PL66697B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL66697B1 PL66697B1 PL131318A PL13131869A PL66697B1 PL 66697 B1 PL66697 B1 PL 66697B1 PL 131318 A PL131318 A PL 131318A PL 13131869 A PL13131869 A PL 13131869A PL 66697 B1 PL66697 B1 PL 66697B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- electrode
- sputtering
- substrate carrier
- cathode
- electrodes
- Prior art date
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 16
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 235000019796 monopotassium phosphate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental Effects 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 15.11.1973 66697 KI. 48b,15/00 MKP C23c 15/00 UKD Wspóltwórcy wynalazku: Wojciech Gregorozyk, Boguslaw Stepien, Romana Marowska Wlasciciel patentu: Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa (Polska) Uklad elektrod do rozpylania katodowego Przedmiotem wynalazku jest uklad elektrod do rozpylania katodowego.Proces rozpylania katodowego polega na uwal- rnianiu czasteczek rozpylanego materialu z po¬ wierzchni elektrody irozpyHamej przez jony gazu -o duzej energii. Zródlem jonów jest plazma wy¬ twarzana przez wzbudzenie wyladowania jarze¬ niowego miedzy elektrodami ukladu do rozpyla¬ nia. Jony bombardujace elektrode rozpylana uzy¬ skuja odpowiednio duza energie w obszarze kato¬ dowego spadku napiecia. Pole przyspieszajace jo¬ ny moze byc stale lub zmienne o odpowiednio wy¬ sokiej czestotliwosci.Uwolnione z elektrody rozpylanej czasteczki ma¬ terialu rozpylonego osadzaja sie na podlozu two- *rzac cienka warstwe, której grubosc oraz wla¬ snosci fizyczne i elektryczne zaleza od wlasnosci materialu rozpylanego i gazu roboczego oraz od parametrów procesu rozpylania.W dotychczas stosowanych ukladach do rozpy¬ lania katodowego elektroda na która nanoszona jest warstwa i elektroda rozpylana sa plaszczyzna¬ mi umieszczonymi równolegle do siebie w odleglo¬ sci kilku centymetrów. Taki uklad elektrod nie po¬ zwala na uzyskanie duzej wydajnosci procesu ze wzgledu na to, ze powierzchnia na której uzyskuje sie równomierna grubosc warstwy jest mniejsza od powierzchni elektrody rozpylanej.Zwiekszenie wydajnosci mozna uzyskac przez -zwiekszenie powierzchni elektrody irozpylanej, jed- 10 15 20 30 nak w tym przypadku konieczne jest stosowanie bardzo duzych mocy rzedu kilku kW, co szcze¬ gólnie w przypadku rozpylania wysoka czestotli¬ woscia jest szkodliwe dla otoczenia i obslugi.Celem wynalazku jest usuniecie wady w do¬ tychczas stosowanych ukladach to jest zwieksze¬ nie powierzchni napylanej w stosunku do po¬ wierzchni elektrody rozpylanej.Istota wynalazku jest to, ze uklad elektrod w którym elektroda na która nanoszona jest war¬ stwa, czyli tak zwany nosnik podlozy, stanowi po¬ wierzchnie boczna walca lub graiiiastoslupa o pod¬ stawie wielokatnej, zas elektroda rozpylana wyko¬ nana jest w postaci walca i umieszczona wewnajtrz nosnika podlozy w ten sposób, ze jej os pokrywa sie z osia nosnika podlozy.Pirzedmiot wynalazku jest przedstawiony w przy¬ kladzie wykonania na rysunku na którym fig. 1 przedstawia przekrój podluzny klosza prózniowe¬ go wraz z zainstalowanym cylindrycznym ukladem elektrod, a fig. 2 — przekrój poprzeczny tego klo¬ sza i ukladu.Elektroda rozpylana 1 uformowana jest w ksztal¬ cie walca pelnego lub wydrazonego w srodku. Jest