PL210944B1 - Sposób wytwarzania półprzewodnikowejwarstwy tlenku cynku - Google Patents
Sposób wytwarzania półprzewodnikowejwarstwy tlenku cynkuInfo
- Publication number
- PL210944B1 PL210944B1 PL385139A PL38513908A PL210944B1 PL 210944 B1 PL210944 B1 PL 210944B1 PL 385139 A PL385139 A PL 385139A PL 38513908 A PL38513908 A PL 38513908A PL 210944 B1 PL210944 B1 PL 210944B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- zno
- layer
- zinc
- zinc oxide
- deposition
- Prior art date
Links
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 101
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 title claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 11
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 11
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 9
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
(21) Numer zgłoszenia: 385139 (51) Int.Cl.
H01L 31/0216 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 09.05.2008 (54) Sposób wytwarzania półprzewodnikowej warstwy tlenku cynku
| (43) Zgłoszenie ogłoszono: 23.11.2009 BUP 24/09 | (73) Uprawniony z patentu: INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL |
| (45) O udzieleniu patentu ogłoszono: 30.03.2012 WUP 03/12 | (72) Twórca(y) wynalazku: ELIANA KAMIŃSKA, Warszawa, PL ANNA PIOTROWSKA, Warszawa, PL IWONA PASTERNAK, Warszawa, PL |
PL 210 944 B1
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania pół-przewodnikowej warstwy tlenku cynku (ZnO) typu p, do zastosowań w technologii przyrządów optoelektronicznych (diody elektroluminescencyjne i lasery) i elektronicznych (wysokotemperaturowa i przezroczysta elektronika, czujniki).
Tlenek cynku jest unikatowym materiałem skupiającym w sobie właściwości półprzewodnika i jednocześnie tlenku, charakteryzuje się dobrymi własnościami elektrycznymi, akustooptycznymi i piezo-elektrycznymi. Duża energia wiązania ekscytonu w ZnO zapewnia wysoką efektywność luminescencji w zakresie fioletu i nadfioletu. Dzięki szerokiej przerwie wzbronionej samoistna koncentracja nośników w ZnO jest znacznie niższa niż w konwencjonalnych półprzewodnikach takich jak Si i GaAs, co umożliwia pracę w wysokich temperaturach przy niskich prądach upływu. Ponadto ZnO charakteryzuje się istotnie wyższą odpornością na promieniowanie jonizujące. Niedomieszkowany ZnO wykazuje zazwyczaj przewodnictwo elektronowe (typu n), a uzyskanie przewodnictwa dziurowego (typu p) jest niezwykle trudne. Powodem tego jest w głównej mierze wysoka koncentracja rodzimych defektów donorowych, które kompensują intencjonalnie wprowadzane domieszki akceptorowe. Przy tym energia jonizacji potencjalnych akceptorów w ZnO jest bardzo wysoka, a przez to efektywność domieszkowania bardzo niska. Dodatkowym problemem jest zanieczyszczenie wodorem, stosowanym powszechnie w technologii wzrostu tlenku cynku, który wbudowując się w pozycje międzywęzłowe tworzy płytki poziom donorowy „zabijający dziury. Dlatego, dla pełnego wykorzystania potencjału tlenku cynku konieczne jest dokładne poznanie mechanizmów domieszkowania, a przede wszystkim opracowanie sposobu wytwarzania warstw o typie przewodnictwa p. Po raz pierwszy p-ZnO otrzymano w 1997 r. W publikacji, J. Ozgur et al., J. Appl. Phys. 98, 104 (2005) opisany jest sposób otrzymywania p-ZnO i problemy związane z domieszkowaniem tlenku cynku. W świetle klasycznych reguł domieszkowania, atomy pierwiastków grupy I podstawiając cynk powinny tworzyć stany akceptorowe w ZnO.
W praktyce, bądź to z powodu małych promieni jonowych, bądź też zbyt wysokich energii jonizacji nie uzyskano pozytywnych efektów przy domieszkowaniu pierwiastkami grupy I. Alternatywą jest użycie pierwiastków grupy IB (takich jak, miedź, srebro, złoto) lub zastosowanie jakiejś domieszki z grupy V, która wbudował aby się w miejsce tlenu.
