PL408718A1 - Sposób wytwarzania przezroczystego tranzystora MESFET - Google Patents
Sposób wytwarzania przezroczystego tranzystora MESFETInfo
- Publication number
- PL408718A1 PL408718A1 PL408718A PL40871814A PL408718A1 PL 408718 A1 PL408718 A1 PL 408718A1 PL 408718 A PL408718 A PL 408718A PL 40871814 A PL40871814 A PL 40871814A PL 408718 A1 PL408718 A1 PL 408718A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- igzo
- reactive
- lift
- gate electrode
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania przezroczystego tranzystora MESFET z prostującym złączem metal - półprzewodnik, przeznaczonego do zastosowania w układach elektronicznych, w sensorach biomedycznych i optoelektronicznych, wytwarzanych zarówno na sztywnych jak i giętkich podłożach. W sposobie tym, najpierw w temperaturze pokojowej na przezroczystym podłożu, korzystnie na podłożu elastycznym, osadza się za pomocą reaktywnego magnetronowego rozpylania katodowego warstwę kanału IGZO o grubości ? 30 nm. Osadzanie to prowadzi się w modzie RF, w plazmie Ar/O2 o ciśnieniu ? 1 Pa z ceramicznego targetu InGaZnO4, przy zawartości tlenu w atmosferze roboczej w zakresie od 0% do 1%. Następnie, za pomocą reaktywnego rozpylania katodowego i fotolitografii lift-off bezpośrednio na warstwie IGZO, wytwarza się elektrodę bramki w postaci warstwy Ru-Si-O o grubości nie przekraczającej 100 nm. Po zakończeniu tego procesu, przy pomocy techniki reaktywnego rozpylania katodowego w modzie DC oraz fotolitografii lift-off, na warstwie kanału IGZO po obu stronach elektrody bramki w odległości nie większej niż 10 µm wytwarza się kontakty źródła i drenu w postaci warstwy tlenku indowo - cynowego o grubości do 100 nm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL408718A PL225166B1 (pl) | 2014-06-30 | 2014-06-30 | Sposób wytwarzania przezroczystego tranzystora MESFET |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL408718A PL225166B1 (pl) | 2014-06-30 | 2014-06-30 | Sposób wytwarzania przezroczystego tranzystora MESFET |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL408718A1 true PL408718A1 (pl) | 2016-01-04 |
| PL225166B1 PL225166B1 (pl) | 2017-02-28 |
Family
ID=54978729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL408718A PL225166B1 (pl) | 2014-06-30 | 2014-06-30 | Sposób wytwarzania przezroczystego tranzystora MESFET |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL225166B1 (pl) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109468604B (zh) * | 2019-01-11 | 2020-12-01 | 郑州大学 | 高透射率igzo薄膜的制备方法 |
-
2014
- 2014-06-30 PL PL408718A patent/PL225166B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL225166B1 (pl) | 2017-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI545777B (zh) | Thin film transistor | |
| TWI514586B (zh) | A thin film transistor structure, and a thin film transistor and a display device having the same | |
| TWI442576B (zh) | An oxide and a sputtering target for a semiconductor layer of a thin film transistor, and a thin film transistor | |
| EA033122B1 (ru) | Способ получения подложки, покрытой набором, содержащим слой прозрачного проводящего оксида | |
| Ryu et al. | Amorphous-InGaZnO4 thin-film transistors with damage-free back channel wet-etch process | |
| WO2012064050A3 (ko) | 화학적 리프트 오프 방법을 이용한 iii족 질화물 기판의 제조방법 | |
| KR20170092716A (ko) | 성막 방법 | |
| WO2009117438A3 (en) | Process to make metal oxide thin film transistor array with etch stopping layer | |
| WO2008093741A1 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| Chu et al. | AZO/Au/AZO tri-layer thin films for the very low resistivity transparent electrode applications | |
| EA201800470A1 (ru) | Способ изготовления графенового тонкопленочного транзистора | |
| CN103972110B (zh) | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | |
| Yoo et al. | Effect of magnesium oxide passivation on the performance of amorphous indium–gallium–zinc-oxide thin film transistors | |
| GB201106553D0 (en) | Mthod for coating substrates | |
| PL408718A1 (pl) | Sposób wytwarzania przezroczystego tranzystora MESFET | |
| WO2020116499A1 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| CN104362180B (zh) | 一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置 | |
| CN108735821A (zh) | 一种镨铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法 | |
| MY152203A (en) | Methods of forming a window layer in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device | |
| Kim et al. | Effect of a ZTO buffer layer on the structural, optical, and electrical properties of IGZO thin films | |
| CN103875077B (zh) | 绝缘膜及其制造方法 | |
| Yu et al. | Sputtering growth of ZnO thin-film transistor using Zn target | |
| WO2011011736A3 (en) | Solid-state thin film capacitor | |
| Choi et al. | A comparison of Ga: ZnO and Ga: ZnO/Ag/Ga: ZnO source/drain electrodes for In–Ga–Zn–O thin film transistors | |
| TW200731589A (en) | Organic thin film transistor using ultra-thin metal oxide as gate dielectric and fabrication method thereof |