PL357707A1 - Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną (podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, o powierzchni pod epitaksję o żądanych własnościach elektrycznych - Google Patents

Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną (podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, o powierzchni pod epitaksję o żądanych własnościach elektrycznych

Info

Publication number
PL357707A1
PL357707A1 PL02357707A PL35770702A PL357707A1 PL 357707 A1 PL357707 A1 PL 357707A1 PL 02357707 A PL02357707 A PL 02357707A PL 35770702 A PL35770702 A PL 35770702A PL 357707 A1 PL357707 A1 PL 357707A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
gallium
voluminal
featuring
epitaxy
fabrication
Prior art date
Application number
PL02357707A
Other languages
English (en)
Other versions
PL225424B1 (pl
Inventor
Robert Dwiliński
Roman Doradziński
Jerzy Garczyński
Leszek P. Sierzputowski
Yasuo Kanbara
Original Assignee
Ammono Sp.Z O.O.
Nichia Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ammono Sp.Z O.O., Nichia Corporation filed Critical Ammono Sp.Z O.O.
Priority to PL357707A priority Critical patent/PL225424B1/pl
Priority to EP03778843A priority patent/EP1576210B1/en
Priority to TW092135267A priority patent/TWI352434B/zh
Priority to PCT/JP2003/015906 priority patent/WO2004053210A1/en
Priority to PCT/JP2003/015905 priority patent/WO2004053209A1/en
Priority to AT03778843T priority patent/ATE457372T1/de
Priority to KR1020057010733A priority patent/KR100789889B1/ko
Priority to US10/538,407 priority patent/US7387677B2/en
Priority to TW092135277A priority patent/TWI334229B/zh
Priority to JP2004558483A priority patent/JP4860927B2/ja
Priority to US10/538,654 priority patent/US7410539B2/en
Priority to KR1020057010670A priority patent/KR101060073B1/ko
Priority to PL379546A priority patent/PL224992B1/pl
Priority to HK06102217.7A priority patent/HK1083030B/xx
Priority to PL379545A priority patent/PL224991B1/pl
Priority to DE60329713T priority patent/DE60329713D1/de
Priority to AU2003285768A priority patent/AU2003285768A1/en
Priority to JP2004558482A priority patent/JP4558502B2/ja
Priority to AT03778842T priority patent/ATE445722T1/de
Priority to EP03778842A priority patent/EP1581675B1/en
Priority to DE60331245T priority patent/DE60331245D1/de
Priority to AU2003285769A priority patent/AU2003285769A1/en
Publication of PL357707A1 publication Critical patent/PL357707A1/pl
Priority to US12/213,212 priority patent/US8110848B2/en
Publication of PL225424B1 publication Critical patent/PL225424B1/pl

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

W jednym z rozwiązań przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania podłoża typu template z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, znamienny tym, że w autoklawie, w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego, zawierającego jony metali alkalicznych, rozpuszcza się materiał źródłowy zawierający gal i krystalizuje azotek zawierający gal z nadkrytycznego roztworu na powierzchni zarodka z azotku zawierającego gal w temperaturze wyższej i/lub ciśnieniu niższym niż przy rozpuszczaniu materiału źródłowego, a na tak uzyskanej warstwie azotku zawierającego gal nanosi się metodą wzrostu z fazy gazowej warstwę azotku zawierającego gal o żądanych własnościach elektrycznych poprzez domieszkowanie donorami w celu zapewnia przewodnictwa typu n albo akceptorami w celu zapewnia przewodnictwa typu p.
PL357707A 2002-12-11 2002-12-11 Sposób wytwarzania podłoża typu template z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal PL225424B1 (pl)

