PL82788B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL82788B1 PL82788B1 PL14620571A PL14620571A PL82788B1 PL 82788 B1 PL82788 B1 PL 82788B1 PL 14620571 A PL14620571 A PL 14620571A PL 14620571 A PL14620571 A PL 14620571A PL 82788 B1 PL82788 B1 PL 82788B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- solution
- compounds
- insulating
- oxygen
- acid
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 150000001785 cerium compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WGKMWBIFNQLOKM-UHFFFAOYSA-N [O].[Cl] Chemical class [O].[Cl] WGKMWBIFNQLOKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229940100890 silver compound Drugs 0.000 claims 1
- 150000003379 silver compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 6
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003803 Gold(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- RJHLTVSLYWWTEF-UHFFFAOYSA-K gold trichloride Chemical compound Cl[Au](Cl)Cl RJHLTVSLYWWTEF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910004039 HBF4 Inorganic materials 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- RRKODOZNUZCUBN-CCAGOZQPSA-N (1z,3z)-cycloocta-1,3-diene Chemical compound C1CC\C=C/C=C\C1 RRKODOZNUZCUBN-CCAGOZQPSA-N 0.000 description 1
- RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]ethanol Chemical compound OCCC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002666 PdCl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);trisulfate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical group 0.000 description 1
- KDUIUFJBNGTBMD-VXMYFEMYSA-N cyclooctatetraene Chemical compound C1=C\C=C/C=C\C=C1 KDUIUFJBNGTBMD-VXMYFEMYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 230000029087 digestion Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- VKJKEPKFPUWCAS-UHFFFAOYSA-M potassium chlorate Chemical compound [K+].[O-]Cl(=O)=O VKJKEPKFPUWCAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000367 silver sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
- H05K3/387—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive for electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
- C23C18/24—Roughening, e.g. by etching using acid aqueous solutions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
- H05K2203/0789—Aqueous acid solution, e.g. for cleaning or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
- H05K2203/0796—Oxidant in aqueous solution, e.g. permanganate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Description
Uprawniony z patentu: Schering Aktiengesellschaft, Bergkamen (Republika Federalna Niemiec i Berlin Zachodni) Sposób wytwarzania ksztaltek izolacyjnych z metaliczna powloka Przedmiotem wynalazku jest sposób wy¬ twarzania ksztaltek izolacyjnych z metaliczna po¬ wloka przymocowana za pomoca kleju.Wytwarzanie ksztaltek izolacyjnych z metaliczna powloka przymocowana za pomoca klejów jest znane. Z wylozonego opisu patentowego Niemiec¬ kiej Republiki Federalnej nr 1490 374 znany jest np. sposób polegajacy na tym, ze na szorstkowan^ powierzchnie ksztaltki izolacyjnej poddawanej pro¬ cesowi metalizowania naklada sie najpierw war¬ stwe kleju, po czym warstwe te pokrywa sie druga warstwa kleju, na której nastepnie przez chemicz¬ ny rozklad zwiazku miedzi osadza sie metaliczna