PL76063B2 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL76063B2 PL76063B2 PL15491172A PL15491172A PL76063B2 PL 76063 B2 PL76063 B2 PL 76063B2 PL 15491172 A PL15491172 A PL 15491172A PL 15491172 A PL15491172 A PL 15491172A PL 76063 B2 PL76063 B2 PL 76063B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- dioxane
- novolak resin
- naphthoquinone
- diazo
- resin
- Prior art date
Links
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical class Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N azane;dihydrofluoride Chemical compound [NH4+].F.[F-] KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 235000011167 hydrochloric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- XTHPWXDJESJLNJ-UHFFFAOYSA-N sulfurochloridic acid Chemical compound OS(Cl)(=O)=O XTHPWXDJESJLNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
Description
Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 31.05.1973 Opis patentowy opublikowano: 19.05-1975 76063 KI. 39b5,5/18 MKP C08g5/18 Urzedu Prrs,-.***^) Twórcywynalazku: Henryk Filipiuk, Herbert Czichon, Andrzej Stadnicki, Zygmunt Grzybowski Uprawniony z patentu tymczasowego: Instytut Technologii Elektronowej przy Naukowo-Produkcyjnym Centrum Pólprzewodników,Warszawa (Polska) Sposób wytwarzania swiatloczulej zywicy nowolakowej Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania swiatloczulej zywicy; 1,2-naftochinon-2-dwuazo-5-sulfo- nowo-nowolakowej.W przemysle pólprzewodnikowym oraz poligraficznym stosuje sie warstwy kopiowe fotoutwardzalne, które pod wplywem dzialania promieniowania swietlnego staja sie nierozpuszczalne oraz warstwy fotorozpusz- czalne, które po naswietleniu sa rozpuszczalne w okreslonych rozpuszczalnikach.Zaleta wszystkich warstw kopiowych fotorozpuszczalnych jest mozliwosc naswietlania poprzez diapozytyw fotograficzny, przy czym otrzymuje sie obraz odpowiadajacy czarnym elementom diapozytywu. Warstwy ko¬ piowe, fotorozpuszczalne próbowano uzyskac przy uzyciu zywicy nowolakowej. Zywice te nitrozowano, redu¬ kowano, po czym dwuazowano. Powstale produkty byly jednak niedostatecznie swiatloczule.Celem wynalazku jest wytwarzanie swiatloczulej zywicy nowolakowej o wysokiej swiatloczulosci i dobrej odpornosci chemicznej na dzialanie kwasów mineralnych oraz innych roztworów stosowanych przy otrzymywa¬ niu elementów pólprzewodnikowych oraz form drukowych.Cel ten osiagnieto przez kondensacje, w srodowisku alkalicznym, zywicy nowolakowej o liczbie K (wielo¬ krotnosc liczby Fikentschera) 20-30/z l,2-naftochinon-2-dwuazo-5-sulfochlorkiem, w temperaturze 36-42°C.Produktem reakcji jest zywica 1,2-naftochinon-2-dwuazo-5-sulfonowo-nowolakowa.Otrzymana zywice przemywa sie rozcienczonym roztworem wodorotlenku sodowego, a nastepnie woda do zaniku odczynu alkalicznego, po czym oczyszcza sie przez rozpuszczenie w dioksanie i wytracenie woda. Po wytraceniu odsacza, przemywa powtórnie woda i suszy w ciemnym miejscu.Przez rozpuszczenie otrzymanej zywicy w dioksanie uzyskuje sie roztwory kopiowe, które po naniesieniu na odpowiednie podloze i odparowaniu rozpuszczalnika tworza fotorozpuszczalna warstwe swiatloczula.Warstwy swiatloczule z zywicy otrzymanej sposobem wedlug wynalazku wykazuja stosunkowo wysoka swiatloczulosc oraz odpornosc nienaswietlonych elementów na dzialanie roztworów stosowanych przy wytwa¬ rzaniu elementów pólprzewodnikowych i form drukowych jak np. kwasów: azotowego, fluorowodorowego i solnego, kwasnego fluorku amonowego itp. Ponadto odznaczaja sie bardzo dobra rozdzielczoscia co umozliwia kopiowanie elementów pólprzewodnikowych o wymiarach kilku mikronów.2 76 063 Wzór strukturalny otrzymanej sposobem wedlug wynalazku zywicy przedstawiony jest na rysunku.Przyklad. Zlewke o pojemnosci 800 ml zaopatrzona w mieszadlo mechaniczne umieszcza sie w lazni wodnej. Do zlewki wprowadza sie 0,21 mola zywicy nowolakowej o liczbie K 20 do 