PL25967B1 - Tworzywo na oporniki elektryczne w postaci mieszaniny spieczonej o ujemnym wspólczynniku cieplnym opornosci, oraz sposób wytwarzania oporników z tego tworzywa. - Google Patents
Tworzywo na oporniki elektryczne w postaci mieszaniny spieczonej o ujemnym wspólczynniku cieplnym opornosci, oraz sposób wytwarzania oporników z tego tworzywa. Download PDFInfo
- Publication number
- PL25967B1 PL25967B1 PL25967A PL2596735A PL25967B1 PL 25967 B1 PL25967 B1 PL 25967B1 PL 25967 A PL25967 A PL 25967A PL 2596735 A PL2596735 A PL 2596735A PL 25967 B1 PL25967 B1 PL 25967B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- oxide
- mixture
- resistors
- oxides
- conductive
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 15
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 14
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical group [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical group [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N thorium dioxide Chemical compound O=[Th]=O ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910003452 thorium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 2
- 241001494479 Pecora Species 0.000 claims 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- FCTBKIHDJGHPPO-UHFFFAOYSA-N uranium dioxide Inorganic materials O=[U]=O FCTBKIHDJGHPPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OOAWCECZEHPMBX-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);uranium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[U+4] OOAWCECZEHPMBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910003439 heavy metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019704 Nb2O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019647 acidic taste Nutrition 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical class [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- -1 other oxides Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004772 tellurides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Description
Do sporzadzania oporników elektrycz¬ nych o ujemnym wspólczynniku cieplnym opornosci uzywa sie czesto dwutlenku ura¬ nu (U02). Dwutlenek uranu, o ile jest, u- mieszczony w atmosferze redukujacej wzglednie obojetnej, posiada stale te same wlasciwosci elektryczne. Oprócz duzych zalet dwutlenek uranu posiada tez jednak i pewne wady; tak np. duzy ciezar wlasci¬ wy zmusza do szczególnie mocnego umoeO'- wywania oporników duzych rozmiarów; poiza tym cena samego materialu oporowe¬ go jest dfosc wysoka. Zachodzi zatem po¬ trzeba wyszukania innych pólprzewodni¬ ków, które wykazuja ujemne wspólczyn¬ niki cieplne opornosci elektrycznej i któ¬ re posiadaja zalety dwutleilku uranu, nie posiadaja natomiast jego wad. Przy poszu¬ kiwaniu tych pólprzewodników powstaja trudnosci w zwiazikui ze sprawa niezmien¬ nosci; wlasciwosci chemicznych, poniewaz oporniki z omawianych pólprzewodiników zostaja czesto wbudowane jako dodatkowe w wariatory, aby skompensowac skutki do¬ datniego wspólczynnika cieplnego oporno¬ sci meterialu oporowego opornika glówne¬ go wariatorów, a; mianowicie ograniczyc do poizadanej miary natezenie pradu naitych-#i§si R0f feS^Swlazeniu, poniewaz nateze- „Niiie pradu mpgloby; wj przeciwnym razie ^siajjnac wartosc nadfnierna w poczatko¬ wym zimnym stanie opornika glównego, W takich wariatoracih wymienione pólprze¬ wodniki musza przeto w wysokiej tempera¬ turze byc odporne na dzialanie wodoru, którym wypelnione sa wariatory. Tlenki metali, które nie zmieniaja sie w atmosfe¬ rze redukujacej lub obojetnej i w podwyz¬ szonej temperaturze, y np. W02, W205, Mo205 i