PL133619B1 - Method of manufacturing electrodes for ceramic capacitors - Google Patents

Method of manufacturing electrodes for ceramic capacitors Download PDF

Info

Publication number
PL133619B1
PL133619B1 PL23259581A PL23259581A PL133619B1 PL 133619 B1 PL133619 B1 PL 133619B1 PL 23259581 A PL23259581 A PL 23259581A PL 23259581 A PL23259581 A PL 23259581A PL 133619 B1 PL133619 B1 PL 133619B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
layer
solder
layers
sides
vacuum
Prior art date
Application number
PL23259581A
Other languages
Polish (pl)
Other versions
PL232595A1 (en
Inventor
Karl Steinfelder
Ullrich Heisig
Siegfried Schiller
Dietrich Mehr
Bernd Thuss
Karl Holzmueller
Original Assignee
Gera Elektronik Veb
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gera Elektronik Veb filed Critical Gera Elektronik Veb
Publication of PL232595A1 publication Critical patent/PL232595A1/xx
Publication of PL133619B1 publication Critical patent/PL133619B1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania elektrod kondeneetorów ceramicznych, zwlaszcza malych ceramicznych kondensatorów, takich jak miniaturowe kondensatory o okle- dzinach z folii i kondeneatory tarczowe.Najczesciej stosowanymi sposobami wytwarzania elektrod kondensatorów ceramicznych ee chemiczne niklowanie, natryskiwanie, nakladanie i wyciskanie drukiem sitowym z nastepnym wypaleniem zawiesiny srebra - oraz naparowanle grubych warstw miedzi lub niklu w wysokiej prózni.Przy tym wybiera sie material i grubosc warstwy elektrody w ten sposób, zeby za je¬ dne operacje nakladania warstw mozna bylo otrzymac wystarczajeco duze przewodnictwo. Po¬ trzebna grubosc warstw dla wypalonych warstw srebra wynoei na przyklad okolo kilku tim, a dla naparowanych warstw miedzi okolo lyum.Takie grubosci warstw se potrzebne dla uzyskania na szorstkiej powierzchni ceramiki kondensatorowej warstwy z wystarczajece przewodnoscie. Elektrody o zlej przewodnosci po¬ woduje powiekszeni© etrat dielektrycznych kondensatora* Ponadto te wzglednie duze grubosci warstw se potrzebne, poniewaz uzywane materialy elektrodowe takie jak srebro lub miedz, posiadaje duze preznosc roztwórcze w zwyklych lutowiach cynowych. Ciensze warstwy powoduje przy obróbce elementu konstrukcyjnego po¬ gorszenie parametrów wzglednie ubytki na skutek wprowadzenia nadmiernej ilosci skladni¬ ków stopowych do warstwy lutowia.Dla zachowania weaklego zakresu tolerancji wartosci pojemnosci, elektrody musze po¬ siadac okreslone geometrie oraz ostrosc krawedzi mniejsze od 0,1 mm.Oezeli z przyczyn technicznych nie mozna przeprowadzic strukturalnego nakladania warstw kondensatorów, jak na przyklad przy chemicznym niklowaniu, wówczas wymagane od¬ leglosc izolacyjne pomiedzy elektrodami trzeba wykonac kosztownymi operacjami mechani¬ cznego szlifowania, przy czym istnieje ponadto niebezpieczenstwo przemieszczenia mate¬ rialu elektrody w pory wyrobu ceramicznego, w okolicy szlifowanych plaszczyzn izolacyj¬ nych.2 - 133 619 Przy natryskiwaniu 1 nastepujecym po nim wypalaniu elektrody uzyskuje eie budowe strukturalne przez zastosowanie zwartych masek przy natryskiwaniu.Przy naparowywaniu w wysokiej prózni znany Jest sposób uzyskiwania budowy struktural¬ nej przez zastosowanie trawionych lub tloczonych masek blaszanych.Przy zastosowaniu tego sposobu uzyskuje sie potrzebne ostrosc krawedzi równiez przy wzglednie duzej odleglosci pomiedzy maske, i powierzchnie ceramiczne, poniewaz na ogól zródla odparowania posiadaje maly rozmiar powierzchniowy i pracuje sie w wysokiej prózni, a wiec przy duzej dlugosci wolnej drogi dla czestek pary.Ponadto odleglosc pomiedzy aparatem wyparnym 1 podlozem wynosi kilkaset milimetrów.Wade tego sposobu jest ograniczenie wyboru materialu na elektrody zasadniczo do czy¬ stych metali oraz mala przydatnosc tego sposobu do automatycznego nakladania warstw z powodu zbyt krótkiej zywotnosci zródel wyparnika.Ponadto znany Jest sposób wytwarzania elektrod kondensatorów ceramicznych przez roz¬ pylanie o duzej czestotliwosci impulsów. Przy tym, po naniesieniu przez rozpylenie war¬ stwy przyczepnej z Cr lub CrNi, nanosi sie przy utrzymaniu prózni, przez rozpylenie, grube warstwe stykowe z Cu o grubosci okolo 500 nm« Ten sposób ma te wade, ze warstwy miedzi az do grubosci 500 nm powoduje uszkodzenia elementu konstrukcyjnego przez miejscowe obróbke w przemyslowych automatach do lutowania, na skutsk wprowadzenia