PL89475B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL89475B1
PL89475B1 PL16591773A PL16591773A PL89475B1 PL 89475 B1 PL89475 B1 PL 89475B1 PL 16591773 A PL16591773 A PL 16591773A PL 16591773 A PL16591773 A PL 16591773A PL 89475 B1 PL89475 B1 PL 89475B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
burner
oxygen
chamber
starting material
melting
Prior art date
Application number
PL16591773A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL16591773A priority Critical patent/PL89475B1/pl
Publication of PL89475B1 publication Critical patent/PL89475B1/pl

Links

Landscapes

  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób i urzadzenie do otrzymywania monokrysztalów wysokotopliwych tlenków metali dla celów elektroniki.Wedlug znanych sposobów, wysokotopliwe tlenki metali, zarówno proste, jak np.: A1203, jak i zlozone, np.: MgOAl203 w postaci monokrysztalów otrzymuje sie najczesciej w oparciu o metode Verneuila.W przypadku stosowania tej metody, przeznaczone do monokrystalizacji wysokotopliwe tlenki przygo¬ towuje sie w postaci sproszkowanej substancji i fluidalnie doprowadza sie w skierowany w dól plomien, najczesciej wodorowo-tlenowy. W plomie¬ niu sproszkowana substancja ulega stopieniu i w postaci drobnych kropelek kierowana jest na znaj¬ dujace sie ponizej, naprzeciwko palnika, podloze, w postaci osi z piedestalem i zarodzia, na którym osa¬ dzajac sie i ochladzajac nawarstwia sie do postaci monokrysztalu. Podlozu nadaje sie ruch obrotowy, co nadaje otrzymanemu monokrysztalowi wieksza doskonalosc strukturalna. W miare wzrostu podloze opuszcza sie w dól, aby wierzch rosnacego krysztalu stale znajdowal sie w tym samym obszarze plomie¬ nia.Metoda ta pozwala z duza wydajnoscia, z uwagi na rodzaj materialu, wyhodowac monokrysztal np.: A1203, Jak równiez krysztaly podobnych tlenków, nie rozkladajacych sie w procesie topnienia. Ale w wyhodowanym w ten sposób krysztale wystepuje szereg wad strukturalnych. Jedna z najistotniejszych z nich sa dyslokacje, które tworza sie w dosc du¬ zych koncentracjach.Skladaja sie na to nastepujace przyczyny: dys¬ persja sproszkowanego, trudnotopliwego tlenku me- talu nie jest dosc duza i jednakowa, w wyniku cze¬ go, ciekly tlenek znajdujacy sie na czole rosnacego krysztalu ulega „bombardowaniu" wiekszymi kro¬ pelkami, a doplyw materialu nie jest wystarczajaco równomierny; goracy strumien gazów spalinowych z koniecznosci turbulentny wywoluje gradienty tem¬ peratury w krysztale; w rosnacym krysztale przy jego stygnieciu wystepuja gradienty temperatury osiowe i radialne. Dwie ostatnie przyczyny mozna silnie zredukowac przez stosowanie odpowiednich oslon ceramicznych i konstrukcji palnika. Przyczy¬ na pierwsza jest scisle zwiazana z faktem stosowa¬ nia proszku ciala stalego.Niemoznosc calkowitego usuniecia wymienionych przyczyn niedoskonalosci krysztalu sprawila, ze mo- nokrysztaly wysokotopliwych tlenków metali i nie¬ metali o malej gestosci dyslokacji otrzymuje sie obecnie coraz czesciej metoda Czochralskiego. Me¬ toda ta nastrecza trudnosci w jej stosowaniu zwia¬ zane z tym, ze stopione tlenki metali i niemetali w temperaturze ich topnienia okolo 2000°C sa