PL147600B1 - Method of producing superficial diffusion layers - Google Patents
Method of producing superficial diffusion layers Download PDFInfo
- Publication number
- PL147600B1 PL147600B1 PL25991986A PL25991986A PL147600B1 PL 147600 B1 PL147600 B1 PL 147600B1 PL 25991986 A PL25991986 A PL 25991986A PL 25991986 A PL25991986 A PL 25991986A PL 147600 B1 PL147600 B1 PL 147600B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- generator
- reactor
- working chamber
- external surface
- gaseous environment
- Prior art date
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- CMIAIUZBKPLIOP-YZLZLFLDSA-N methyl (1r,4ar,4br,10ar)-7-(2-hydroperoxypropan-2-yl)-4a-methyl-2,3,4,4b,5,6,10,10a-octahydro-1h-phenanthrene-1-carboxylate Chemical compound C1=C(C(C)(C)OO)CC[C@@H]2[C@]3(C)CCC[C@@H](C(=O)OC)[C@H]3CC=C21 CMIAIUZBKPLIOP-YZLZLFLDSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest urzadzenie do wytwarzania dyfuzyjnych werstw powierzch¬ niowych, zwlaszcza azotkowych, weglikowych, krzemkowych i borkowych nm róznych materialach.Znane z polskiego zgloszenia patentowego nr P.243 698 /BUP 6/85/ urzadzenie do wytwarzania dyfuzyjnych warstw powierzchniowych przy obnizonym cisnieniu, które sklada sie z komory roboczej ogrzewanej elektrycznie oporowo oraz ukladu dozujacego pary substancji chemicznych i gazu towarzyszacego i ukladu odpompowujacego. Komora robocza Jest zamknieta od góry pokrywe.Polaczenia prózniowe se chlodzone woda. Atmosfera reaktywna jest dozowana w procesie kontrolo¬ wanego zasysania par odpowiednich substancji z dozownika lub poprzez pokrywanie czastek tych substancji przez przeplywajacy gaz nosny. Znane z polskiego opisu patentowego Nr 143 050 inne urzedzenie do obróbki cieplno-chemicznej przy obnizonym cisnieniu, sklada sie z komory prózniowej, w której Jest umieszczony reaktor przeplywowy w postaci pojemnika z elementem obrabianym. Wyladowanie jarzeniowe utrzymywane jest wokól zewnetrznej powierzchni reaktora przeplywowego. Znane jest równiez inne urzedzenie do wytwarzania dyfuzyjnych warstw powierzch¬ niowych wyposazone w generator reaktywnego srodowiska gazowego umieszczony w przestrzeni otoczonej ekranem osadzonym w komorze roboczej. Generator aa postac pojemnika zaopatrzonego w wylot reaktywnego srodowiska gazowego oraz we wlot srodowiska gazowego i ogrzewany jest w wyladowaniu jarzeniowym lub oporowo-elektrycznie, zas elementy obrabiane ogrzewane se jarze¬ niowo.Urzedzenie wedlug wynalazku wyróznia sie tym, ze ma reaktor przeplywowy oraz gene¬ rator reaktywnego srodowiska gazowego trwale poleczone, stanowiec katode i umieszczone w ko¬ morze roboczej, przy czym stosunek powierzchni zewnetrznej generatora do masy generatora jest wiekszy od stosunku powierzchni zewnetrznej reaktora do mesy tego reaktora. Cisnienie w pole¬ czonych przestrzeniach generatora i reaktora Jest wieksze od cisnienia w komorze roboczej.Zgodnie z wynalazkiem uzyskano zwiekszenie wypelnienia reaktora przeplywu elementami obrabia¬ nymi. Ponadto ze wzgledu na mozliwosc grzania reaktora i generatore wyladowaniem jarzeniowym, uzyskano oszczednosc energii elektrycznej.2 147 600 Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykladzie wykonania na rysunku, który przedstawia urzadzenie w ujeciu schematycznym* Urzadzenie sklada sie z komory roboczej 1 o sciankach chlodzonych woda* przy¬ stosowane do napelniania srodowiskiem gazowym pod zadanym cisnieniem# za posrednictwem wlotu 2 i wylotu 3 oraz generatora reaktywnego srodowiska gazowego 4 i reaktora przeplywowego 5, w którym umieszczony jest przedmiot obrabiany• Generator 4 i reaktor 5 se trwale polaczone, zes stosunek powierzchni zewnetrznej generatora 4 jest wiekszy od stosunku powierzchni zew¬ netrznej reaktora 5 do masy tego reaktora 5* Generator 4 i reaktor 5 stanowie katode, zas komora robocza 1 stanowi anode, zasilane poprzez przepust predowy 6,6 z zasilacza napiecia stalego. Wymiary generatora 4 i reaktora 5 se tak dobrane, ze stosujec zasilanie z jednego zasilacza mozna uzyskac w generatorze 4 temperature Tl, zas w reaktorze 5 temperature T2, przy czym temperatura T2 jest wieksza od temperatury Tl. Generator 4 i reaktor 5 jest poleczony z ukladem dozowania 7 reaktywnego srodowiska gazowego i ukladem odpompowujecym 6 zapewniajacym jednakowe cisnienie PI.Wlot 2 umozliwia dozowanie gazu do komory roboczej 1, zas wylot 3 umozliwia odpompowywanie gazu z komory 1, zapewniajec w niej cisnienie P2, przy czym cisnienie PI jest wieksze albo równe cisnieniu P2.Dzialanie urzedzenia jest nastepujace. Przepusty pradowe 6,6 laczone se z biegu¬ nem zasilacza o polaryzacji ujemnej, zas komora robocza 1 leczona jest z biegunem o polaryza¬ cji dodatniej i jest uziemiona. W reaktorze 5 umieszcza sie przedmioty obrabiane, podlegajace tytanowaniu oraz odpompowuje sie przez wlot 3 powietrze z komory 1 oraz generatora 4 i reakto¬ ra 5, po czym ustalane jest