PL447296A1 - Cienkowarstwowe ogniwo słoneczne i sposób jego wytwarzania - Google Patents

Cienkowarstwowe ogniwo słoneczne i sposób jego wytwarzania

Info

Publication number
PL447296A1
PL447296A1 PL447296A PL44729623A PL447296A1 PL 447296 A1 PL447296 A1 PL 447296A1 PL 447296 A PL447296 A PL 447296A PL 44729623 A PL44729623 A PL 44729623A PL 447296 A1 PL447296 A1 PL 447296A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
solar cell
film solar
thickness
layer
manufacturing
Prior art date
Application number
PL447296A
Other languages
English (en)
Other versions
PL249053B1 (pl
Inventor
Marek Szindler
Magdalena Szindler
Krzysztof Lukaszkowicz
Original Assignee
Politechnika Śląska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Śląska filed Critical Politechnika Śląska
Priority to PL447296A priority Critical patent/PL249053B1/pl
Publication of PL447296A1 publication Critical patent/PL447296A1/pl
Publication of PL249053B1 publication Critical patent/PL249053B1/pl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest cienkowarstwowe ogniwo słoneczne i sposób jego wytwarzania. Cienkowarstwowe ogniwo słoneczne charakteryzuje się tym, że składa z fotoelektrody (1), którą stanowi podłoże w postaci płytki szklanej lub folii polimerowej lub folii metalowej z warstwą transparentnego tlenku przewodzącego TCO (2), do której przylega warstwa krzemu krystalicznego o przewodnictwie elektrycznym typu P (3) o grubości od 100 nm do 1000 nm, na której osadzona jest warstwa krzemu krystalicznego o przewodnictwie elektrycznym typu N (4) o grubości od 50 nm do 1000 nm z umieszczoną na niej nanowarstwą tlenku aluminium (5) o grubości od 10 nm do 50 nm, na której osadzone są srebrne kontakty metaliczne (6).
PL447296A 2023-12-22 2023-12-22 Cienkowarstwowe ogniwo słoneczne i sposób jego wytwarzania PL249053B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL447296A PL249053B1 (pl) 2023-12-22 2023-12-22 Cienkowarstwowe ogniwo słoneczne i sposób jego wytwarzania

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL447296A PL249053B1 (pl) 2023-12-22 2023-12-22 Cienkowarstwowe ogniwo słoneczne i sposób jego wytwarzania

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL447296A1 true PL447296A1 (pl) 2025-06-23
PL249053B1 PL249053B1 (pl) 2026-02-23

Family

ID=96092917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL447296A PL249053B1 (pl) 2023-12-22 2023-12-22 Cienkowarstwowe ogniwo słoneczne i sposób jego wytwarzania

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL249053B1 (pl)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003210341A (ja) * 2002-01-24 2003-07-29 Toyo Aluminium Foil Products Kk まな板
CA2621665A1 (en) * 2007-11-21 2008-05-22 National Research Council Of Canada Transparent and/or photovoltaic solar cell and module
KR101465360B1 (ko) * 2013-08-26 2014-11-26 성균관대학교산학협력단 태양전지용 광전극 및 이를 포함한 태양전지
US20150302996A1 (en) * 2012-10-23 2015-10-22 Tokyo University Of Science Educational Foundation Administrative Organization Photoelectrode for dye-sensitized solar cells, and dye-sensitized solar cell

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003210341A (ja) * 2002-01-24 2003-07-29 Toyo Aluminium Foil Products Kk まな板
CA2621665A1 (en) * 2007-11-21 2008-05-22 National Research Council Of Canada Transparent and/or photovoltaic solar cell and module
US20150302996A1 (en) * 2012-10-23 2015-10-22 Tokyo University Of Science Educational Foundation Administrative Organization Photoelectrode for dye-sensitized solar cells, and dye-sensitized solar cell
KR101465360B1 (ko) * 2013-08-26 2014-11-26 성균관대학교산학협력단 태양전지용 광전극 및 이를 포함한 태양전지

Also Published As

Publication number Publication date
PL249053B1 (pl) 2026-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102782866B (zh) 绝缘金属基板和半导体器件
JP7611935B2 (ja) 太陽電池用金属電極、その製造方法及びマスク
CN103189997B (zh) 太阳能电池装置及其制造方法
WO2017189232A1 (en) Systems and methods for transparent organic photovoltaic devices
JP2011176287A (ja) 光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法
CN103843149B (zh) 包括有涂覆步骤的制造结构的方法和对应的结构及装置
JP7632096B2 (ja) 薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタの製造方法
Aliyu et al. Recent developments of flexible CdTe solar cells on metallic substrates: issues and prospects
Khokhar et al. ITO: Zr bi-layers deposited by reactive O2 and Ar plasma with high work function for silicon heterojunction solar cells
CN100573922C (zh) 超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池
CN106784111A (zh) 一种碲化镉薄膜太阳能电池的低温制作方法
CN111628012A (zh) 太阳能电池及其制备方法
US20120006398A1 (en) Protective back contact layer for solar cells
CN101154695A (zh) 利用绒面临时衬底制备柔性转移衬底太阳电池的方法
PL447296A1 (pl) Cienkowarstwowe ogniwo słoneczne i sposób jego wytwarzania
CN104981890A (zh) Cigs膜以及使用其的cigs太阳能电池
CN217386689U (zh) 一种低反射ito膜
CN103339740B (zh) 太阳能电池和制造该太阳能电池的方法
Herrmann et al. High-performance barrier layers for flexible CIGS thin-film solar cells on metal foils
KR20140027069A (ko) 확산-방지층을 갖는 박층 태양 전지
JP2011159796A (ja) 絶縁層付基板および薄膜太陽電池
JP2004079858A (ja) 太陽電池およびその製造方法
RU116689U1 (ru) Солнечный элемент
TWI676297B (zh) 薄膜太陽能電池
PL433481A1 (pl) Dachówka fotowoltaiczna i sposób jej wytwarzania