bar¬ dzo agresywne w stosunku do materialów tyglo¬ wych, tak ze ulegaja one szybko niszczeniu przez erozje i korozje. Ponadto metoda ta uniemozliwia krystalizacje krysztalów o stalym skladzie chemicz- nym w przypadku tlenków, które posiadaja w fazie 89 47589 475 cieklej inny sklad niz w fazie stalej, jak to ma miejsce dla tlenków zlozonych. W zwiazku z tym bardzo trudno jest uzyskac krysztaly zlozone spel¬ niajace warunek zachowania okreslonego skladu stechiometrycznego i jego jednolitosci. 5 Wzrastajace zapotrzebowanie na monokrysztaly prostych i zlozonych tlenków metali i niemetali, o duzej doskonalosci strukturalnej, a szczególnie o malej gestosci dyslokacji rzedu 104—103 cm-2 stwarza potrzebe znalezienia takiej metody i urza- 10 dzenia do jej stosowania, która pozwolilaby otrzy¬ mac zarówno krysztaly proste, jak i zlozone o ma¬ lych gestosciach dyslokacji i jednolitym w calym krysztale skladzie stechiometrycznym.W wyniku przeprowadzonych badan okazalo sie, i5 ze jes£ mozliwe otrzymanie monokrysztalu o wy¬ maganej strukturze jesli bedzie sie spalac koloid cieczy zawierajacej zwiazek chemiczny, który ulega utleniantlf 4na .odpowiedni tlenek. A mianowicie, zgodnie z wynalazkiem, w tlenie wytwarza sie ko- 2o loid odpowiedniego cieklego zwiazku metalu, ko¬ rzystnie alkoholanu glinu, acetyloacetonianu glinu lub ich roztworów, korzystnie w benzenie, przez rozpylenie tej cieczy w strumieniu wytlaczanego zawirowanego tlenu. Aerozol ten, po opuszczeniu 25 ukladu rozpylajacego spala sie, przy czym czastki odpowiedniego zwiazku o koloidalnym stopniu roz¬ drobnienia utleniaja sie z wytworzeniem tlenku, który topi sie pod wplywem wysokiej temperatury panujacej w plomieniu i w postaci aerozolu jest 30 niesiony w strumieniu gazów spalinowych na znane podloze z zarodzia, gdzie nastepuje monokrystaliza- cja. Do realizacji tego sposobu zostalo wykonane urzadzenie wedlug wynalazku, wyposazone w skie¬ rowany do dolu palnik — rozpylacz ze znajdujaca 35 sie w nim komora zawirowania tlenu, w której znajduje sie koniec lub sa konce kanalów tleno¬ wych, z ukierunkowanymi ich wylotami wedlug po¬ lozenia stycznej do obwodu komory. Objeta ta ko¬ mora wspólosiowa z nia dysza paliwowa wystaje 4Q poza krawedz wylotu tej komory i znajduje sie w wirujacym strumieniu wylatujacego wzdluz podluz¬ nej osi palnika tlenu.Pod palnikiem — rozpylaczem znajduje sie za- rodz krystalizacji, korzystnie w odleglosci 150 mm od palnika. Zaródz ta jest umiejscowiona na znanej podstawie przymocowanej do wspornika o postaci pionowo usytuowanej osi, która zaopatrzona jest w naped jej ruchu obrotowego i postepowego poosio¬ wego.Sposób i urzadzenie wedlug wynalazku umozli¬ wiaja uzyskanie najwiekszego technicznie mozli¬ wego stopnia rozdrobnienia stopionego tlenku, w duzym stopniu monodyspersyjnego. Sposób zapew¬ nia równiez równomiernosc dostarczania materialu 55 do krystalizacji niemozliwy do osiagniecia przy sto¬ sowaniu proszku dostarczanego fluidalnie. Jedno¬ czesnie oczyszczenie odpowiednich zwiazków wyj¬ sciowych, np.: alkoholanów glinu, mozna bardzo skutecznie i prosto przeprowadzic na drodze desty- 6Q lacji frakcjonowanej. Umozliwia to otrzymywanie