V203, posiadaja najczesciej duza przewodnosc wlasciwa, przy czym ich wspólczynnik cieplnjy opornosci elektrycz¬ nej, jezeli jest ujemny, to posiada niewiel¬ ka was^cb^^ posiada wartosc zero, nieraz zas jest nawet dodatni, posiadajac mala wartosc bezwzgledna.Stwierdzono jednak, ze przy zastoso¬ waniu spieczonej mieszaniny cial przewo¬ dzacych i nieprzewodzacych o odpowied¬ nim skladzie mozna otrzymac material o- ponowy, wykazujacy równiez wysoki ujem¬ ny wspólczynnik cieplny opornosci elek¬ trycznej, jak i dwutlenek uranu, a pod nie¬ którymi wzgledami wykazujacy nawet wyz¬ szosc nad tym ostatnim, Wedlug wynalazku spieczona mieszanina,, stanowiaca tworzy¬ wo takich oporników, sklada sie najwyzej w 75% z jednego lub kilku nizszych tlen¬ ków metali o opornosci wlasciwej, wyno¬ szacej najwyzej 10 omów na 1 cm2 prze¬ kroju i 1 cm dlugosci, nie redukujacych sie do czystych metali w wodorze w zakresie temperatur od 800°C do 1500°C, a w 25% sklada sie z substancji izolacyjnej, nie rozkladajacej sie podiczas fabrykacji (wy^ palanie redukujace w temperaturze do 1 700°C) i podczas uzytkowania (ogrzewa¬ nie pradem elektrycznym do temperatury od' 400°C do 800°C), a posiadajacej opor¬ nosc wlasciwa, wieksza niz 105 omów na 1 cm2 przekroju i 1 cm dlugosci. Prak¬ tycznie celowe jest wytwarzanie omawia¬ nych oporników w ten sposób, iz skladniki tworzywa opornika, które w oporniku go¬ towym maja objac role przewodników fTA- du, miesza sie ze skladnikami nieprzewo- dzacymi pradu nie w ostatecznej postaci chemicznej tych pierwszych, lecz w posta¬ ci zwiazków o wyzszym stopniu utlenienia, przewaznie na razie jeszcze nieprzewodza¬ cych pradu, po czym otrzymana mieszani¬ ne stlacza sie w formach lub wtryskuje do form, a nastepnie wypala sie ja w atmo¬ sferze redukujacej. Podczas tego wypala¬ nia!, które w przypadku tej postaci wyko¬ nania wynalazku odbywa sie juz po me¬ chanicznym uformowaniu kadluba oporni¬ ka, nieprzeWodzace zwiazki o wyzszym stopniu utlenienia, przechodza w dobrze przewodzace zwiazki o nizszym stopniu utlenienia. Azeby podczas uzytkowania! o- pornika utrzymac w nim jego nizej utle¬ nione przewodzace skladniki w niezmienio¬ nej postaci, celowe jest umieszczenie opor¬ nika w atmosferze redukujacej lub oboje¬ tnej.Bardzo dobre wyniki otrzymano z tlen¬ kiem tytanu o nizszym stopniu utlenienia.W celu otrzymania materialu Oporowego', zawierajacego taki tlenek tytanfi, korzy¬ stne jest zmieszanie nieprzewodizacego dwutlenku tytanu Ti02 z jakims tlenkiem równiez nieprzewodzacym, ale niezmiennym w srodowisku redukcyjnym, np. z tlenkiem wapniowca, tlenkiem glinowca, dwutlen¬ kiem krzemu, tlenkiem cyrkonu, tlenkiem hafnu, tlenkiem toru, pieciotlenkiem tanta¬ lu, tlenkiem chromu (Cr203/, tlenkiem manganu (MnO), lub z kilkoma sposród tych tlenków. Co sie tyczy uzycia, tlenku chromu, to nalezy zauwazyc, ze tlenek chromu Cr20s zajmuje polozenie wyjatko¬ we w tym sensie, iz, w przeciwienstwie do iiimych wymienionych tlenków, oddaje nad¬ miar tlenu przy redukcji mieszaniny spie¬ czonej w strumieniu wodoru i staje sie przez to nieprzewodzacym, podczas gdy przy zwyklej obróbce, to znaczy podczas wypa¬ lania w warunkach utleniajacych, np, w powietrzu, pozostaje przewodnikiem; z te- — 2 —go tez powodu zostal cm tu przytoczony jako skladnik .przewodzacy w mieszani¬ nach spieczonych.Mieszanine tlenków, które po wypaleniu maja stanowic przewodzace i nieprzewo- dzace skladniki tworzywa opornika, for¬ muje sie przez stlaczanie lub natryskiwa¬ nie. Wskazane jest wypalanie otrzymanych w ten sposób kadldbów najpierw w atmo¬ sferze utleniajacej, np. w powietrzu. W ten sposób otrzymuje