PL51208B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL51208B1 PL51208B1 PL102122A PL10212263A PL51208B1 PL 51208 B1 PL51208 B1 PL 51208B1 PL 102122 A PL102122 A PL 102122A PL 10212263 A PL10212263 A PL 10212263A PL 51208 B1 PL51208 B1 PL 51208B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- bath
- tin
- metal bath
- substance
- glass
- Prior art date
Links
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 13
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 13
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 10
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 claims description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000047 product Substances 0.000 claims 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000715 Mucilage Polymers 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRXGIIMOBNNXDK-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Sn] Chemical class [Mg].[Sn] RRXGIIMOBNNXDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: 30.VII.1962 Wielka Brytania Opublikowano: 21.V.1966 51208 KI. 32a, 17/00 MKP G 08 b Ai\ UKD 666.L036.9 i ir 111 igf-rfiCif\ ^ i Wlasciciel patentu: Pilkington Brothers Limited, Liverpool, Lanca&ilifr *mw"*T?*J (Wielka Brytania) Sposób wytwarzania szkla plaskiego i Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia szkla plaskiego, zwlaszcza w postaci tasmy szklanej, gdy roztopione szklo znajduje sie w zet¬ knieciu z kapiela metalowa. W kapieli metalowej utrzymuje sie przynajmniej slady substancji óczy- 5 szczajacej, z która zanieczyszczenia roztopionego metalu latwo wchodza w reakcje.Substancje oczyszczajaca mozna rozdzielic na cala kapiel, jednak z pewnych wzgledów korzyst¬ niej jest utrzymywac ja w okreslonym obszarze 10 kapieli, w którym zanieczyszczenia latwo wchodza w reakcje.Kapiel roztopionego metalu moze byc utworzona na przyklad z roztopionej cyny lub stopu cyny o ciezarze wlasciwym wiekszym, niz ciezar wlasci- 15 wy szkla. Najlepiej gdy stófcuje sie kapiel Wedlug polskiego patentu nr 39725, a powierzchnia jej Wy¬ slawiona jest na dzialanie gazów i chroniona jest za pomoca atmosfery ochronnej utrzymywanej w górnej przestrzeni nad kapiela. W Sposobie we- 20 dlug wynalazku stosuje sie dodatkowa ochrone kapieli przez utrzymywanie w niej przynajmniej sladów substancji latwo wchodzacej w reakcje z zanieczyszczeniem kapieli.Przypuszcza sie, ze metal przechodzi z kapieli do 25 masy szklanej wskutek obecnosci w kapieli zanie¬ czyszczen, na przyklad tlenu i siarki lub tylko siarki, które moga przedostawac sie dó przestrzeni nad kapiela lub moga przejsc do kapieli z tasmy szklanej. Wynalazek wyróznia sie raczej tym, ze 30 utrzymujac w kapieli przynajmniej slady substan¬ cji, z która zanieczyszczenia kapieli latwo wchodza w reakcje, reguluje w ten sposób przechodzenie metalu do dolnej czesci tasmy szklanej w miare przesuwania sie jej wzdluz kapieli.Najkorzystniej jest, gdy kapiel metalowa jest utworzona z roztopionej cyny. Przyjmuje sie, ze minimalna zawartosc w niej zanieczyszczen na przyklad tlenu i siarki lub tylko siarki powoduje przechodzenie cyny z kapieli dó dolnej warstwy wytworzonej tasmy szklanej.Wynalazek umozliwia równiez regulacje takiego przechodzenia cyny przez utrzymywanie W kapieli przynajmniej sladów substancji, z która zanieczy¬ szczenia kapieli cynowej latwo wchodza w reakcje.Stwierdzono, ze nawet W przypadku, gdy pewne ilosci cyny przedostaja Sie do'dolnej czesci tasmy, to nie oddzialuje ona niekorzystnie na jakosc wy¬ twarzania szkla na przyklad na jakosc szkla o pla¬ skich równoleglych bokach ó powierzchni lustrza¬ nej.Substancje oczyszczajaca wprowadza sie dó ka- pieli roztopionej cyny lub stopu cyny podczas do¬ prowadzania jej do zbiornika, przy czym stosuje sie taka substancje, która latwiej wchodzi w reak¬ cje z zanieczyszczeniem na przyklad z tlenem i siarka lub tylko siarka, niz z cyna kapieli. Wy¬ nalazek pozwala równiez na zapobiezenie tworze¬ niu sie zwiazków z roztopiona cyna, dzieki utrzy¬ mywaniu w kapieli przynajmniej jednej substancji 5120851208 wybranej z grupy zawierajacej lit, sód, potas, ma¬ gnez, wapn, bor, glin, ind, tytan, wanad, chrom, mangan, zelazo, cynk, cyrkon, niob, wegiel i krzem, dzieki czemu reguluje sie przechodzenie cyny do dolnej czesci tasmy szklanej w miare przesuwania 5 sie tasmy naprzód.Magnez jest substancja oczyszczajaca, wybitnie nadajaca sie do wprowadzania jej do kapieli cy¬ nowej w celu oczyszczania kapieli z zanieczyszczen.Wynalazek wyróznia sie tym, ze do kapieli stale 10 dodaje sie magnezu w ilosci wystarczajacej do zwia¬ zania tlenu i siarki zawartych w kapieli. Dzieki temu reguluje sie ilosc cyny przechodzacej do dol¬ nej warstwy tasmy szklanej, w miare przesuwa¬ nia jej naprzód wzdluz kapieli. Sód jest równiez 15 bardzo odpowiednim metalem jako substancja oczyszczajaca.Zamiast sodfc i magnezu mozna wprowadzac do ,v kapieli inne metale rozpuszczalne w kapieli cyno¬ wej na przyklad lit, potas, wapn, bor, glin, magnez, *° ind, zelazo lub cynk. Mozna równiez stosowac sub¬ stancje zasadniczo nierozpuszczalne w kapieli cy¬ nowej w temperaturze roboczej na przyklad tytan, wanad, chrom, niob, cyrkon lub krzem w postaci siatki drucianej lub kraty zanurzonej w kapieli. 