30 i 250 ml jednomolarnego ; roztworu wodorotlenku sodowego. Po rozpuszczeniu roztwór ogrzewa sie mieszajac na lazni wodnej w tempera¬ turze 38-40°C. 0,21 mola l,2-naftochinon-2-dwuazo-5-sulfochlorku rozpuszcza sie w 300 ml dioksanu i umiesz¬ cza we wkraplaczu. Nastepnie sulfochlorek wkrapla sie do roztworu zywicy nowolakowej w wodorotlenku sodowym ciagle mieszajac. Wydziela sie zywica 1,2-naftochinon-2-dwuazo-5-sulfonowo-nowolakowa. Po zakon¬ czeniu wkraplania miesza sie 30 minut i po ochlodzeniu oddziela mieszanine reakcyjna od zywicy. Kondensat przeplukuje sie woda, rozkrusza bagietka i przemywa 2% roztworem wodorotlenku sodowego. Osad odmywa sie do zaniku odczynu alkalicznego. Odmyta zywice suszy sie w ciemni. PL PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania swiatloczulej zywicy nowolakowej, znamienny tym, ze l,2-nrftochinon-2-dwu- , azo-5-sulfochlorek rozpuszczony w dioksanie wkrapla sie do alkalicznego roztworu zywicy nowolakowej o liczbie K 20 do 30 w temperaturze 36 do 42°C, a wydzielona zywice 1,2-naftochinon-2-dwuazo-5-sulfóester nowolako- wa przemywa sie rozcienczonym roztworem wodorotlenku sodowego, a -nastepnie woda do zaniku odczynu alkalicznego, po czym oczyszcza przez rozpuszczenie w dioksanie, wytraca woda i suszy w ciemni. Prac. Poligraf. UP PRL Zam. T.P.ll/M/75 Naklad 120+18 Cena 10 zl PL PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL15491172A PL76063B2 (pl) | 1972-04-22 | 1972-04-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL15491172A PL76063B2 (pl) | 1972-04-22 | 1972-04-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL76063B2 true PL76063B2 (pl) | 1975-02-28 |
Family
ID=19958298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL15491172A PL76063B2 (pl) | 1972-04-22 | 1972-04-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL76063B2 (pl) |
-
1972
- 1972-04-22 PL PL15491172A patent/PL76063B2/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6045977A (en) | Process for patterning conductive polyaniline films | |
| US4093461A (en) | Positive working thermally stable photoresist composition, article and method of using | |
| DE69320468T2 (de) | Photoresists mit einem niedrigem grad metallionen | |
| JP3805373B2 (ja) | キレート形成性イオン交換樹脂によってフォトレジスト組成物中の金属イオンを低減させる方法 | |
| JPS6155246B2 (pl) | ||
| KR100421270B1 (ko) | 금속이온함량이낮은4,4'-[1-[4-[1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀및이것으로제조한포토레지스트조성물 | |
| KR100425427B1 (ko) | 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(pgmea)중의노볼락수지용액에서금속이온을감소시키는방법 | |
| US3655625A (en) | Polyurethane-cinnamate photopolymer | |
| CA1257610A (en) | Photoresist processing solution | |
| JP2000305270A (ja) | 化学増幅型新規低分子系レジスト材料を用いるパターン形成 | |
| PL76063B2 (pl) | ||
| JPH10504599A (ja) | 陰イオン交換樹脂を使用する、ノボラック樹脂溶液中の金属イオン低減 | |
| KR100477401B1 (ko) | 이온 교환에 의해 유기 극성 용제를 함유하는 포토레지스트 조성물내의 금속 이온 오염물을 감소시키는 방법 | |
| KR19990045753A (ko) | 페놀 포름알데히드 축합물의 분별증류 및 이로부터 제조된포토레지스트 조성물 | |
| DE69904223T2 (de) | Wasserlösliche positiv arbeitende photoresistzusammensetzung | |
| US3494768A (en) | Condensed vapor phase photoetching of surfaces | |
| US3520685A (en) | Etching silicon dioxide by direct photolysis | |
| KR100551936B1 (ko) | 입자를 생성하는 경향이 감소된 포토레지스트 조성물의제조 방법 | |
| US3520684A (en) | Photolytic etching of silicon dioxide by acidified organic fluorides | |
| EP0111799B1 (de) | Verfahren zur Entwicklung von Reliefstrukturen auf der Basis von strahlungsvernetzten Polymervorstufen hochwärmebeständiger Polymere | |
| US2859111A (en) | Lithographic printing plates including sulfonium perchlorates | |
| US3520687A (en) | Etching of silicon dioxide by photosensitive solutions | |
| US3520686A (en) | Indirect photolytic etching of silicon dioxide | |
| DE69902633T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer photoaktiven verbindung und diese verbindung enthaltender photoresist | |
| JPH0334055B2 (pl) |