PL34268B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL34268B1
PL34268B1 PL34268A PL3426847A PL34268B1 PL 34268 B1 PL34268 B1 PL 34268B1 PL 34268 A PL34268 A PL 34268A PL 3426847 A PL3426847 A PL 3426847A PL 34268 B1 PL34268 B1 PL 34268B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
voltage
capacitors
auxiliary
signal
capacitor
Prior art date
Application number
PL34268A
Other languages
English (en)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of PL34268B1 publication Critical patent/PL34268B1/pl

Links

Description

Wynalazek dotyczy urzadzenia do modulowa¬ nia elektrycznego sygnalu w ten sposób, ze syg¬ nal ten wraz z pomocniczym drganiem doprowa¬ dza sie do obwodu elektrycznego, w którym znaj¬ duje sie kondensator z dielektrykiem o wlasci¬ wosciach, zaleznych od wystepujacego na konden¬ satorze napiecia lub pradu albo napiecia i pra¬ du, w szczególnosci zas urzadzenia do wzmac¬ niania sygnalu, przy czym wzmocniony sygnal otrzymuje sie z jednego z wystepujacych w ob¬ wodzie modulowanych drgan, najlepiej z modu¬ lowanego drgania pomocniczego.Stwierdzono, ze urzadzenie takie ma wady, gdy zródlo sygnalu przedstawia wielki opór dla pradu zmiennego. Poza tym urzadzenie to nie daje z reguly w ogóle zadnego wzmocnienia albo daje tylko bardzo male wzmocnienie napieciowe, jezeli nie stosuje sie transformatora.Celem wynalazku jest urzadzenie, dajace do¬ bre wyniki i wtedy, gdy zródlo sygnalu posiada wielki opór dla pradu zmiennego, a w szczegól¬ nosci dla pradu zmiennego o czestotliwos¬ ci drgan pomocniczych. Poza tym, wynalazek zwieksza wzmocnienie napieciowe urzadzenia Wedlug wynalazku w obwód wlacza sie przy¬ najmniej dwa wymienionego rodzaju kondensa¬ tory, na których wystepuja zarówno napiecia sygnalowe, jak i napiecia drgan pomocniczych, przy czym jedno napiecie doprowadza sie do tych kondensatorów szeregowo, a drugie — równo¬ legle.Jezeli napiecie sygnalowe jest bardzo duze albo tez, gdy zródlo napiecia pomocniczego daje male napiecie, mozna urzadzenie wykonac takze w ten sposób, ze napiecie pomocnicze jest dopro¬ wadzane równolegle, a napiecie sygnalowe sze¬ regowo do kondensatorów. Czasami moze tez byc pozadane przylaczenie równolegle do kondensa¬ torów oporów uplywowych.Najlepiej jednak doprowadzac do kondensa¬ torów napiecie pomocnicze szeregowo, a napie¬ cie sygnalowe równolegle.Napiecie sygnalowe mozna przy tym dopro¬ wadzic do kondensatorów poprzez opory cewki albo obwody rezonansu równoleglego, nastrojonena drgania pomocnicze. Najlepiej za&tosowac ja¬ ko opdry duze opory omowe.Sroplków tjrclumpzna jednak nie stosowac, je- "»§|i uzywa- sje zródla sygnalu, które przynaj¬ mniej dla Vr^ó"w ^mien^ o czestotliwosci drgan pomocniczych posiada wielki opór we¬ wnetrzny, np. komórki fotoelektrycznej.Na rysunku przedstawiono kilka przykladów wykonania wzmacniaczy wedlug wynalazku.Na fig. 1 zródlo wzmacnianych sygnalów np, malej czestotliwosci jest oznaczone cyfra 1. Na ogól pozadane jest, by sygnal mial charakter wielkosci tetniacej. Moze on byc na przyklad u- tworzony z nalozenia na siebie napiec zmiennego i stalego w ten sposób, by wypadkowe napiecie bylo napieciem tetniacym jednokierunkowym.Wedlug wynalazku pewna liczba kondensato¬ rów 2, 2', 2", 2'", kazdy z dielektrykiem 