PL217574B1 - Sposób wytwarzania krzemku magnezu - Google Patents
Sposób wytwarzania krzemku magnezuInfo
- Publication number
- PL217574B1 PL217574B1 PL389587A PL38958709A PL217574B1 PL 217574 B1 PL217574 B1 PL 217574B1 PL 389587 A PL389587 A PL 389587A PL 38958709 A PL38958709 A PL 38958709A PL 217574 B1 PL217574 B1 PL 217574B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- temperature
- magnesium
- synthesis
- pressure
- self
- Prior art date
Links
- 229910021338 magnesium silicide Inorganic materials 0.000 title claims description 6
- YTHCQFKNFVSQBC-UHFFFAOYSA-N magnesium silicide Chemical compound [Mg]=[Si]=[Mg] YTHCQFKNFVSQBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 15
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 13
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- -1 660 ° C Chemical compound 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims 1
- 229910019752 Mg2Si Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005551 mechanical alloying Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910019018 Mg 2 Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004035 construction material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910012375 magnesium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- XNGYKPINNDWGGF-UHFFFAOYSA-L silver oxalate Chemical compound [Ag+].[Ag+].[O-]C(=O)C([O-])=O XNGYKPINNDWGGF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania krzemku magnezu, który ze względu na właściwości może służyć jako materiał konstrukcyjny, jako powłoka do ochrony różnych powierzchni przed nadmiernym zużyciem, a także jako materiał do produkcji modułów Peltiera oraz generatorów termoelektrycznych.
Do najczęściej stosowanych metod otrzymywania krzemku magnezu Mg2Si należą metoda przetapiania indukcyjnego oraz metoda stopowania mechanicznego.
Przetapianie indukcyjne polega na tym, że zhomogenizowaną mieszaninę reagentów umieszcza się w tyglu i przetapia się uzyskując polikrystaliczny materiał. Konieczna jest jednak dodatkowa obróbka cieplna w celu ujednorodnienia składu. Przejście reagentów przez fazę ciekłą wymaga podgrzania układu do temperatury około 1100°C. W tej temperaturze prężność par magnezu jest wielokrotnie wyższa niż krzemu (Twrzenia dla Mg wynosi 1091°C). Powoduje to silne parowanie i znaczący ubytek tego pierwiastka ze strefy reakcji. W związku z tym, syntezę prowadzi się przy nadmiarze Mg lub w szczelnie zamkniętych tyglach.
Synteza Mg2Si metodą stopowania mechanicznego polega na tym, że stechiometryczną mieszaninę reagentów (Mg i Si) w formie proszków o starannie dobranym uziarnieniu umieszcza się w wibracyjnym młynie kulowym i miele się w celu uzyskania jak największego stopnia przereagowania, przy czym stosunek wagowy elementów mielących do mieszaniny reakcyjnej wynosi około 20:1. Wadą tej metody jest możliwość zanieczyszczenia produktu reakcji tlenem lub materiałem, z którego wykonany jest młyn i mielniki.
Ze zgłoszenia nr CN 101 264 890 znany jest sposób wytwarzania proszku Mg2Si na drodze będącej w pewnym sensie połączeniem w/w metod. W tej nowej metodzie proszki magnezu i krzemu po zmieszaniu w odpowiednich proporcjach, miele się w celu uzyskania odpowiedniej aktywacji powierzchni ziaren. Otrzymaną w pierwszym etapie mieszaninę substratów umieszcza się w tyglu, który zostaje zamknięty w szczelnym reaktorze. Tak przygotowany układ jest podgrzewany do temperatury 700-900°C, a następnie chłodzony do temperatury otoczenia. Metoda ta nadaje się do otrzymywania Mg2Si o wysokiej czystości.
Z międzynarodowego zgłoszenia nr WO 02 083 561 znany jest sposób wytwarzania Mg2Si, a także materiałów trójskładnikowych Mg2(Si, E), E = Sn, Ge, Pb z wodorku magnezu, krzemu i wybranego trzeciego składnika. Opisana synteza odbywa się w złożu proszkowym, przez które impulsowo przepływa prąd elektryczny o dużym natężeniu.
Istota wynalazku polega na tym, że stechiometryczną mieszaninę proszków krzemu, o uziarnieniu poniżej 45 pm oraz magnezu o uziarnieniu poniżej 850 pm z ewentualnym dodatkiem modyfikatorów w postaci proszków korzystnie pierwiastków grup l (a, b), lll (a, b), IV a i V (a, b) w postaci czystej lub związków chemicznych, ulegających rozkładowi w podwyższonych temperaturach, w ilości od 1 do 40% at (pojedynczo lub w kombinacji) homogenizuje się, a następnie zagęszcza się na zimno pod ciśnieniem 200-500 MPa. Mieszaninę umieszcza się w reaktorze w atmosferze ochronnej pod ciśnieniem od 1-10 Pa, po czym inicjuje się wysokotemperaturową, samorozwijającą się syntezę w temperaturze zbliżonej do temperatury topnienia magnezu, tj. około 660°C. Reakcja zapoczątkowana lokalnie lub globalnie rozprzestrzenia się w kilkanaście sekund w całej objętości złoża i przebiega w warunkach adiabatycznych aż do wyczerpania reagentów. Produkt samorozwijającej się syntezy wysokotemperaturowej w postaci proszku poddaje się obróbce cieplnej w temperaturze 500-1000°C. Otrzymany proszek krzemku magnezu można zagęszczać metodą prasowania na gorąco w temperaturze 800-1000°C pod ciśnieniem 25-50 MPa, zależnie od składu chemicznego, rodzaju i ilości modyfikatora.
Do zalet sposobu otrzymywania krzemku magnezu według wynalazku można zaliczyć: krótki czas reakcji, wysoki stopień przereagowania oraz stosunkowo niską temperaturę reakcji zbliżoną do temperatury topnienia magnezu. Pozwala to ograniczyć straty magnezu, którego szybkość parowania istotnie wzrasta z temperaturą. Produkt syntezy ma skład ściśle stechiometryczny, a uzyskiwane wydajności są przynajmniej o rząd wielkości wyższe w porównaniu do innych metod. Ze względu na bardzo krótki czas trwania syntezy, ilość tlenkowych zanieczyszczeń, które mogłyby się pojawić z powodu znacznego powinowactwa magnezu do tlenu jest niewielka. Ponadto, proszek Mg2Si otrzymany opisaną metodą nie wymaga dodatkowego rozdrabniania i nadaje się do zagęszczania przez prasowanie na gorąco. Zastosowany do syntezy tygiel ceramiczny nie wymaga szczelnego zamknięcia.
PL 217 574 B1
P r z y k ł a d 1
Proszek krzemu o uziarnieniu 45 pm miesza się z proszkiem magnezu o uziarnieniu 800 pm w stosunku molowym 1:2 i poddaje procesowi homogenizacji. Jednorodną mieszaninę zagęszcza się na zimno pod ciśnieniem 300 MPa, a otrzymane wypraski umieszcza się w reaktorze w atmosferze ochronnej. Reakcja rozpoczyna się w temperaturze zbliżonej do temperatury topnienia magnezu, tj.
ok. 660°C i przebiega do końca w ciągu kilkunastu sekund. Produkt syntezy (Mg2Si) poddaje się obróbce cieplnej w temperaturze 600°C przez 2 godziny. Tak otrzymany proszek przesiewa się przez sito 63 pm i prasuje się w matrycy grafitowej przez 2 godziny w temperaturze 1000°C pod ciśnieniem 3
MPa. Materiał finalny ma gęstość równą gęstości teoretycznej Mg2Si, która wynosi 1,99 g/cm3.
P r z y k ł a d 2
Do proszku krzemu o uziarnieniu 45 pm dodaje się proszek magnezu o uziarnieniu 800 pm w stosunku molowym 1:2 i proszek szczawianu srebra w ilości takiej, aby stężenie srebra w Mg2Si wynosiło do 2% at, a następnie złoże proszkowe poddaje się procesowi homogenizacji. Jednorodną mieszaninę wstępnie zagęszcza się na zimno pod ciśnieniem 300 MPa. Otrzymane wypraski umieszcza się w reaktorze z atmosferą ochronną. Reakcja rozpoczyna się w temperaturze zbliżonej do temperatury topnienia magnezu, tj. ok. 660°C i przebiega w warunkach adiabatycznych. Produkt syntezy, proszek Mg2Si modyfikowany srebrem, poddaje się obróbce cieplnej w temperaturze 600°C przez 2 godziny, a następnie przesiewa się przez sito 63 pm i prasuje się w matrycy grafitowej przez 2 godziny w temperaturze 1000°C pod ciśnieniem 25 MPa. Produkt finalny ma gęstość bliską gęstości teoretycznej Mg2Si oraz równomierny rozkład srebra w całej objętości.
Claims (3)
- Zastrzeżenia patentowe1. Sposób wytwarzania krzemku magnezu wykorzystujący samorozwijajacą się reakcję syntezy, znamienny tym, że stechiometryczną mieszaninę proszków krzemu, o uziarnieniu poniżej 45 pm oraz magnezu o uziarnieniu poniżej 850 pm homogenizuje się, a następnie zagęszcza się na zimno pod ciśnieniem 200-500 MPa, mieszaninę umieszcza się w reaktorze w atmosferze ochronnej pod ciśnieniem od 1-10 Pa, po czym inicjuje się wysokotemperaturową, samorozwijającą się syntezę ogrzewając złoże do temperatury zbliżonej do temperatury topnienia magnezu, tj. 660°C, reakcja zapoczątkowana lokalnie lub globalnie rozprzestrzenia się w kilkanaście sekund w całej objętości złoża i przebiega w warunkach adiabatycznych, aż do wyczerpania reagentów j powstały produkt samorozwijającej się syntezy wysokotemperaturowej w postaci proszku poddaje się następnie obróbce cieplnej w temperaturze 500-1000°C.
