PL53519B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL53519B1
PL53519B1 PL113171A PL11317166A PL53519B1 PL 53519 B1 PL53519 B1 PL 53519B1 PL 113171 A PL113171 A PL 113171A PL 11317166 A PL11317166 A PL 11317166A PL 53519 B1 PL53519 B1 PL 53519B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
sintered
absorber according
mixture
absorber
percent
Prior art date
Application number
PL113171A
Other languages
English (en)
Inventor
Hans Golzer inz.
Peter Mamasch inz.
Original Assignee
Siemens & Halske Aktiengesellschaft
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens & Halske Aktiengesellschaft filed Critical Siemens & Halske Aktiengesellschaft
Publication of PL53519B1 publication Critical patent/PL53519B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: 04.111.1965 Niemiecka Republika Federalna Opublikowano: 30.VI.1967 53519 KI. 21 g, 13/17 MKP Btij'i3/2o UKD CZYTELNIA Urzedu Patentowego Wspóltwórcy wynalazku: inz. Hans Golzer, inz. Peter Mamasch Wlasciciel patentu: Siemens & Halske Aktiengesellschaft, Monachium (Niemiecka Republika Federalna) Absorber masowy do lamp elektronowych, w szczególnosci do lamp o fali biezacej wiekszej mocy i sposób jego wytwarzania i Przedmiotem wynalazku jest absorber masowy do lamp elektronowych, w szczególnosci do lamp o fali biezacej wiekszej mocy. Absorber bedacy przedmiotem wynalazku stanowi element spieka¬ ny utworzony z mieszaniny sproszkowanych la- 5 two spiekalnych materialów dielektrycznych i przynajmniej jednego sproszkowanego metalu.W lampach o fali biezacej zachodzi potrzeba lo¬ kalnego tlumienia (w celu odsprzezenia wejscia i wyjscia) sygnalów wielkiej czestotliwosci. Wy- 10 wolujacy to tlumienie absorber powinien wykazy¬ wac duza tlumiennosc jednostkowa, dobra prze¬ wodnosc cieplna i dobre dopasowanie przy wiel¬ kiej czestotliwosci. W wielu przypadkach absor¬ ber powinien byc ponadto niemagnetyczny. Ko- 15 rzystne okazalo sie w praktyce umieszczanie ab¬ sorbera mozliwie blisko urzadzenia prowadzacego fale a wiec w obszarze prózniowym lampy elek¬ tronowej. Absorber nie moze zatem wykazywac ujemnego wplywu na stan prózni w lampie. 2o Znany jest sposób wytwarzania absorbera ma¬ sowego o duzej tlumiennosci jednostkowej jak równiez dobrych wlasciwosciach cieplnych i próz¬ niowych. Absorber taki stanowi element spieka¬ ny zlozony z mieszaniny proszku ceramicznego 25 i/albo kwarcowego oraz sproszkowanego metalu.Korzystnym okazal sie zestaw zlozony z proszku molibdenowego i proszku z tlenku aluminium o jednakowym udziale wagowym w mieszaninie.Okazalo sie jednak, ze znany absorber masowy 30 utworzony przez spiekanie mieszaniny proszku ce¬ ramicznego i proszku metalowego nie zapewnia dostatecznego tlumienia we wszystkich mozliwych zestawieniach. W szczególnosci niemozliwe jest uzyskanie w prosty sposób korzystnego dopaso¬ wania wielkiej czestotliwosci to znaczy tlumienia z dostatecznie malym odbiciem.Celem wynalazku jest stworzenie absorbera ma¬ sowego wspomnianego wyzej rodzaju, który be¬ dzie poprawnie pracowal w kazdym przypadku.Istota wynalazku polega na ustaleniu zawar¬ tosci metalu w elemencie spiekanym w granicach 12 do 24% w stosunku objetosciowym.Liczne badania wykazaly, ze absorber masowy, który bedzie przydatny w kazdym przypadku, jest mozliwy do uzyskania jedynie przy zastosowaniu wielkosci udzialu metalu w elemencie spiekanym zgodnie z wynalazkiem. Jako materialy dielek¬ tryczne moga byc brane pod uwage, przy wytwa¬ rzaniu absorbera, tlenki metali albo dielektryki o mozliwie malej wartosci stalej dielektrycznej, latwo spiekalne, o dobrej przewodnosci cieplnej i o dobrych wlasciwosciach prózniowych. Szcze¬ gólnie korzystne jest stosowanie tlenku alumi¬ nium, tlenku cyrkonu albo azotku borowego. Me¬ tale tworzace material absorbera powinny miec temperature topnienia wyzsza od temperatury spiekania materialów dielektrycznych. Szczególnie korzystne wlasciwosci pod tym wzgledem wyka¬ zuja takie metale jak wolfram^ molibden i chrom, 535193 zwlaszcza dlatego, ze metale te nie maja zbyt ma¬ lej elektrycznej opornosci wlasciwej. Nalezy zau¬ wazyc, ze moga byc brane takze