nadmiernej ilosci skladników stopowych do warstwy miedzi. Z dru¬ giej strony nie mozna wytworzyc z wystarczajace dokladnoscie strukturalne warstw zasa¬ dniczo grubszych od 500 nm przez rozpylenie o duzej czestotliwosci Impulsów przy uzyciu zwykle stosowanych masek blaszanych, poniewaz przy tym uzywa sie zródel czesteczek o du¬ zych powierzchniach, w malej odleglosci od podloza, i wystepuje rozrzut czesteczek przy wylocie gazu rozpylajacego.Celem wynalazku jest usuniecie opisanych wad sposobów znanych ze stanu techniki 1 równoczesnie zwiekszenie oplacalnosci procesu nakladania warstw przy zachowaniu elek¬ trycznych parametrów kondensatorów.Sposób wsdlug wynalazku umozliwia wytwarzanie elektrod kondensatorów ceramicznych, który wykorzystujec korzystne cechy rozpylania o duzej czestotliwosci impulsów, odnos¬ nie wyboru materialu i malego zapotrzebowania materialu, umozliwia wytworzenie konden¬ satorów o stalych paramstrach z weske tolerancje* Istota wynalazku polega na tym, ze obustronnie nanosi sie uklad warstw lutowniczych o grubosci calkowitej mniejszej od 300 nm. Budowe strukturalne tego cienkiego ukladu warstw lutowniczych uzyskuje sie za pomoce obustronnego przylozenia, na powierzchnie ceramiczne, masek samosprezynujecych, które zostaje szczelnie docisniete do podloza w obrebie ich krawedzi strukturalnych.To sprezynujece dociskanie pozwala na uzyskanie nie tylko potrzebnej ostrosci kra¬ wedzi, lecz równoczesnie wyrównanie nierównosci elementów ceramicznych i tolerancji grubosci elementów ceramicznych wynikajecych z warunków wytwarzania, które moge wynosic az do 0,1 mm.Nalozenie przez rozpylenie ukladu warstw lutowniczych przeprowadza sie przy cisnie- —2 —1 niu od 7.10 Pa i 7.10 Pa. Przy tym nanosi sie najpierw obustronnie na podloze war¬ stwe przyczepne, po czym równiez obustronnie nanosi sie warstwe, które mozna lutowac.Ket trafiania kondensujecych sie czesteczek wzgledem prostopadlej do plaszczyzny wynosi mniej niz 70°.Nastepnie, po procesie nalozenia warstwy lutowniczej przez rozpylenie, uzyskuje sie w znany sposób, poza próznie, dobrze przewodzece elektrode przez powierzchniowe oblu- towanie warstwy lutowniczej o budowie strukturalnej, korzystnie za pomoce lutu mledzlo- wo-cynowego.Dzieki malej grubosci warstwy ukladu warstw lutowniczych, dzieki sprezynujeco przy¬ lozonym maskom, jak równiez przez ograniczenie keta trafiania kondensujecych sie cze¬ steczek w prózniowym procesie nakladania warstw do mniej niz 70° wzgledem prostopadlej133 619 3 do plaszczyzny, uzyskuje sie wysoka, dokladnosc struktury obu warstw czastkowych ukladu warstw lutowniczych. Geometria obu warstw czestkowych zgadzaje sie wzajemnie z duze do* klednoscie. W ten sposób zapobiega sie pogorszeniu parametrów elektrycznych przez nie¬ równie pokrywajace warstwe przyczepne.Przy tym, w okolicy krawedzi nie wystepuje zla przyczepnosc warstwy lutowniczej, jak to na niejsce przy zastosowaniu bardzo grubych warstw lutowniczych.Korzystnie jest naniesc warstwe przyczepne z Cr lub NiCr o grubosci 20 do 60 no.Korzystnie wykonuje sie warstwe lutownicze o grubosci do 250 na ze stopu Biedzi, korzystnie CuNi. Material warstwy przyczepnej i zaproponowany dla warstwy lutowniczej se doskonalymi Materialami oporowymi 1 w poleczeniu z male gruboscle warstwy powoduje bardzo zle elektryczne przewodnictwo calego ukladu warstwy. Z tego powodu ten uklad warstw nie moze równoczesnie sluzyc za elektrode kondensatora.Niespodziewanie okazalo sie, ze przy malej grubosci warstwy ukladu warstw lutowni¬ czych, mniejszej od 300 nm, zle przewodnictwo materialu warstw lutowniczych nie wywiera ujemnego wplywu na parametry elektryczne kondensatora. Z drugiej strony uzycie na przy¬ klad stopów miedziowo-niklowych umozliwia zastosowanie tak malych warstw, poniewaz roz¬ puszczalnosc tego materialu w lucie jest bardzo mala.Oblutowanie powierzchni jest niezwykle wydajne, dzieki czemu powaznie polepsza sie calkowita oplacalnosc wytwarzania elektrod, jakkolwiek do nalozenia warstwy w prózni jest potrzebny dodatkowo nastepny etap procesu. Decyduje o oplacalnosci zmniejszenie kosztów nakladania warstw na etapie nakladania warstw w prózni, poniewaz tutaj, w prze* ciwienstwle do znanych sposobów wytwarzania elektrod, stosuje sie warstwy tylko o bardzo malej grubosci.Przyklad. Dla zastosowania sposobu potrzebne jest urzedzenle rozpylajece o duzej czestotliwosci impulsów umozliwiajece