JPH05283207A - Chip-type thermistor and manufacture thereof - Google Patents

Chip-type thermistor and manufacture thereof

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JPH05283207A
JPH05283207A JP4121026A JP12102692A JPH05283207A JP H05283207 A JPH05283207 A JP H05283207A JP 4121026 A JP4121026 A JP 4121026A JP 12102692 A JP12102692 A JP 12102692A JP H05283207 A JPH05283207 A JP H05283207A
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thermistor
chip
film
glass
electrode material
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Itaru Kubota
格 久保田
Junichi Fukuyama
淳一 福山
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Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To provide a thermistor whose resistance value is not influenced by a difference in terminal electrodes to be formed and which has no loss by rounding the corner of a thermistor element housing an internal electrode. CONSTITUTION:A green sheet laminate housing internal electrodes 10a, 10b is cut to the specified size and is sintered to obtain a thermistor base chip 11. The thermistor base chip 11 is wet barrel polished for obtaining a polished thermistor base chip 12 whose corner and ridge are rounded. On the surface of the polished thermistor base chip 12, a glass film 13 and a baked electrode 14 are formed. Then, a metal plated layer 15 is formed by a usual method. By this method, a productivity is increased and an accuracy and a reliability of the chip are increased.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、温度センサ、温度補償
に使用される回路基板等の表面実装用のチップ型サーミ
スタに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip type thermistor for surface mounting such as a temperature sensor and a circuit board used for temperature compensation.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子を搭載した回路基板の温度が
高くなると、搭載された半導体素子が影響を受けて、回
路の電気的特性が変化してしまう。このため、回路によ
っては温度補償を行い、電気的特性が変化しないように
自動調整が行われる。このような温度補償回路用部品や
温度検出用センサ等として、チップ型サーミスタが用い
られている。
2. Description of the Related Art When the temperature of a circuit board on which a semiconductor element is mounted rises, the mounted semiconductor element is affected and the electrical characteristics of the circuit change. Therefore, temperature compensation is performed in some circuits and automatic adjustment is performed so that the electrical characteristics do not change. A chip type thermistor is used as such a temperature compensation circuit component, a temperature detection sensor, and the like.

【0003】従来、回路基板の表面実装用チップ型サー
ミスタは、サーミスタ抵抗体材料の焼成体の両端に端子
電極を形成したもので、その製造方法としては、まず、
マンガン、ニッケル、コバルト等の酸化物を従来のセラ
ミックス製品を製造する場合と同様に配合して混合し、
ついで仮焼し、この仮焼物を粉砕する。このようにして
得られたサーミスタ抵抗体材料粉末に樹脂、溶剤等から
なるバインダー組成物を混合して粘稠なスラリーを調製
し、これを成形機により成形してサーミスタ抵抗体材料
のグリーンシートを作製する。このグリーンシートを一
定の寸法に切断し、焼成を行ない、サーミスタ抵抗体の
サーミスタ素地チップを得る。このチップの両端部を電
極材料ペーストに順次浸漬することによりこのペースト
を付着させ、乾燥・焼付けを行って端子電極を形成し、
チップ型のサーミスタを完成する。
Conventionally, a surface mounting chip type thermistor for a circuit board is one in which terminal electrodes are formed at both ends of a fired body of a thermistor resistor material.
Oxides of manganese, nickel, cobalt, etc. are blended and mixed in the same way as when manufacturing conventional ceramic products,
Then, it is calcined, and this calcined product is crushed. The thermistor resistor material powder thus obtained is mixed with a binder composition comprising a resin and a solvent to prepare a viscous slurry, which is molded by a molding machine to form a green sheet of the thermistor resistor material. Create. This green sheet is cut into a certain size and fired to obtain a thermistor base chip of a thermistor resistor. Both ends of this chip are sequentially dipped in an electrode material paste to attach the paste, and dried and baked to form a terminal electrode.
Complete the chip type thermistor.

