)nHi ~w—którym n oznacza liczbe 6 lub 7, wytworzonego w wyzej opisany sposób i okolo 6—30 g wolnego kwa$u, w przeliczeniu na kwas siarkowy. Jako kwas korzystnie stosuje sit; kwas siarkowy, lub kwas fenolosulfonowy. Proces powlekania prowadzi sie w temperaturze 28—63°C, korzystnie w temperaturze 38—49°C. Przedmiot powlekany stanowi katode i stosujac 'prad o gestos¬ ci 5,4 A/dm2 wytwarza sie powloke o zadanej gru¬ bosci. PL
Claims (3)
- Zastrzezenie patentowe 1. Sposób galwanicznego pokrywania cynowa po¬ wloka przedmiotów zelaznycli zanurzonych w ka¬ pieli i tworzacych icatode, przy czym kapiel sklada sie z kwasnego elektrolitu, soli cyny i co najmniej jednego rozpuszczonego .srodka organicznego zwiek- szajacego polysk powlok, znamienny tym, ze po¬ krywanie prowadzi sie w kapieli, która w 1 litrze zawiera okolo 1-^12 g rozpuszczonego zwiazku o ogólnym wzorze SQ3H—e10H6O(C2H4O)nH, w któ¬ rym n oznacza liczbe 6 lub 7, wytworzonego przez etoksylowanie 1 mola a-naftolu lub 0-naftolu n molami tlenku etylenu i sulfonowanie otrzyma¬ nego produktu w temperaturze 50—90°C kwasem siarkowym o stezeniu wynoszacym co najmniej 90% wagowych.
- 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako srodek zwiekszajacy polysk stosuje sie pro¬ dukt otrzymany przez etoksylowanie 1 mola a-naf¬ tolu 6 molami tlenku etylenu i nastepnie sulfono¬ wany.
- 3. Sposób wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze stosuje sie kapiel zawierajaca 3—5 g srodka w 1 librze. 15 20 25 30 35 40 45 5096 074 Cft ^ 30 40 30\ MO to 0 1 ' ' - ™ ^^^^^^^^¦^^^^^_^^^^__ l" L . _i T 1—1 » J l_l —1 ¦¦¦ 1 —1 1—1—1 1 1 A I I \ y J 1 rr A\ A Jb 1 III J J $ $ 10 20 40 60 BO 100 ZOO Okres magazynowania, tygodnie OZGraf. Zam. 93 (115+17 egz.) Cena 45 zl PL
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US454057A US3860502A (en) | 1974-03-25 | 1974-03-25 | Electrodeposition of tin |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
PL96074B1 true PL96074B1 (pl) | 1977-12-31 |
Family
ID=23803119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PL1975178329A PL96074B1 (pl) | 1974-03-25 | 1975-02-24 | Sposob galwanicznego pokrywania cynowa powloka przedmiotow zelaznych |
Country Status (19)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3860502A (pl) |
JP (1) | JPS5760435B2 (pl) |
AR (1) | AR205914A1 (pl) |
BE (1) | BE825373A (pl) |
BR (1) | BR7500002A (pl) |
CA (1) | CA1034076A (pl) |
DE (1) | DE2459428C2 (pl) |
ES (1) | ES433440A1 (pl) |
FR (1) | FR2265877B1 (pl) |
GB (1) | GB1432127A (pl) |
HU (1) | HU172102B (pl) |
IT (1) | IT1027443B (pl) |
NL (1) | NL187124C (pl) |
PH (1) | PH10766A (pl) |
PL (1) | PL96074B1 (pl) |
RO (1) | RO69176A (pl) |
TR (1) | TR18571A (pl) |
YU (1) | YU36999B (pl) |
ZA (1) | ZA747706B (pl) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5066367B1 (en) * | 1981-09-11 | 1993-12-21 | I. Nobel Fred | Limiting tin sludge formation in tin or tin/lead electroplating solutions |
GB2157319A (en) * | 1984-04-13 | 1985-10-23 | Toyo Kohan Co Ltd | Tin free steel and its production |
JPS63162894A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-06 | Nippon Mining Co Ltd | リフロ−錫めつき材の製造方法 |
EP0319997B1 (en) * | 1987-12-10 | 1995-10-04 | LeaRonal, Inc. | Tin, lead or tin/lead alloy electrolytes for high speed electroplating |
US5174887A (en) * | 1987-12-10 | 1992-12-29 | Learonal, Inc. | High speed electroplating of tinplate |
US5427677A (en) * | 1994-02-18 | 1995-06-27 | Learonal, Inc. | Flux for reflowing tinplate |
US5814202A (en) * | 1997-10-14 | 1998-09-29 | Usx Corporation | Electrolytic tin plating process with reduced sludge production |
JP4812365B2 (ja) * | 2005-08-19 | 2011-11-09 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 錫電気めっき液および錫電気めっき方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE495952A (pl) * | 1943-07-07 |
-
1974
- 1974-01-01 AR AR257005A patent/AR205914A1/es active
