JP3277291B2 - Manufacturing method of chip type thermistor - Google Patents

Manufacturing method of chip type thermistor

Info

Publication number
JP3277291B2
JP3277291B2 JP11951492A JP11951492A JP3277291B2 JP 3277291 B2 JP3277291 B2 JP 3277291B2 JP 11951492 A JP11951492 A JP 11951492A JP 11951492 A JP11951492 A JP 11951492A JP 3277291 B2 JP3277291 B2 JP 3277291B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermistor
chip
glass
electrode material
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP11951492A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH05283206A (en
Inventor
格 久保田
淳一 福山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Priority to JP11951492A priority Critical patent/JP3277291B2/en
Publication of JPH05283206A publication Critical patent/JPH05283206A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3277291B2 publication Critical patent/JP3277291B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、温度センサ、温度補償
に使用される回路基板等の表面実装用のチップ型サーミ
スタに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip type thermistor for surface mounting such as a temperature sensor and a circuit board used for temperature compensation.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子を搭載した回路基板は、その
温度が高くなると半導体素子の機能が損なわれるので、
その温度を検知して温度が上がらないようにすることが
行われている。このような温度を検知したり、回路的に
温度をコントロールする温度補償用にチップ型サーミス
タが用いられている。
2. Description of the Related Art A circuit board on which a semiconductor element is mounted may lose its function when the temperature thereof rises.
The temperature is detected to prevent the temperature from rising. A chip thermistor is used for temperature compensation for detecting such a temperature or controlling the temperature in a circuit.

【0003】従来、回路基板の表面実装用チップ型サー
ミスタは、サーミスタ抵抗体材料の焼成体の両端に端子
電極を形成したもので、その製造方法としては、まず、
マンガン、ニッケル、コバルト等の酸化物を従来のセラ
ミックス製品を製造する場合と同様に配合して混合し、
ついで仮焼し、この仮焼物を粉砕する。このようにして
得られたサーミスタ抵抗体材料粉末に樹脂、溶剤等から
なるバインダー組成物を混合して粘稠なスラリーを調製
し、これを成形機により成形してサーミスタ抵抗体材料
のグリーンシートを作製する。このグリーンシートを一
定の寸法に切断し、焼成を行ない、サーミスタ抵抗体の
サーミスタ素地チップを得る。このチップの両端部を電
極材料ペーストに順次浸漬することによりこのペースト
を付着・乾燥させ、ついで焼付けを行って端子電極を形
成し、チップ型のサーミスタを完成する。
Conventionally, a chip type thermistor for surface mounting of a circuit board has terminal electrodes formed on both ends of a fired body of a thermistor resistor material.
Mix and mix oxides of manganese, nickel, cobalt, etc. in the same way as in the case of manufacturing conventional ceramic products,
Then, it is calcined, and the calcined product is pulverized. The thus obtained thermistor resistor material powder is mixed with a binder composition comprising a resin, a solvent and the like to prepare a viscous slurry, which is molded by a molding machine to form a green sheet of the thermistor resistor material. Make it. The green sheet is cut into a predetermined size and fired to obtain a thermistor base chip of a thermistor resistor. The both ends of the chip are sequentially immersed in an electrode material paste to adhere and dry the paste, and then baked to form terminal electrodes, thereby completing a chip-type thermistor.