sie nieprzewodzace ka¬ dluby ceramiczne o bardzo, wielkiej wytrzy¬ malosci mechanicznej. Postepowanie po¬ wyzsze posiada te zalete, ze skladniki mieszaniny w wyzszych temperaturach u- jawniaja w stosunku do siebie rózne kwa¬ sowosci, wskutek czego posiadaja ÓAznosó do wchodzenia ze soba w zwiazki o cha¬ rakterze soli, np. tworzac tytanian magne¬ zu, wskutek czego w calej masie kadluba opornika zachodzi pewnego rodzaju pro¬ ces chemiczny. W wyniku tego procesu wielkosc ziaren wykonczonego ceramicz¬ nego produktu jest niezalezna od mniej lub wiecej przypadkowej wielkosci ziaren materialów wyjsciowych. Po tym wypala¬ niu wstepnym otrzymany kadlub obrabia sie w takiej temperaturze, iz dwutlenek ty¬ tanu przechodzi przy slabym odtlenianiu w przewodzacy tlenek o nizszym stopniu utlenienia (o wzorze smarycznym TiOx f w którym x jest zawarte miedzy 1 a 2) f pod¬ czas gdy dodany tlenk nieprzewodzacy pozostaje bez zmiany. Jezeli stosuje sie mieszanine dwutlenku tytanu z tlenkiem magnezu, to wyzarzanie odbywa sie w at¬ mosferze wodónu w temperaturze 800 — — 1 500°C, Otrzymuje sie w ten sposób bardzo dokladne rozdzielenie dobrze prze¬ wodzacego skladnika TiO x (gdzie x lezy pomiedzy 1 lub 2) w tlenku, nieprzewodza- cym równiez i w wysokich temperaturach, np. w tlenku magnezu. Zamiast tlenku mag¬ nezu moga tez znalezc zastosowanie i inne tlenki wzglednie ich mieszaniny, o ile w temperaturach, stosowanych w czasie fa¬ brykacji (do 1 700°C) lub osiagalnych w czasie uzycia (od 400°C do 800°C), nie u- legaja one roizklacjowi lub redukcji. Kadlu¬ by oporowe, otrzymane w ten sposób, za¬ chowuja bez zmiany swe wlasciwosci elek¬ tryczne równiez i w wysokich temperatu¬ rach i niezaleznie od tego czy pracuja w atmosferze redukujacej, czy tez obojetnej.Zamiast tlenku tytanu, który przytoczo¬ ny zostal jako przyklad szczególnie korzy¬ stny, mozna tez zastosowac niektóre tlenki niobu (Nb2Ox przy wartosci x mniejszej od 5), wanadu (V20^ przy wartosci x mniejszej od1 5) lub tez mieszaniny tych tlenków. Podobne, lecz nie tak korzystne wlasciwosci poisiadaja równiez miedzy in¬ nymi tlenki miedzi, cynku, kadmu, cyny, olowiu, zelaza i kobaltu. Jednakze ostatnio wymienione tlenki przewodzace latwo re¬ dukuja sie i rozkladaja, nie moga przeto byc bez specjalnych srodków zabezpiecza¬ jacych stosowane w wariatorach. Zamiast mieszanin wspomnianych tlenków mozna tez uzywac mieszanin selenków lub tellur- ków, przy czym nalezy równiez zachowac podana wyzej regule, iz zawartosc w mie¬ szaninie skladników przewodzacych o niz¬ szym stopniu utlenienia, nie powinna wy¬ nosic wiecej niz 75%, a skladników nie- przewodzacych — mniej niz 25 %.Przy zastosowaniu trójwartosciowych tlenków metali grupy wainadu periodyczne¬ go ukladu pierwiastków, w! szczególnosci przy zastosowaniu tlenku niobu Nb20~ i tlenku wanadu V203 osiaga sie najlepsze rezultaty wówczas, gdy podczas wypala¬ nia w atmosferze redukujaoej temperatura wynosi 1 600°C lulb nawet wiecej. Razem z tlenkami przewodzacymi prad stosuje sie przy tym równiez izolacyjne tlenki trój¬ wartosciowe, np. tlenek glinu (Al20z) i tle¬ nek chromu (Cr^O^). Tlenek chromu po wypaleniu w atmosferze redukujacej w temperaturze okblfo 1 600°C wykazuje opor¬ nosc, lezaca powyzej 105 omów na 1 cm dlugjoscii i cm2 przekroju próbki. W po- — 3 —równaniu z dobrze przewodzacymi tlenka¬ mi niobu i wanadu nalezy go przeto naz¬ wac zlym przewodnikiem.Wypalanie w atmosferze redukujacej w temperaturze 1 600°C i wyzszej nadaje wymienionym wyzej trójwartosciowym tlenkom zupelnie niezmicoine wlasciwosci elektryczne, przy czym kii cieplny wspól- czynnik opornosci staje