przeprowadzenie w prózni dwustronnego na¬ lozenia warstwy na podlozu z dwoma warstwami czastkowymi tworzecymi uklad warstw lutow¬ niczych skladajecy sie z warstwy przyczepnej i warstwy lutowniczej. Obustronne ulozenie warstw kondensatorów z ukladem warstw lutowniczych mozna przeprowadzic przez zastosowa¬ nie dwóch zródel plasmotronów po kazdej stronie podloza.Inne droge rozwiazania obustronnego nalozenia warstw jest obracanie podloza w urze- dzenlu prózniowym, przy zastosowaniu po jednym tylko zródle plasmotronu z tarcze z ma¬ terialu warstwy przyczepnej lub lutowniczej. Ponadto jest potrzebne urzedzenle do oblu- towania powierzchniowego, na przyklad automat do oblutowywania przez zanurzenie.Wyjsciowe elementy, o ksztalcie tarcz, kondensatorów ceramicznych o srednicy 12 mm z materialu N 750 wklada sie natychmiast po spieczeniu do palet urzedzenia rozpylaje- cego. W paletach przyklada sie do tarcz ceramicznych, za pomoce odpowiedniego urzedze¬ nia, samosprezynujecego maski z otworem o srednicy 10 mm.W urzedzeniu rozpylajecym naklada sie najpierw na palety w komorze prózniowej ma¬ terial warstwy przyczepnej nikiel chrom 60/20, obustronnie w postaci warstwy o grubosci 50 nm. Bezposrednio potem naklada sie obustronnie warstwe o grubosci 200 nm miedziowo- niklowe 90/10. Za pomoce przeslon zamontowanych pomiedzy zródlami plasmotronu i paletami ogranicza sie ket trafiania kondensujecych sie czestsczek do mniej niz 70° wzgledem pro¬ stopadlej do plaszczyzny.Bezposrednio po nalozeniu warstw zabiera sie palety z urzedzenia do rozpylania i przeklada sie kondensatory do uchwytu do oblutowania przez zanurzenie. W automacie do oblutowywania przez zanurzenie nastepuje oblutowanie powierzchni elementów ceramicznych w obrebie strukturalnie naniesionego ukladu warstw lutowniczych, przy zastosowaniu lutu mledziowo-cynowego.W ten sposób zostaje utworzone elektrody na korpusach nosnych. Wytworzone kondensa¬ tory posiadaje parametry dobre w porównaniu z elementami konstrukcyjnymi wytworzonymi dotychczas stosowanymi sposobami nakladania warstw.4 .133 619 Zastrzezenia patentowe 1# Sposób wytwarzania elektrod kondensetorów ceramicznych przez rozpylanie o duzej czestotliwosci inpuleów, przy uzyciu masek, w procesie prózniowym, znamienny t y ra, ze obustronnie nanosi sie uklad warstw lutowniczych o lecznej grubosci mniejszej od 300 n«, przy czym przyklada sie z obu stron na powierzchnie ceramiczne samosprezynu- •2 *1 Jece maski i przy cisnieniu od 7.10 Pa do 7.10 Pa nanosi sie obustronnie warstwe przyczepne i nastepnie warstwe lutownicze, przy kecie trafiania czesteczek mniejszym od 70° wzgledem prostopadlej do plaszczyzny i nastepnie naklada sie dobrze przewodzace ele¬ ktrode z lutu miedziowo-cynowego przez oblutowanle powierzchniowe poza próznie. 2. Sposób wedlug zestrz. 1, znamienny tym, ze Jako warstwe przyczepne nanosi sie Cr lub NiCr o grubosci od 20-60 nm. 3* Sposób wedlug zastrz, 1, znamienny tym, ze jako warstwe lutownicze nanosi sie CuNi o grubosci 250 nm.Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 egz.Cena 100 zl PLThe subject of the invention is a method of producing electrodes of ceramic condensers, especially small ceramic capacitors, such as miniature foil-faced capacitors and disc condensers. The most commonly used methods for producing electrodes of ceramic capacitors are chemical nickel plating, spraying, application and screen printing with subsequent burning of the suspension. silver - and vaporization of thick copper or nickel layers in high vacuum. The material and thickness of the electrode layer are selected in such a way that sufficient conductivity can be obtained for each layer deposition operation. The thickness of the layers required for the burnt silver layers is, for example, about a few times and for vapor-deposited copper layers about 1 m. Such layer thicknesses are required to obtain a sufficiently conductive layer on the rough surface of the capacitor ceramic. Poor conductivity electrodes increase the dielectric matrix of the capacitor * In addition, these relatively large layer thicknesses are needed because the electrode materials used, such as silver or copper, have a high solution quality in common tin solders. Thinner layers in the processing of the structural element cause deterioration of parameters or losses due to the introduction of an excessive amount of alloy components into the solder layer. In order to maintain a weak tolerance range of the capacitance value, the electrodes must have specific geometries and edge sharpness less than 0.1 mm If, for technical reasons, it is not possible to carry out a structured layering of capacitors, such as in the case of chemical nickel plating, then the required insulating distance between the electrodes must be performed with costly mechanical grinding operations, with the risk of displacement of the electrode material into the pores of the product. in the vicinity of ground insulating surfaces. 