cisnienie w komorze roboczej 1 wartosci 15 hPa, dozujec przez wlot 2 argon. Nastepnie podgrzewa sie w wyladowaniu Jarzeniowym generator 4 i reaktor 5. Po osiagnieciu temperatury 1000°C przez generator 4 oraz temperatury 900°C przez reaktor 5, dozo¬ wane jest reaktywne srodowisko gazowe skladajace sie z par Ti Cl. i wodoru H_ poprzez uklad dozowania 7 i przepust pradowy 6, przy ustalonym cisnieniu 30 hPa. Odpompowanie reaktywnego srodowiska azowego prowadzone jest przez przepust pradowy 6 i uklad odpompowujacy 8. Po 3 godz. wytworzona jest warstwa weglika tytanu Ti C o grubosci 12 urn.Zastrzezenie patentowe Urzadzenie do wytwarzania dyfuzyjnych warstw powierzchniowych przedmiotów obrabianych, zawierajace komore robocza o sciankach chlodzonych woda, przystosowana do napel¬ niania srodowiskiem gazowym pod zadanym cisnieniem oraz generator reaktywnego srodowiska gazowego i reaktor przeplywowy, w którym umieszczony jest przedmiot obrabiany, przy czym komora robocza stanowi anode, zasilana poprzez przepust pradowy z zasilacza napiecia stalego, znamienne tym, ze reaktor przeplywowy /5/ oraz generator reaktywnego srodowiska gazowego /A/ sa trwale polaczone 6tanowiac katode i umieszczone wewnatrz komory roboczej /l/, przy czym stosunek powierzchni zewnetrznej generatora /4/ do masy generatora /4/ jest wiekszy od stosunku powierzchni zewnetrznej reaktora /5/ do masy tego reaktora /5/.147 600 PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Urzadzenie do wytwarzania dyfuzyjnych warstw powierzchniowych przedmiotów obrabianych, zawierajace komore robocza o sciankach chlodzonych woda, przystosowana do napel¬ niania srodowiskiem gazowym pod zadanym cisnieniem oraz generator reaktywnego srodowiska gazowego i reaktor przeplywowy, w którym umieszczony jest przedmiot obrabiany, przy czym komora robocza stanowi anode, zasilana poprzez przepust pradowy z zasilacza napiecia stalego, znamienne tym, ze reaktor przeplywowy /5/ oraz generator reaktywnego srodowiska gazowego /A/ sa trwale polaczone 6tanowiac katode i umieszczone wewnatrz komory roboczej /l/, przy czym stosunek powierzchni zewnetrznej generatora /4/ do masy generatora /4/ jest wiekszy od stosunku powierzchni zewnetrznej reaktora /5/ do masy tego reaktora /5/.147 600 PL
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL25991986A PL147600B1 (en) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | Method of producing superficial diffusion layers |
| DE19873706482 DE3706482A1 (de) | 1986-02-28 | 1987-02-27 | Verfahren und vorrichtungen zur herstellung von diffusionsoberflaechenschichten auf metallenen werkstuecken durch glimmentladung |
| GB08704831A GB2187478A (en) | 1986-02-28 | 1987-03-02 | Producing diffusion layers on metals by glow discharge |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL25991986A PL147600B1 (en) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | Method of producing superficial diffusion layers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL147600B1 true PL147600B1 (en) | 1989-07-31 |
Family
ID=20031531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL25991986A PL147600B1 (en) | 1986-02-28 | 1986-06-06 | Method of producing superficial diffusion layers |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL147600B1 (pl) |
-
1986
- 1986-06-06 PL PL25991986A patent/PL147600B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW380158B (en) | Diamond-like carbon coatings on inorganic phosphors | |
| CN110983300B (zh) | 镀膜设备及其应用 | |
| Chu et al. | Third-generation plasma immersion ion implanter for biomedical materials and research | |
| EP1158071A3 (en) | Method for depositing a layer on a surface of a substrate | |
| CN110965040B (zh) | 用于制备dlc的镀膜设备及其应用 | |
| JPS63197329A (ja) | プラズマ・チャンバー内で、無定形水素化シリコンを基板へ付着させる方法 | |
| JPS57186321A (en) | Producing method for amorphous silicon film | |
| JP2020534692A5 (pl) | ||
| CN101163817A (zh) | 采用等离子体cvd法的蒸镀膜 | |
| Glumac et al. | Large-area diamond film growth in a low-pressure flame | |
| PL147600B1 (en) | Method of producing superficial diffusion layers | |
| US6581612B1 (en) | Chamber cleaning with fluorides of iodine | |
| TW200503081A (en) | Substrate processing system | |
| US6783794B1 (en) | Method and arrangement for plasma boronizing | |
| JP2680888B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| EP1422316B1 (en) | Method for cleaning reaction container | |
| JP2700208B2 (ja) | 薄膜形成法 | |
| WO2004028220A1 (en) | Method and apparatus for generating and maintaining a plasma | |
| JPS5770275A (en) | Pore sealing treatment of ceramic sputtered film | |
| JP2022517347A (ja) | 欠陥が低減された膜スタックの形成方法 | |
| JPS6379970A (ja) | プラズマｃｖｄ法による高密着性薄膜形成方法 | |
| CN216084798U (zh) | 水汽氧化和非晶硅生长装置 | |
| RU1610927C (ru) | Устройство дл нанесени покрытий в вакууме | |
| JPH02115379A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| CN2330137Y (zh) | 电热辐射管辅助加热离子轰击炉 |