monokrysztalu tlenku o maksymalnej czystosci che¬ micznej.A zatem sposób wedlug wynalazku umozliwia otrzymywanie monokrysztalów wysokotopliwych 65 50 tlenków metali i niemetali o wiekszej doskonalosci chemicznej i fizycznej niz monokrysztaly otrzymy¬ wane znanymi metodami.Jednoczesnie sposób wedlug wynalazku zachowu¬ je wszystkie zalety metody Verneuila, przede wszyst¬ kim mozliwosc otrzymywania monokrysztalów zlo¬ zonych tlenków, których sklad chemiczny w fazie cieklej jest inny niz w fazie stalej.W palniku wedlug wynalazku, spelniajacym takze role rozpylacza, wystepuje w nieznacznym tylko stopniu zjawisko osadzania sie na nim produktów spalania, wytwarzanych w aerozolu tlenku, który jest produktem nielotnym w temperaturze pokojo¬ wej.Natomiast w przypadku zastosowania do sposobu wedlug wynalazku znanych palników, przeznaczo¬ nych do spalania cieczy lotnych z lotnymi produk¬ tami spalania, nastapiloby bardzo intensywne osa¬ dzanie sie na ich wystajacych elementach, na dro¬ dze wyplywu paliwa, tlenku jako produktu spala¬ nia, prowadzace do zmiany geometrycznych para¬ metrów palnika i tym samym do zmiany warunków spalania, co w procesie monokrystalizacji jest nie¬ dopuszczalne.Okazalo sie jednak, ze nawet gdy dysza paliwowa jest wprowadzona osiowo do strumienia tlenu i wy¬ staje poza wszystkie elementy palnika, po dluzszym czasie palenia osadzaja sie produkty spalania na scianach dyszy i elementach palnika znajdujacych sie w najblizszym otoczeniu dyszy, a polozonych w tyle, za jej wylotem. Zjawisko to jest wynikiem wystepowania gradientów predkosci na granicy strumienia gazu i scianki dyszy paliwa oraz na granicy strumienia tlenu i otaczajacego powietrza.Gradienty te powoduja tworzenie sie takiego roz¬ kladu cisnien w obu warstwach przygranicznych, ze nastepuje wolne przemieszczanie sie skladników warstwy w kierunku przeciwnym do kierunku ru¬ chu tlenu i gazów spalinowych i tym samym osa¬ dzanie sie tlenku na elementach palnika. Zjawiska te wyeliminowano w urzadzeniu wedlug wynalazku w ten sposób, ze wylot dyszy doprowadzajacej pa¬ liwo umieszczony jest osiowo w strumieniu tlenu w taki sposób, ze na drodze rozpylanego paliwa w tlenie nie znajduje sie zaden szczegól elementów palnika.Jednoczesnie tlen wyplywajacy z dyszy tlenowej, w której symetrycznie umieszczona jest dysza pa¬ liwa, wprawiony jest dodatkowo w ruch wirowy tak, ze rozklad gradientów predkosci powoduje w polu wytworzonych cisnien w warstwach pogra¬ nicznych ruch obrotowy gazu wokól dyszy paliwa, a nie ruch postepowy w kierunku przeciwnym do kierunku przeplywu gazów spalinowych. Takie roz¬ wiazanie konstrukcji palnika — rozpylacza pozwolilo na przedluzenie czasu stabilnego dzialania procesu spalania i tym samym krystalizacji nawet do kilku¬ dziesieciu godzin.Przyklad. Do palnika — rozpylacza doprowa¬ dza sie strumien tlenu o szybkosci doplywu 3—8-102 l/h oraz 20% benzenowy roztwór alkoho¬ lanu glinu o szybkosci doplywu 5—8-10-1 l/h.Po zmieszaniu poddanego zawirowaniu tlenu z roz¬ tworem alkoholanu glinu, na zasadzie rozpylaniat cieczy w strumieniu gazu i spowodowaniu zaplonu tak otrzymanego aerozolu uzyskuje sie spalanie wedlug nastepujacej