【0004】このようなチップ型サーミスタをプリント
基板に表面実装するには、プリント基板のはんだ付けラ
ンドにはんだペーストを塗布してからチップ型サーミス
タの端子電極を載置し、加熱して塗布層のはんだを溶融
してはんだ付けするリフローはんだ付け、あるいはチッ
プ型サーミスタをプリント基板に接着剤で仮固定してお
いて噴流する溶融はんだにはんだ付けランドと端子電極
の接続部を接触させることによりはんだ付けするフロー
はんだ付けする。この際、端子電極をAgのみの被覆層
で形成すると、特にフローはんだ付けにおいて溶融はん
だにより端子電極が侵される、いわゆるはんだ食われ現
象を起こし、サーミスタ素地チップの両端に形成された
端子電極の最短距離を変化させ、チップ型サーミスタの
抵抗値を変化させる。サーミスタ特性は、抵抗値及びB
定数(温度係数)で決められるので、この抵抗値が変化
しないようにすることが重要であり、そのために従来、
端子電極はAgにPdを添加した電極材料を含有する電
極材料ペーストを用いて形成されている。最近、サーミ
スタ抵抗値に高精度、高信頼性が求められるようにな
り、これに伴ってチップ型サーミスタの端子電極のプリ
ント基板におけるはんだ付けランドに対するはんだ付け
性を良くするために、端子電極の溶融はんだに対する濡
れ性の向上が望まれているが、Pdを多くするとこの濡
れ性が低下し、はんだ付着性が悪くなる。
In order to surface-mount such a chip type thermistor on a printed circuit board, a solder paste is applied to a soldering land of the printed circuit board, and then a terminal electrode of the chip type thermistor is placed and heated to form a coating layer. Reflow soldering that melts and solders the solder, or soldering by temporarily fixing the chip type thermistor to the printed circuit board with an adhesive and jetting molten solder to the soldering land and connecting the terminal electrodes Yes Flow solder. At this time, if the terminal electrode is formed of a coating layer containing only Ag, the so-called solder erosion phenomenon occurs, in which the terminal electrode is attacked by the molten solder particularly in the flow soldering, and the shortest length of the terminal electrode formed on both ends of the thermistor base chip is generated. The resistance value of the chip type thermistor is changed by changing the distance. The thermistor characteristics are resistance value and B
Since it is determined by a constant (temperature coefficient), it is important not to change this resistance value.
The terminal electrode is formed using an electrode material paste containing an electrode material in which Pd is added to Ag. Recently, the thermistor resistance value is required to be highly accurate and highly reliable.In order to improve the solderability of the terminal electrode of the chip type thermistor to the soldering land on the printed circuit board, the melting of the terminal electrode is required. It is desired to improve the wettability with respect to solder, but if Pd is increased, the wettability is lowered and the solder adhesion is deteriorated.

【0005】端子電極のはんだ付け性を良くし、かつは
んだ食われ現象を抑制するために、積層コンデンサのよ
うにニッケルメッキ、はんだメッキを端子電極に施す方
法がある。例えば、図2に示すように、上記のようにし
て製造した角型のサーミスタチップ1をアルミナ粉、水
とともに攪拌する、いわゆる湿式バレル研磨を行って角
隅部及び稜線部分を丸くした研磨サーミスタチップ2を
形成し、製品となったときに欠けにくくして抵抗値の変
化がないようにし、ついでこのサーミスタチップ2の両
端部にAg─Pdの電極材料ペーストを浸漬法により付
着させて乾燥させ、焼付けることにより電極材料焼付け
膜3、3を形成し、これに上記のニッケルメッキ等によ
りメッキ膜4、4を形成する。しかし、この方法は、メ
ッキを行う際、マンガンを主成分とするサーミスタ素地
がメッキ液に侵食され、図に示すようにサーミスタ素地
に波状の凹凸ができたり、電極材料焼付け膜の端部にメ
ッキ膜が延びて形成される、いわゆるメッキ延びの現象
が生じ、製造された個々のチップ型サーミスタはその端
子電極間の抵抗値のばらつきが大きいという問題があ
る。
In order to improve the solderability of the terminal electrodes and suppress the phenomenon of solder erosion, there is a method of applying nickel plating or solder plating to the terminal electrodes like a multilayer capacitor. For example, as shown in FIG. 2, a square thermistor chip 1 manufactured as described above is agitated with alumina powder and water, so-called wet barrel polishing is performed to round the corners and ridges, thereby forming a thermistor chip. 2 is formed so as to prevent chipping when it becomes a product so that the resistance value does not change. Then, an electrode material paste of Ag-Pd is attached to both ends of the thermistor chip 2 by a dipping method and dried. The electrode material baking films 3 and 3 are formed by baking, and the plating films 4 and 4 are formed on the electrode material baking films 3 and 3. However, in this method, when the plating is performed, the thermistor substrate containing manganese as the main component is eroded by the plating solution, resulting in wavy unevenness on the thermistor substrate as shown in the figure, or plating on the edge of the electrode material baking film. There is a problem that a phenomenon of so-called plating extension, in which the film is extended and formed, occurs, and the manufactured individual chip type thermistors have large variations in resistance value between their terminal electrodes.