Z opisu zgłoszenia patentowego US nr 20030146433 (Homoepitaxial layers of p-type zinc oxide and the fabrication thereof) znany jest sposób otrzymywania warstwy epitaksjalnej ZnO typu p, w którym metodą epitaksji z wiązek molekularnych na monokrystalicznym podłożu osadza się ZnO. W sposobie tym, jako domieszki akceptorowej użyto azotu i jednocześnie domieszki litu, które mają za zadanie zwiększenie efektywności domieszkowania azotem oraz kompensację nadmiarowych centrów donorowych.
Z publikacji T. Yamamoto and H. Katayama-Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L 1 66 (1999) znana jest metoda wytworzenia p-ZnO wykorzystująca współdomieszkowanie (codoping) z użyciem domieszki akceptorowej i donorowej w proporcji atomowej 2:1, ale warunki technologiczne jakie należy zapewnić są w praktyce bardzo trudne do spełnienia.
W publikacji: E.Przeź dziecka, E.Kamińska, E. Dynowska, W. Dobrowolski, R.Jakieła, Ł. Kłopotowski, M.Sawicki, M.Kiecana, and J.Kossut, pt. „P-type ZnO and ZnMnO by oxidation of Zn(Mn)Te films, Phys. Stat. Sol. (c) 3, 988 (2006) opisane jest domieszkowanie ZnO arsenem, który powinien być akceptorem głębszym od azotu. Praktyka jednak wykazała, że takie domieszkowanie, wprowadza płytsze stany akceptorowe.
Natomiast z opisów zgłoszeń patentowych US nr 2002003.1680, i nr 20020055003 (Zinc oxide films containing p-type dopant and process for preparing same) znany jest sposób, w którym warstwę ZnO osadza się na grzanym podłożu z GaAs metodą ablacji laserowej i domieszkuje arsenem. Istotą metody jest to, że dodatkowym źródłem domieszki akceptorowej jest podłoże, z którego arsen wydyfundowuje do warstwy w trakcie jej osadzania lub podczas dodatkowej obróbki termicznej.
W zgł oszeniu patentowym nr P.384127 opisano sposób wytwarzania pół przewodnikowej warstwy tlenku typu p cynku, który polega na tym, że na podłożu dielektrycznym, półprzewodnikowym lub z trudnotopliwego metalu osadza się wpierw warstwę niedomieszkowanego ZnO, a nastę pnie drugą warstwę zawierającą Zn z domieszką akceptorową w postaci atomów pierwiastka grupy V i/lub grupy I i IB, w iloś ci nie wię kszej niż 50% at. Nastę pnie wykonuje się wygrzewanie w atmosferze utleniają cej, w temperaturze 400 - 900°C przez co najmniej 15 min.
PL 210 944 B1
Z publikacji Hong Seong Kanget al., Appl. Phys. Lett. 88, 202108 (2006) znany jest sposób wytwarzania ZnO typu p z domieszką Ag. W sposobie tym, warstwy ZnO osadza się metodą ablacji laserowej z targetu ceramicznego ZnO domieszkowanego Ag na grzanym szafirowym podłożu.
W wyniku tego procesu otrzymano materiał typu p o koncentracji dziur 5x1016-6x1017cm-3, ruchliwości 0.3 - 2.3 cm2/Vs i rezystywności 34 - 54 i’cm.
Wady znanych sposobów wytwarzania warstw ZnO typu p to przede wszystkim niska efektywność i niestabilność domieszkowania. Domieszkowanie azotem, potencjalnie najlepiej dopasowaną domieszką akceptorową, jest bardzo trudne i w krótkim czasie przewodnictwo ulega konwersji na typ n (X. Li et al., J. Crystal Growth 287, 217 (2006)). W przypadku innych domieszek grupy V, niezbędna jest zazwyczaj dodatkowa termiczna aktywacja domieszki w bardzo wysokiej temperaturze (ok. 800°C), co jest niekompatybilne z innymi procesami technologii przyrządów półprzewodnikowych. Domieszki akceptorowe grupy IB, takie jak miedź i złoto charakteryzują się zbyt dużymi energiami aktywacji i nie pozwalają na uzyskanie przewodnictwa typu p. Nieliczne doniesienia literaturowe wskazują na możliwość użycia jako domieszki srebra ale maksymalna koncentracja dziur jaką uzyskano była poniżej 1018cm-3 przy jednocześnie bardzo niskiej ruchliwości.