3, jest wlaczona szeregowo w obwód, zawierajacy uzwo¬ jenie wtórne 5 transformatora U i mostek 7 u- kladu Gratza, zlozony z czterech prostowników ^ i jednego oporu 8.Do pierwotnego uzwojenia transformatora U doprowadza sie napiecie zmienne, które poprzez uzwojenie wtórne 5 dziala w wymienionym wy¬ zej obwodzie jako drganie pomocnicze.Jako dielektryk 3 zastosowano material o wlasciwosciach, zaleznych od napiecia lub pradu albo napiecia i pradu, wystepujacego na konden¬ satorze lub w kondensatorze, np. sól Seignetta, albo material powstaly zasadniczo z reakcji trój¬ skladnikowej BaTiOz, SrTiOz, PbTiOs. Nie jest potrzebne, by wszystkie trzy skladniki wystepo¬ waly jednoczesnie. Bardzo dobre wyniki daja die¬ lektryki z BaTiOs albo powstale z reakcji dwu¬ skladnikowej BaTiOz, SrTiOs, na przyklad BaTiOs z dodatkiem co najwyzej 35% mol SrTiOs.Jezeli urzadzenie ma pracowac w temperaturze pokojowej zawartosc SrTiOs powinna wynosic pomiedzy 15 a 30%."Rózne podwójne i potrójne mieszaniny two¬ rza jednorodne krysztaly mieszane, które podob¬ nie jak podstawowe skladniki, z których sa utwo¬ rzone, maja strukture perowskitowa.Jako kondensatorów o pojemnosci, zaleznej od napiecia, mozna równiez uzyc prostowników z warstwa zaporowa. Nie wszystkie wlasciwosci dielektryka musza zalezec od napiecia lub pradu albo napiecia i pradu. Zaleznosc taka istnieje z reguly u stalej dielektrycznej, czesto u ka¬ ta stratnosci, a czasem u obu tych wielkosci.Napiecie sygnalowe ze zródla 1 jest doprowa¬ dzane wedlug wynalazku poprzez wysokoomowe opory 6, 6\ 6" do kondensatorów 2, 2', 2", 2iU równolegle, podczas gdy napiecie pomocnicze jest doprowadzane do nich szeregowo.Dzialanie urzadzenia opisano ponizej. Na kaz¬ dym z kondensatorów wystepuje napiecie sygna¬ lowe i napiecie drgan pomocniczych. Dzieki nie¬ liniowym wlasciwosciom kondensatorów amplitu¬ da drgania pomocniczego jest modulowana przez sygnal. Za pomoca mostku 7 mozna wedlug wy¬ nalazku pobrac z modulowanych drgan pomocni¬ czych przez modulacje (w danym przypadku wy¬ prostowanie) sygnal wzmocniony. Sygnal ten wystepuje na oporze 8. Stwierdzono,.ze napiecie, wystepujace w opisanym urzadzeniu na oporze 8, jest w przyblizeniu czterokrotnie wyzsze od na¬ piecia, które powstaloby przy zastosowaniu tylko jednego kondensatora. W ten sposób mozna wiec uzyskac istotne wzmocnienie napiecia..W urzadzeniu z wiecej niz dwoma kondensa¬ torami nie zawsze potrzeba zasilac wszystkie kondensatory szeregowo napieciem pomocniczym, tak samo, jak nie potrzeba doprowadzac równo¬ legle do kazdego z kondensatorów napiecie syg¬ nalowe. Nizej opisane sa na przyklad urzadze- * nia, w których napiecie pomocnicze doprowadza sie do pewnej liczby równolegle polaczonych od¬ galezien, z których przynajmniej jedno zawiera dwa albo wiecej niz dwa szeregowo polaczone kondensatory. Omawiane beda takze urzadzenia, w których napiecie sygnalowe doprowadza sie do pewnej liczby równolegle polaczonych odgalezien, z których kazde jest utworzone na przyklad z dwu szeregowo polaczonych kondensatorów.Urzadzenie wedlug wynalazku mozna z ko¬ rzyscia zastosowac w tych przypadkach, w któ¬ rych zródlo sygnalu posiada wielki opór dla pra¬ du zmiennego, a w szczególnosci dla pradów zmiennych o