【0004】このようなチップ型サーミスタをプリント
基板に表面実装するには、プリント基板のはんだ付けラ
ンドにはんだペーストを塗布してからチップ型サーミス
タの端子電極を載置し、加熱して塗布層のはんだを溶融
してはんだ付けするリフローはんだ付け、あるいはチッ
プ型サーミスタをプリント基板に接着剤で仮固定してお
いて噴流する溶融はんだにはんだ付けランドと端子電極
の接続部を接触させることによりはんだ付けするフロー
はんだ付けする。この際、端子電極をAgのみの被覆層
で形成すると、特にフローはんだ付けにおいて溶融はん
だにより端子電極が侵される、いわゆるはんだ食われ現
象を起こし、サーミスタ素地チップの両端に形成された
端子電極の最短距離を変化させ、チップ型サーミスタの
抵抗値を変化させる。サーミスタ特性は、抵抗値及びB
定数(温度係数)で決められるので、この抵抗値が変化
しないようにすることが重要であり、そのために従来、
端子電極はAgにPdを添加した電極材料を含有する電
極材料ペーストを用いて形成されている。最近、サーミ
スタ抵抗値に高精度、高信頼性が求められるようにな
り、これに伴ってチップ型サーミスタの端子電極のプリ
ント基板におけるはんだ付けランドに対するはんだ付け
性を良くするために、端子電極の溶融はんだに対する濡
れ性の向上が望まれているが、Pdを多くするとこの濡
れ性が低下し、はんだ付着性が悪くなる。
In order to mount such a chip-type thermistor on a printed circuit board, a solder paste is applied to the soldering lands of the printed circuit board, and then the terminal electrodes of the chip-type thermistor are placed and heated to form a coating layer. Reflow soldering, in which the solder is melted and soldered, or soldering, by temporarily fixing the chip-type thermistor to the printed circuit board with an adhesive, and then contacting the soldering land and the connection between the terminal electrodes with the jetted molten solder Flow soldering. At this time, if the terminal electrode is formed of a coating layer of Ag alone, the terminal electrode is eroded by the molten solder, particularly in flow soldering, so-called solder erosion occurs, and the shortest terminal electrode formed at both ends of the thermistor base chip is formed. The distance is changed to change the resistance value of the chip thermistor. The thermistor characteristics include resistance value and B
Since it is determined by a constant (temperature coefficient), it is important that this resistance value does not change.
The terminal electrode is formed using an electrode material paste containing an electrode material obtained by adding Pd to Ag. Recently, high accuracy and high reliability have been required for thermistor resistance value.Accordingly, in order to improve the solderability of the terminal electrode of the chip type thermistor to the soldering land on the printed circuit board, the melting of the terminal electrode has been required. It is desired to improve the wettability with respect to solder. However, when Pd is increased, the wettability decreases and the solder adhesion deteriorates.

【0005】端子電極のはんだ付け性を良くし、かつは
んだ食われ現象を抑制するために、積層コンデンサのよ
うにニッケルメッキ、はんだメッキを端子電極に施す方
法がある。例えば、図2に示すように、上記のようにし
て製造した角型のサーミスタチップ1をアルミナ粉、水
とともに攪拌する、いわゆる湿式バレル研磨を行って角
隅部及び稜線部分の角部を丸くした研磨サーミスタチッ
プ2を形成し、製品となったときに欠けにくくして抵抗
値の変化がないようにし、ついでこのサーミスタチップ
2の両端部にAg―Pdの電極材料ペーストを浸漬法に
より付着させて乾燥させ、焼付けることにより電極材料
焼付け膜3、3を形成し、これに上記のニッケルメッキ
等によりメッキ膜4、4を形成する。しかし、この方法
は、メッキを行う際、マンガンを主成分とするサーミス
タ素地がメッキ液に侵食され、図に示すようにサーミス
タ素地に波状の凹凸ができたり、電極材料焼付け膜の端
部にメッキ膜が延びて形成される、いわゆるメッキ延び
の現象が生じ、製造された個々のチップ型サーミスタは
その端子電極間の抵抗値のばらつきが大きいという問題
がある。
[0005] In order to improve the solderability of the terminal electrode and to suppress the solder erosion phenomenon, there is a method of applying nickel plating or solder plating to the terminal electrode like a multilayer capacitor. For example, as shown in FIG. 2, the square thermistor chip 1 manufactured as described above is stirred with alumina powder and water, that is, so-called wet barrel polishing is performed to round the corners of the corners and ridges. A polished thermistor chip 2 is formed, and is hardly chipped when the product is formed, so that the resistance value does not change. Then, an electrode material paste of Ag-Pd is attached to both ends of the thermistor chip 2 by a dipping method. The electrode material baking films 3 and 3 are formed by drying and baking, and the plating films 4 and 4 are formed thereon by the nickel plating or the like. However, in this method, when performing plating, the thermistor base mainly composed of manganese is eroded by the plating solution, and as shown in the figure, wavy irregularities are formed on the thermistor base, or the end of the electrode material baking film is plated. The so-called plating elongation phenomenon occurs in which the film is extended, and the individual chip-type thermistor manufactured has a problem that the resistance value between the terminal electrodes varies greatly.

