PL64316B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 14.111.1969 (P 132 334) 29.11.1972 64316 KI. 21 g, 11/02 MKP H 011,1/10 fCZYTELNlM Twórca wynalazku: Jacek Sawicki Wlasciciel patentu: Fabryka Pólprzewodników „Tewa", Warszawa (Polska) Lakier polistyrenowy do maskowania zwlaszcza elementów pól¬ przewodnikowych Przedmiotem wynalazku jest lakier polistyrenowy z dodatkiem plastyfikatora, przeznaczony do maskowania elementów pólprzewodnikowych.W celu odizolowania zlacz elementów pólprzewodni¬ kowych od otaczajacego srodowiska, jak równiez umoc¬ nienia w sposób mechaniczny doprowadzen do elektrod tranzystora lub diody, stosuje sie maskowanie czyli po¬ krywanie struktur tranzystorowych lub diodowych spe¬ cjalnymi substancjami.W tym celu przewaznie stosowano lakiery silikonowe.Wszystkie te substancje wykazuja wady, jak na przyklad to, ze ulegaja po pewnym czasie rozpuszczeniu pod wplywem dzialania smaru silikonowego wypelniajacego oslonke elementu pólprzewodnikowego na przyklad tranzystora.Dla ochrony tej substancji przed rozpuszczeniem, po¬ krywano ja warstwa lakieru „nitro". Jest to metoda nie¬ ekonomiczna, gdyz wymaga wprowadzenia jeszcze jed¬ nej operacji technologicznej jak równiez pogarsza wlas¬ nosci termiczne zlacza co powoduje spadek mocy mak¬ symalnej lub wystapienie tak zwanego efektu thyrysto- rowego. Substancje te pogarszaja równiez parametry elektryczne maskowanych zlacz. Stosowanie innych sub¬ stancji jak na przyklad zywic epoksydowych jest niece¬ lowe gdyz powoduje pogorszanie wlasnosci cieplnych zlacza i stabilnosci jego parametrów elektrycznych. Sto¬ sowanie substancji pólplynnej na przyklad „silpasty" bezposrednio na zlacza pogarsza stabilnosc parametrów elektrycznych zlacz i nie zapewnia stabilnosci mecha- 10 15 20 25 30 nicznej kontaktów miedzy doprowadzeniem i elektro¬ dami.Celem wynalazku jest wyeliminowanie wad zwiaza¬ nych z dotychczas stosowanymi substancjami maskuja¬ cymi w odniesieniu do wlasnosci mechanicznych i elek¬ trycznych zlacz elementów pólprzewodnikowych, a w szczególnosci tranzystorów germanowych „Mesa". Dla osiagniecia tego celu, zostalo wytyczone zadanie opraco¬ wania skladu lakieru maskujacego, w którym celowo dobrane skladniki i ich stosunki ilosciowe gwarantowa¬ lyby pozadane wlasciwosci maskujace.Zgodnie z wynalazkiem, rozwiazanie tego zagadnie¬ nia poparte wielu doswiadczeniami, polega przede wszy¬ stkim na zastosowaniu do wyrobu lakieru, jako glównej substancji maskujacej czystego polistyrenu, którego 1 czesc wagowa rozpuszcza sie w 3 czesciach' wagowych toluenu lub ksylenu, do którego dodaje sie w stosunku 1 : 1 roztwór skladajacy sie z 1 czesci wagowej acetonu, 0,1—0,3 czesci wagowych ftalanu dwubutylu oraz 0,1—0,3 czesci wagowych parafenylenodwuaminy.Otrzymana powloka ochronna z tak wykonanego la¬ kieru po wyschnieciu jest trwala, elastyczna, dobrze przylegajaca do powierzchni maskowanej i posiada do¬ bre wlasnosci dielektryczne. Warstwa powierzchniowa lakieru polistyrenowego po wyschnieciu jest mikroporo- wata co pozwala na powierzchniowe wnikanie smaru si¬ likonowego wypelniajacego obudowe, a tym samym po¬ prawienie wlasnosci termicznych zlacza.Sposób przygotowania lakieru polistyrenowego jest prosty i polega na rozpuszczeniu 1 czesci wagowej czy- 4S431664316 stego polistyrenu w 3 czesciach wagowych toluenu lub ksylenu. Do tak przygotowanego roztworu nalezy dodac drugi roztwór skladajacy sie z 1 czesci wagowej acetonu, 0,1—0,3 czesci wagowych ftalanu dwubutylu i 0,1—0,3 czesci wagowych parafenylenodwuaminy. Przed rozpo¬ czeciem maskowania oba te roztwory nalezy zmieszac w stosunku 1:1.Maskowanie polega na nalozeniu bagietka szklana kropli tego lakieru na element pólprzewodnikowy tak, aby ta rozlala sie po krysztale pólprzewodnika pokry¬ wajac cala strukture zlacza. Lakier polistyrenowy suszy sie w ciagu 2 godzin w temperaturze 80°C w atmosferze powietrza lub gazu obojetnego.Maskowanie zlacz elementów pólprzewodnikowych wykonane lakierem wedlug wynalazku nie posiada wszy¬ lo 15 stkich poprzednio wymienionych wad, umozliwia do¬ kladne zabezpieczenie powierzchni zlacza, powoduje do¬ bra stabilizacje parametrów elektrycznych i zapewnia uzyskanie kontaktów elektrycznych o niezbednej wytrzy¬ malosci mechanicznej. PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Lakier polistyrenowy do maskowania zwlaszcza ele¬ mentów pólprzewodnikowych, znamienny tym, ze skla¬ da sie z 3 czesci wagowych toluenu lub ksylenu, 1 cze¬ sci wagowej polistyrenu do którego dodaje sie w sto¬ sunku 1 : 1 roztwór skladajacy sie z 1 czesci wagowej acetonu, 0,1—0,3 czesci wagowych ftalanu dwubutylu oraz 0,1—0,3 czesci wagowych parafenylenodwuaminy. Cena zl 10.— WD A-l. Zam. 2190, naklad 195 egz. PL PL