reakcji: 2(CH3 • CH2 • CH2O)3Al+2702= 18C02+21H20+A1203 Tlenek glinu o rozdrobnieniu koloidalnym topiac sie w plomieniu, którego temperatura wynosi co najmniej 2000°C niesiony jest w gazach spalino-. wych, na znane podloze z zarodzia, gdzie nastepuje monokrystalizacja. Równoczesnie nadaje sie podlo¬ zu znany ruch zlozony, postepowy ku dolowi o pred¬ kosci 2—12 cm/godz i ruch obrotowy o predkosci 28—192 obroty/min.Przykladowe rozwiazanie konstrukcyjne urzadze¬ nia wedlug wynalazku jest blizej wyjasnione na przykladzie wykonania iza pomoca rysunku, na któ¬ rym fig. 1 przedstawia urzadzenie do realizacji spo¬ sobu wedlug wynalazku, w przekroju podluznym, a fig. 2 to samo urzadzenie w przekroju poprzecznym.W urzadzeniu tym zastosowany jest palnik-roz- pylacz 1, ustawiony wylotem w znanym kierunku do dolu. W palniku znajduje sie okragla komora zawirowania tlenu 2, która obejmuje* wspólosiowa z nia i wystajaca na odleglosc 0,1—5 mm poza kra¬ wedz jej otworu dysze paliwowa 3.Z obwodowej sciany tej komory wystawione sa w nia wyloty kanalów tlenowych 4, których ukie¬ runkowanie odpowiada stycznej do obwodu komory.Pod wylotem palnika, w odleglosci okolo 150 mm, znajduje sie na znanej podstawie 5 zarodz krystali¬ zacji 6. Podstawa osadzona jest na obracanym i przemieszczanym wzdluz osi wylotu palnika wsporniku 7. Zestaw ten i przestrzen spalania 8 otoczone sa sciana 9 znanej rury z materialu ter¬ micznie izolujacego, korzystnie z alundu.Tlen wprowadzany tangencjalnie do komory za¬ wirowania tlenu 2 uzyskuje ruch wirowy i w tym stanie wyplywa przez otwór tej komory. Koloid cieczy wprowadzany jest do dyszy paliwowej 3 pod cisnieniem wiekszym od cisnienia atmosferycznego.Tlen i ciecz ulegafac zmieszaniu, na zasadzie roz¬ pylania cieczy w strumieniu gazu, wyplywaja z pal¬ nika w postaci aerozolu. i 475 6 W komorze spalania urzadzenia przebiega silnie egzotermiczna reakcja spalania rozpylonej cieczy w tlenie i powstawanie aerozolu cieklego tlenku me¬ talu w gazach spalinowych.Silnie rozdrobnione kropelki stopionego tlenku padaja na zaródz krystalizacji 6, gdzie stygnac kon- densuja w monokrysztal. Dla polepszenia warun¬ ków krystalizacji os wraz z zarodzia i tworzacym sie monokrysztalem wykonuje stale znany ruch obrotowy, korzystnie 1 — obrót na minute, i ruch postepowy w dól o predkosci dostosowanej do predkosci doplywu materialu przeznaczonego do krystalizacji. PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 15 \ 1. Sposób otrzymywania monokrysztalów wysoko- topliwych^tlenków metali przez topienie rozdrobnio¬ nego materialu wyjsciowego w plomieniu, na przy¬ klad wytwarzanym za pomoca tlenu i osadzania 20 go na zarodzi ogrzewanej tymze plomieniem, zna¬ mienny tym, ze jako material wyjsciowy stosuje sie latwo utleniajacy sie zwiazek chemiczny metalu w postaci cieklej, korzystnie alkoholan glinu, albo acetyloacetonian glinu, lub jego roztwór w roz- 25 puszczalniku palnym korzystnie benzenie, który to ciekly material wyjsciowy rozpyla sie w tlenie za pomoca palnika-rozpylacza spalajac go na tlenek i tak otrzymywany wyrzucany z palnika aerozol stopionego tlenku metalu kieruje sie na podloze 30 z zarodzia krystalizacji.