【0006】このメッキ液による影響をなくすととも
に、雰囲気によりサーミスタ素地が影響されることを防
止するために、サーミスタ素地部分にガラス粉末を含有
する塗料を塗布し、加熱してガラス被膜を形成したチッ
プ型サーミスタも用いられている。例えば、図3に示す
ようにサーミスタ素地チップ1にガラス被膜5を形成
し、その両端に上記と同様にAg─Pdの電極材料焼付
け膜6、6を形成し、さらにこれにニッケルメッキ等に
より金属メッキ層7、7を形成する。
In order to eliminate the influence of the plating solution and prevent the thermistor substrate from being affected by the atmosphere, a chip containing a glass coating formed by coating a coating material containing glass powder on the thermistor substrate and heating it. Type thermistors are also used. For example, as shown in FIG. 3, a glass film 5 is formed on the thermistor base chip 1, and Ag—Pd electrode material baking films 6, 6 are formed on both ends thereof in the same manner as described above, and a metal film is formed on the film by nickel plating or the like. The plated layers 7 and 7 are formed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このガ
ラス被膜を形成したチップ型サーミスタは、角隅部及び
稜線部分の角部が尖っていてしかもガラス被膜が脆いた
め、これをプリント基板に表面実装しようとすると、実
際の作業ラインではホッパーにその多数が収容され、1
個づづ取り出されてプリント基板に運ばれ、はんだ付け
されるので、ホッパーで他のものと一緒にされて擦れあ
ったとき、吸引チャックで取り出されてプリント基板に
置かれるとき等に角隅部や稜線部分が欠けることがあ
る。このように欠けると、サーミスタ素地が露出して空
気中の温度や湿度の影響を受けたり、また、欠けた部分
が端子電極の一部であると、製品のチップ型サーミスタ
の抵抗値が変化し、個々の製品毎に抵抗値が異なるとい
う問題を生じる。
However, the chip-type thermistor having the glass coating formed thereon has sharp corners and ridges, and the glass coating is fragile. Then, in the actual work line, many of them are accommodated in the hopper, and
Since they are individually taken out and carried to the printed circuit board and soldered, when they are rubbed together by other things in the hopper, when they are taken out by the suction chuck and placed on the printed circuit board, etc. The ridge may be missing. If it is chipped like this, the thermistor substrate is exposed and is affected by the temperature and humidity in the air.If the chipped part is part of the terminal electrode, the resistance value of the chip type thermistor changes. However, there arises a problem that the resistance value is different for each product.

【0008】この問題を解決するために、本発明者ら
は、サーミスタ素地チップを研磨して角隅部や稜線部分
の角部を丸くし、この研磨したサーミスタ素地チップに
ガラス粉末を含有するガラスペーストを塗布し、加熱す
ることによりガラス被膜でサーミスタ素地チップを被覆
し、ついでこのチップの両端部に電極材料の焼付け膜を
形成し、さらにメッキを施すチップ型サーミスタの製造
方法において、電極材料の焼付け膜を形成する際に上記
ガラス粉末の作業点温度を選択することによりガラス被
膜を流動化できるようにして電極材料をそのガラ被膜内
に侵入させ、これによりサーミスタ素地チップと電極材
料焼付け膜とを接触させる方法を提案した。
In order to solve this problem, the inventors of the present invention polished the thermistor base chip to round the corners and ridges, and the polished thermistor base chip contained glass powder. The paste is applied and the thermistor base chip is covered with a glass film by heating, and then a baking film of the electrode material is formed on both ends of this chip. By selecting the working temperature of the glass powder when forming the baking film, the glass material can be fluidized so that the electrode material penetrates into the glass film, thereby forming the thermistor base chip and the electrode material baking film. Proposed a method of contacting.

【0009】しかしながら、この方法は電極材料塗膜を
流動化したガラス被膜内に侵入させてもその侵入度合を
各製品毎に一様にすることは難しいので、各製品毎に電
極材料焼付け膜とサーミスタ素地チップとの接触状態に
バラツキが生じ、製品の特性値である抵抗値のバラツキ
が大きくなり易いという問題を生じる。
However, according to this method, even if the electrode material coating film is made to penetrate into the fluidized glass film, it is difficult to make the degree of penetration uniform for each product. There is a variation in the contact state with the thermistor base chip, which causes a problem that the variation in the resistance value, which is a characteristic value of the product, tends to be large.

【0010】本発明の目的は、形成される端子電極の相
違によって抵抗値が影響されず、かつ欠けないような形
状のガラス被膜で被覆したチップ型サーミスタ及びその
製造方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a chip type thermistor coated with a glass film having a shape in which the resistance value is not affected by the difference in the formed terminal electrodes and is not chipped, and a manufacturing method thereof.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、少なくとも一対の離間した内部電極を内
装するとともに角部に丸みを有するサーミスタ素体と、
このサーミスタ素体の外周面に被覆されたガラス被膜
と、上記一対の内部電極のいずれかの一端部を上記チッ
プ状抵抗体の異なる外側面に導出してこれら外側面に形
成したそれぞれの内部電極と接続した端子電極を有する
チップ型サーミスタを提供するものである。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a thermistor element body having at least a pair of spaced internal electrodes and having rounded corners.
The glass coating on the outer peripheral surface of the thermistor body and one of the pair of internal electrodes is led to different outer surfaces of the chip-shaped resistor to form the respective inner electrodes. The present invention provides a chip type thermistor having a terminal electrode connected to.

【0012】また、本発明は、サーミスタ抵抗体グリー
ンシートに内部電極塗膜を形成した内部電極塗膜付グリ
ーンシートを積層する工程と、このグリーンシート積層
体を焼成する工程を経てサーミスタ素体チップを得る工
程と、このサーミスタ素体チップを研磨する工程と、こ
の研磨したサーミスタ素体チップにガラス被膜を形成す
る工程と、このガラス被膜を形成したサーミスタ素体チ
ップの両端部に電極材料を付着させる工程と、前記ガラ
ス被膜の作業点温度よりも高い温度で熱処理することに
より前記内部電極に導電接続された電極材料焼付け膜を
形成する工程と、この電極材料焼付け膜上に金属メッキ
層を形成する工程を有するチップ型サーミスタの製造方
法を提供するものである。
The present invention also provides a thermistor element chip through a step of laminating a green sheet with an internal electrode coating film in which an internal electrode coating film is formed on a thermistor resistor green sheet, and a step of firing the green sheet laminated body. To obtain, the step of polishing the thermistor element chip, the step of forming a glass coating on the polished thermistor element chip, and the electrode material is attached to both ends of the thermistor element chip on which the glass coating is formed. And a step of forming an electrode material baking film conductively connected to the internal electrodes by performing heat treatment at a temperature higher than the working point temperature of the glass film, and forming a metal plating layer on the electrode material baking film. The present invention provides a method for manufacturing a chip type thermistor including the steps of:

【0013】[0013]

【作用】チップ状サーミスタ抵抗体の層内に離間した少
なくとも一対の内部電極を内装することにより抵抗値は
これら内部電極間の距離により定まるから、これら内部
電極をチップ状サーミスタ抵抗体の外側面に導出しこの
外側面に端子電極を形成してそれぞれの内部電極と接続
することにより、この接続は導体同士の接続であるので
その接続状態により製品の特性値の抵抗値が影響を受け
ることが少ない。一方、サーミスタ素体を研磨してから
ガラス被膜で被覆し、その両端に電極材料焼付け膜を形
成する際に、ガラス被膜の作業点温度よりも高い温度で
熱処理するので、電極材料焼付け膜を形成する際の焼付
け時にガラス被膜が流動化し電極材料とガラスとが混在
し内部電極に導電接続された端子電極が形成される。
Since the resistance value is determined by the distance between the internal electrodes by incorporating at least a pair of internal electrodes separated in the layer of the chip thermistor resistor, these internal electrodes are placed on the outer surface of the chip thermistor resistor. By leading out and forming a terminal electrode on this outer surface and connecting to each internal electrode, this connection is a connection between conductors, so the resistance value of the characteristic value of the product is less affected by the connection state .. On the other hand, when the thermistor element body is polished and then coated with glass coating, and the electrode material baking film is formed on both ends of the thermistor element, it is heat-treated at a temperature higher than the working temperature of the glass film, so the electrode material baking film is formed. During baking, the glass coating fluidizes and the electrode material and glass are mixed to form a terminal electrode that is conductively connected to the internal electrode.

【0014】[0014]

【実施例】次に本発明の実施例を図1に基づいて説明す
る。 実施例1 通常のセラミック製品を製造する場合のように、マンガ
ン、ニッケル、コバルトの酸化物のサーミスタ抵抗体原
料を配合、混合、仮焼し、この仮焼したものを粉砕し、
サーミスタ抵抗体材料粉末を得る。このサーミスタ抵抗
体材料粉末に樹脂、水等からなバインダー組成物を混合
し、この混合物を成形機により成形してサーミスタ抵抗
体グリーンシートを作製する。このサーミスタ抵抗体グ
リーンシートにAg─Pd、樹脂、溶剤等からなる電極
材料ペーストを塗布して内部電極塗膜付きグリーンシー
トを得る。これらの2枚を各内部電極塗膜がサーミスタ
抵抗体グリーンシートを介して対向するように重ね、さ
らにサーミスタ抵抗体グリーンシートを重ねて内部電極
塗膜を埋め込んでグリーンシート積層体を得る。このグ
リーンシート積層体を一定寸法に切断し、焼成し、図1
に示すように、内部電極10a、10bを有する3.2
mm×1.6mm×1.0mmの角チップ形状のサーミ
スタ素体チップ11を得る。このサーミスタ素体チップ
11を平均粒径30μmのアルミナ粉末、水とともに攪
拌することにより湿式バレル研磨を行なって角隅部及び
稜線部分が丸くなった研磨サーミスタ素体チップ12を
得る。
EXAMPLE An example of the present invention will be described below with reference to FIG. Example 1 Manganese, nickel and cobalt oxide thermistor resistor raw materials were mixed, mixed and calcined as in the case of producing a normal ceramic product, and the calcined product was pulverized,
Obtain the thermistor resistor material powder. This thermistor resistor material powder is mixed with a binder composition composed of resin, water, etc., and this mixture is molded by a molding machine to produce a thermistor resistor green sheet. An electrode material paste made of Ag-Pd, resin, solvent, etc. is applied to the thermistor resistor green sheet to obtain a green sheet with an internal electrode coating film. These two sheets are stacked so that the internal electrode coating films face each other with the thermistor resistor green sheet interposed therebetween, and the thermistor resistor green sheets are further stacked to embed the internal electrode coating film to obtain a green sheet laminate. This green sheet laminate is cut into a certain size and fired,
3.2, which has internal electrodes 10a and 10b.
A square thermistor element chip 11 having a size of mm × 1.6 mm × 1.0 mm is obtained. This thermistor element chip 11 is stirred with alumina powder having an average particle size of 30 μm and water to perform wet barrel polishing to obtain a polished thermistor element chip 12 with rounded corners and ridges.

【0011】作業点温度が400〜1000℃で後述の
電極材料焼付け膜の焼付け温度より低い作業点温度、例
えば700℃の作業点温度を有するガラスを含有するガ
ラスペーストに上記研磨サーミスタ素体チップ12を浸
漬法により付着させてから乾燥し、さらに800℃で1
0分間熱処理して約10μmのガラス被膜13を形成す
る。作業点温度というのは1万ポイズ単位の粘度になる
温度であり、具体的にこれに該当する材料としては岩城
硝子株式会社のカタログのIWFフリット品種、特性一
覧表に記載されている。軟化点温度では300〜800
℃が好ましい。組成的には酸化ケイ素、酸化ホウ素、酸
化バリウム系のものが挙げられ、そのほかにLi、K、
Na、Mg、Sr、Zn、Cd、Pb、Alなどのイオ
ンを含むものが挙げられ、例えばホウケイ酸鉛ガラスが
好ましい。なお、ガラスペーストはガラス粉末(作業点
温度700℃)、バインダー樹脂としてニトロセルロー
ス、溶剤としてブチルカルビトールアセテートを使用し
て調製した。
The polishing thermistor body chip 12 is added to a glass paste containing glass having a working point temperature of 400 to 1000 ° C. and a working point temperature lower than the baking temperature of the electrode material baking film described later, for example, 700 ° C. Is applied by the dipping method and then dried, and then at 800 ° C for 1
A heat treatment is performed for 0 minutes to form a glass film 13 of about 10 μm. The working point temperature is a temperature at which the viscosity becomes 10,000 poise units, and specific materials corresponding to this are described in the IWF frit type and characteristics list in the catalog of Iwaki Glass Co., Ltd. 300-800 at softening point temperature
C is preferred. In terms of composition, silicon oxide, boron oxide, and barium oxide-based ones are listed, and in addition to these, Li, K,
Examples thereof include those containing ions such as Na, Mg, Sr, Zn, Cd, Pb and Al, and lead borosilicate glass is preferable. The glass paste was prepared using glass powder (working point temperature: 700 ° C.), nitrocellulose as a binder resin, and butyl carbitol acetate as a solvent.

【0012】ガラス層を形成した研磨サーミスタ素体チ
ップ12の両側端部にAg─Pdの粉末、バインダー等
からなる電極材料ペーストを浸漬により付着させてから
乾燥させ、850℃、10分焼付けを行なう。この焼付
け時にガラス層が流動化し、電極材料とガラスが混在し
た状熊になって両側端部に約20μmの厚さの焼付け電
極14、14が形成され、この電極は内部電極の端部に
接触し、両者は接続される。 なお、内部電極10a、
10b間の距離は所定の抵抗値になるように決められ
る。なお、電極材料ペーストはAg─Pd(7:3)粉
末、バインダー樹脂としてエチルセルロース、溶剤とし
てブチルカルビトールアセテートを使用して調製した。
Electrode material paste consisting of Ag--Pd powder, binder, etc. is applied by dipping to both side ends of the polished thermistor element chip 12 having the glass layer formed thereon, dried, and baked at 850 ° C. for 10 minutes. .. During this baking, the glass layer was fluidized to form a mixture of electrode material and glass, and baking electrodes 14, 14 with a thickness of about 20 μm were formed at both ends, and these electrodes contacted the ends of the internal electrodes. However, the two are connected. The internal electrodes 10a,
The distance between 10b is determined so as to have a predetermined resistance value. The electrode material paste was prepared using Ag-Pd (7: 3) powder, ethyl cellulose as the binder resin, and butyl carbitol acetate as the solvent.

【0013】この後、通常の方法によりニッケルメッ
キ、はんだメッキを施して金属メッキ層15、15を形
成し、焼付け電極とメッキ膜を積層した端子電極を有す
るチップ型サーミスタチップ16を得る。
After that, nickel plating and solder plating are applied by a usual method to form metal plating layers 15 and 15 to obtain a chip type thermistor chip 16 having a terminal electrode in which a baking electrode and a plating film are laminated.

【0014】このようにして得られたチップ型サーミス
タ100個の外観検査ではメッキ延び、サーミスタ素地
の侵食などの異常は見られなかった。
In the visual inspection of 100 chip-type thermistors thus obtained, the plating was extended and no abnormality such as corrosion of the thermistor substrate was observed.

【0015】また、これらのチップ型サーミスタ100
個の25℃における抵抗値のばらつき3σ(100個の
抵抗値の標準偏差の3倍値)を求めた結果を表1に示
す。
Further, these chip type thermistors 100
Table 1 shows the results of the calculation of the resistance variation 3σ at 25 ° C. (three times the standard deviation of 100 resistance values).

【0016】参考例 実施例1において、内部電極塗膜を形成しないサーミス
タ抵抗体グリーンシートを一定寸法に切断し、3.2m
m×1.6mm×1.0mmの角チップ形状のNTCサ
ーミスタ素地チップを得、これをサーミスタ素体の代わ
りに用いた以外は同様にチップ型サーミスタを作製し、
その100個について実施例1と同様に測定した結果を
表1に示す。
Reference Example In Example 1, the thermistor resistor green sheet on which the internal electrode coating film was not formed was cut into a piece having a predetermined size of 3.2 m.
A chip-type thermistor was produced in the same manner except that an NTC thermistor base chip in the form of a square chip of m × 1.6 mm × 1.0 mm was used, and this was used instead of the thermistor body.
Table 1 shows the results of measuring 100 of them in the same manner as in Example 1.

【0017】比較例 実施例1において、ガラス被膜を設けなかった以外は同
様にしてチップ型サーミスタを作製し、その100個に
ついて外観検査を行ったところ、全部についてメッキ液
による侵食が見られた。
Comparative Example In the same manner as in Example 1, except that the glass coating was not provided, chip type thermistors were manufactured in the same manner, and the appearance inspection was performed on 100 of them.

【0018】[0018]

【発明の効果】本発明によれば、内部電極を内装すると
ともに角部を丸めたサーミスタ素体にガラス被膜を被覆
してからこのガラス被膜を流動化しつつ電極材料焼付け
膜を形成し、これにメッキ膜を施した端子電極を設けた
ので、内部電極と端子電極は接続されて内部電極間の距
離によって決まる抵抗値を所定の値にすることができ、
そのばらつきを少なくできる。また、チップ型サーミス
タの尖った角隅部や稜線部分の角部がなく、チップ型サ
ーミスタを表面実装する作業時等においてサーミスタ素
体の角部が欠けることも少ない。このようにサーミスタ
素体チップを両端の電極材料ガラス焼付け膜で覆い、そ
の他の部分をガラス層で覆うことができると、メッキを
行ってもサーミスタ素体部分がメッキ液に侵食されるこ
とがないのみならず、サーミスタ素体部分におけるメッ
キ延びもなくすことができる。また、メッキをした端子
電極ははんだ食われ現象が起きないようにできるので、
フローはんだ付け方法を使用したチップ型サーミスタを
提供することができ、その生産性を向上できるととも
に、はんだ付け性が良いこと及び上記のメッキを行う場
合の障害がないことと併せて高精度、高信頼性のチップ
型サーミスタを提供することができる。
According to the present invention, a thermistor element body having inner electrodes and inner corners and rounded corners is coated with a glass film, and then the glass film is fluidized to form an electrode material baking film. Since the terminal electrode provided with the plated film is provided, the internal electrode and the terminal electrode are connected to each other, and the resistance value determined by the distance between the internal electrodes can be set to a predetermined value.
The variation can be reduced. Further, the chip-type thermistor does not have sharp corners or ridges, and the corners of the thermistor body are less likely to be chipped when the chip-type thermistor is surface-mounted. In this way, if the thermistor body chip can be covered with the electrode material glass baking film on both ends and the other parts can be covered with the glass layer, the thermistor body part will not be eroded by the plating solution even if plating is performed. In addition, it is possible to prevent the plating extension in the thermistor body part. Also, the plated terminal electrodes can prevent solder erosion from occurring,
It is possible to provide a chip-type thermistor using the flow soldering method, which can improve the productivity, and also has good solderability and no obstacles when performing the plating described above, with high precision and high accuracy. It is possible to provide a reliable chip type thermistor.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例のチップ型サーミスタの製造
工程説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a manufacturing process of a chip type thermistor according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来のチップ型サーミスタの製造工程説明図で
ある。
FIG. 2 is an explanatory view of a manufacturing process of a conventional chip type thermistor.

【図3】従来のチップ型サーミスタの他の製造工程説明
図である。
FIG. 3 is another manufacturing process explanatory diagram of the conventional chip type thermistor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10a、10b 内部電極 11 サーミスタ素体チップ 12 研磨サーミスタ素体チップ 13 ガラス被膜 14 電極材料ガラス焼付け膜 15 金属メッキ層 16 チップ型サーミスタ 10a, 10b Internal Electrode 11 Thermistor Element Chip 12 Polished Thermistor Element Chip 13 Glass Coating 14 Electrode Material Glass Baking Film 15 Metal Plating Layer 16 Chip Thermistor

【表1】 [Table 1]

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも一対の離間した内部電極を内装
するとともに角部に丸みを有するサーミスタ素体と、こ
のサーミスタ素体の外周面に被覆されたガラス被膜と、
上記一対の内部電極のいずれかの一端部を上記チップ状
抵抗体の異なる外側面に導出してこれら外側面に形成し
たそれぞれの内部電極と接続した端子電極を有するチッ
プ型サーミスタ。
1. A thermistor element body having at least a pair of spaced internal electrodes and having rounded corners, and a glass film coated on the outer peripheral surface of the thermistor element body.
A chip-type thermistor having terminal electrodes connected to respective internal electrodes formed by leading one end of one of the pair of internal electrodes to different outer surfaces of the chip-shaped resistor.
【請求項2】 サーミスタ抵抗体グリーンシートに内部
電極塗膜を形成した内部電極塗膜付グリーンシートを積
層する工程と、このグリーンシート積層体を焼成する工
程を経てサーミスタ素体チップを得る工程と、このサー
ミスタ素体チップを研磨する工程と、この研磨したサー
ミスタ素体チップにガラス被膜を形成する工程と、この
ガラス被膜を形成したサーミスタ素体チップの両端部に
電極材料を付着させる工程と、前記ガラス被膜の作業点
温度よりも高い温度で熱処理することにより前記内部電
極に導電接続された電極材料焼付け膜を形成する工程
と、この電極材料焼付け膜上に金属メッキ層を形成する
工程を有するチップ型サーミスタの製造方法。
2. A step of stacking a green sheet with an internal electrode coating film formed by forming an internal electrode coating film on a thermistor resistor green sheet, and a step of obtaining a thermistor element chip through a step of firing the green sheet laminated body. , A step of polishing the thermistor element chip, a step of forming a glass coating on the polished thermistor element chip, and a step of attaching an electrode material to both ends of the thermistor element chip having the glass coating formed, And a step of forming an electrode material baking film conductively connected to the internal electrodes by heat treatment at a temperature higher than the working point temperature of the glass film, and a step of forming a metal plating layer on the electrode material baking film. Manufacturing method of chip type thermistor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0917609A (en) * 1995-06-28 1997-01-17 Mitsubishi Materials Corp Multilayered type chip thermistor
US6151771A (en) * 1997-06-10 2000-11-28 Cyntec Company Resistance temperature detector (RTD) formed with a surface-mount-device (SMD) structure
US7776252B2 (en) 2002-02-28 2010-08-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing multilayer ceramic electronic component
JP2014093483A (en) * 2012-11-06 2014-05-19 Tdk Corp Chip thermistor

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