pod uwage jako skladniki metaliczne mieszaniny, zwiazki elek¬ trycznie przewodzace jak np. weglik dwumolib- denu.Absorber masowy wedlug wynalazku sklada sie w najprostszym przypadku z dwóch materialów, przez co nalezy rozumiec, ze okreslony material dielektryczny jest spiekany z okreslonym meta¬ lem. Zostaly wypróbowane z powodzeniem nizej wymienione zestawy zlozone z dwóch materialów: Mo-Al2Oa, Cr-Al2Os, W-Al2Olf Mo^C-AlfO,, Mo- -ZrO£, W-ZrOf, Cr-ZrOf. Tytulem przykladu, ab¬ sorber o tlumiennosci 20 do 40 db zostal uzyska¬ ny jako element spiekany utworzony z tlenku aluminium z objetosciowym udzialem molibdenu 17 do 21 procent, wzglednie z objetosciowym udzialem chromu 19 do 23 procent.Mozliwe sa do uzyskania jeszcze korzystniejsze wlasciwosci w przypadku zastapienia zestawu zlo¬ zonego z dwóch materialów przez zestaw elemen¬ tów spiekanych, zlozony z wiekszej ilosci materia- rialów, a mianowicie z tlenku metaloceramicznego oraz przynajmniej dwóch róznych metali o wy¬ sokiej temperaturze topnienia, przy czym mozliwe jest jeszcze dodatkowo uzycie krzemu. Przy zasto¬ sowaniu jako metalu molibdenu albo wolframu z dodatkiem chromu otrzymuje sie krysztal mie¬ szany, który powoduje wzrost tlumiennosci (po¬ nad 50 db) jak równiez wieksza wytrzymalosc me¬ chaniczna w stosunku do zestawów zlozonych z dwóch materialów.Tytulem przykladu wytrzymalosc absorbera na zginanie, w postaci krysztalu mieszanego wynosi 1500 kG/cm2 podczas gdy dla systemu zlozonego z dwóch materialów wartosc ta jest równa 800 kG/cm*. Wyjatkowo korzystne wyniki uzy¬ skuje sie przy nizej wymienionych zestawach elementów spiekanych: Mó-Cr-Al2Ot, W-Cr-AljOi, Mo-Cr-Zr02, Mo-Cr-Si-Al2Os, Mo2C-Cr-Al2Os, Mo- -Cr-Al2Ot-Zr02. Element spiekany o udziale ob¬ jetosciowym 12 do 18 czesci molibdenu, 2 do 8 czesci chromu i 78 do 86 czesci tlenku alumi¬ nium ma tlumiennosc 30 do 50 db przy doskona¬ lych wlasciwosciach prózniowych i duzej wytrzy¬ malosci mechanicznej.Wlasciwosci absorbera masowego wedlug wyna¬ lazku zalezne sa nie tylko od jego skladu lecz zaleza takze od wielkosci ziarna i od sposobu wytwarzania. Wielkosc czasteczki proszku wyj¬ sciowego powinna byc zawarta w granicach 1 do 30 [Jim. Mieszanina proszku powinna byc przyrza¬ dzona na drodze mechanicznej przy dodaniu 1% roztworu poliviolu (polialkohol winylowy) albo tylozy (nazwa handlowa i eterów grupy celulozy) wysuszona w prózni przy temperaturze okolo 100°C do wilgotnosci okolo 10%. Wysuszona wste¬ pnie mieszanina proszku poddana zostaje ponow¬ nemu rozdrobnieniu i nastepnie poddana zostaje prasowaniuj Stwierdzono, ze najkorzystniejszy nacisk prasy wynosi, zaleznie od rodzaju mieszaniny, 500 i 700 kG/cm*. Stosowanie mniejszych nacisków powoduje obnizenie wytrzymalosci wypraski, zas 4 stosowanie wiekszych nacisków powoduje powsta¬ wanie rys. Wypraski poddawane zostaja nastepnie procesowi suszenia w prózni przy temperaturze okolo 100°C w ciagu co najmniej 12 godzin, po 5 czym nastepuje spiekanie.Obróbka termiczna podczas procesu spiekania nie pozostaje takze bez wplywu na wlasciwosci absorbera wedlug wynalazku. Najbardziej korzyst¬ ny program nagrzewania pieca przedstawia sie 10 jak nastepuje. Szybkosc nagrzewania wynosi okolo 10°C na minute. Temperatura koncowa wy¬ nosi zaleznie od stosunku mieszaniny wyjsciowej 1700 i 1950°C i utrzymywana jest przez 60 minut.Nastepnie odbywa sie powolne chlodzenie pieca 15 z szybkoscia obnizania temperatury okolo 20°C na minute. Spiekanie moze sie odbywac w prózni.Korzystne jest przeprowadzanie spiekania w at¬ mosferze gazu obojetnego albo redukujacego. Go¬ towy element spiekany poddany zostaje oszlifo- 20 waniu w celu nadania mu wymiarów wlasciwych dla lampy, do której zostanie wmontowany. PL

Claims (11)

  1. Zastrzezenia patentowe 25 1. Absorber masowy do lamp elektronowych w szczególnosci do lamp o fali biezacej wiekszej mocy, stanowiacy element spiekany utworzo¬ ny z mieszaniny sproszkowanych latwo spie- 30 kalnych materialów dielektrycznych i przy¬ najmniej jednego sproszkowanego metalu, znamienny tym, ze element spiekany ma ob¬ jetosciowy udzial metalu 12 do 24 procent.
