PL213224B1 - Nowa pochodna alkilobis(tiofeno)fenotiazyny i sposób jej wytwarzania - Google Patents

Nowa pochodna alkilobis(tiofeno)fenotiazyny i sposób jej wytwarzania

Info

Publication number
PL213224B1
PL213224B1 PL379742A PL37974206A PL213224B1 PL 213224 B1 PL213224 B1 PL 213224B1 PL 379742 A PL379742 A PL 379742A PL 37974206 A PL37974206 A PL 37974206A PL 213224 B1 PL213224 B1 PL 213224B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
phenothiazine
thiophene
nonyl
bis
tiopheno
Prior art date
Application number
PL379742A
Other languages
English (en)
Other versions
PL379742A1 (pl
Inventor
Jadwiga Soloducho
Mieczysław Łapkowski
Jacek Doskocz
Joanna Cabaj
Original Assignee
Politechnika Wroclawska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Wroclawska filed Critical Politechnika Wroclawska
Priority to PL379742A priority Critical patent/PL213224B1/pl
Publication of PL379742A1 publication Critical patent/PL379742A1/pl
Publication of PL213224B1 publication Critical patent/PL213224B1/pl

Links

Landscapes

  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Description

Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest nowa pochodna alkilobis(tiofeno)fenotiazyny i sposób jej wytwarzania.
Pochodne fenotiazyny znajdują zastosowanie w budowie chemoczułych elementów urządzeń optoelektronicznych oraz w urządzeniach przetwarzających i magazynujących informacje.
Materiały polimerowe otrzymane z pochodnych fenotiazyny, charakteryzuje dobry transport ładunku, z japońskiego opisu patentowego nr JP 11 158 165 wynika, że tego typu materiały zdolne są budować elektrofotograficzne fotoreceptory o wysokiej czułości. Natomiast z japońskiego zgłoszenia patentowego nr JP 61 103 924 wynika, ze polimery otrzymane z pochodnych fenotiazyny znajdują zastosowanie jako przewodniki elektryczne w diodach, tranzystorach oraz elektrodach baterii słonecznych. Pochodne fenotiazyny oprócz przewodnictwa wykazują również stosunkowo silną elektroluminescencję. Ta grupa związków jest szczególnie interesująca ze względu na redukcyjny charakter powodujący, że dotowane polimery posiadają relatywnie niski zakres absorpcji w zakresie światła widzialnego.
N-nonylo-3,7-bis(tiofeno)fenotiazyna nie została dotychczas opisana w literaturze.
Wynalazek dotyczy nowej pochodnej N-alkilo-bis(tiofeno)fenotiazyny, którą stanowi N-nonylo-3,7-bis(tiofeno)fenotiazyna, o wzorze 1.
Nowy związek ma określoną budowę oraz tworzy stabilne i trwałe monomolekularne warstwy Langmuira-Blodgett. Nowa pochodna przeznaczona jest do zastosowania w tworzeniu polimerów elektroprzewodzących oraz materiałów do budowy urządzeń optoelektronicznych.
Sposób wytwarzania nowej N-nonylo-3,7-bis(tiofeno)fenotiazyny, o wzorze 1, polega na reakcji N-nonylo-3,7-dibromofenotiazyny o wzorze 2 z 2-tributylocynotiofenem w obecności katalizatora palladowego w temperaturze od 80°C do 90°C, korzystnie w temperaturze 85°C, w atmosferze azotu, reakcję prowadzi się w środowisku rozpuszczalnika organicznego, korzystnie w toluenie.