2 - 133 619 In the case of spraying and subsequent firing, the electrode is structured by the use of compact masks when spraying. structurally structured by the use of etched or embossed sheet masks. This method achieves the necessary sharpness of the edges also with a relatively long distance between the mask and the ceramic surfaces, as the evaporation sources generally have a small surface size and work in a high vacuum, and The disadvantage of this method is to limit the choice of material for the electrodes essentially to pure metals, and to reduce the suitability of this method for automatic layering due to too short a service life of the evaporator and the substrate. sources of an evaporator. Moreover, a method of producing electrodes of ceramic capacitors by sputtering with a high pulse frequency is known. In this case, after the spray application of the Cr or CrNi adhesive layer, a thick Cu contact layer with a thickness of about 500 nm is applied while maintaining the vacuum by spraying. This method has the disadvantage that copper layers up to a thickness of 500 nm causes damage to the structural element by local processing in industrial soldering machines, as a result of introducing an excessive amount of alloying elements into the copper layer. On the other hand, it is not possible to produce with sufficient accuracy structural layers substantially thicker than 500 nm by sputtering with a high pulse frequency with the usual sheet masks, because in this case sources of particles with large surfaces are used, at a small distance from The object of the invention is to eliminate the described disadvantages of the methods known from the prior art and at the same time to increase the cost-effectiveness of the layering process while maintaining the electrical parameters of the capacitors. The method according to the invention allows the production of electrodes of ceramic capacitors that take advantage of the advantageous features of the invention. high frequency sputtering, with regard to the choice of material and the low material demand, it is possible to produce capacitors with constant paramstras with greater tolerance * The essence of the invention consists in the fact that a system of solder layers with a total thickness of j less than 300 nm. The structural structure of this thin system of soldering layers is achieved by applying self-springing masks to the ceramic surfaces on both sides, which are pressed tightly against the substrate along their structural edges. This spring-loaded compression allows not only the required sharpness of the edges, but also the smoothing of the edges. unevenness of ceramic elements and tolerance of the thickness of ceramic elements resulting from manufacturing conditions, which can be up to 0.1 mm. The application of the solder layers by spraying is carried out at a pressure of -2-1 between 7.10 Pa and 7.10 Pa. In this case, first an adhesive layer is applied to the substrate on both sides, and then the solderable layer is also applied on both sides. The impact point of the condensing particles relative to the perpendicular to the plane is less than 70 °. Then, after the process of applying the solder layer by spraying, in a known manner, apart from vacuum, a well-conductive electrode is obtained by the surface overmoulding of a structured solder layer, preferably with tin-tin solder. Due to the thin layer thickness of the solder layer, thanks to the elastic applied masks, as well as by limiting the hitting ket of the condensing particles in the vacuum layering process to less than 70 ° to the plane perpendicular to the plane, a high structure accuracy of both particle layers of the soldering layer arrangement is obtained. The geometry of the two partial layers is in agreement with each other with a high degree of accuracy. In this