Sposób wytwarzania półprzewodnikowej warstwy tlenku cynku (ZnO) typu p, według wynalazku polega na tym, że na podłożu dielektrycznym, półprzewodnikowym lub z trudnotopliwego metalu osadza się warstwę zawierającą cynk z domieszką akceptorową, którą następnie wygrzewa się. W sposobie tym najpierw podłoże umieszcza się w komorze próżniowej reaktora do osadzania cienkich warstw, który to reaktor wyposażony jest w źródło cynku, źródło domieszki akceptorowej w ZnO oraz w źródło tlenu, przy czym wszystkie źródła mają czystość co najmniej 5N. Następnie w jednym procesie próżniowym, na tym podłożu osadza się warstwę złożoną, zawierającą co najmniej dwie cienkie warstwy niedomieszkowanego ZnO przedzielone warstwą domieszki akceptorowej A, korzystnie warstwą srebra. Układ osadzanych warstw realizowany jest w postaci (ZnO/A/ZnO)n, gdzie n > 1, a ilość domieszki akceptorowej, w sumarycznej grubości warstwy złożonej nie przekracza 5% At. Po zakończeniu osadzania, warstwę złożoną wygrzewa się w temperaturze powyżej 350°C, korzystnie w temperaturze 400 - 550°C przez co najmniej 10 min.
Zaletą sposobu według wynalazku jest możliwość uzyskania bardzo wysokiej koncentracji dziur powyżej 1019cm-3, przy zachowaniu znaczącej ruchliwości.
Wynalazek zostanie bliżej objaśniony na dwóch przykładach wytwarzania półprzewodnikowej warstwy tlenku cynku (ZnO) typu p.
W pierwszym przykładzie, jako podłoża użyto szafiru, którego powierzchnię oczyszczono przez zanurzenie kolejno we wrzącym trójchloroetylenie, acetonie i alkoholu etylowym. Następnie powierzchnię szafiru stabilizowano w atmosferze tlenu w temperaturze 600°C przez 15 min., po czym bezzwłocznie umieszczono ją w komorze próżniowej stanowiska do magnetronowego rozpylania katodowego. Stanowisko wyposażone było w dwa targety: Zn oraz Ag, obydwa o czystości 5N. Przed procesami osadzania cienkich warstw komorę próżniową odpompowano do ciśnienia poniżej 5x10-6 mbar, a następnie oczyszczono powierzchnię targetów Zn i Ag, rozpylając katodowo kolejno każdy z nich jonami argonu przez 10 min. Całkowite ciśnienie w trakcie procesów rozpylania katodowego utrzymywano na poziomie 1x10-2 mbar. Warstwy osadzano na niegrzane podłoże. Jako pierwszy wykonano proces osadzania warstwy niedomieszkowanej ZnO o grubości 350 nm. Proces wykonano w atmosferze gazowej Ar+O2 przy ciśnieniu cząstkowym tlenu 3x10-3 mbar, w stałoprądowym modzie zasilania. Później, bez przerywania próżni, wykonano proces osadzania warstwy Ag o grubości 10 nm, w stałoprądowym modzie zasilania, w atmosferze Ar, po czym naniesiono w warunkach jak poprzednio warstwę ZnO o grubości 350 nm. Tak osadzone warstwy umieszczono w piecu z przepływem azotu i prowadzono wygrzewanie w temperaturze 500°C przez 10 min. W rezultacie, co stwierdzono na podstawie wyników pomiarów efektu Halla, uzyskano warstwę ZnO typu p o rezystywności 35.4 i’cm, o koncentracji dziur 5.7x16cm-3 i o ruchliwości 3.1 cm2/Vs. Pomiary rentgenowskie wykazały, że otrzymana warstwa charakteryzuje się strukturą heksagonalną wurcytu i wykazuje preferowaną orientację 001. Nie stwierdzono obecności innych faz. Na podstawie pomiarów prowadzonych metodą spektrometrii masowej jonów wtórnych (SIMS) stwierdzono, że koncentracja Ag w warstwie ZnO typu p była równomierna i wynosiła poniżej 1% at.