miedz.Ksztaltki izolacyjne metalizowane w ten sposób mozna jak wiadomo stosowac do wytwarzania dru¬ kowanych ukladów polaczen, mianowicie pokry¬ wa sie je negatywowym wzornikiem i nie zakryte czesci warstwy metalicznej wzmacnia sie galwa¬ nicznie, po czym usuwa wzornik i wytrawia od¬ sloniete czesci powloki metalicznej (patrz wylozony ' opis patentowy Niemieckiej Rep. Fed. nr 1 496 984).Nanoszenie warstwy metalicznej na ksztaltki izo- lacyjine znanymi metodami odbywa sie z reguly bez stosowania pradu elektrycznego, po uprzednim zaktywowaniu pokrytej klejem ksztaltki za pomoca cyny i palladu. W tym celu naniesiona warstwe kleju poddaje sie wstepnej obróbce, np. przez dzia¬ lanie srodkami utleniajacymi, które powierzchnie tej warstwy utleniaja lub rozkladaja (patrz fran- 10 15 20 30 cuski opis patentowy nr 1 519 797). Przy stosowaniu znanych sposobów te wstepna obróbke i aktywowa¬ nie warstwy kleju prowadzi sie jako oddzielne za¬ biegi robocze, co stanowi duza niedogodnosc.Wynalazek ma na celu uproszczenie procesu wy¬ twarzania metalizowanych ksztaltek izolacyjnych.Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze klej nalozony na ksztaltke izolacyjna traktuje sie kwas¬ nym roztworem, który zawiera srodek utleniajacy i co najmniej jeden metal szlachetny w postaci jego zwiazku.Zgodnie z wynalazkiem chemiczne szorstkowanie i aktywowanie prowadzi sie w jednym zabiegu ro¬ boczym, co stanowi znaczne uproszczenie, przy czym tak prowadzony proces jest mniej wrazliwy na zaklócenia niz znane procesy. Poza tym sposób wedlug wynalazku ma te zalete, ze przy prowa¬ dzonym nastepnie metalizowaniu mozna uzyskac styk poprzez otwory, zwlaszcza wtedy, gdy do wy-. twarzania plyt przewodowych stosuje sie substancje tak zwana jadrowokatalityczna, zawierajaca jak wiadomo domieszke skladników aktywujacych.W celu otrzymania wlasciwej wartosci pH kwa¬ snego roztworu stosuje sie korzystnie kwas siar¬ kowy, fosforowy, fluoroborowy i nizsze kwasy jedno- i dwukarboksylowe o 1—4 atomach wegla, calkowicie lub czesciowo chlorowcowane, np. kwas trójchlorooctowy lub kwas nadchlorowy, przy czym mozna je stosowac pojedynczo lub w mieszaninie, a takze z solami tych kwasów. Wartosc pH roztwo-3 rów stosowanych zgcdnie z wynalazkiem powinna byc mozliwie nizsza niz 1, gdyz przy takiej war¬ tosci warstwy kleju sa szczególnie dobrze aktywo¬ wane.Jako srodki utleniajace stosuje sie korzystnie np. kwas chromowy, nadtlenki, nadsiarczany, zwiazki tlenowe azotu i chlorowców, w których azot lub chlorowiec ma wyzsza wartosciowosc, zwiazki czte- rowartosciowego ceru oraz tlen lub gazy zawiera¬ jace tlen itp. Przykladami takich srodków sa: nad* tlenek wodcru, nadsiarczan amonowy, chloran po¬ tasowy, siarczan czterowartosciowego ceru, azotan sodowy, tlenek azotu i tlen.Jako metale szlachetne stosuje sie np. pallad, platyne, osm, iryd, zloto i srebro w postaci ich zwiazków, takich jak siarczany, azotany, octany, a takze w postaci ich kompleksów z dwuolefino- wymi i oligoolefinowymi Ugandami w silnie polar¬ nych rozpuszczalnikach. Przykladami takich kom¬ pleksów sa kompleksy chlorowcowe z cyklookta- dienem, cyklooktatetraenem, butadienem itp.Zgodnie z wynalazkiem szczególnie korzystnie stosuje sie roztwory zawierajace w stosunku wa¬ gowym 20—60% kwasu siarkowego, 1—20% kwasu