- 1974-03-25 US US454057A patent/US3860502A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-11-20 CA CA214,244A patent/CA1034076A/en not_active Expired
- 1974-12-03 ZA ZA00747706A patent/ZA747706B/xx unknown
- 1974-12-12 PH PH16617A patent/PH10766A/en unknown
- 1974-12-16 DE DE2459428A patent/DE2459428C2/de not_active Expired
- 1974-12-30 ES ES433440A patent/ES433440A1/es not_active Expired
-
1975
- 1975-01-02 BR BR2/75A patent/BR7500002A/pt unknown
- 1975-01-06 HU HU75UE00000060A patent/HU172102B/hu unknown
- 1975-01-07 GB GB63775A patent/GB1432127A/en not_active Expired
- 1975-01-09 YU YU0031/75A patent/YU36999B/xx unknown
- 1975-01-31 IT IT67264/75A patent/IT1027443B/it active
- 1975-02-10 BE BE153223A patent/BE825373A/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-02-24 PL PL1975178329A patent/PL96074B1/pl unknown
- 1975-03-11 TR TR18571A patent/TR18571A/xx unknown
- 1975-03-14 NL NLAANVRAGE7503088,A patent/NL187124C/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-03-24 RO RO7581771A patent/RO69176A/ro unknown
- 1975-03-25 FR FR7509313A patent/FR2265877B1/fr not_active Expired
- 1975-03-25 JP JP50036531A patent/JPS5760435B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2459428C2 (de) | 1985-05-23 |
NL187124C (nl) | 1991-06-03 |
ZA747706B (en) | 1975-12-31 |
US3860502A (en) | 1975-01-14 |
ES433440A1 (es) | 1976-11-16 |
DE2459428A1 (de) | 1975-10-02 |
NL187124B (nl) | 1991-01-02 |
YU3175A (en) | 1982-02-25 |
NL7503088A (nl) | 1975-09-29 |
BE825373A (fr) | 1975-08-11 |
IT1027443B (it) | 1978-11-20 |
JPS5760435B2 (pl) | 1982-12-20 |
RO69176A (ro) | 1981-08-17 |
GB1432127A (en) | 1976-04-14 |
AU7604574A (en) | 1976-06-10 |
TR18571A (tr) | 1977-04-11 |
JPS50130648A (pl) | 1975-10-16 |
FR2265877B1 (pl) | 1978-12-08 |
HU172102B (hu) | 1978-05-28 |
CA1034076A (en) | 1978-07-04 |
FR2265877A1 (pl) | 1975-10-24 |
BR7500002A (pt) | 1975-12-16 |
YU36999B (en) | 1984-08-31 |
PH10766A (en) | 1977-09-05 |
AR205914A1 (es) | 1976-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3770598A (en) | Electrodeposition of copper from acid baths | |
US4110176A (en) | Electrodeposition of copper | |
US2525942A (en) | Electrodepositing bath and process | |
US5174887A (en) | High speed electroplating of tinplate | |
US3769182A (en) | Bath and method for electrodepositing tin and/or lead | |
AU2004239226B2 (en) | High purity electrolytic sulfonic acid solutions | |
US4473448A (en) | Electrodeposition of chromium | |
US2750334A (en) | Electrodeposition of chromium | |
US4885064A (en) | Additive composition, plating bath and method for electroplating tin and/or lead | |
PL96074B1 (pl) | Sposob galwanicznego pokrywania cynowa powloka przedmiotow zelaznych | |
US4381228A (en) | Process and composition for the electrodeposition of tin and tin alloys | |
US5024736A (en) | Process for electroplating utilizing disubstituted ethane sulfonic compounds as electroplating auxiliaries and electroplating auxiliaries containing same | |
US4016051A (en) | Additives for bright plating nickel, cobalt and nickel-cobalt alloys | |
US4496439A (en) | Acidic zinc-plating bath | |
US3506548A (en) | Electrodeposition of nickel | |
GB2039299A (en) | Brightening and levelling agent for acid zinc plating baths | |
US5282954A (en) | Alkoxylated diamine surfactants in high-speed tin plating | |
US3804727A (en) | Electrodeposition of nickel | |
US5258112A (en) | Electrolyte compositions | |
US3008883A (en) | Electrodeposition of bright nickel | |
JP2754781B2 (ja) | 錫―鉛系めっき液 | |
CA1267655A (en) | SULFATES AND SULFO-DERIVATIVES OF .beta.-NAPHTHOL POLYGLYCOL ETHERS AND ACID ZINC BATHS CONTAINING THESE COMPOUNDS | |
US2450794A (en) | Electrodeposition of tin | |
US2485149A (en) | Bright nickel plating compositions and process | |
US3711384A (en) | Electrodeposition of nickel |