25 Na takiej siatce lub kracie tworza sie tlenki i siarczki lub tylko siarczki metalu. Krate mozna usuwac z kapieli okresowo w celu jej czyszczenia.Mozna równiez wprowadzac do kapieli wegiel jako . substancje dodatkowa o wysokiej temperaturze 30 topnienia.Ilosc substancji oczyszczajacej wprowadzanej do kapieli zalezy od ilosci zanieczyszczen rozpuszczo¬ nych w kapieli metalowej, na przyklad tlenu i ga¬ zów siarkowych, które przedostaja sie do atmo- 96 sfery ochronnej znajdujacej sie ponad kapiela oraz tlenu i siarki, przechodzacych do kapieli ze szkla.Do wytwarzania szkla plaskiego w postaci tasmy sposobem wedlug wynalazku mozna stosowac zna¬ ne urzadzenie na przyklad opisane w polskim pa¬ tencie nr 39725. W takim urzadzeniu kapiel cynowa lub ze stopu cyny o ciezarze wlasciwym wiekszym niz ciezar wlasciwy szkla znajduje sie w konstruk¬ cji zbiornikowej. W górnej przestrzeni tej kon¬ strukcji nad kapiela utrzymuje sie atmosfere ochronna.Najkorzystniej jest wprowadzac do kapieli sód w postaci jego stopu z cyna, na przyklad zawiera¬ jacego 5V# sodu i 95V« cyny, w celu utrzymania 5i w kapieli ogólnego stopnia nasycenia sodem rzedu 50 czesci na milion. Analogicznie mozna dodawac magnezu w postaci stopu cyny z magnezem, zawie¬ rajacego 5Vt magnezu i 959/t cyny w ilosci dosta¬ tecznej do utrzymywania ogólnego stopnia nasyce- 55 nia kapieli magnezem rzedu 10 czesci na milion.Ewentualnie roztopiona cyne mozna stale usuwac z kapieli i z poworotem wprowadzac ja do obiegu kapieli, przy czym podczas tego ponownego wpro¬ wadzania do obiegu mozna dodawac do cyny sub- eo stancji oczyszczajacej. Substancje te dodaje sie na calej dlugosci kapieli lub tylko w okreslonym ob¬ szarze lub w okreslonej strefie kapieli.Stopien nasycenia kapieli cynowej sodem lub magnezem winien byc wiekszy niz stopien nasyce- es 45 nia wymagany przy reakcji z tlenem i siarka za¬ wartymi w kapieli. Utrzymywanie w kapieli takie¬ go stopnia nasycenia sodem lub magnezem zape¬ wnia zwiazanie z substancja oczyszczajaca zasad¬ niczo calej ilosci tlenu i siarki rozpuszczonych w kapieli. Tlen i siarka polacza sie natychmiast z substancja oczyszczajaca znajdujaca sie w kapieli, a przechodzenie cyny do dolnej czesci tasmy szkla¬ nej jest regulowane.Tasma szklana usunieta z kapieli moze miec po¬ wierzchnie o polysku przynajmniej takim samym, jak polysk szkla poddanego obróbce na goraco, a regulowana odpowiednio ilosc substancji dodat¬ kowej w kapieli w zaden sposób nie wplywa szko¬ dliwie na jakosc powierzchni szkla.Kazda substancje oczyszczajaca lub jej zwiazek chemiczny ulegajacy ulatnianiu z otwartej po¬ wierzchni cyny, usuwa sie z atmosfery kapieli tak, aby górna powierzchnia wytwarzanej tasmy szkla¬ nej nie ulegla uszkodzeniu.Produkty reakcji zanieczyszczen kapieli i sub¬ stancji oczyszczajacej moga wystepowac na przy¬ klad w postaci zuzli tlenkowych, dajacych sie usu¬ nac z roztopionego metalu mechanicznie.Wedlug wynalazku regulowanie stopnia przecho¬ dzenia metalu kapieli do dolnej czesci tasmy szkla¬ nej zapobiega wystepowaniu ewentualnych ubocz¬ nych skutków, na przyklad wówczas, gdy szklo poddaje sie obróbce cieplnej w obecnosci tlenu.Wynalazek dotyczy równiez szkla plaskiego wy¬ twarzanego tym sposobem, przy czym zawartosc metalu kapieli w dolnej warstwie tasmy szklanej nie przewyzsza z góry okreslonej wartosci.W szczególnosci przy stosowaniu kapieli z rozto¬ pionej cyny, szklo plaskie wytwarzane wedlug wy¬ nalazku wyróznia sie tym, ze zawartosc powierzch¬ niowa cyny w szkle jest tak mala, iz moze byc pominieta.Wynalazek dotyczy równiez plyt szklanych wy¬ cietych ze szkla plaskiego p wspomnianych wyzej wlasciwosciach. PL
Claims (5)
- Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania szkla plaskiego w postaci tasmy, znajdujacej sie w stalym zetknieciu z po¬ wierzchnia roztopionej kapieli metalowej, zna¬ mienny tym, ze w roztopionej kapieli metalowej utrzymuje sie przynajmniej minimalna zawartosc substancji oczyszczajacej, z która latwo wchodza w reakcje chemiczna zanieczyszczenia zawarte w kapieli.