  2. 2. Absorber wedlug zastrz. 1, znamienny tym, 35 ze element spiekany sklada sie z dwóch ma¬ terialów, a mianowicie tlenku metalocera¬ micznego i metalu niemagnetycznego o wyso¬ kiej temperaturze topnienia, przy czym udzial objetosciowy metalu wynosi 16 do 24 procent. 40
  3. 3. Absorber, wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze element spiekany jest utworzony z mie¬ szaniny tlenku aluminium i molibdenu z ob¬ jetosciowym udzialem molibdenu 17 do 21 procent. 45
  4. 4. Absorber, wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze element spiekany jest utworzony z mie¬ szaniny zlozonej z tlenku aluminium i chro¬ mu z objetosciowym udzialem chromu 19 do 23 procent. 50
  5. 5. Absorber wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze element spiekany sklada sie z wiekszej ilosci materialów, a mianowicie z tlenku me¬ taloceramicznego i przynajmniej dwóch róz¬ nych metali o wysokiej temperaturze top- 55 nienia.
  6. 6. Absorber wedlug zastrz. 5, znamienny tym, ze element spiekany jest utworzony z mie¬ szaniny zlozonej z molibdenu chromu i tlen¬ ku aluminium z udzialem objetosciowym mo- 60 libdenu 12 do 18 czesci, chromu 2 do 8 czesci i tlenku aluminium 78 do 86 czesci.
  7. 7. Absorber wedlug zastrz. 5, znamienny tym, ze czesc metaliczna elementu spiekanego stanowi wolfram z dodatkiem .chromu. 65
  8. 8. Absorber wedlug zastrz. 5, znamienny tym, ze53519 element spiekany zawiera dodatek krzemu.
  9. 9. Absorber wedlug zastrz. 1 do 8, znamienny tym, ze wielkosc ziarna proszku wyjsciowego wynosi 1 do 30 nm<
  10. 10. Sposób wytwarzania absorbera masowego we- 5 dlug zastrz. 9, znamienny tym, ze mieszanine, 12. z której jest wytwarzany element spiekany poddaje sie prasowaniu z naciskiem 500 i 700 fcG/cm* i nastepnie spieka sie w tempe¬ raturze pomiedzy 1700 i 1950°C. 10
  11. 11. Sposób wedlug zastrz. 10, znamienny tym, ze mieszanine proszku miesza sie przed pra¬ sowaniem z 1% roztworem poliviolu albo tylozy po czym suszy sie ja w temperaturze okolo 100°C do uzyskania wilgotnosci równej 10% i rozdrabnia sie ja ponownie. Sposób wedlug zastrz. 11, znamienny tym, ze podczas procesu spiekania podnosi sie temperature pieca z szybkoscia okolo 10°C na minute, po czym koncowa temperature utrzymuje sie do 60 minut, zas chlodzenie pieca przeprowadza sie z szybkoscia 20°C na minute. PL
PL113171A 1966-02-25 PL53519B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL53519B1 true PL53519B1 (pl) 1967-06-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0028885B1 (en) An electrically conducting cermet, its production and use
CN114262230B (zh) 一种氮化硅-碳化硅多孔陶瓷吸波材料及其制备方法
US3671275A (en) Lossy dielectric structure for dissipating electrical microwave energy
US2864884A (en) Resistor and spark plug embodying same
US3765912A (en) MgO-SiC LOSSY DIELECTRIC FOR HIGH POWER ELECTRICAL MICROWAVE ENERGY
PL53519B1 (pl)
US4792537A (en) Dielectric ceramic composition for high frequencies
CN110734284A (zh) 一种中介高q微波介质陶瓷材料及其制备方法
US4960739A (en) Method for producing a material for use in a microwave dielectric resonator
JP2554478B2 (ja) マイクロ波用誘電体磁器組成物
US3113846A (en) Titanium ceramic composite bodies
JP3311928B2 (ja) 高周波用アルミナ質焼結体
US6680268B2 (en) Sintered materials
US3634566A (en) Method for providing improved lossy dielectric structure for dissipating electrical microwave energy
JP3125590B2 (ja) 高周波用誘電体磁器組成物
JPH08325054A (ja) 低誘電損失体
JPH0383874A (ja) 多孔質マイクロ波抵抗体およびその製造方法
GB2111968A (en) Dielectric ceramic composition
JP2002020168A (ja) セラミックス誘電体材料
JPS6054902B2 (ja) 高周波用誘電体磁器組成物
US4829032A (en) Dielectric ceramic composition
JP3439972B2 (ja) 高強度誘電体磁器およびその製造方法
JP2965417B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPS6044905A (ja) 誘電体磁器組成物
JPS5923049B2 (ja) 高周波回路基板用絶縁セラミックス