ona wykonana calkowicie z materialu rozpylanego lub tylko jej zewnetrzna powierzchnia moze byc pokryta takim materialem.Nosnik podlozy 2 uformowany jest w ksztalcie powierzchni bocznej graniastoslupa o podstawie osmiokata foremnego. Otacza on elektrode rozpy* 66 69766 3 lana i usytuowany jest wspólosiowo z nia. Podloza sa mocowane bezposrednio do scian nosnika pod¬ lozy, lub w specjalnych uchwytach, które z kolei sa mocowane do scian nosnika podlozy.Cylindryczny uklad elektrod do rozpylania ka¬ todowego jest stosowany w tzw. systemie dwuelek- trodowyni jak i w systemie trójelekitrodowym.W przypadku rozpylania w systemie dwuelektro- dowym opisaine wyzej elementy tj. elektroda roz¬ pylana i nosnik podlozy stanowia oaly uklad elek¬ trod do rozpylania.W przypadku rozpylania w systemie trójeiektro- dowym oprócz omówionych wyzej elementów sto¬ sowane sa jeszcze: goraca katoda 3 bedaca zród¬ lem elektronów oraz anoda 4 bedaca kolektorem emitowanych z katody elektronów. Emitowane z goracej katody elektrony zdazajac do anody xde- irzaja sie z atomami gazu i ulaitwiaja w ten spo¬ sób jego jonizacje w przestrzeni pomiedzy elektro¬ da rozpylana a nosnikiem podlozy.W ukladzie dla zapewnienia równomiernego od¬ dzialywania elektronów na gaz w calej przestrze¬ ni miedzy elektroda rozpylana a nosnikiem podlo¬ zy stosuje sie cylindryczna wiazke elektronów.Uformowanie cylindrycznej wiazki elektronów jest realizowane wieloma sposobami W omawianym przykladzie wykonania, do itego celu wykorzystano pierscieniowo uksztaltowana kaitode 3. Srednica tej katody jest wieksza od srednicy elekitrody rozpy¬ lanej a mniejsza od srednicy nosnika podlozy.Pierscieniowa katoda umocowana jest wspólosiowo z zespolem: elektroda rozpylana — nosnik podlozy i umiejscowiona nieco ponizej niego.Celem zwiekszenia szybkosci rozpylania stosuje sie dodatkowo pole magnetyczne równolegle do osi elektrody rozpylanej. Zródlem takiego pola magne¬ tycznego w omawianym przykladzie wykonania jest cewka 6 umieszczona na zewnatrz klosza próznio¬ wego wspólosiowo z elektroda rozpylana. W wy^ niku dzialania tego pola na elektrony znajdujace sie w plazmie, beda one zdazaly do anody nie po liniach prostych lecz spiralnych przez co wydlu¬ zy sie droga przebywana przez elektrony w plaz¬ mie, a tym samym zwiekszy sie ilosc ich zderzen z atomami gazu i zwiazane z tym prawdopodo¬ bienstwo jonizacji gazu. Natezenie pola magnetycz¬ nego jest tak dobrane, aby uzyskac najwieksze prawdopodobienstwo jonizacji czastek gazu. Zwiejk- szy sie wówczas gestosc plazmy a tym samym szyb¬ kosc rozpylania.Opisana geometria ukladu elektrod zapewnia uzy¬ skiwanie warstw o równomiernej grubosci na ca¬ lej powierzchni nosnika podlozy przy odpowiednio 667 4 dobranej dlugosci elektrod^' rozpylanej. Dla dal¬ szego wyrównania grubosci stosuje sie obrót nos¬ nika podlozy wokól osi .ukladu. .A ..... ¦ i Omawiany uklad jest dostosowany zarówno do- rozpylania pradem stalym jak i zmiennym wyso¬ kiej czestotliwosci.Uklad wedlug niniejszego wynalazku zwieksza wydajnosc rozpylania katodowego w stopniu umo¬ zliwiajacym uzycie go w produkcji mikroukladów zarówno monolitycznych jak i hybrydowych i róz¬ nego typu powlok.Zwiekszenie wydajnosci jest przedistawione na nastepujacym przykladzie: W plaskim ukladzie elektrod czynna powierzch- nia nosna podlozy jest mniejsza od