way, the deterioration of the electrical parameters by the non-covering adhesive layer is prevented. However, there is no bad adhesion of the solder layer around the edge, as in the case of very thick solder layers. It is preferable to apply an adhesive layer of Cr or NiCr with thicknesses of 20 to 60 No. Preferably a solder layer up to 250 mm thick is made of a Biedzi alloy, preferably CuNi. The material of the adhesive layer and proposed for the braze layer with the perfect resistive materials 1 in combination with a low layer thickness causes a very bad electrical conductivity of the entire layer system. For this reason, this layer system cannot simultaneously serve as a capacitor electrode. Surprisingly, it turned out that with a thin layer thickness of the solder layer, less than 300 nm, bad conductivity of the material of the solder layers does not have a negative effect on the electrical parameters of the capacitor. On the other hand, the use of, for example, copper-nickel alloys makes it possible to use such small layers because the solubility of this material in the solder is very low. Surface brazing is extremely efficient, thus significantly improving the overall profitability of electrode production, however for the application of a layer. in a vacuum, an additional process step is required. It is decisive for the cost-effectiveness to reduce the cost of the layering in the vacuum layering step, since here, in contrast to the known electrode production methods, only very thin layers are used. For the application of the method, spraying devices with a high pulse frequency are required, which enable a two-sided application of a layer on a substrate in a vacuum, with two particle layers constituting an arrangement of solder layers consisting of an adhesive layer and a solder layer. The bilateral arrangement of the capacitor layers with the solder layer arrangement can be achieved by using two plasmotron sources on each side of the substrate. Another way of solving the bilateral layering is to rotate the substrate in a vacuum device, using only one plasmotron source with the material discs. adhesive layer or solder. In addition, a surface tapping device is needed, for example an automatic desoldering machine by immersion. The shield-shaped output elements of 12 mm diameter ceramic capacitors made of N 750 material are inserted immediately after sintering into the spraying device pallets. In the pallets, the masks with a hole diameter of 10 mm are applied to the ceramic discs, using a suitable device, self-springing. In the spraying device, the adhesive layer material nickel chrome 60/20 is first applied to the pallets in the vacuum chamber, on both sides in the form of a layer 50 nm thick. Immediately thereafter, a 200 nm thick layer of copper-nickel 90/10 is applied on both sides. By means of the shutters mounted between the plasmotron sources and the pallets, the ket of hitting the condensing particles is limited to less than 70 ° to the plane. In the automatic desoldering machine, the surface of the ceramic elements within the structurally applied arrangement of soldering layers is soldered using tin-tin solder, thus forming electrodes on the carrier bodies. The produced condensers have good parameters in comparison with the structural elements produced by the previously used methods of layering.4,133,619 Patent Claims 1 # Method of producing electrodes of ceramic capacitors by sputtering with a high frequency of insula, with the use of masks, in a vacuum process, characterized by the type of that on both sides a system of solder layers with a healing thickness of less than 300 n «is applied, whereby on both sides the ceramic surface of the self-springing machine is applied - • 2 * 1 The masks and a pressure of 7.10 Pa to 7.10 Pa is applied on both sides with an adhesive layer then the solder layer, with a particle hitting angle of less than 70 ° relative to the plane, and then well-conductive copper-tin solder electrodes are superimposed through the surface solders outside the vacuum. 2. Method according to zestrz. The method of claim 1, characterized in that Cr or NiCr with a thickness of 20-60 nm is applied as the adhesive layer. 3 * Method according to claim 1, characterized in that 250 nm thick CuNi is applied as the brazing layer. Printing Workshop of the UP PRL. Mintage 100 copies Price PLN 100 PL