czestotliwosci, odpowiadajacej cze¬ stotliwosci drgan pomocniczych. Przypadek ten zachodzi, gdy zródlem sygnalu jest komórka fo- toelektryczna. Pojemnosc takiej komórki fotoelek¬ trycznej jest stosunkowo mala, tak ze tworzy ona bardzo duzy opór dla drgan pomocniczych.Dla polepszenia warunków pracy moznaby równolegle do zródla przylaczyc kondensator. Na ogól stosuje sie w tym przypadku kondensator o stosunkowo duzej pojemnosci, albowiem opornosc calego obwodu elektrycznego musi byc znacznie mniejsza od opornosci kondensatora z dielektry¬ kiem, zaleznym od napiecia, gdyz w innym przy¬ padku zmiany pojemnosci tego kondensatora, spo¬ wodowane napieciem Sygnalowym, wywieralyby tylko nieduzy wplyw na prad zmienny. Konden¬ sator o zaleznej od napiecia pojemnosci musi miec jak najwieksza pojemnosc, azeby mozna bylo pra¬ cowac jak najwieksza energia przy najmniejszej czestotliwosci drgan pomocniczych. Jezeli jednak nadac wymienionym kondensatorom wielka po¬ jemnosc, to stala czasu urzadzenia dla napiecia sygnalowego staje sie zbyt wielka i urzadzenie nie podaza za zmianami napiecia sygnalowego. — 2 —^tala czasu ogranicza wiec pojemnosc równolegla Ao komórki fotoelektrycznej.Jezeli zastosowac urzadzenie, zawierajace tyl¬ ko jeden koridensator o zaleznej od napiecia po¬ jemnosci, to duza czesc dopuszczalnej pojemnos¬ ci przypada na kondensator, przylaczony równo¬ legle do komórki fotoelektrycznej, co zmniejsza wzmocnienie urzadzenia.Wade te mozna usunac przez* zastosowanie wynalazku.Fig. 2, 3 i 4 przedstawiaja urzadzenia, w któ¬ rych cyfra 9 oznacza komórke fotoelektryczna, 10 — przynalezne zródlo stalego napiecia, a 11— opór obciazajacy. Wytworzone przez komórke fo¬ toelektryczna napiecie sygnalowe wystepuje na wysokoomowym oporze 11 i jest doprowadzane równolegle do dwu kondensatorów 2 i 2\ Sche¬ matycznie przedstawione zródlo napiecia pomoc¬ niczego jest oznaczone cyfra 5, a demodulator cyfra 7. Ukl^d wedlug fig. 3 posiada jeszcze te zalete, ze przy nim baterie mozna uziemic. Uklad wedlug fig. 4 najlepiej stosowac wtedy, gdy zród¬ lo napiecia pomocniczego 5 posiada szczególnie wielki opór wewnetrzny.Fakt, ze komórka fotoelektryczna posiada przy opisanych ukladach wielki opór wewnetrzny dla pradu zmiennego nie gra zadnej roli. Poza tym, tez uzyskuje sie dwukrotnie wieksze wzmocnie¬ nie napieciowe, niz moznaby osiagnac z jednym kondensatorem (oraz zródlem sygnalu o malym oporze wewnetrznym).Jezeli na zródle sygnalu nie powinno wyste¬ powac zmienne napiecie, mozna z korzyscia za¬ stosowac jeden z ukladów, przedstawionych na fig. 5, 6 i 7. Przy tych ukladach zródlo sygnalów lezy na jednej przekatnej mostku, podczas gdy na drugiej przekatnej znajduje sie zródlo napiecia pomocniczego. Wskutek tego przez zródlo sygna¬ lu 1 nie plynie prad ze zródla zmiennego napie¬ cia 5. Opornosc dla pradu zmiennego tego zródla nie gra juz wiec zadnej roli. Uklad wedlug fig. 7 stosuje sie szczególnie wtedy, gdy zródlo napiecia pomocniczego ma bardzo (luzy opór we¬ wnetrzny.Do powyzszego celu zamiast ukladu mostko¬ wego kondensatorów, zaleznych od napiecia oraz zródla sygnalu mozna oczywiscie uzyc zapór w postaci np. oporów, indukcyjnosci1 albo tez rów¬ noleglego obwodu drgajacego, nastrojonego na czestotliwosc drgan pomocniczych.Na