Priority Applications (23)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL357707A PL225424B1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób wytwarzania podłoża typu template z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
PL379546A PL224992B1 (pl) 2002-12-11 2003-12-11 Podłoże typu template dla urządzeń opto-elektrycznych lub elektrycznych oraz sposób jego wytwarzania
KR1020057010670A KR101060073B1 (ko) 2002-12-11 2003-12-11 템플레이트 타입의 기판 및 그 제조 방법
PCT/JP2003/015906 WO2004053210A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A substrate for epitaxy and a method of preparing the same
PCT/JP2003/015905 WO2004053209A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A template type substrate and a method of preparing the same
AT03778843T ATE457372T1 (de) 2002-12-11 2003-12-11 Substrat für epitaxie und verfahren zu seiner herstellung
KR1020057010733A KR100789889B1 (ko) 2002-12-11 2003-12-11 에피택시용 기판 및 그 제조방법
TW092135267A TWI352434B (en) 2002-12-11 2003-12-11 A substrate for epitaxy and a method of preparing
TW092135277A TWI334229B (en) 2002-12-11 2003-12-11 A template type substrate and a method of preparing the same
JP2004558483A JP4860927B2 (ja) 2002-12-11 2003-12-11 エピタキシ用基板及びその製造方法
US10/538,654 US7410539B2 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Template type substrate and a method of preparing the same
EP03778843A EP1576210B1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A substrate for epitaxy and a method of preparing the same
US10/538,407 US7387677B2 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Substrate for epitaxy and method of preparing the same
JP2004558482A JP4558502B2 (ja) 2002-12-11 2003-12-11 テンプレート型基板の製造方法
PL379545A PL224991B1 (pl) 2002-12-11 2003-12-11 Podłoże do stosowania dla urządzeń opto-elektrycznych lub elektrycznych oraz sposób jego wytwarzania
DE60329713T DE60329713D1 (de) 2002-12-11 2003-12-11 Schabloneartiges substrat und verfahren zu seiner herstellung
AU2003285768A AU2003285768A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A template type substrate and a method of preparing the same
HK06102217.7A HK1083030B (en) 2002-12-11 2003-12-11 A substrate for epitaxy and a method of preparing the same
AT03778842T ATE445722T1 (de) 2002-12-11 2003-12-11 Schabloneartiges substrat und verfahren zu seiner herstellung
EP03778842A EP1581675B1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A template type substrate and a method of preparing the same
DE60331245T DE60331245D1 (de) 2002-12-11 2003-12-11 Substrat für epitaxie und verfahren zu seiner herstellung
AU2003285769A AU2003285769A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 A substrate for epitaxy and a method of preparing the same
US12/213,212 US8110848B2 (en) 2002-12-11 2008-06-16 Substrate for epitaxy and method of preparing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL357707A PL225424B1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób wytwarzania podłoża typu template z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL357707A1 true PL357707A1 (pl) 2004-06-14
PL225424B1 PL225424B1 (pl) 2017-04-28

Family

ID=32733407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL357707A PL225424B1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób wytwarzania podłoża typu template z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL225424B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL225424B1 (pl) 2017-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6803243B2 (en) Low temperature formation of backside ohmic contacts for vertical devices
Fukuda et al. Prospects for the ammonothermal growth of large GaN crystal
Fujikura et al. Recent progress of high-quality GaN substrates by HVPE method
JPH0383332A (ja) 炭化珪素半導体装置の製造方法
Xiu et al. Application of halide vapor phase epitaxy for the growth of ultra-wide band gap Ga2O3
US20150243494A1 (en) Mechanically robust silicon substrate having group iiia-n epitaxial layer thereon
US6884644B1 (en) Low temperature formation of backside ohmic contacts for vertical devices
US6909119B2 (en) Low temperature formation of backside ohmic contacts for vertical devices
As et al. Electroluminescence of a cubic GaN/GaAs (001) p–n junction
Nikolaev et al. Gallium oxide
Yamada et al. Electrical properties of Ni/n-GaN Schottky diodes on freestanding m-plane GaN substrates
EP1125320A1 (en) Low temperature formation of backside ohmic contacts for vertical devices
Ganguly et al. Plasma MBE growth conditions of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on silicon and their device characteristics with epitaxially regrown ohmic contacts
CN105140111A (zh) 消除碳化硅外延面穿通缺陷的方法
JP3385180B2 (ja) 化合物半導体膜の形成方法
KR20020075247A (ko) 실리콘 게르마늄 상에 열적으로 안정한 니켈게르마늄실리사이드를 형성하는 방법
PL357707A1 (pl) Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną (podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, o powierzchni pod epitaksję o żądanych własnościach elektrycznych
Nguyen et al. Epitaxial growth of nonpolar ZnO and n-ZnO/i-ZnO/p-GaN heterostructure on Si (001) for ultraviolet light emitting diodes
Xu et al. Fabrication of Ge: Ga hyperdoped materials and devices Using CMOS-compatible Ga and Ge hydride chemistries
PL357696A1 (pl) Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, o powierzchni pod epitaksję o wysokiej jakościstrukturalnej
Kirkpatrick et al. LEC GaAs for integrated circuit applications
Kitagawa et al. Effects of rapid thermal processing on electron traps in molecular‐beam‐epitaxial GaAs
Schumann et al. Influence of substrate surface polarity on epitaxial layer growth of CuInSe2 on GaAs
Zhu et al. Fabrication of p-MOSFETs on germanium epitaxially grown on gallium arsenide substrate by chemical vapor deposition
Lin et al. Effect of Temperature on Novel InAlGaP∕ GaAs∕ InGaAs Camel-Gate Pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistors