PL67270B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 31,111.1973 67270 KI. 48M5/0© MKP C23c 15/00 UKD Wspóltwórcy wynalazku: Andrzej Bochenek, Marian Lukaszewicz Wlasciciel patentu: Politechnika Wroclawska, Wroclaw (Polska) Sposób oczyszczania cienkich warstw metalicznych przed lutowa¬ niem Przedmiotem wynalazku jest sposób oczyszczania cienkich warstw metalicznych, przeznaczony zwlaszcza do wykonywania polaczen lutowanych w cienkowar¬ stwowych ukladach elektronicznych.Dotychczas znane sa dwa sposoby oczyszczania cien¬ kich warstw metalicznych przed lutowaniem. Sposób pierwszy polega na stosowaniu topników wprowadza¬ nych w postaci past lub cieczy na powierzchnie luto¬ wana. Sposób drugi polega na stosowaniu strumienia goracego gazu redukujacego powierzchniowe zwiazki chemiczne, który jednoczesnie podgrzewa spoiwo i la¬ czone elementy do temperatury lutowania.Zasadnicza niedogodnoscia techniczna obu sposobów oczyszczania jest to, ze stosowanie uaktywnionych top¬ ników lub slabo redukujacych gazów jest malo sku¬ teczne w przypadku lutowania cienkich warstw metali tworzacych na powierzchni trudne do- usuniecia na drodze chemicznej zwiazki chemiczne jak tlenki, azot¬ ki, wodorotlenki itd. Natomiast stosowanie aktywnych topników lub silnie redukujacych gazów jest niewska¬ zane ze wzgledu na mozliwosc wystapienia zasadniczych zmian cienkiej warstwy metalicznej na skutek oddzia¬ lywania aktywnych topników lub silnie redukujacych gazów na zbyt duza glebokosc cienkiej warstwy meta¬ licznej. Dalsza niedogodnosc to trudnosc w dokladnym ograniczeniu pola, na które maja oddzialywac te czyn¬ niki. Pociaga to za soba koniecznosc dodatkowego za¬ bezpieczania miejsca nieprzeznaczonych do lutowania.Celem wynalazku jest wyeliminowanie niedogodnosci 10 15 20 25 30 wystepujacych w znanych sposobach oczyszczania cien¬ kich warstw metalicznych przed lutowaniem.Cel ten zostal osiagniety przez zastosowanie sposobu wedlug wynalazku, który polega an poddaniu cienkich warstw metalicznych jonowemu bombardowaniu pow¬ stajacemu w trakcie jarzeniowego wyladowania wywo¬ lanego przez przylozenie ujemnego napiecia 500—5000 V do oczyszczanej warstwy metalicznej w rozrzedzonym do cisnienia 5-10—3 — 5*10—1 Tr gazie szlachetnym, jak np. argonie, przez okres 0,6—60 minut.Zasadnicze korzysci techniczne wynikajace ze stoso¬ wania sposobu wedlug wynalazku to duza skutecznosc oczyszczania dzieki której uzyskuje sie trwale polacze¬ nia lutowane, wyeliminowanie koniecznosci stosowania aktywnych topników lub silnie redukujacych gazów, oraz mozliwosc dokladnego* ustalenia wielkosci czysz¬ czonego pola na drodze przeslaniania. Dalsza korzy¬ scia techniczna jest to, ze do przeprowadzania jonowe¬ go oczyszczania wykorzystuje sie typowa prózniowa aparature do naparowywania cienkich warstw metalicz¬ nych.Przyklad: Naparowana w prózni 2*10—5. Tr na szklane podloze o temperaturze 150°C warstwe niklu o grubosci 1000 A umieszcza sie pod szklanym kloszem prózniowej aparatury wyposazonej w dyfuzyjna pompe PDO-250 i chlodzony woda odrzutnik oleju, po czym warstwe niklu, przyslonieta w miejscach nieprzeznaczo¬ nych do oczyszczania, podlacza sie wraz z przyslania¬ jaca ja maska metalowa do ujemnego bieguna zasila¬ cza wysokiego napiecia, zas uziemione czesci podklo- 6727067270 szowego wyposazenia prózniowej aparatury podlacza sie do dodatniego bieguna zasilacza wysokiego napiecia.Nastepnie pod klosz prózniowy aparatury wprowadza sie poprzez iglicowy zawór dozujacy spawalniczy ar¬ gon przy niecalkowicie domknietym zaworze, znajduja¬ cym sie miedzy dyfuzyjna pompa a kloszem próznio¬ wej aparatury.Po doprowadzeniu cisnienia argonu do wartosci 2*10—2 Tr naparowana warstwe niklu poddaje sie przez 10 minut jonowemu bombardowaniu w trakcie jarze¬ niowego wyladowania w rozrzedzonym argonie, a wy¬ wolanego przylozeniem do czyszczonej warstwy meta¬ licznej ujemnego napiecia 1000 V, które stopniowa zwieksza sie do 1500 V. Kontrola pradu i napiecia podczas jarzeniowego wyladowania umozliwia uzyska¬ lo 15 nie powtarzalnych wyników czyszczenia. Tak oczysz¬ czona warstwa naparowanego niklu daje z lutem cyno- wo-olowiowym polaczenie o wytrzymalosci na scinanie 2 kG/mm2. PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób oczyszczania cienkich warstw metalicznych przed lutowaniem, znamienny tym, ze warstwy te pod¬ daje sie w rozrzedzonym do cisnienia 5*10—3—5«10—xTr gazie szlachetnym, jonowemu bombardowaniu powsta¬ jacemu w trakcie jarzeniowego wyladowania wywola¬ nego przez przylozenie ujemnego napiecia 500—5000 V do czyszczonej warstwy metalicznej przez okres 0,6—60 minut. WD A-l. Zam. 4958, naklad 135 egz. Cena zl 10,— PL PL