fig. 8 przedstawione jest urzadzenie z ko¬ mórka fotoelektryczna, w którym zródlo napiecia stalego 5 i demodulatora 7 wstawione sa w prze¬ katne mostku. Galezie mostku tworza parami szeregowo polaczone ze soba kondensatory. Kaz¬ dy z tych kondensatorów zawiera dielektryk, za¬ lezny od napiecia lub pradu albo napiecia i pra¬ du. Komórka fotoelektryczna jest wlaczona z jed¬ nej strony pomiedzy kondensatory 2, 2', a z dru¬ giej strony pomiedzy kondensatory 2", 2'". Do¬ brze jest równolegle do komórki fotoelektrycznej wlaczyc opór 11. Zródla napiecia stalego dla ko¬ mórki fotoelektrycznej moze nie byc, poniewaz na komórce fotoelektrycznej panuje napiecie, do¬ starczane przez zródlo napiecia pomocniczego 5.Mozna tez jako napiecia stalego dla komórki fo¬ toelektrycznej uzyc wyprostowanego napiecia po¬ mocniczego.Pary kondensatorów 2, 2', i 2*\ 2"' moga byc wykonane równiez jako zwyczajne kondensatory i w dodatku kazda para moze byc zastapiona jed- dym kondensatorem. Przy wyzej opisanym wy¬ konaniu uzyskuje sie jednak uklad, który samo¬ czynnie równowazy zmiany temperatury.Wszystkie osiem kondensatorów mozna umies¬ cic w ten sposób na jednej plytce dielektryku, jak przedstawiono na fig. 9. Górna i spodnia strona plytki sa pokryte warstwa przewodzaca. Na kaz¬ dej z o*bu warstw wykonuje sie dwie prostopadle wzgledem siebie rysy. Obie pary rys sa wzgledem siebie skrecone o 45°. W ten sposób powstaja na górnej i na spodniej stronie cztery elektrody, tworzace razem osiem kondensatorów.Na fig. 10 przedstawiono praktyczne wyko¬ nanie kondensatorów, które mozna zastosowac w urzadzeniu wedlug fig. 1. Opory 6, 6' i 6" sa u- tworzone przy tym z materialu zle przewodzace¬ go albo pólprzewodnika i stykaja sie z dielektry¬ kiem albo bezposrednio, albo tez (jak przedsta¬ wiono na rysunku) poprzez przewodzace warstwy posrednie. Warstwy przewodzace sa oznaczone na rysunku grubymi kreskami. Szczególnie w przy¬ padku, gdy w jednym urzadzeniu stosuje sie wieksza liczbe zaleznych od napiecia kondensato¬ rów, budowa, uwidoczniona na fig. 10, daje znacz¬ ne uproszczenie polaczen.Jezeli szerokosc warstwy przewodzacej jest tego samego rzedu co grubosc dielektryku, mozna warstw tych nie stosowac. W tym przypadku po¬ wstaje budowa, przedstawiona na fig. 11. Pól¬ przewodniki albo zle przewodzace warstwy 6, 6' itd. sa oddzielone od siebie szczelinami. Na war¬ stwach tych umieszczone sa dwie elektrody 12 i 12\ które stykaja sie ze wszystkimi czesciami pólprzewodników na górnej i dolnej stronie die¬ lektryku. Bezposrednio do dielektryku przymoco¬ wane sa dwie elektrody 13 i 1S\ Zródlo sygnalu laczy sie z elektrodami 12, 12', a zródlo napiecia pomocniczego z elektrodami 13, 13\ Mozna postapic o krok dalej i szczeliny w warstwie zle przewodzacej albo w pólprzewodni¬ ku wypelnic tym samym materialem. W tym przypadku powstaje urzadzenie, przedstawione na fig. 12. — 3 —Uklad wedlug fig. 2, 3 albo 4 mozna jeszcze polepszyc przez to, ze kondensatory 2, 2' umiesz¬ cza sie bezposrednio w komórce fotoelektrycznej i wyprowadza sie na zewnatrz jedynie doprowa¬ dzenie do zewnetrznych okladzin tych kondensa¬ torów. ' Wartosc oporu 11 jest ograniczona przez rów¬ nolegly don opór uplywowy miedzy zaciskami ko¬ mórki fotoelektrycznej. Opór