- 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że do mieszaniny reakcyjnej proszków magnezu i krzemu wprowadza się modyfikatory w postaci proszków pierwiastków grup l (a, b), lll (a, b), IV a i V (a, b) w postaci czystej lub związków chemicznych, ulegających rozkładowi w podwyższonych temperaturach, w ilości od 1 do 40 % at, pojedynczo lub w kombinacji.
- 3. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że otrzymany proszek zagęszcza się na gorąco w temperaturze 800-1000°C pod ciśnieniem 25-50 MPa, zależnie od składu chemicznego
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL389587A PL217574B1 (pl) | 2009-11-16 | 2009-11-16 | Sposób wytwarzania krzemku magnezu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL389587A PL217574B1 (pl) | 2009-11-16 | 2009-11-16 | Sposób wytwarzania krzemku magnezu |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL389587A1 PL389587A1 (pl) | 2010-09-27 |
| PL217574B1 true PL217574B1 (pl) | 2014-07-31 |
Family
ID=42941044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL389587A PL217574B1 (pl) | 2009-11-16 | 2009-11-16 | Sposób wytwarzania krzemku magnezu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL217574B1 (pl) |
-
2009
- 2009-11-16 PL PL389587A patent/PL217574B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL389587A1 (pl) | 2010-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Fu et al. | Understanding the combustion process for the synthesis of mechanically robust SnSe thermoelectrics | |
| EP3028994A1 (en) | Silicon carbide powder and method for producing silicon carbide single crystal | |
| EP2400572A1 (en) | Thermo-electric converting materials, process for producing the same, and thermo-electric converting element | |
| US20150207056A1 (en) | Aluminum-magnesium-silicon composite material and process for producing same, and thermoelectric conversion material, thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion module each comprising or including the composite material | |
| CN105765748B (zh) | 具有高热电优值的纳米结构的硒化铜及其制备方法 | |
| Ur et al. | Solid-state syntheses and properties of Zn4Sb3 thermoelectric materials | |
| Hossain et al. | YB48 the metal rich boundary of YB66; crystal growth and thermoelectric properties | |
| Singhal et al. | Synthesis of cubic boron nitride from amorphous boron nitride containing oxide impurity using Mg–Al alloy catalyst solvent | |
| JP7603297B2 (ja) | 熱電変換材料及びその製造方法 | |
| Yaprintseva et al. | Preparation and thermoelectric properties of high-entropy (Bi2/3Sb1/3) 2 (Te2/5Se2/5S1/5) 3 alloy | |
| Niyomwas | The effect of carbon mole ratio on the fabrication of silicon carbide from SiO 2-C-Mg system via self-propagating high temperature synthesis. | |
| US7186391B1 (en) | Sintered compact of lanthanum sulfide or cerium sulfide and method for preparing the same | |
| Fan et al. | Thermoelectric properties of p-type Te-doped (Bi, Sb) 2Te3 alloys by mechanical alloying and plasma activated sintering | |
| PL217574B1 (pl) | Sposób wytwarzania krzemku magnezu | |
| JPH07500810A (ja) | 窒化硼素基礎非晶形超硬材の製法 | |
| Yang et al. | Microstructure evolvements of a rare-earth filled skutterudite compound during annealing and spark plasma sintering | |
| Fang et al. | Simultaneous enhancement of mechanical and thermoelectric properties of Ag2Te via in-situ formed nanoprecipitate under high-pressure | |
| CN100581692C (zh) | 一种镁基热电材料的制备方法 | |
| JP4060803B2 (ja) | ホウ化ジルコニウム粉末の製造方法 | |
| Uvarov et al. | High Temperature Thermoelectric Properties of Yb14–x Ca x MnSb11 Made by Reaction of the Elements | |
| Stiewe et al. | Thermoelectric characterization of zone-melted and quenched Zn4Sb3 | |
| JP5181329B2 (ja) | 窒化アルミニウム含有物の製造方法 | |
| JP4123388B2 (ja) | 亜鉛アンチモン化合物焼結体 | |
| Sesselmann et al. | The influence of synthesis procedure on the microstructure and thermoelectric properties of p-type skutterudite Ce0. 6Fe2Co2Sb12 | |
| Lee et al. | Synthesis of Bi-Te-Se-based thermoelectric powder by an oxide-reduction process |