PL145254B1 - Method of manufacture of resistors - Google Patents

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania rezystorów zwlaszcza o rezystancji wyzszej od 10<£ przeznaczonych do masowej produkcji w przemysle elektronicznym, Z polskiego opisu patentowego nr 109 676 znany jest sposób wytwarzania rezystorów polegaja¬ cy na tym, ze po wytrawieniu podloza niemetalicznego kwasem fluorowodorowym uczulanie podloza niemetalicznego nastepuje w wyniku obróbki kwasnymi roztworami zawierajacymi dowolna kompozy¬ cje co najmniej dwóch jonów metali o zmiennej wartosciowosci, przy czym jednym z nich jest jon cynawy, a drugi jonem tytanawym lub zelazawym. Aktywacje podloza dokonuje sie dwustopniowo z zastosowaniem rozcienczonego roztworu zawierajacego jony srebrowe i jod w ilosci 0,05-0,50 g/dcm3 oraz roztworu jonów palladu, zlota lub platynianów wzglednie ich kompozycji o lacznym stezeniu mniejszym od 0,05 g/denr w zakresie pH 3,5-4,5» Nastepnie przeprowadza sie obróbke stabilizujaca aktywnosc roztworem zawierajacym 1-5 g/dcm jonów podfosforowych, zas w sklad kapieli do chemicznej redukcji wchodza katalitycznie czynne ilosci jodu pierwiastkowego w ilosci 0,01-0,5 g/dcm3. Warstwe rezystywna wytwarza sie przez wydzielenie co najmniej 95% jonów poddawanych redukcji, zawartych w roztworze wyjsciowym.Niedogodnoscia przedstawionego wyzej sposobu jest duza szybkosc prowadzenia procesu metaliza¬ cji co uniemozliwia otrzymanie rezystorów o rezystancji poczatkowej powyzej 10 om, oraz wysoka temperatura 333-338 K, w której przebiega proces metalizacji.Istota rozwiazania wedlug wynalazku jest zmodyfikowanie procesu trawienia, oraz stabiliza¬ cja aktywnosci podlozy niemetalicznych. Podloze niemetaliczne poddaje sie trawieniu kwasem fluoroborowym o stezeniu 0,1-10#, a nastepnie przeprowadza sie uczulanie i aktywacje podloza znanymi sposobami. Proces stabilizacji aktywnosci podlozy zachodzi w roztworze zawierajacym jony podfosforynowe o stezeniu 5-20 g/denr i borowodorkowe o stezeniu 0,5-1 g/dcm •2 145 254 Sposób wedlug wynalazku umozliwia prowadzenie procesu metalizacji w temperaturze 293-303 K w aposób powtarzalny i umozliwiajacy osiagniecie zalozonej rezystancji. Dodanie jonów boro¬ wodorkowych podnosi aktywnosc jonów palladu, dzieki czemu zadana szybkosc niklowania /O,5-3,0 g Ni/cm min/ rezystorów wysokoomowych osiaga sie juz w temperaturze 293K, bez wy¬ dluzenia czasu trwania procesu* Zwiekszenie aktywnosci powierzchni metalizowanej pozwala na obnizenie stezenia niklu w roztworze o okolo 10 razy do wartosci rzedu 0.01 g Ni/dcm • Dzieki obnizeniu temperatury procesu zmniejsza sie niebezpieczenstwo destabilizacji roztworu. Calko¬ wity czas trwania procesu wytwarzania rezystorów jest 3-krotnie krótszy w porównaniu ze zna¬ nymi metodami. Realizacja sposobu wytwarzania rezystorów pozwala na znaczne obnizenie kosztów produkcji. Procesy technologiczne mozna przeprowadzac w znanych urzadzeniach.W przykladowym wykonaniu podloze niemetaliczne w celu odtluszczenia przemywa sie w tempera¬ turze pokojowej alkoholem metylowym. Odtluszczone podloza trawi sie 1£ roztworem kwasu flu- oroborowego, plucze do zaniku odczynu kwasnego, a nastepnie uczula w roztworze zawierajacym 3 10 g/dcm jonów cynawych, przy czym roztwór zakwasza sie kwasem solnym do pH okolo 2. Po plu¬ kaniu miedzyoperacyjnym podloza poddaje sie dwustopniowej aktywacji w roztworach zawieraja¬ cych jony srebra o stezeniu 1 g/dcnr i palladu o stezeniu 0,01 g/dcnr. Po wyplukaniu podlozy woda zdemineralizowana nastepuje stabilizujaca obróbka w roztworze zawierajacym 20 g/dcm jonów podfosforynowych z dodatkiem 1 g/dcm jonów borowodorkowych. Podloza ponownie poddajemy plukaniu woda zdemineralizowana. Proces prowadzi sie w reaktorze przeplywowym przeznaczonym do metalizacji danej partii przy ciaglej cyrkulacji roztworu przez 10-15 min co umozliwia pelne nasycenie roztworu gazowym wodorem.Inicjacje procesu przeprowadza sie przez dodanie w sposób jednorazowy do roztworu 0,5 g jonów niklu w postaci chlorku przy poczatkowym pH roztworu 6,3« W czasie trwania procesu dozuje sie roztwór 1-normalny lugu sodowego w ilosci 2 g/h. W wyniku realizacji sposobu otrzy¬ mano rezystory o rezystancji 50^ 10$ ora i o temperaturowym wspólczynniku rezystancji ponizej 100 ppm/deg w zakresie temperatur 293-393 K. W celu poprawienia jakosci rezystory stabilizuje sie termicznie w temperaturze 513 K przez 2 h.Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania rezystorów z warstwa niklowofosforowa polegajacy na obróbce stabili¬ zujacej aktywnosc wytrawionego, uczulonego i nastepnie poddanego dwustopniowej aktywacji pod¬ loza niemetalicznego, z namienny tym. ze proces obróbki stabilizujacej dokonuje sie z zastosowaniem roztworu zawierajacego jony podfosforynowe o stezeniu 5-20 g/dcnr z dodatkiem jonów borowodorkowych o stezeniu 0,5-1 g/dcm . 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze trawienie podloza niemetalicznego prowadzi sie przy uzyciu kwasu fluoroborowego o stezeniu 0,1-10%.Pracownit Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 egz.Cena 220 zl PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania rezystorów z warstwa niklowofosforowa polegajacy na obróbce stabili¬ zujacej aktywnosc wytrawionego, uczulonego i nastepnie poddanego dwustopniowej aktywacji pod¬ loza niemetalicznego, z namienny tym. ze proces obróbki stabilizujacej dokonuje sie z zastosowaniem roztworu zawierajacego jony podfosforynowe o stezeniu 5-20 g/dcnr z dodatkiem jonów borowodorkowych o stezeniu 0,5-1 g/dcm .
2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze trawienie podloza niemetalicznego prowadzi sie przy uzyciu kwasu fluoroborowego o stezeniu 0,1-10%. Pracownit Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 egz. Cena 220 zl PL