Fakt, że proces wytwarzania ZnO prowadzony jest w atmosferze bogatej w tlen, ogranicza możliwość powstawania rodzimych defektów takich jak wakanse tlenowe i atomy cynku w międzywęźlach sieci krystalicznej, kompensujących akceptory. Wygrzewanie w atmosferze obojętnej azotu prowadzi do równomiernego rozdyfundowania domieszki Ag w ZnO.
PL 210 944 B1
Ograniczenie zawartości domieszki Ag do 5% at. sprawia, że warstwa ZnO typu p wolna jest od wytrąceń metalicznego Ag.
W drugim przykładzie, jako podłoża użyto również szafiru. Podło że to umieszczono w komorze stanowiska do magnetronowego rozpylania katodowego. Stanowisko wyposażone było w dwa targety: ZnO oraz Ag, obydwa o czystości 5N. Przed procesami osadzania cienkich warstw komorę próżniową odpompowano do ciśnienia poniżej 5x10-6 mbar, a następnie oczyszczono targety ZnO i Ag, rozpylając katodowo kolejno każdy z nich jonami argonu przez 10 min. Całkowite ciśnienie w trakcie procesów rozpylania katodowanego utrzymywano na poziomie 1x10-2 mbar. Warstwy osadzano na niegrzane podłoże. Jako pierwszy wykonano proces osadzania warstwy niedomieszkowanej ZnO o grubości 300 nm. Proces wykonano w atmosferze gazowej Ar+O2 przy ciśnieniu cząstkowym tlenu 7x10-3 mbar, w zmiennoprądowym modzie zasilania. Następnie, w tych samych warunkach próżniowych, wykonano proces osadzania warstwy Ag o grubości 10 nm, w stałoprądowym modzie zasilania, w atmosferze Ar. Na koniec, naniesiono w warunkach jak poprzednio warstwę ZnO o grubości 300 nm.
Po zakończeniu osadzania materiał umieszczono w piecu z przepływem azotu i wykonano proces wygrzewania w temperaturze 400°C przez 10 min. W rezultacie, co stwierdzono na podstawie wyników pomiarów efektu Halla, uzyskano warstwę ZnO typu p o rezystywności 2.4 i’cm, koncentracji dziur 4.0x1019cm-3 i ruchliwości 0.61 cm2/Vs. Na podstawie pomiarów metodą spektrometrii masowej jonów wtórnych (SIMS) ustalono, że koncentracja srebra (Ag) w warstwie ZnO typu p wynosiła ~1%at. Podobnie jak w poprzednim przypadku pomiary rentgenowskie wykazały, że ZnO jest silnie steksturowane w kierunku (001). Nie stwierdzono obecności innych faz.
Claims (2)
- Zastrzeżenia patentowe1. Sposób wytwarzania półprzewodnikowej warstwy tlenku cynku (ZnO) typu p, w którym na podłożu dielektrycznym, półprzewodnikowym lub z trudnotopliwego metalu osadza się warstwę zawierającą cynk, z domieszką akceptorową i wygrzewa się, znamienny tym, że osadzanie warstwy zawierającej cynk prowadzi się tak, że najpierw w komorze próżniowej reaktora do osadzania cienkich warstw, wyposażonym w źródło cynku, źródło domieszki akceptorowej w ZnO oraz w źródło tlenu, a wszystkie źródła o czystości co najmniej 5N, umieszcza się podłoże, na którym osadza się w jednym procesie próżniowym warstwę złożoną, zawierającą co najmniej dwie cienkie warstwy niedomieszkowanego ZnO przedzielone warstwą domieszki akceptorowej A, korzystnie w postaci układu (ZnO/A/ZnO)n, gdzie n > 1, przy czym ilość domieszki w sumarycznej grubości warstwy złożonej jest mniejsza niż 5% at., a po zakończeniu osadzania, warstwę złożoną wygrzewa się w temperaturze powyżej 350°C przez co najmniej 10 min.