Elektropolimery z układem tiofenu, a szczególnie te pochodne podstawione łańcuchami alkilowymi należą do grupy polimerów elektroprzewodzących, charakteryzujących się dużą przewodnością (σ* = 10-2 S/cm), dobrą trwałością i rozpuszczalnością w wielu rozpuszczalnikach organicznych. Symetryczne wielopierścieniowe przewodzące układy typu donor-akceptor N-nonylo-3,7-bis(tiofeno)fenotiazyny, stanowią atrakcyjny materiał elektroaktywny.
Przedmiot wynalazku ilustruje schemat reakcji oraz przykład otrzymywania nowego związku, ponadto figura 1 przedstawia schemat warstwy przewodzącej LB oraz charakterystykę prądowo-napięciową N-nonylo-3,7-bis(tiofeno)fenotiazyny.
P r z y k ł a d
Do 1,0 g, 2,1 mmola N-nonylo-3,7-dibromofenotiazyny w 100 ml toluenu, dodaje się 2,24 g 2-tributylocynotiofenu (6 mmol) oraz 0,2 g (0.26 mmola) katalizatora - tetrakis(trifenylofosfino)palladu (Pd(PPh3)4. Reagenty miesza się w temperaturze 85°C przez 12 godzin w atmosferze azotu. Przebieg reakcji kontroluje się za pomocą chromatografii cienkowarstwowej (TLC). Toluen oddestylowuje się pod zmniejszonym ciśnieniem. Surowy produkt poddaje się oczyszczaniu na kolumnie chromatograficznej stosując jako eluent heksan, a następnie mieszaninę heksanu i chloroformu w proporcji 3:1. Uzyskany żółty, krystaliczny produkt charakteryzuje się następującymi właściwościami fizycznymi i spektralnymi: t. t. 75°C rozpuszcza się w chloroformie, octanie etylu, metanolu, nie rozpuszcza się w eterze etylowym, benzenie. Wydajność reakcji 75% (0,6 g).
Dane spektralne:
1HNMR (CDCl3), δ: 7,39-7,36 (m, 4H, arom, H), 7,23-7,19 (m, 4H, arom, H), 7,31-7,29 (m, 2H, arom, H), 7,04 (dd, J = 3,63 Hz, J = 8,51 Hz, 2H, arom, H), 7,09-7,07 (m, 2H, arom, H), 4,13 (t, J = 7,2 Hz, 2H, CH2), 1,75 (q, J = 7,4 Hz, 2H, CH2), 1,46-1,22 (m, 4H, CH2), 0,82 (t, J = 6,9 Hz, 3H, CH3);
13 C NMR, (CDCl3) δ 144,0, 129,0, 128,0, 125,0, 124,7, 124,1, 122,3, 115,4, 47,6, 32,8, 31,8, 29,7, 29,5, 29,2, 26,9, 22,7, 14,1.
Dla C21H27NS3 obliczono: C, 64,73; H, 6,98; N, 3.49; znaleziono: C, 64,44; H, 6,70; N, 3,20.
Otrzymany związek, zarówno jako ciało stałe, jak i w roztworze, wykazuje silną niebieskozieloną fluorescencję. Tego typu właściwości optyczne związku mogą być wykorzystane w budowie urządzeń optoelektronicznych np. diody emitującej światło. N-nonylo-3,7-bis(tiofeno)fenotiazyna może ulegać polimeryzacji zgodnie z klasycznym mechanizmem, w którym w pierwszym etapie, w wyniku elektrochemicznego utleniania monomeru, tworzy się aktywny kationorodnik ulegający dalszym, szybkim procesom przyłączania kolejnych monomerów z jednoczesnym odszczepieniem dwóch protonów.
PL 213 224 B1
Charakterystykę prądowo-napięciową filmu LB otrzymanego z N-nonylo-3,7-bis(tiofeno)fenotiazyny przedstawiono na fig. 1. Z przeprowadzonych pomiarów przewodnictwa elektrycznego wynika, że otrzymany film wykazuje przewodność elektryczną rzędu 6,8 x 10-6 S/m, charakterystyczną dla polimerów elektroprzewodzących (przewodnictwo elektryczne politiofenu jest rzędu 10-9 S/cm). Charakterystyka prądowo-napięciowa liniowa w zakresie 0-0,4 V filmu LB osadzonego na podłożu stałym (ITO) wskazuje zgodne z prawem Ohma zachowanie się warstwy.