- 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze przynajmniej minimalna zawartosc substancji oczyszczajacej, latwo reagujacej z zanieczyszcze¬ niami kapieli, utrzymuje sie przynajmniej w jednym obszarze kapieli metalowej.
- 3. Sposób wedlug zastrz. 1, w zastosowaniu do ka¬ pieli roztopionej cyny, znamienny tym, ze sto¬ suje sie jako substancje oczyszczajaca co naj¬ mniej jeden z nastepujacych metali: lit, sód, potas, magnez, wapn, bar, aluminium, ind, tytan, wanad, chrom, mangan, zelazo, cynk, cyrkon, niob, wegiel lub krzem, umozliwiajace przecho-51208 5 dzenie cynku do dolnej warstwy wytwarzanej tasmy szkla podczas posuwania sie jej naprzód.
- 4. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze do 6. kapieli metalowej stale doprowadza sie magnez w ilosci wystarczajacej do zwiazania tlenu 5 i siarki, znajdujacych sie w kapieli, regulujac przez to przechodzenie cyny do dolnej warstwy wytwarzanej tasmyszkla. 7.
- 5. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze do kapieli metalowej wprowadza sie jako substan- 10 cje oczyszczajaca sód, w ilosci wystarczajacej e do chemicznego zwiazania tlenu i siarki zawar¬ tej w kapieli metalowej. Sposób wedlug zastrz. 1—5, znamienny tym, ze produkty reakcji chemicznej, zachodzacej mie¬ dzy substancja oczyszczajaca i zanieczyszcze¬ niami kapieli, usuwa sie z powierzchni kapieli mechanicznie. Sposób wedlug zastrz. 1—5, znamienny tym, ze wytworzone produkty reakcji usuwa sie przez rozpuszczenie ich w dolnej czesci tasmy szkla¬ nej. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL51208B1 true PL51208B1 (pl) | 1966-02-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE849789C (de) | Verfahren zum Reinigen metallischer Gegenstaende | |
| US3305337A (en) | Method of manufacture of flat glass on molten tin | |
| PL51208B1 (pl) | ||
| Sjoukes | Chemical reactions in fluxes for hot dip galvanizing | |
| PL54658B1 (pl) | ||
| US3337323A (en) | Process of manufacturing flat glass on a molten metal bath | |
| GB981356A (en) | Process for removing arsenic antimony, tin and other impurities which form acidic oxides from copper | |
| KR890008340A (ko) | 몰리브덴 첨가제 및 그 제조방법 | |
| US845868A (en) | Process of treating sulfid ores. | |
| Robinson et al. | XCV.—The polysulphides of barium and calcium | |
| PL200196B1 (pl) | Odżelaziający skład soli topnikowej dla kąpieli topnikowych, roztwór topnika i sposób eksploatacji kąpieli topnikowej | |
| SU1293238A1 (ru) | Флюс дл обработки медных сплавов | |
| DE3911060A1 (de) | Verfahren zur verringerung des eisengehaltes von zinkschmelzen | |
| SU361212A1 (ru) | Способ переработки необожженных свинцовых | |
| US2851420A (en) | Salt baths, method of maintaining salt baths neutral, and additive therefor | |
| GB2115444A (en) | Fused salt bath composition | |
| US1993931A (en) | Ferrous welding electrode | |
| DE860302C (de) | Verfahren zur Herstellung einer wasserfreien, oxyd- und oxychloridarmen, zinnchloruerhaltigen Salzschmelze | |
| DE704932C (de) | Verfahren zum Trennen von Kobalt und Kupfer | |
| US1940618A (en) | Method of purifying magnesium | |
| US1532663A (en) | Treatment of molten baths | |
| SU370282A1 (pl) | ||
| DE121324C (pl) | ||
| US1518607A (en) | Treatment of case-hardening baths | |
| Delimarsky et al. | Effect of Surfactants on the Electrodeposition of Metals From Melts |