- 2. Sposób według zastrz. 1. znamienny tym, że warstwy niedomieszkowanego ZnO przedziela się warstwą domieszki akceptorowej w postaci warstwy srebra, a wygrzewanie prowadzi się w atmosferze obojętnej, w temp. 400 - 550°C przez co najmniej 10 min.Departament Wydawnictw UP RP
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL385139A PL210944B1 (pl) | 2008-05-09 | 2008-05-09 | Sposób wytwarzania półprzewodnikowejwarstwy tlenku cynku |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL385139A PL210944B1 (pl) | 2008-05-09 | 2008-05-09 | Sposób wytwarzania półprzewodnikowejwarstwy tlenku cynku |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL385139A1 PL385139A1 (pl) | 2009-11-23 |
| PL210944B1 true PL210944B1 (pl) | 2012-03-30 |
Family
ID=42987240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL385139A PL210944B1 (pl) | 2008-05-09 | 2008-05-09 | Sposób wytwarzania półprzewodnikowejwarstwy tlenku cynku |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL210944B1 (pl) |
-
2008
- 2008-05-09 PL PL385139A patent/PL210944B1/pl not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL385139A1 (pl) | 2009-11-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7227196B2 (en) | Group II-VI semiconductor devices | |
| JP5176254B2 (ja) | ｐ型単結晶ＺｎＯ | |
| US7141489B2 (en) | Fabrication of p-type group II-VI semiconductors | |
| JP5436710B2 (ja) | ドープされた窒化アルミニウム結晶及びそれを製造する方法 | |
| US11393680B2 (en) | Method of manufacturing p-type gallium oxide by intrinsic doping, the thin film obtained from gallium oxide and its use | |
| US20020028571A1 (en) | Transparent and conductive zinc oxide film with low growth temperature | |
| BRPI0707539A2 (pt) | processo de produção de um artigo revestido tratado termicamente com revestimento de óxido condutor transparente (tco), para uso em um dispositivo semicondutor | |
| Sui et al. | Fabrication and characterization of P–N dual acceptor doped p-type ZnO thin films | |
| US7161173B2 (en) | P-type group II-VI semiconductor compounds | |
| JP2009010383A (ja) | 亜鉛酸化物半導体およびこれを製造するための方法 | |
| US7964868B2 (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| PL210944B1 (pl) | Sposób wytwarzania półprzewodnikowejwarstwy tlenku cynku | |
| KR20020082637A (ko) | ｎ형 산화 아연계 반도체를 이용한 발광다이오드용금속전극 및 그의 제조 방법 | |
| KR101040138B1 (ko) | 은 및 ｉｉｉ족 원소에 의해 상호 도핑된 산화아연계 박막의 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 박막 | |
| Balakrishnan et al. | Fabrication of tridoped p-ZnO thin film and homojunction by RF magnetron sputtering | |
| US5419785A (en) | Intrinsically doped III-A and V-A compounds having precipitates of V-A element | |
| KR100569224B1 (ko) | 마그네트론 스퍼터링법에 의한 ＺｎＯ 박막의 제조방법 | |
| PL215571B1 (pl) | Sposób wytwarzania półprzewodnikowej warstwy tlenku cynku | |
| JP2022118459A (ja) | Ｌｉドープｐ型ＮｉＯ薄膜の製造方法 | |
| Jeong | Thin zinc oxide and cuprous oxide films for photovoltaic applications | |
| Munthali | Current status of the technology of silicon carbide as a light conversion medium for nitride LEDs | |
| JP2010074069A (ja) | 半導体発光素子 | |
| KR20070030507A (ko) | ｐ형 산화아연(ＺｎＯ) 박막 제조방법 및 이를 이용한산화아연계 광전소자 제조방법 | |
| Gür et al. | Temperature-dependent electrical characterization of nitrogen-doped ZnO thin film: vacuum annealing effect | |
| KR100698588B1 (ko) | 앰플-튜브 법을 이용한 인과 비소 도핑 피형 산화아연 박막제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LICE | Declarations of willingness to grant licence |
Effective date: 20110929 |
|
| LAPS | Decisions on the lapse of the protection rights |
Effective date: 20140509 |