Claims (3)

Zastrzezenia patentowe 1. # Sposób wytwarzania elektrod kondensetorów ceramicznych przez rozpylanie o duzej czestotliwosci inpuleów, przy uzyciu masek, w procesie prózniowym, znamienny t y ra, ze obustronnie nanosi sie uklad warstw lutowniczych o lecznej grubosci mniejszej od 300 n«, przy czym przyklada sie z obu stron na powierzchnie ceramiczne samosprezynu- •2 *1 Jece maski i przy cisnieniu od 7.10 Pa do 7.10 Pa nanosi sie obustronnie warstwe przyczepne i nastepnie warstwe lutownicze, przy kecie trafiania czesteczek mniejszym od 70° wzgledem prostopadlej do plaszczyzny i nastepnie naklada sie dobrze przewodzace ele¬ ktrode z lutu miedziowo-cynowego przez oblutowanle powierzchniowe poza próznie.Claims 1. # A method of producing electrodes of ceramic capacitors by sputtering with high frequency inlets, with the use of masks, in a vacuum process, characterized by the fact that a system of soldering layers with a treatment thickness of less than 300 n is applied on both sides, with the example of on both sides on the ceramic surfaces of the self-springing - • 2 * 1 Jece the mask and at a pressure from 7.10 Pa to 7.10 Pa, an adhesive layer is applied on both sides and then a solder layer, with the particle hitting angle less than 70 ° relative to the perpendicular to the plane and then applied with good conductivity electrodes made of copper-tin solder by surface soldering outside the vacuum. 2. Sposób wedlug zestrz. 1, znamienny tym, ze Jako warstwe przyczepne nanosi sie Cr lub NiCr o grubosci od 20-60 nm.2. Method according to zestrz. The method of claim 1, characterized in that Cr or NiCr with a thickness of 20-60 nm is applied as the adhesive layer. 3. * Sposób wedlug zastrz, 1, znamienny tym, ze jako warstwe lutownicze nanosi sie CuNi o grubosci 250 nm. Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 100 egz. Cena 100 zl PL3. * The method according to claim 1, characterized in that 250 nm thick CuNi is applied as the brazing layer. Printing workshop of the UP PRL. Mintage 100 copies. Price PLN 100 PL
PL23259581A 1980-08-13 1981-08-12 Method of manufacturing electrodes for ceramic capacitors PL133619B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD22328680A DD155710A3 (en) 1980-08-13 1980-08-13 METHOD FOR PRODUCING THE ELECTRODES OF CERAMIC CONDENSERS