chromowego i 0,0001—l°/o szlachetnego metalu, w postaci jego zwiazków, a zwlaszcza roztwór za¬ wierajacy w stosunku wagowym 40—50% kwasu siarkowego, 1—10% kwasu chromowego i 0,005— —0,05% jonu metalu szlachetnego.Ksztaltki izolacyjne pokryte klejem traktuje sie zgodnie z wynalazkiem w temperaturze powyzej okolo 20°C, a korzystnie w temperaturze 30—40°C, utrzymujac je w roztworze w ciagu 3—10 minut lub dluzej, w zaleznosci od temperatury roztworu, a niezaleznie od tego, czy warstwa kleju poddana byla uprzednio dzialaniu organicznego rozpuszczal¬ nika, czy nie. Pd obróbce w roztworze ksztaltki plucze sie woda i wprowadza do jednej ze znanych chemicznych kapieli redukujacych.•Jako srodki klejace stosuje sie korzystnie prepa¬ raty z zywicy fenoloformaldehydowej, poliwinylo- butanalowej, lub z zywicy bedacej kopolimerem fenoloaldehydoepoksydowym, zawierajace oprócz tego, skladniki ulegajace utleniajacemu dzialaniu substancji stosowanej do trawienia. Takimi dodat¬ kami sa np. takie produkty jak poddany wstepne¬ mu traktowaniu kauczuk' nitrylowy, kauczuk buta¬ dienowy, styrenobutylowy, polibutenowy, neopreno- wy, butadienowy, akrylonitrylowy i silikonowy, a takze zywice polioctanowinylowe, modyfikowane zywice poliamidowe i inne. W razie potrzeby mozna stosowac jedna lub kilka warstw klejacych o róz¬ nym skladzie. Oczywiscie, nalozone warstwy kleju utwardza sie przez ogrzewanie, np. do temperatury okolo 150—200°C. Jako chemiczna kapiel reduku¬ jaca stosuje sie np. kapiel miedziowa lub niklowa, zawierajaca jako srodek redukujacy aldehyd mrów¬ kowy, podfosforyn metalu alkalicznego, hydrazyne lub borowodorek. Do galwanicznego wzmacniania chemicznie osadzonej warstwy metalu mozna tez stosowac znane elektrolity.Do wytwarzania ksztaltek izolacyjnych mozna stosowac dowolne materialy, o ile odpowiadaja one zamierzonemu celowi. Takimi materialami sa np. znane materialy podstawowe • oraz inne, niemeta- 82788 4 liczne materialy podkladowe, odporne na dzialante temperatury do okolo 2O0°C< Metalizowane ksztalt¬ ki izolacyjne wytwarzane spesobem wedlug wyna¬ lazku nadaja sie szczególnie do wytwarzania ukla- * dów polaczen przy produkcji drukowanych ukla¬ dów w przemysle elektrotechnicznym.Wynalazek jest dokladniej wyjasniony w naste¬ pujacym przykladzie.Przyklad. Plyte podstawowa wykonana z pa- io pieru bakelizowanego zywica fenolowa lub epoksy¬ dowa, ewentualnie katalizowana jadrowo, pokrywa sie warstwa kleju z zywicy fenoloaldehydoepoksy- dpwej, dajacego sie aktywowac i zawierajacego do¬ datek silnie zdyspergowanej krzemionki oraz do- i» prowadzonego za pomoca ketonu metyloetylowego do lepkosci okolo 200 puazów.Pokrywanie klejem prowadzi sie przez zanurza¬ nie lub powlekanie. Nastepnie utwardza cie plyte w temperaturze okolo 140°C w ciagu okolo 2V* go- 20 dzin; po czym przewierca zgodnie z rysunkiem, ja¬ kiemu ma odpowiadac przewód. Nastepnie zarów¬ no powierzchnie plyty, jak i powierzchnie we¬ wnetrzne otworów poddaje sie wytrawianiu i akty¬ wowaniu w jednym zabiegu, przez zanurzenie 25 w jednej z nizej podanych kapieli, a nastepnie plu¬ cze i bezposrednio po tym metalizuje w bezpra- dowo osadzajacej znanej kapieli redukujacej. Dal¬ sze fazy procesu prowadzi sie w znany sposób za pomoca drukowania negatywowego, budowania ry- 30 sunku ukladu na drodze galwanicznej, usuwania maski i zmywania cienkiej przewodzacej warstwy miedzianej. Stosuje sie kapiele aktywujace, które w 1 litrze zawieraja nastepujace skladniki: a) 35 30,0 g K2Cr207 5,0 g NaH2P04-2H20 705,0 g H2S04 (95%) 0,5 g AuCl3 woda do objetosci 1 litra. 