sie ujemny.Zamiast, jak to wyzej powiedziano, miewac tlenki metali ciezkich o wyzszym stopnia utlenienia z materialami nieprze- wodracyroi, wypalac mieszanine i nastep¬ nie wymieszane tlenki metali ciezkich redu¬ kowac, mozna tez oczywiscie dodawac od- razu tlenki metali o nizszym stopniu utle¬ nienia do materialów nieprzewodzacych.Wówczas uskutecznia sie tylko wypalanie w atmosferze nieutleniajacej, lecz istnieje zaleznosc opornosci produktu koncowego od wielkosci ziaren materialów wyjscio¬ wych.Kadluby oporowe wedlug wynalazku moga byc z powodzeniem uzywane do o- graniczenia natezenia pradu przy jego wlaczaniu. Szczególnie celowe jest wbu¬ dowywanie idh w wariatory Kadluby opo¬ rowe wedlug wynalazku moga poza tym znalezc zastosowanie do regulowania na¬ piec. Stwierdzono mianowicie, ze stosujac tworzywa oporowe wedlug wynalazku, mozna otrzymac oporniki, posiadajace nie* zbedna w niektórych zastosowaniach opa¬ dajaca charakterystyke zaleznosci napie* cia na koncówkach opornika od przeply¬ wajacego przezen pradu* Mozna to miano¬ wicie osiagnac praez nadanie tworzywu znacznej opornosci wlasciwej za pomoca odpowiedniego doboru jego skladu oraz przez wytworzenie pewnego dodatniego lub ujemnego, lub posiadajacego w róznych punktach rózne znaki (+ lub —) spadku temperatury wzdluz kadluba opornika, to jest w kierunku przeplywu pradu* Przy pewnym danym sposobie chlodzenia kadlu¬ ba oporowego, do którego to celu moga byc uzyte czesci, podtrzymujace kadlub oporo¬ wy, ksztalt charakterystyki zaleznosci na- piecia od natezenia pradu zalezy ad opor¬ nosci wlasciwej kadluba oporowego, która mozna latwo) regulowac przez odpowiedni dobór wlasciwych ilosci zwiazków przewo¬ dzacych i nieprzewodzacych, wchodzacych w sklad mieszaniny, z której zostal wyko¬ nany kadhib oporowy- Oporniki wedlug wynalazku moga byc z duza korzyscia sto¬ sowane w ukladach polaczen wzmacnia^ czy. PL
Claims (7)
- Zastrzezenia patentowe* 1. Tworzywo na oporniki elektryczne w postaci mieszaniny spieczonej o ujem¬ nym wspólczynniku cieplnym opornosci, znamienne tym, ze najwyzej 75% miesza¬ niny spieczonej stanowi jeden lub kilka tlenków metali o nizszym stopniu utlenie¬ nia, posiadajacych opornosc wlasciwa naj¬ wyzej 10 omów na 1 cm2 przekroju i 1 cm dlugosci i nie dajacych sie redukowac do metali w atmosferze wodoru w temperatu¬ rze 800 — 1 500aCf a pozostale 25% mie¬ szaniny spieczonej stanowi material izolar cyjny, nie rozkladajacy sie w temperatu¬ rach, wystepujacych w czasie fabrykacji lub uzytkowania, i posiadajacy opornosc wlasciwa wyzsza od 105 omów na 1 cm2 przekroju i 1 cni dlugosci. 2. Twotzywo wedlug zastrz. 1, zna¬ mienne tym, ze skladnikiem, wynoszacym najwyzej 75% mieszaniny spieczonej, a utworzonym % tlenków metali o nizszym stopniu utlenienia^ jest tlenek tytanu o wzo¬ rze sumarycznym TiOx, w którym x jest zawarte miedzy 1 a
- 2.
- 3. Tworzywo wedlug zastrz. 1, zna¬ mienne tym, ze skladnikiem, wynoszacym najwyzej 75% mieszaniny spieczonej, a utworzonym z tlenków metali o nizszym stopniu utlenienia, jest tlenek niobu lub wanadu o wzorze Nb2Ox Wb V2CK, w któ¬ rym x yest mniejsze od 5, wzglednie sklad-niklem tym jest mieszanina tych tlen¬ ków lub mieszanina ich z tlenkiem ty¬ tanu,
- 4. Tworzywo wedlug zastrz. 1 — 3, znamienne tym, ze skladnikiem w postaci materialu izolacyjnego, stanowiacym 25% mieszaniny spieczonej, jest tlenek wapnio- wca, tlenek glinowca, dwutlenek krzemu, tlenek cyrkonu, tlenek hafnu, tlenek toru, pieciotlenek tantalu, tlenek manganu (MnO) lub tlenek chromu (Cr203), podda¬ ny obróbce w warunkach redukujacych, albo mieszanina kilku wymienionych tlen¬ ków.