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL232595A1 PL232595A1 (en) 1982-04-26
PL133619B1 true PL133619B1 (en) 1985-06-29

Family

ID=5525842

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL23259581A PL133619B1 (en) 1980-08-13 1981-08-12 Method of manufacturing electrodes for ceramic capacitors

Country Status (9)

Country Link
JP (1) JPS5762520A (en)
BG (1) BG41631A1 (en)
CS (1) CS239320B1 (en)
DD (1) DD155710A3 (en)
DE (1) DE3124741A1 (en)
FR (1) FR2488723A1 (en)
HU (1) HU182359B (en)
PL (1) PL133619B1 (en)
RO (1) RO80046A (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4604676A (en) * 1984-10-02 1986-08-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic capacitor
DE3638342A1 (en) * 1986-11-10 1988-05-19 Siemens Ag Electrical component, made of ceramic and having multilayer metallisation, and a method for its production
DE3900787A1 (en) * 1989-01-12 1990-07-19 Siemens Ag Method for producing a ceramic electrical component

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE907322C (en) * 1944-12-07 1954-03-25 Hydrawerk Ag Process for metal vapor deposition on a dielectric, in particular for the production of coating layers for electrical capacitors
US2702760A (en) * 1951-04-25 1955-02-22 Western Electric Co Method of applying metallic stripes to a web of paper
DE2359432C3 (en) * 1973-11-29 1984-08-09 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Process for the production of aluminum-coated foils for capacitors and device for carrying out the process
DD132090B1 (en) * 1977-07-25 1983-06-08 Bratouss Andreas Gerhard METHOD FOR THE PRODUCTION OF ELECTRODES IN CERAMIC CAPACITORS
DE2734666C3 (en) * 1977-08-01 1981-01-15 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Mask holder for sputtering mask systems
DE2903428C2 (en) * 1979-01-30 1985-10-24 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Process for the production of circuits in thin-film technology with thick-film components

Also Published As

Publication number Publication date
FR2488723A1 (en) 1982-02-19
DD155710A3 (en) 1982-06-30
DE3124741A1 (en) 1982-03-18
JPS5762520A (en) 1982-04-15
FR2488723B1 (en) 1985-03-29
RO80046A (en) 1982-10-26
HU182359B (en) 1983-12-28
BG41631A1 (en) 1987-07-15
PL232595A1 (en) 1982-04-26
CS239320B1 (en) 1986-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0855724B1 (en) Electronic parts and manufacturing method thereof
US3612963A (en) Multilayer ceramic capacitor and process
US6380577B1 (en) Tantalum chip capacitor
US7735713B2 (en) Method for mounting chip component and circuit board
CA1180779A (en) Ceramic capacitor and method of making same
JPH11176642A (en) Electronic part and manufacture thereof
RU2494492C1 (en) Method to create conducting paths
US20220301772A1 (en) Multilayer ceramic capacitor, a method of manufacturing the same and a substrate arrangement
US8154379B2 (en) Electrical PTC thermistor component, and method for the production thereof
PL133619B1 (en) Method of manufacturing electrodes for ceramic capacitors
KR20200062354A (en) Multilayer electronic device with improved connectivity and method for manufacturing multilayer electronic device
JPH03225810A (en) Structure of terminal electrode film in stacked capacitor and formation of the film
US11769635B2 (en) Multilayer ceramic capacitor and method of manufacturing same
JP4544896B2 (en) Electronic components
CA2218264C (en) Metallized film capacitor and manufacturing process
US4756928A (en) Method of forming electrodes of an electronic component of chip type for connecting to the external
TWI436389B (en) Electronic Parts
JPH06196351A (en) Manufacture of layered ceramic capacitor
US4777558A (en) Electronic device
JP3180515B2 (en) Method of forming solder bumps on surface mount components
JP4109348B2 (en) Electronic parts and manufacturing method thereof
JP2003243245A (en) Ceramic electronic component and its manufacturing method
JPH08236387A (en) Surface-mounting electronic component and manufacture thereof
JPH05283207A (en) Chip-type thermistor and manufacture thereof
KR0130868B1 (en) Multilayer chip capacitor electrode producing method