PL183937B1 - Sposób wytwarzania proszku węglika krzemu - Google Patents

Sposób wytwarzania proszku węglika krzemu

Info

Publication number
PL183937B1
PL183937B1 PL97322340A PL32234097A PL183937B1 PL 183937 B1 PL183937 B1 PL 183937B1 PL 97322340 A PL97322340 A PL 97322340A PL 32234097 A PL32234097 A PL 32234097A PL 183937 B1 PL183937 B1 PL 183937B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
silicon carbide
substrates
temperature
synthesis
carbide powder
Prior art date
Application number
PL97322340A
Other languages
English (en)
Other versions
PL322340A1 (en
Inventor
Jerzy Lis
Dariusz Kata
Tomasz Rudnik
Ludosław Stobierski
Original Assignee
Akad Gorniczo Hutnicza
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Akad Gorniczo Hutnicza filed Critical Akad Gorniczo Hutnicza
Priority to PL97322340A priority Critical patent/PL183937B1/pl
Publication of PL322340A1 publication Critical patent/PL322340A1/xx
Publication of PL183937B1 publication Critical patent/PL183937B1/pl

Links

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

Sposób wytwarzania proszku węglika krzemu wykorzystujący samopropagującą syntezę wysokotemperaturową znamienny tym, że mieszaninę proszkowych substratów Si + C w ilości odpowiadającej stosunkowi molowemu obu substratów 1:1 homogenizuje się, suszy, a następnie umieszcza się w komorze reakcyjnej w atmosferze azotu, po czym ogrzewa się punktowo złoże substratów do temperatury zapłonu i prowadzi się sekwencyjną syntezę przy ciśnieniu azotu 1,2-5 MPa, a temperatura reakcji utrzymuje się powyżej 1850°C

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania proszku węglika krzemu, znajdującego zastosowanie do produkcji gęstych spieków.
Otrzymywanie węglika krzemu na drodze samorozprzestrzeniającej syntezy wysokotemperaturowej ogranicza się do zastosowania techniki wybuchu termicznego. Wymaga ona znacznego nakładu energetycznego potrzebnego do ogrzania całego złoża substratów do temperatury 600 - 800°C celem podtrzymania samopropagacji frontu reakcji.
Z polskiego opisu patentowego nr 155 664 znany jest sposób wytwarzania proszku P węglika krzemu , polegający na tym, ze mikroproszek krzemu o czystości półprzewodnikowej oraz proszek węgla o rozwinięciu powierzchni nie mniejszym niż 10 mVg zestawione w ilościach stechiometrycznych, miesza się z alkoholem , doprowadzając do ujednorodnienia w skali ziaren elementarnych. Następnie alkohol odparowuje się do zawartości alkoholu 10%, w warunkach uniemożliwiających segregację substratów. Mieszaninę ogrzewa się w atmosferze czystego argonu do temperatury 1373 - 1573 K co inicjuje egzotermiczną reakcję syntezy, następuje samoogrzanie się wsadu do temperatury rzędu 2273 K w czasie 10-30 sec. w tym czasie następuje całkowite przereagowanie substratów . Po zakończeniu reakcji otrzymany węglik krzemu chłodzi się w atmosferze beztlenowej do temperatury nie wyższej niż 773K.
Z innego polskiego opisu patentowego nr 155 662 znany jest również sposób wytwarzania mikroproszku B węglika krzemu polegający na wytrąceniu koloidalnej krzemionki na cząstkach silnie zdyspergowanego węgla , o dużym rozwinięciu powierzchni, otrzymany żel suszy się aż do samorzutnego rozkruszenia się na kilkumilimetrowe ziarna, po czym ogrzewa się w atmosferze gazu obojętnego w temperaturze 1473 - 1773K przez 0,5 - 3 godzin.
Istotę wynalazku stanowi sposób wytwarzania proszku węglika krzemu polegający na tym, że mieszaninę proszkowych substratów Si + C w ilości odpowiadającej stosunkowi molowemu obu substratów 1:1 homogenizuje się, suszy, a następnie umieszcza się w komorze reakcyjnej w atmosferze azotu, po czym ogrzewa się punktowo złoże substratów do temperatury zapłonu co inicjuje samorozprzestrzeniającą się sekwencyjną syntezę rozpoczynającą się od reakcji krzemu z azotem. Powstały azotek krzemu reaguje z węglem w dalszym przebiegu syntezy dając węglik krzemu. Syntezę prowadzi się przy ciśnieniu azotu 1,2-5 MPa, a temperatura reakcji utrzymuje się powyżej 1850°C. Produktem sekwencyjnej reakcji jest czysty i jednorodny fazowo proszek węglika krzemu.
Zaletą sposobu według wynalazku jest minimalny nakład energetyczny potrzebny do punktowej inicjacji procesu, a także samopropagacja spalania przy utrzymywaniu pokojowej temperatury otoczenia reaktora.
Przykład
Węgiel w postaci sadzy i proszek krzemu naważa się w ilości odpowiadającej stosunkowi molowemu obu substratów 1;1. Następnie mieszaninę homogenizuje się w zawiesinie alkoholowej izopropanolu w młynie kulowym mielnikami z SiC, po czym suszy się w warunkach uniemożliwiających ponowną segregację.
183 937
W komorze reakcyjnej umieszcza się łódkę molibdenową izolowaną materiałem o możliwie niskim współczynniku przewodzenia ciepła np. włókniną korundową lub węglową Wewnątrz łódki umieszcza się homogeniczną mieszaninę substratów w postaci luźno usypanego złoża. Z komory usuwa się powietrze i pompuje się azot do uzyskania ciśnienia 3 MPa. Proces samorozprzestrzeniającej syntezy wysokotemperaturowej inicjuje się przy użyciu źródła ciepła w postaci spirali grzejnej lub płytki grafitowej umieszczonej w jednym punkcie złoża. Po punktowym podgrzaniu złoża substratów do temperatury zapłonu umożliwiającym filtracyjne spalanie mieszaniny proszkowych substratów Si + C w atmosferze azotu, reakcja syntezy zachodzi w wyniku sekwencyjnych reakcji chemicznych, a proces inicjowany jest przez reakcję krzemu z azotem. W wyniku powstaje azotek krzemu reagujący w dalszym przebiegu syntezy z węglem, w konsekwencii powstaje węglik krzemu, a temperatura reakcji utrzymuje się samorzutnie powyżej 1850°C, produktem sekwencyjnej reakcji jest czysty i jednorodny fazowo proszek węglika krzemu.
Otrzymany węglik krzemu poddaje się następnie procesowi deglomeracji w młynie kulowym , mielnikami z SiC przez okres 2 godzin. Otrzymany proszek SiC po dodaniu aktywatorów spiekania służy do wytwarzania gęstych spieków.
183 937
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 50 egz. Cena 2,00 zł.

Claims (1)

  1. Zastrzeżenie patentowe
    Sposób wytwarzania proszku węglika krzemu wykorzystujący samopropagującą syntezę wysokotemperaturową znamienny tym, że mieszaninę proszkowych substratów Si + C w ilości odpowiadającej stosunkowi molowemu obu substratów 1:1 homogenizuje się, suszy, a następnie umieszcza się w komorze reakcyjnej w atmosferze azotu, po czym ogrzewa się punktowo złoże substratów do temperatury zapłonu i prowadzi się sekwencyjną syntezę przy ciśnieniu azotu 1,2-5 MPa, a temperatura reakcji utrzymuje się powyżej 1850°C.
PL97322340A 1997-09-26 1997-09-26 Sposób wytwarzania proszku węglika krzemu PL183937B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL97322340A PL183937B1 (pl) 1997-09-26 1997-09-26 Sposób wytwarzania proszku węglika krzemu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL97322340A PL183937B1 (pl) 1997-09-26 1997-09-26 Sposób wytwarzania proszku węglika krzemu

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL322340A1 PL322340A1 (en) 1999-03-29
PL183937B1 true PL183937B1 (pl) 2002-08-30

Family

ID=20070713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL97322340A PL183937B1 (pl) 1997-09-26 1997-09-26 Sposób wytwarzania proszku węglika krzemu

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL183937B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL322340A1 (en) 1999-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4243621A (en) β'-Sialon sintered body and a method for manufacturing the same
US4161512A (en) Process for preparing titanium carbide
Orthner et al. Reaction sintering of titanium carbide and titanium silicide prepared by high-energy milling
Jin et al. Preparation of reactive sintering Si3N4-Si2N2O composites ceramics with diamond-wire saw powder waste as raw material
JPS6112844B2 (pl)
CN1307089C (zh) 控温活化自蔓延燃烧合成α相氮化硅粉体的方法
CN110256084A (zh) 一种α相氮化硅陶瓷粉体的制备方法
Zhang et al. The effect of carbon sources and activative additive on the formation of SiC powder in combustion reaction
Zhang et al. Combustion synthesis of Si3N4 powders with high sintering activity under low nitrogen pressures
Pradeilles et al. Synthesis of β-SiAlON: A combined method using sol–gel and SHS processes
AU2009280905B2 (en) Method for preparing alternative, low-caloric hydrocarbon waste materials for use in furnace systems
PL183937B1 (pl) Sposób wytwarzania proszku węglika krzemu
Karakuş et al. Synthesizing high α-phase Si3N4 powders containing sintering additives
KR100386510B1 (ko) 자전고온 합성법을 이용한 질화 알루미늄 분말 제조방법
CN101088962A (zh) 化学激励燃烧合成氮化硅/碳化硅复合粉体的方法
Niyomwas The effect of carbon mole ratio on the fabrication of silicon carbide from SiO 2-C-Mg system via self-propagating high temperature synthesis.
JPS62162608A (ja) 窒化珪素微粉末の製造方法
RU2490232C1 (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОГНЕУПОРНОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ БЕТА-НИТРИДА КРЕМНИЯ β-Si3N4
JPH01264973A (ja) β−サイアロン焼結体の製造方法
JPS5888107A (ja) α型窒化珪素の連続製造法
Pradeilles et al. A modified SHS method for Si2N2O elaboration
JPH09502155A (ja) 耐火材料の製造方法
JP2002018267A (ja) 半導体ダイヤモンド合成用黒鉛材及びそれを用いて製造される半導体ダイヤモンド
Kata et al. Induction-field-activated self-propagating high-temperature synthesis of AlN–SiC solid solutions in the Si3N4–Al–C system
Ekimov et al. Diamond crystallization in the system B4C–C