PL45432B1 - - Google Patents

Description

S7 msfiS *< POLSKIEJ RZECZYPOSPOLITEJ LUDOWEJ OPIS PATENTOWY Nr 45432 KI. 21 g, 11/02 Polska Akademia Nauk*) (Instytut Podstawowych Problemóiu Techniki) Warszawa, Polska Sposób usuwania tlenków z okreslonych miejsc powierzchni pólprzewodników Patemt trwa od dnia 24 maja 1961 r.W 'procesie produkcji elementów pólprzewod¬ nikowych takich jak diody, tranzystory, struk¬ tury n-p-n-p (p-n-p-n) i innych wykorzystuje sie dyfuzje domieszek do wytwarzania zlacz w wyj¬ sciowym materiale. Wymienione elementy wy¬ magaja przynajmniej jednego zlacza \p-n (n-p) lub bardziej 'zlozonej struktury (np. n-p-n w tranzystorze).Proces dyfuzji wielokrotnej jest jedna z me¬ tod umozliwiajaca otrzymanie takich struktur.Po przeprowadzeniu dyfuzji jednej domieszki z fazy gazowej *do plytki pólprzewodnika (ger¬ manowego, kirzemowego lub innych), powierzch¬ nie ich sa calkowicie utlenione. Nastepnie ze scisle okreslonych miejsc powierzchni, np. prze¬ znaczonych na emiter, usuwa sie tlenek, co umozliwia prawidlowy przebieg dyfuzji dru¬ giej domieszki.*) Wlasciciel patentu oswiadczyl, ze wspól¬ twórcami wynalazku sa mgr Herbert Czichon i mgr. Andrzej Kobendza.Tlenki usuwa sie naogól przez trawienie w roztworach fluorowodoru. Czesci powierzchni tlenków zabezpiecza sie za pomoca wosków lub lakierów maskujacycli i odsloniete miejsca tra¬ wi roztworem fluorowodoru. Sposób ten nie jx- zwala jednak na otrzymanie rysunków o-okres¬ lonym ksztalcie i o ostrych, równych brzegach.Przy ¦malych wymiarach rysunku nie daje on pozadanych rezultatów.Wedlug wynalazku zastosowano spoiof) foto¬ chemicznego maskowania. Polega on im pokry¬ waniu plytek (pólprzewodnikowych cienfcilfaa warstwa emulsji swiatloczulej, w sklad której wchodzi polialkohol winylowy, dwuchromian amonu i substancje zwilzajace, np. nekalina.Nastepnie plytke naswietla sie poprzez nega¬ tyw i nienaswietlone czesci emulsji wymyka za pomoca wody. Kontrole wywolania przepro¬ wadza sie przez barwienie emulsji w jednym z roztworów: erytozyny, safraniny lub blekitu bezposredniego3B. \ Potem emulsje hartuje sie w roztworze kwa~fiu chromowego o stezeniu 50 g/l, albo w roz¬ tworze zywic fenolo^formaMehydowo siarczyno¬ wych. W celu zwiekszenia kwasoodpornosci emulsji, plytki po hartowaniu w kwasie chro¬ mowym wygtrzewa sie przez okolo 15 minut w temperaturze 150—200°C, a po hartowaniu w roztworze zywicy fenolowo-forniaidehydowo- -siarczynowej — w temperaturze 220—300°C.Tak przygotowane plytki trawi sie w roztwo¬ rze fluorowodoru, do którego dodano fluorek amonu do nasycenia w celu zmniejszenia dy¬ fuzji wody w warstwe emulsji. "W miejscach odslonietych rozpuszcza sie tlenek i otrzymuje sie czysta powierzchnie pólprzewodnika. Pozo¬ stala wajrstwe emulsji usuwa sde przez podgrze¬ wanie plytek w roztworze kw^asu cukrowego, szczawiowego lub winowego o stezeniu 30—100 g/l.Sposób fotochemicznego maskowania umozli¬ wia- wytrawienie tlenków ze scisle okreslonych rysunków, dzieki czemu moze byc stosowany przy produkcji wymienionych elementów pól¬ przewodnikowych, PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób usuwania tlenków z okreslonych miejsc pólprzewodników, znamienny tym, ze plytke po¬ krywa sie warstwa swiatloczula, w sklad której wchodzi polialkohol winylowy i dwuchromian amonu, naswietla sie poprzez negatyw, wywo¬ luje miejsca nienaswietlone, a pozostale czesci barwi, hartuje i wygrzewa, po czym trawi sie w roztworach zawierajacych oprócz fluorowo¬ doru — fluorek amonu, a nastepnie po przetra¬ wieniu tlenków — usuwa sie pozostale czesci emulsji przez podgrzewanie w roztowrze kwasu cukrowego, szczawiowego lub winowego. Polska Akademia Nauk Instytut Podstawo w ych Problemów Techniki ;:'EL!OTEKA 2365. RSW „Prasa", Kielce PL