Claims (3)

1. Nowa pochodna alkilobis(tiofeno)fenotiazyny, którą stanowi N-nonylo-3,7-bis(tiofeno)fenotiazyna o wzorze 1.
2. Sposób wytwarzania nowej N-nonylo-3,7-bis(tiofeno)fenotiazyny o wzorze 1, znamienny tym, że N-nonylo-3,7-dibromofenotiazynę o wzorze 2 poddaje się reakcji z 2-tributylocynotiofenem w obecności katalizatora palladowego w temperaturze od 80°C do 90°C, w atmosferze azotu, w rozpuszczalniku organicznym.
3. Sposób według zastrzeżenia 2, znamienny tym, że reakcję prowadzi się w temperaturze 85°C w toluenie.
PL379742A 2006-05-22 2006-05-22 Nowa pochodna alkilobis(tiofeno)fenotiazyny i sposób jej wytwarzania PL213224B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL379742A PL213224B1 (pl) 2006-05-22 2006-05-22 Nowa pochodna alkilobis(tiofeno)fenotiazyny i sposób jej wytwarzania

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL379742A PL213224B1 (pl) 2006-05-22 2006-05-22 Nowa pochodna alkilobis(tiofeno)fenotiazyny i sposób jej wytwarzania

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL379742A1 PL379742A1 (pl) 2007-11-26
PL213224B1 true PL213224B1 (pl) 2013-01-31

Family

ID=43017019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL379742A PL213224B1 (pl) 2006-05-22 2006-05-22 Nowa pochodna alkilobis(tiofeno)fenotiazyny i sposób jej wytwarzania

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL213224B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL379742A1 (pl) 2007-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5642083B2 (ja) 有機半導体
EP2251342A1 (en) Fused ring compound, method for producing the same, polymer, organic thin film containing the compound and/or the polymer, and organic thin film device and organic thin film transistor each comprising the organic thin film
KR20120102544A (ko) 크산텐계 반도체 조성물
JP7260646B2 (ja) 光活性化合物
TW201308702A (zh) 有機場效電晶體及有機半導體材料
JP2012167031A (ja) ジカルコゲノベンゾジピロール化合物、該化合物の製造方法、該化合物を含む薄膜及び該薄膜を含む有機半導体デバイス
Ramkumar et al. Novel heterocyclic based blue and green emissive materials for opto-electronics
EP2793235B1 (en) Organic transparent electrode
US8299272B2 (en) Process for production of fused ring compound
Kumar et al. Nonlinear Polyfused Aromatics with Extended π-Conjugation from Phenanthrotriphenylene, Tetracene, and Pentacene: Syntheses, Crystal Packings, and Properties
JP5144654B2 (ja) ポリ複素環化合物、それを用いた有機電子素子およびその有機電子素子を含む電子装置
Wang et al. Linear C2-symmetric polycyclic benzodithiophene: efficient, highly diversified approaches and the optical properties
Zhao et al. Derivatives of 4, 9-Dihydro-s-indaceno [1, 2-b: 5, 6-b ‘] dithiophene-4, 9-dione: Synthesis and Properties
Nishide et al. Synthesis and Properties of a Series of Well-Defined and Polydisperse Benzo [1, 2-b: 4, 3-b ‘] dithiophene Oligomers
JPWO2015133471A1 (ja) 化合物、該化合物を重合してなるポリマー、有機半導体材料およびその用途
EP1752458A2 (en) Low molecular weight conjugated nitrogen compounds and devices obtainable using the same
PL213224B1 (pl) Nowa pochodna alkilobis(tiofeno)fenotiazyny i sposób jej wytwarzania
JP2013185009A (ja) 有機半導体用有機ヘテロ高分子及びそれを用いた半導体デバイス
US5753757A (en) Electroluminescent polymer compositions and processes thereof
JP5219186B2 (ja) 溶解性の高いペンタセン化合物およびそれを用いた有機半導体素子
PL212173B1 (pl) Pochodna N-alkilobis(tiofeno)fenotiazyny
PL211291B1 (pl) Pochodna N-alkilobis(tiofeno)karbazolu i sposób wytwarzania pochodnej N-alkilobis(tiofeno)karbazolu
JP6400268B2 (ja) フルバレン化合物及びその製造方法、並びに、太陽電池用材料及び有機トランジスタ用材料
JP2014172969A (ja) 有機ヘテロ高分子
JPH06166743A (ja) 線状ポリ(アリーレン−エチニレン−アリーレン−エチニレン)重合体

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Decisions on the lapse of the protection rights

Effective date: 20090522