powierzchni elektrody rozpylanej. W ukladzie tym stosuje sie- elektrode rozpylana o powierzchni 100 cm2, 10X 10 cm, w ukladzie cylindrycznym natomiast elek¬ troda rozpylana o tej samej powierzchni to walce, 20 lub rura o srednicy zewnetrznej np. 10 mm i dlu¬ gosci 32 cm. Powierzchnia rozpylana jei^t walec o tej samej dlugosci i srednicy np. 10 cm co daje powierzchnie 1000 cm2, a wiec 10 razy wieksza od powierzchni elektrody rozpylanej. Tak wiec przy 25 tej samej mocy zasilania uzyskuje sie przeszlo 10-krotny wzrost powierzchni roboczej w stosunku do ukladu plaskiego.Dalsze zwiekszenie wydajnosci uzyskuje sie przez: wydluzenie ukladu elektrod. 30 .i PL PL
Claims (2)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Uklad elektrod do rozpylania katodowego, sta¬ nowiacy dwie powierzchnie z których jedna jest 35 elektroda na która nanoszona jest warstwa czyli tak zwany nosnik podlozy, a druga elektroda roz¬ pylana, oparty na zasadzie wzbudzenia wyladowa¬ nia jarzeniowego w przestrzeni miedzy elektroda¬ mi ukladu do rozpylania znamienny tym, ze elek- 40 troda na która nanoszona jest warstwa czyli tak zwany nosnik podlozy (2) wykonany jest w po* staci powierzchni bocznej walca lub graniasfoslu- pa o podstawie wielokata, zas elektroda rozpylana (1) wykonana jest w postaci walca pelnego lub- 45 wydrazonego w srodku i umieszczona wewnatrz nosnika podlozy (2).
2. Uklad wedlug zastrz. 1 znamienny tym, ze w stosowaniu go do rozpylania katodowego trój- 50 elektrodowego posiada cylindryczna wiazke elek¬ tronów, otaczajaca elektrode rozpylana (1), a wy¬ tworzona korzystnie przez pierscieniowa kaitode (3 umieszczona wspólosiowo z elektroda rozpylana.KI. 48b,15/00 66 697 MKP C23c 15/00 v/;;//;/)v///;////. X;/;;;;;/;y7//;//;A Fig. 1 A-A Fig. 2 PL PL
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
PL66697B1 true PL66697B1 (pl) | 1972-08-31 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5160730B2 (ja) | ビーム状プラズマ源 | |
US4551221A (en) | Vacuum-arc plasma apparatus | |
JP5694183B2 (ja) | 自己浄化アノードを含む閉ドリフト磁場イオン源装置および同装置による基板改質プロセス | |
US4006073A (en) | Thin film deposition by electric and magnetic crossed-field diode sputtering | |
US4430184A (en) | Evaporation arc stabilization | |
US7533629B2 (en) | Arrangement, method and electrode for generating a plasma | |
JP2009530775A (ja) | ミラーマグネトロンプラズマ源 | |
KR20090023352A (ko) | 이중 플라즈마 비임 소스 및 그 방법 | |
JP2004537825A (ja) | 磁気ミラープラズマ源 | |
JPH0627323B2 (ja) | スパツタリング方法及びその装置 | |
JPS6020440A (ja) | イオンビ−ム加工装置 | |
WO1996016531A1 (en) | An apparatus for generation of a linear arc discharge for plasma processing | |
KR100343033B1 (ko) | 진공아크 증발원 및 진공아크 증착장치 | |
US7030390B2 (en) | Ion source with electrode kept at potential(s) other than ground by zener diode(s), thyristor(s) and/or the like | |
US6533908B1 (en) | Device and method for coating substrates in a vacuum utilizing an absorber electrode | |
RU2373603C1 (ru) | Источник быстрых нейтральных атомов | |
JPH04235276A (ja) | 基板をコーティングするための装置 | |
PL66697B1 (pl) | ||
CN102296274B (zh) | 用于阴极弧金属离子源的屏蔽装置 | |
RU2601903C2 (ru) | Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления | |
RU116273U1 (ru) | Источник ионов | |
JPS6324068A (ja) | 連続真空蒸着メツキ装置 | |
JPH0488165A (ja) | スパッタ型イオン源 | |
RU2288553C2 (ru) | Ионный диод с внешней магнитной изоляцией | |
RU2101383C1 (ru) | Способ катодного распыления |