ten nie jest staly.Wplywa nan na przyklad wilgotnosc. Jezeli u- miescic, kondensatory wewnatrz banki, to zmien¬ na uplywnosc poprzez zaciski nie gra juz zadnej roli.W niektórych przypadkach mozna opuscic opór 11. Zostaje on zastapiony przez opory kon¬ densatorów 2, 2\ Poniewaz kondensatory sa u- mieszczone wewnatrz banki komórki fotoelek¬ trycznej opór uplywowy jest dostatecznie staly.W celu zmniejszenia stalej czasu dla napiecia sygnalowego moze sie okazac potrzebne umiesz¬ czenie jednego albo wiecej dodatkowych oporów uplywowych przy kondensatorach, najlepiej rów¬ niez w bance komórki fotoelektrycznej.Opisane urzadzenia nadaja sie dobrze nie tyl¬ ko do wzmacniania sygnalów malej czestotliwos¬ ci i napiec stalych, lecz takze do wzmacniania sygnalów, modulowanych na fali nosnej. Mozna uzyc ich na przyklad w radioaparatach.Przy wzmacnianiu drgan malej czestotliwosci czestotliwosc drgan pomocniczych musi byc wiek¬ sza od najwiekszej czestotliwosci skladowej wzmacnianych drgan.Czasami dobrze jest wlaczyc w obwód jeden albo wiecej obwodów drgan, nastrojonych na cze¬ stotliwosc drgania pomocniczego albo na róznice czestotliwosci drgan pomocniczych i wzmacnia¬ nego sygnalu. Z modulowanych drgan, wystepu¬ jacych w tych obwodach, mozna, ewentualnie po dalszym wzmocnieniu, otrzymac wzmocniony syg¬ nal przez demodulacje. PL

Claims (11)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Urzadzenie do modulowania sygnalu elektrycz¬ nego w ten sposób, iz sygnal ten wraz z drga¬ niem pomocniczym doprowadza sie do obwodu elektrycznego, zawierajacego kondensator, po¬ siadajacy dielektryk, którego wlasciwosci za¬ leza od napiecia na kondensatorze lub pradu w kondensatorze albo od napiecia i pradu, w szczególnosci urzadzenie do modulowania i wzmacniania sygnalu, przy czym wzmocniony sygnal pobiera sie z jednego z wystepujacych w obwodzie modulowanych drgan, najlepiej modulowanego drgania pomocniczego, przez demodulacje go, znamienne tym, ze obwód za¬ wiera przynajmniej jeszcze jeden wymienio¬ nego rodzaju kondensator tak wlaczony, iz wystepujace na kondensatorach napiecie syg¬ nalowe i napiecie drgania pomocniczego, do¬ prowadza sie do kondensatorów jedno szere¬ gowo, drugie zas równolegle.
  2. 2. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, znamienne tym,, ze napiecie pomocnicze jest doprowadzone do kondensatorów szeregowo, a napiecie sygna¬ lowe — równolegle.
  3. 3. Urzadzenie wedlug zastrz. 2, znamienne tymr ze napiecie sygnalowe jest doprowadzone do kondensatorów poprzez opory, cewki albo ob¬ wody rezonansu równoleglego, nastrojone na drgania pomocnicze.
  4. 4. Urzadzenie wedlug zastrz. 2, znamienne tym, ze zródlo napiecia sygnalowego posiada przy¬ najmniej dla pradów zmiennych o czestotli¬ wosci drgan , pomocniczych wielki opór, np. rzedu oporu komórki fotoelektrycznej.
  5. 5. Urzadzenie wedlug zastrz. 1 — 4, znamienne tym, ze zródla napiecia sygnalowego i napie¬ cia pomocniczego sa w ten sposób wlaczone w mostek, iz na zródle napiecia sygnalowego praktycznie nie wystepuje napiecie drgan po¬ mocniczych.
  6. 6. Urzadzenie wedlug zastrz. 5, znamienne tym, ze przynajmniej dwie galezie mostku zawie¬ raja kondensatory z dielektrykiem, zaleznym od napiecia lub pradu albo napiecia i pradu.