40 Czas utrzymywania w kapieli o temperaturze 35°C wynosi 3 minuty, b) 20,0 g K2Cr207 1000,0 g HBF4 (48%) 45 0,5 g PdCl2 woda do objetosci ,1 litra.Czas utrzymywania w kapieli o temperaturze 60°C wynosi 10 minut.O 50 705,0 g H2S04 (95%) 5,0 g Ag2SQ4 20,0 g HNO3 (64%) woda do objetosci 1 litra.Czas utrzymywania w kapieli o temperaturze 40°C 55 wynosi 5 minut. 705,0 g H2S04 (95%) 5,0 g Ag2S04 20,0 g HC1D4 (70%) *o woda do objetosci 1 litra.Czas utrzymywania w kapieli o. temperaturze 40^C wynosi 5 minut, e) 705,0 g H2S04 (95%) •» 15,0 g Pd(CH2=CH—CH=CH2)C1,82788 10,0 g NaH2P04-2H20 50,0 g (NH4)2S208 woda do objetosci 1 litra.Czas utrzymywania w kapieli o temperaturze 30°C wynosi 5 minut. f) 705,0 g H2S04 (95°/o) 30,0 g H202 (30%) 5,0 g NaH2P04-2H20 15,0 g Pt(CH2=CH—CH=CH2)C12 woda do objetosci 1 litra.Czas utrzymywania w kapieli o temperaturze 30°C wynosi 5 minut. g) 20,0 g K2Cr207 800,0 g HBF4 (48%) 200,0 g H2S04 (95%, gestosc 1,84) 0,5 g AuCl3 woda do objetosci 1 litra.Czas utrzymywania w kapieli o temperaturze 40°C wynosi 10 minut. h) 30,0 g Cr03 10,0 g H3P04 (85%, gestosc 1,7) 700,0 g H2S04 (95%, gestosc 1,84) 0,5 g AuCl3 woda do objetosci 1 litra.Czas utrzymywania w kapieli o temperaturze 35°C wynosi 6 minut.Mozna równiez rozpuszczone substancje aktywi¬ zowac w znany sposób. Te sole metali szlachetnych mozna stosowac w polaczeniu ze srodkiem reduku¬ jacym, w postaci produktu jonoczynnego albo w po¬ staci utrwalonego koloidu, jak równiez mozna sto¬ sowac sole metali szlachetnych nie zmieszane ze srodkiem redukujacym. 6 PL PL
Claims (8)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania ksztaltek izolacyjnych z metaliczna powloka, przymocowana za pomoca 5 kleju, znamienny tym, ze po nalozeniu na ksztaltke izolacyjna klej traktuje sie kwasnym roztworem, zawierajacym srodek utleniajacy i co najmniej je¬ den metal szlachetny w postaci jego zwiazku.
2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze io stosuje sie roztwór o wartosci pH = 1.
3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie roztwór zawierajacy kwas chromowy, nadtlenki, nadsiarczany, zwiazki tlenowe azotu lub chloru, zawierajace azot lub tlen o wyzszym stop- 15 niu wartosciowosci, zwiazki czterowartosciowego ceru, tlen lub gazy zawierajace tlen.
4. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako zwiazki metali szlachetnych stosuje sie zwiazki palladu, platyny, irydu, osmu, zlota lub srebra. 20
5. Sposób wedlug zastrz. 1—4, znamienny tym, ze stosuje sie roztwór zawierajacy w stosunku wa¬ gowym 30'—60% kwasu siarkowego, 1—20% kwasu chromowego i 0,0001—1% metalu szlachetnego w postaci jego zwiazków. 25
6. Sposób wedlug zastrz. 1—5, znamienny tym, ze stosuje sie roztwór zawierajacy w stosunku wago¬ wym 40—50% kwasu siarkowego, 1—10% kwasu chromowego i 0,005—0,05% jonów metalu szlachet¬ nego. 30
7. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze ksztaltki izolacyjne traktuje sie w temperaturze po¬ wyzej okolo 20°C, a korzystnie w temperaturze okolo 30-^0°C.
8. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze 35 warstwe kleju po poddaniu jej dzialaniu kwasnego roztworu metalizuje sie w chemicznej kapieli re¬ dukujacej. PL PL
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702010438 DE2010438A1 (en) | 1970-02-27 | 1970-02-27 | Metallizing insulators for printed circuits e - tc |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL82788B1 true PL82788B1 (pl) | 1975-10-31 |
Family
ID=5764210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL14620571A PL82788B1 (pl) | 1970-02-27 | 1971-02-12 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS166260B2 (pl) |
| DE (1) | DE2010438A1 (pl) |
| PL (1) | PL82788B1 (pl) |
| RO (1) | RO57550A (pl) |
| YU (1) | YU34807B (pl) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1793013B1 (en) * | 2005-12-05 | 2017-07-19 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Metallization of dielectrics |
| EP2853619A1 (en) * | 2013-09-25 | 2015-04-01 | ATOTECH Deutschland GmbH | Method for treatment of recessed structures in dielectric materials for smear removal |
-
1970
- 1970-02-27 DE DE19702010438 patent/DE2010438A1/de active Pending
- 1970-08-24 YU YU212770A patent/YU34807B/xx unknown
- 1970-09-05 RO RO6439170A patent/RO57550A/ro unknown
- 1970-09-18 CS CS638570A patent/CS166260B2/cs unknown
-
1971
- 1971-02-12 PL PL14620571A patent/PL82788B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| YU34807B (en) | 1980-03-15 |
| DE2010438A1 (en) | 1971-09-09 |
| YU212770A (en) | 1979-09-10 |
| RO57550A (pl) | 1974-12-15 |
| CS166260B2 (pl) | 1976-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0616053B9 (en) | Self accelerating and replenishing non-formaldehyde immersion coating method | |
| US4425380A (en) | Hole cleaning process for printed circuit boards using permanganate and caustic treating solutions | |
| US4668532A (en) | System for selective metallization of electronic interconnection boards | |
| JP2768390B2 (ja) | 無電解金属付着のために基体をコンディショニングする方法 | |
| JPS61176192A (ja) | 銅と樹脂との接着方法 | |
| SE442124B (sv) | Forfarande for elektrokemisk metallisering av ett dielektrikum samt aktiveringslosning for anvendning hervid | |
| JP2769954B2 (ja) | プラスチック基質上に直接的に金属メッキを電着させるための方法 | |
| US3982045A (en) | Method of manufacture of additive printed circuitboards using permanent resist mask | |
| US4430154A (en) | Method of producing printed circuit boards | |
| US3799816A (en) | Metallizing insulating bases | |
| US4144118A (en) | Method of providing printed circuits | |
| US4734156A (en) | Method for forming electrically conductive circuits on a base board | |
| JP3890542B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| IE50821B1 (en) | Process for the selective chemical deposition and/or electrodeposition of metal coatings,especially for the production of printed circuits | |
| PL82788B1 (pl) | ||
| KR101049236B1 (ko) | 팔라듐을 이용한 무전해 도금방법 | |
| CA1224276A (en) | Process for producing printed circuits | |
| KR100216328B1 (ko) | 회로판의 직접 금속화 방법 | |
| JPS638638B2 (pl) | ||
| JPH0319301B2 (pl) | ||
| US4693907A (en) | Process or non-electrolytic copper plating for printed circuit board | |
| GB2253415A (en) | Selective process for printed circuit board manufacturing employing noble metal oxide catalyst. | |
| GB1332041A (en) | Process for forming a conductive coating on a substrate | |
| IE49971B1 (en) | Manufacture of printed circuits | |
| KR940006223B1 (ko) | 인쇄회로용 컨디셔닝제 |