PL54454B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 20.XII.1967 54454 KI. 21 g, 11/02 MKP PsteUej fac7Tf'fr.»-»«| i.r^ Wspóltwórcy wynalazku: mgr inz. Michal Korwin-Pawlowski, Andrzej Rybkowski Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Podstawowych Problemów Techniki) Warszawa (Polska) Urzadzenie do oczyszczania powierzchni pólprzewodnika w wyladowaniu jarzeniowym Przedmiotem wynalazku jest urzadzenie do oczyszczania powierzchni pólprzewodnika w wy¬ ladowaniu jarzeniowym zawierajace maske i po¬ jemnik do naparowywania metalu.W stosowanych dotychczas rozwiazaniach, oczy¬ szczanie powierzchni pólprzewodnika odbywa sie za pomoca wyladowania jarzeniowego w rozrze¬ dzonym gazie. Wyladowanie to zachodzi pomiedzy dwoma specjalnymi elektrodami metalowymi, z których jedna polaczona z ujemnym biegunem zródla napiecia (katoda) spelnia jednoczesnie role zasobnika, podstawki lub uchwytu do umieszcza¬ nia materialu czyszczonego. Bombardujace ma¬ terial jony, stanowia czynnik oczyszczajacy, przy czym ich prad rozdziela sie na prad plynacy przez material czyszczony i na prad plynacy przez me¬ talowa czesc katody, na czym cierpi intensyw¬ nosc i wydajnosc czyszczen oraz czas trwania pro¬ cesu.Celem wynalazku jest opracowanie urzadzenia wiekszej wydajnosci czyszczenia.Cel ten zostal osiagniety przez zastosowanie urzadzenia wedlug wynalazku, w którym mate¬ rial przeznaczony do czyszczenia umieszcza sie w kasecie wykonanej z materialu o wlasciwos¬ ciach dielektryka (kwarc, szklo, ceramika, korund) a potencjal ujemny doprowadza sie bezposrednio do pólprzewodnika, uzyskujac to, ze prad jono¬ wy plynacy podczas wyladowania jest wykorzy¬ stywany do czyszczenia. Ponadto, dzieki wyelimi- 10 15 25 30 nowaniu z konstrukcji pojemnika metalu, beda¬ cego na potencjonale katody, unika sie napylania go na powierzchnie czyszczona, co mialo miejsce w dotychczas stosowanych sposobach.Urzadzenie do wykonywania sposobu wedlug wynalazku jest tytulem przykladu wykonania przedstawione na rysunku, na którym fig. 1 przed¬ stawia kasete-maskownice w przekroju pionowym w widoku z boku, fig. 2 — pierscien bieguna do¬ datniego napiecia (anoda), fig. 3 — zródlo ma¬ terialu naparowywanego.Urzadzenie stanowi kaseta-maskownica 1 za¬ opatrzona w material pólprzewodnikowy 2 osa¬ dzony w gniezdzie lub gniazdach 6, którego po¬ wierzchnia niezaslonieta przez kasete-maskowni¬ ce 1 od strony anody podlega oczyszczeniu oraz kontakt lub kontakty 3 doprowadzajace napiecie o znaku ujemnym, druga elektroda 4 stanowiaca biegun dodatni napiecia (anode), zródlo 5 materia¬ lu naparowywanego i otwór lub otwory 7. Ksztalt i wielkosc otworu 7 jest tak dobierana, aby od¬ powiadala scisle powierzchni oczyszczonej, na któ¬ ra nastepnie napyla sie inny material.Otwór 7 ogranicza wiec scisle wielkosc czysz¬ czonej powierzchni oraz w trakcie napylania za¬ pewnia uzyskanie warstwy o powtarzalnych wy¬ miarach. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Urzadzenie do oczyszczania powierzchni pólprze¬ wodnika w wyladowaniu jarzeniowym znamienne 5445454454 tym, ze stanowi je kaseta-maskownica (1) wyko¬ nana z materialu dielektrycznego z gniazdem lub gniazdami (6) na material pólprzewodnikowy (2), do którego doprowadzony jest kontaktem lub kontaktami (3) potencjal ujemny w stosunku do anody (4), przy czym czolowy otwór lub otwory (7) kasety-maskownicy (1) stanowia równoczesnie maski umozliwiajace nalozenie ze zródla (5) cien¬ kich warstw materialów na oczyszczona powierz- 5 chnie pólprzewodnika (2). Fi9.i ^ . 4 Fi9.Z f;9.3 WD A-l. Zam. 1357/67. Nakl. 400 egz. PL