  7. 7. Urzadzenie wedlug zastrz.. 1 — 6, znamienne tym, ze zespól kondensatorów posiada dielek¬ tryk, stanowiacy jedna calosc, przy czym przynajmniej jedna elektroda tych kondensa¬ torów jest polaczona z dielektrykiem za po¬ moca warstwy materialu zle przewodzacego prad albo pólprzewodnika.
  8. 8. Urzadzenie wedlug zastrz. 7, w którym przy¬ najmniej dwie elektrody sa polaczone z die¬ lektrykiem poprzez material zle przewodzacy albo pólprzewodnik, a dwie inne elektrody stykaja sie z nim bezposrednio, znamienne tym, ze linia, laczaca obie pierwsze elektrody, jest prostopadla do linii, laczacej dwie drugie elektrody.
  9. 9. Urzadzenie wedlug zastrz. 1 — 8 z lampa wy¬ ladowcza lub komórka fotoelektryczna, zna¬ mienne tym, ze przynajmniej jeden, a najle¬ piej dwa kondensatory, polaczone przynaj¬ mniej z jedna elektroda lampy wyladowczej i posiadajace wymienionego rodzaju dielektryk, sa umieszczone wewnatrz banki lampy wyla¬ dowczej lub komórki fotoelektrycznej.
  10. 10. Urzadzenie wedlug zastrz. 9, znamienne tym, ze elektroda lampy wyladowczej jest wypro- — 4 —wadzana na zewnatrz jedynie poprzez konden¬ sator albo kondensatory.
  11. 11. Urzadzenie wedlug zastrz. 10, znamienne tym. ze elektroda lampy wyladowczej jest polaczo¬ na z jedna z okladzin dwu kondensatorów u- mieszczonych w bance, a obie pozostale okla¬ dziny tych kondensatorów sa wyprowadzone na zewnatrz. N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Zastepca: inz. W. Zakrzewski rzecznik patentowy '3 r ,11 JeJp.J. fyA. Bltk. nr 1 — i5< zam, 1312—19.1Y-51 T-2-112T5- 23-X-51 r.Do opisu patentowego nr 34268 •* £ i3 s ©-* ¦-fl -C±3 mMO®&(k &&& A.*. BIBLIOTEK* I i s PL
PL34268A 1947-12-30 PL34268B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL34268B1 true PL34268B1 (pl) 1951-02-28

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4808887A (en) Low-pressure discharge lamp, particularly fluorescent lamp high-frequency operating system with low inductance power network circuit
US6529363B2 (en) Capacitor integrated into transformer by multi-layer foil winding
US4401844A (en) Power supply bar comprising a stack of 2 n metal layers separated by 2 n dielectric layers
DE2936890C2 (de) Temperaturregelung für elektrische Oberflächenheizung
PL34268B1 (pl)
JPH06349666A (ja) 積層セラミックコンデンサ
US1976391A (en) Thermionic system
JPH06349678A (ja) 貫通型コンデンサ及びそれを用いた電子装置並びに貫通型コンデンサの実装方法
US3388336A (en) Phase shift amplifier apparatus using constant k filter networks in pushpull relationship
US3358215A (en) Varactor harmonic generator including a pin diode shunt
US4516092A (en) Leadless filter component
US4868462A (en) High voltage transformer for high frequency medical X-ray generator
JPS5948530B2 (ja) 無誘導コンデンサ
CN116013693A (zh) 一种高压交流电容器
GB2057765A (en) Capacitor comprising stripline connections
US5379181A (en) Smoothing device for a power supply
US3596152A (en) Capacitor with laminar electrode
JPS5976175A (ja) 多倍圧整流回路
US12461137B2 (en) Shielding-type insulation detection structure
GB2050735A (en) Protecting oscillator transistor
US3909699A (en) Low impedance transmission line for bypassing radio frequency energy around high voltage rectifier stacks
JPH04139808A (ja) 油入コンデンサとそれを用いた倍電圧回路
JPS58147181A (ja) ジヨセフソン集積回路装置
KR200243631Y1 (ko) 유도형 필름 콘덴서
US3275894A (en) Thin-film switching circuit