PL63133B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL63133B1 PL63133B1 PL130112A PL13011268A PL63133B1 PL 63133 B1 PL63133 B1 PL 63133B1 PL 130112 A PL130112 A PL 130112A PL 13011268 A PL13011268 A PL 13011268A PL 63133 B1 PL63133 B1 PL 63133B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layers
- heat treatment
- protective gas
- volatile component
- atmosphere
- Prior art date
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 18.XL19.68 (P 130 112) 20.VIIL1971 63133 KI. 21 g, 11/02 MKP H 011,3/20 CZYTELNIA UKD| Urzedu Pakulowego Wspóltwórcy wynalazku: Stanislaw Ignatowicz, Andrzej Kobus, Andrzej Dajna Wlasciciel patentu: Instytut TechnologiiElektronowej, Warszawa (Polska) Sposób obróbki cieplnej cienkich warstw pólprzewodnikowych zwiazków podwójnych i ich roztworów stalych Przedmiotem wynalazku jest sposób obróbki cieplnej cienkich warstw pólprzewodnikowych zwiazków pod¬ wójnych i ich roztworów stalych.Cienkie warstwy zwiazków podwójnych otrzymywane . metoda naparowywania prózniowego bardzo czesto cha¬ rakteryzuja sie niewlasciwym skladem chemicznym spo¬ wodowanym dysocjacja zwiazku i nieprawidlowa struk¬ tura krystaliczna.Istota wynalazku jest zastosowanie obróbki .cieplnej majacej na celu poprawienie skladu chemicznego i struktury krystalicznej. Obróbke cieplna warstw naparo¬ wywanych przeprowadza sie w atmosferze gazu ochron¬ nego np. argonu. Obrabiane warstwy na wstepie pod¬ daje sie dzialaniu par brakujacego skladnika przy jed¬ noczesnym wygrzewaniu warstw. Wynikiem takiej od¬ robki jest uzyskanie skladu stechiometrycznego, lub nie¬ wielkiego nadmiaru bardziej lotnego skladnika przy jednoczesnej poprawie struktury krystalicznej. Drugim etapem obróbki cieplnej jest wygrzewanie warstw tylko w atmosferze ochronnej w temperaturze nizszej niz w pierwszym etapie obróbki. Wynikiem drugiego etapu obróbki jest stabilizacja wlasnosci warstw.Schemat aparatury stosowanej do wyzej opisanego sposobu obróbki cieplnej przedstawiono na rysunku. Na kolmieirzu stalowym 1 ze szlifem i przepustami zalozona jest rura szklana 2. Strumien gazu ochronnego (np. ar¬ gonu) wplywa do rury przez wlot 3 w kolnierzu, a wy¬ plywa przez górne zwezenie 4.Wewnatrz rury na podstawie 5 umieszczone sa dwa cylindryczne grzejniki. Dolny grzejnik 6 sluzy do grza¬ lo 15 20 25 30 nia tygla 7 z bardziej lotnym skladnikiem zwiazku.Strumien par brakujacego skladnika wraz z niewielkim strumieniem gazu ochronnego (np. argonu), wprowa¬ dzonym do dolnego grzejnika przez male otwory meta¬ lowe 8, wplywa nastepnie do obszaru grzejnika górne¬ go 9. W grzejniku tym umieszczony jest uchwyt 10 z wlozonymi warstwami zwiazku na podlozach 12. Tem¬ peratura wygrzewania warstw jest kontrolowana za po¬ moca termoelementu 13, a temperatura tygla z bardziej lotnym skladnikiem zwiazku za pomoca termoelemen¬ tu 14.Urzadzenie do wygrzewania warstw tylko w atmosfe¬ rze gazu ochronnego rózni sie od przedstawionego na rysunku tym, ze nie zawiera tygla z bardziej lotnym skladnikiem zwiazku. PL
Claims (3)
- Zastrzezenia patentowe 1. Sposób obróbki cieplnej cienkich warstw pólprze¬ wodnikowych zwiazków podwójnych i ich roztworów stalych, znamienny tym, ze naparowane warstwy wygrze¬ wa sie w strumieniu par skladnika bardziej lotnego oraz atmosferze gazu ochronnego.
- 2. Sposób wedlug zastrz. 1 znamienny tym, ze sto¬ suje sie dwa obszary o róznych temperaturach, znajdu¬ jace sie jeden nad drugim, przy czym w jednym umie¬ szcza sie obrabiane warstwy, a w drugim zródlo bar¬ dziej lotnego skladnika.
- 3. Sposób wedlug zastrz. 1 znamienny tym, ze po obróbce cieplnej stosuje sie stabilizujace wygrzewanie wylacznie w atmosferze gazu ochronnego^ 63133KI. 21 g, 11/02 63133 MKP H 011, 3/20 WDA-l. Zam. 930, naklad 250 egz. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL63133B1 true PL63133B1 (pl) | 1971-06-30 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Collin et al. | The crystal structure of hydrazine | |
| GB1067803A (en) | Improvements in or relating to the treating of materials by laser beam | |
| JP3475403B2 (ja) | 蒸着装置及び蒸着方法 | |
| PL63133B1 (pl) | ||
| JPS5588323A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| DE112014006989B4 (de) | Ionenimplantierungsvorrichtung | |
| CA1061225A (en) | Method of diffusing impurities in semiconductor bodies | |
| US3113056A (en) | Method of adjusting an unsaturated vapour pressure of a substance in a space | |
| US4124417A (en) | Method of diffusing impurities in semiconductor bodies | |
| Grigoropoulos et al. | Heat and mass transfer in pulsed-laser-induced phase transformations | |
| US2346698A (en) | Method of producing protective atmospheres | |
| RU2468128C1 (ru) | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА AlN И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | |
| US2844460A (en) | Method of purifying germanium | |
| Serbezov et al. | Structure and superconducting properties of YBa2Cu3O7− x films prepared by nitrogen laser evaporation and CO2 laser annealing in oxygen | |
| JP3474238B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2749342B2 (ja) | 熱処理工場廃水を処理する方法 | |
| US1224339A (en) | Vapor treatment of metals. | |
| Kesler et al. | HgCdTe surface stabilization by ultrathin native oxide | |
| Rood et al. | Photodimerization of anthracene single crystals in situ in the electron microscope | |
| JPH06321690A (ja) | 半導体ダイヤモンド膜の形成方法及び処理方法 | |
| JP3938990B2 (ja) | 溶液気化装置及び成膜装置 | |
| US3472680A (en) | Low temperature process for pyrolytic deposition of zirconium oxide films | |
| GB916498A (en) | Improvements relating to the production of semi-conducting materials | |
| Lilov | Thermodynamic study of the solubility process of boron in silicon carbide, grown from the vapour phase | |
| US2151764A (en) | Process of purifying annealing gases |