- 5. , Sposób sporzadzania oporników z tworzyw wedlug zastrz. 1 — 4, znamienny tym, ze ze skladnikami izolacyjnymi mie¬ sza sie nie przewodzace tlenki metali o niz¬ szym stopniu utlenienia, lecz odpowiadaja¬ ce im nieprzewodzace zwiazki o wyzszym stopniu utlenienia, po czym otrzymana mie¬ szanine formuje sie mechanicznie w kadlu¬ by oporowe, a nastepnie wypala w atmo¬ sferze redukujacej, przy czym w trakcie te¬ go wypadania zwiazki o wyzszym stopniu utlenienia przechodza przy slabym odmie¬ nianiu w zwiazki o nizszym stopniu utle¬ nienia.
- 6. Odmiana sposobu wedlug zastrz. 5, zniaimietnna tym, ze uformowane mechanicz¬ nie kadluby oporowe sa wypalane najpierw w atmosferze utleniajacej, a po tym dopie¬ ro w atmosferze obojetnej lub redukuja¬ cej.
- 7. Sposób sporzadzania oporników z tworzywa wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jeden lub kilka przewodizacych trójwartosciowych tlenków metali grupy wanadu periodycznego ukladu pierwiast¬ ków, w szczególnosci tlenek niobu Nb20s i tlenek wanaidb V203 miesza sie z jednym lub z kilkoma trójwartosciowymi tlenkami izolacyjnymi, np. tlenkiem glinu A1203 lub tlenkiem chromu Cr2Os, i wypala w tempe¬ raturze 1 600°C lub wyzszej. Patent-Treuhand- G esell schaf t f ii r elektrische G lii hi ani pen m. b. H. Zastepca: Inz. Cz. Raczynski, rzecznik patentowy. bruk L. Boguslawskiego i Ski, Warszaw*. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL25967B1 true PL25967B1 (pl) | 1938-01-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2950996A (en) | Electrical resistance material and method of making same | |
| US2786819A (en) | Resistor | |
| DE2905905A1 (de) | Wabenfoermiges heizelement | |
| EP1219577A2 (en) | Low temperature sintered ferrite material and ferrite parts using the same | |
| Su et al. | Preparation of porous BaTiO3 PTC thermistors by adding graphite porosifiers | |
| DE2460629A1 (de) | Verfahren zur kontinuierlichen messung von badparametern in einem ofen zur schmelzflusselektrolyse | |
| JPS58112301A (ja) | 負の温度係数を有するサ−ミスタとその製造法 | |
| DE2809818A1 (de) | Silberzusammensetzungen | |
| PL25967B1 (pl) | Tworzywo na oporniki elektryczne w postaci mieszaniny spieczonej o ujemnym wspólczynniku cieplnym opornosci, oraz sposób wytwarzania oporników z tego tworzywa. | |
| Chen et al. | Preparation and electrical properties of ZnO‐Bi2O3‐based multilayer varistors with base metal nickel inner electrodes | |
| McNeill | The preparation of cadmium niobate by an anodic spark reaction | |
| CN105185429B (zh) | 贱金属电子浆料用包封介质浆料及其应用 | |
| DE19832843A1 (de) | Thermistor | |
| DE712538C (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstandskoerpern mit negativem Temperaturkoeffizienten aus isolierenden Oxyden und leitenden niederen Oxyden | |
| DE2637227C3 (de) | Heißleiter für hohe Temperaturen | |
| US1922847A (en) | Process of metal deposition and product thereof | |
| US2958936A (en) | Electrical semi-conductors and method of manufacture | |
| DE974395C (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Widerstandsmassen mit positivem Widerstands-Temperatur-Koeffizienten | |
| DE4402667A1 (de) | Gegenüber Basizität beständiges hitzebeständiges Material | |
| US3073881A (en) | Thermoelectric ceramic | |
| US2739276A (en) | Copper oxide rectifier and method of making the same | |
| DE516308C (de) | Elektrischer Widerstand, der aus einem Isoliertraeger mit einem darauf aufgewickelten Metalldraht oder einer darauf aufgebrachten Metallschicht besteht und mit einer Glasur oder Emaille bedeckt ist | |
| JPS62136802A (ja) | 酸化物抵抗体 | |
| JPH05258937A (ja) | セラミックインダクタ部品および複合積層部品 | |
| DE2117009C3 (de) | Nicht gleichrichtendes, monostabiles Festkörperbauelement und Verfahren zum Herstellen |