PL57887B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 30. VIII. 1969 57887 KI. 21 g, 11/02 MKP H 01 1 /[Ql(X) UKD Twórca wynalazku: mgr inz. Janusz Zak Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Technologii Elek¬ tronowej), Warszawa (Polska) Sposób wytwarzania zaglebien w plytce krzemowej do wytwarzania róznych struktur ukladów scalonych i Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia zaglebien w plytce krzemowej do wytwarza¬ nia róznych struktur ukladów scalonych, bedacy stopniem procesu izolacji elementów czynnych i biernych w ukladach monolitycznych. 5 Wiadomo jest z literatury, ze jednym ze stopni w procesie otrzymywania wysp odizolowanych, na których mozna wytwarzac elementy przykladowo o strukturze planarnej, jest stopien wytrawiania glebokich zaglebien. Jednak, zadna z firm wy- io twarzajacych uklady scalone i mikromoduly nie podaje blizszych danych, okreslajacych sposób przeprowadzenia tego stopnia procesu.Znane dotychczas w technice swiatowej sposoby wytwarzania zaglebien na skutek bardzo malej 15 odpornosci wiekszosci emulsji swiatloczulych na. dzialanie srodków trawiacych nie pozwalaja na otrzymywanie zaglebien o duzych glebokosciach.Jedynie emulsja firmy Kodak, daje swiatloczule warstwy kwasoodporne. 20 Celem wynalazku jest opracowanie takiego spo¬ sobu wytwarzania zaglebien, który umozliwilby uzyskanie zaglebien o duzych glebokosciach, nie wymagajac stosowania swiatloczulej emulsji kwa- soodporriej i nadawalby sie do zastosowania 25 w procesie otrzymywania izolacji elementów czyn¬ nych i biernych.Cel wynalazku osiagnieto sposobem, w którym najpierw wytwarza sie na podlozu krzemowym warstwe zwiazku nieorganicznego, korzystnie 30 dwutlenku krzemu Si02, nastepnie sposobem foto- chemigraficznym wytwarza sie otwory o wyma¬ ganej geometrii i plytke poddaje sie dzialaniu roztworu o duzej selektywnosci trawienia maski w stosunku do podloza dla uzyskania wymaganej glebokosci wytrawienia podloza.Wynalazek bedzie blizej objasniony na przykla¬ dach przeprowadzenia sposobu przedstawionego na rysunku na którym fig. la przedstawia wyjscio¬ wa plytke pólprzewodnika, fig. Ib uwidacznia wytworzona warstwe zwiazku nieorganicznego, fig. lc przedstawia maske otrzymana sposobem fotochemigraficznym, fig. 2 pokazuje wytrawienie zaglebien w plytce pólprzewodnika.Przyklad. Plytke 1 monokrysztalu Si pokrywa sie sposobem termicznym warstwa 2 Si02 o gru- - bosci 8000 A. Nastepnie metoda fotochemigrafii wytrawia sie otwory 3 w Si02 o szerokosci 20 ptm.Potem wytrawia sie wglebienia 4 w krzemie przy pomocy roztworu o skladzie: 10 ml 0,1% Na2Cr207 40 ml stez. HNO3 .20 ml stez. HF.Nastepuje jednoczesne rozpuszczenie krzemu 1 i warstwy 2 Si02 (fig. 2). Przy grubosci warstwy 2 Si02 wynoszacej okolo 500 A przerywa sie tra¬ wienie. Pozostala warstwe 2 rozpuszcza sie w roz¬ tworze HF o stezeniu 38% wagowych. Uzyskano glebokosc zaglebien 4 w krzemie wynoszaca 8^m, przy zachowaniu geometrii trawienia. Potem wy- 578873 57 887 4 twarza sie warstwe Si02 na która naklada sie technika podobna do epitaksjalnej warstwe poli¬ krystalicznego krzemu spelniajacego role podlo¬ za. W koncu odslania sie izolowane wyspy mate¬ rialu wyjsciowego przez zeszlifowanie do warstwy izolacyjnej. PL

Claims (2)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania zaglebien w plytce krzemo¬ wej do wytwarzania róznych struktur ukladów scalonych, polegajacy na poczatkowym wytworze¬ niu na podlozu krzemowym warstwy zwiazku nieorganicznego korzystnie dwutlenku krzemu SiC2 i nastepnie wykonaniu sposobem fotochemi- graficznym otworów o wymaganej geometrii zna¬ mienny tym, ze plytke poddaje sie dzialaniu roz¬ tworu o duzej selektywnosci trawienia maski z dwutlenku krzemu Si02 w stosunku do podlo¬ za, dla uzyskania wymaganej glebokosci trawienia podloza. 2 t 3 2 ^/MMMr'l Fig. I 4 2 Fi9.

2. Krak 1 z. 217 V. 69 880 PL