  2. 2. Urzadzenie do otrzymywania monokrysztalów wysokotopliwych tlenków metali wyposazone w palnik-rozpylacz skierowany na znajdujaca sie pod nim zarodz krystalizacji umieszczona na obracanej 35 i przemieszczanej do dolu podstawie, znamienny tym, ze palnik (1) zaopatrzony jest w okragla ko¬ more zawirowania tlenu (2), w której znajduje sie koniec lub sa konce kanalów tlenowych (4) z ukie¬ runkowanymi ich wylotami wedlug polozenia stycz- 4o nej do obwodu komory, a objeta ta komora wspól¬ osiowa z nia dysza paliwowa (3) wystaje poza kra¬ wedz wylotu tej komory znajdujac sie w wiruja¬ cym strumieniu wylatujacego wzdluz podluznej osi palnika tlenu.89 475 Rgt LDA- Zaklad 2- Typo, zam. 3154/76- 120 egz. Cena zl 10.— PL
PL16591773A 1973-10-17 1973-10-17 PL89475B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16591773A PL89475B1 (pl) 1973-10-17 1973-10-17

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16591773A PL89475B1 (pl) 1973-10-17 1973-10-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL89475B1 true PL89475B1 (pl) 1976-11-30

Family

ID=19964477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL16591773A PL89475B1 (pl) 1973-10-17 1973-10-17

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL89475B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6074754A (en) Spherical pigments, process for producing them and use thereof
JP3519406B2 (ja) フィルム及びコーティングの燃焼化学蒸着の方法
RO111756B1 (ro) Procedeu pentru prepararea de reactanti vaporizati pentru depunere chimica sub forma de vapori
KR19990036147A (ko) 근 초임계 및 초임계 유동 용액의 열적 분무를 이용한 화학증착 및 분말 형성
JPH10218609A (ja) 球形着色顔料、その製法及びその使用
WO1994014530A1 (fr) Procede et appareil permettant de produire de fines particules de ceramique
JP2003502264A (ja) 噴霧熱分解または噴霧乾燥プロセスおよびそれを実施するためのプラント
JP5873471B2 (ja) 複合超微粒子の製造方法
PL89475B1 (pl)
EP0646230B1 (fr) Creuset
JPH11217203A (ja) 金属酸化物粉末の製造方法
US20040216494A1 (en) Burner for combustion or flame hydrolysis, and combustion furnace and process
EP1240111B1 (en) Method and apparatus for dyeing a material
JPS58207938A (ja) セラミツクス微粒子の製造方法
JPH05253469A (ja) セラミックス粉体の製造方法および装置
JPH06247712A (ja) セラミックス微粒子の製造方法及びその装置
JP7190338B2 (ja) 無機酸化物粒子の製造方法
JP3201818B2 (ja) 噴霧熱分解方法および装置
JPH11237007A (ja) 燃焼又は火炎加水分解用燃焼炉及び燃焼方法
RU2407700C2 (ru) Установка для газопламенного напыления наноструктурированного покрытия
US20040140380A1 (en) Device and method for pulverizing materials, especially glass
JPH06254384A (ja) セラミックス微粒子の製造方法及びその装置
US4867763A (en) Process and equipment for the fractional desublimation of solids in vapor form from gas/vapor mixtures
EP1087177B1 (en) Burner and combustion furnace for combustion and flame hydrolysis and combustion method
CH540855A (fr) Procédé de fabrication d'un produit pulvérulent à base d'oxyde de zirconium