【0006】このメッキ液に対する影響をなくすととも
に、雰囲気の湿度によりサーミスタ素地が影響されるこ
とを防止するために、サーミスタ素地部分にガラス粉末
を含有する塗料を塗布し、加熱してガラス層を形成した
チップ型サーミスタも用いられている。例えば、図3に
示すようにサーミスタ素地チップ1にガラス層5を形成
し、その両端に上記と同様にAg―Pdの電極材料焼付
け膜6、6を形成し、さらにこれにニッケルメッキ等に
よりメッキ膜7、7を形成する。
In order to eliminate the influence on the plating solution and prevent the humidity of the atmosphere from affecting the thermistor substrate, a coating containing glass powder is applied to the thermistor substrate and heated to form a glass layer. Chip type thermistors are also used. For example, as shown in FIG. 3, a glass layer 5 is formed on the thermistor base chip 1 and electrode material baking films 6, 6 of Ag-Pd are formed on both ends of the glass layer 5 in the same manner as described above. The films 7, 7 are formed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このガ
ラス層を形成したチップ型サーミスタは、角隅部及び稜
線部分の角部が尖っていてしかもガラス層が脆いため、
これをプリント基板に表面実装しようとすると、実際の
作業ラインではホッパーにその多数が収容され、1個づ
づ取り出されてプリント基板に運ばれ、はんだ付けされ
るので、ホッパーで他のものと一緒にされて擦れあった
とき、吸引チャックで取り出されてプリント基板に置か
れるとき等に角隅部や稜線部分が欠けることがある。こ
のように欠けると、サーミスタ素地が露出して空気中の
湿度の影響を受けたり、また、欠けた部分が端子電極の
一部であると、製品のチップ型サーミスタの抵抗値が変
化し、個々の製品毎に抵抗値が異なるという問題を生じ
る。本発明の目的は、欠けないような形状のガラス被膜
でサーミスタ素地を被覆したチップ型サーミスタを提供
することにある。
However, the chip type thermistor having the glass layer formed thereon has sharp corners and ridges, and the glass layer is brittle.
If this is to be surface-mounted on a printed circuit board, in the actual working line, many of them are stored in a hopper, taken out one by one, transported to a printed circuit board, and soldered, so that the hopper together with other things When it is rubbed, the corners and ridges may be chipped when it is taken out by a suction chuck and placed on a printed circuit board. If it is chipped in this way, the thermistor substrate will be exposed and will be affected by the humidity in the air.If the chipped part is part of the terminal electrode, the resistance of the chip-type thermistor of the product will change, A problem arises that the resistance value differs for each product. An object of the present invention is to provide a chip type thermistor in which a thermistor body is covered with a glass coating having a shape that does not chip.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、角部を丸めたサーミスタ素地チップを準
備する工程と、このサーミスタ素地チップの全体の表面
尖った角隅部や稜線部分がないガラス被膜を形成する
ガラス被膜形成工程と、このガラス被膜形成工程で得ら
れたチップの両端部に電極材料を付着させる工程と、前
記ガラス被膜がそのガラスの作業点温度より高い温度で
熱処理されて流動化するその処理温度であってかつ前記
電極材料とガラスが混在状態になる処理温度で熱処理す
ることにより前記サーミスタ素地チップに導電接続され
た電極材料焼付け膜を形成する電極材料焼付け膜形成工
程と、この電極材料焼付け膜形成工程で得られた電極材
料焼付け膜上に金属メッキ層を形成する工程を有するチ
ップ型サーミスタの製造方法を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a step of preparing a thermistor base chip having rounded corners, and a step of forming a sharp corner or a sharp corner on the entire surface of the thermistor base chip. A glass coating forming step of forming a glass coating having no ridge line portion, a step of attaching electrode materials to both ends of the chip obtained in the glass coating forming step, and a step in which the glass coating is higher than the working point temperature of the glass. so
Forming conductive electrodes connected material baked film on the thermistor matrix chip by the a process temperature and the <br/> electrode material and a glass fluidizing been heat-treated is heat-treated at a processing temperature at which the mixed state An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a chip type thermistor including an electrode material baking film forming step and a step of forming a metal plating layer on the electrode material baking film obtained in the electrode material baking film forming step.

【0009】[0009]

【作用】角部を丸めたサーミスタ素地チップをガラス被
膜で被覆し、その両端に電極材料焼付け膜を形成する際
の焼付け時に、ガラス被膜がそのガラスの作業点温度よ
り高い温度で熱処理されて流動化し電極材料とガラスと
が混在しサーミスタ素地チップに導電接続された端子電
極が形成される。サーミスタ素地部分は尖った稜線部分
や角隅部が丸くなる。
[Function] A thermistor base chip having rounded corners is coated with a glass coating, and when the electrode material baking film is formed on both ends of the chip, the glass coating is adjusted to the working point temperature of the glass.
Heat treatment is performed at a higher temperature to fluidize and mix the electrode material and glass to form a terminal electrode conductively connected to the thermistor base chip. The thermistor substrate has sharp ridges and rounded corners.

【0010】[0010]

【実施例】次に本発明の実施例を図1に基づいて説明す
る。 実施例1 通常のセラミック製品を製造する場合のように、マンガ
ン、ニッケル、コバルトの酸化物のサーミスタ抵抗体原
料を配合、混合、仮焼し、この仮焼したものを粉砕し、
サーミスタ抵抗体材料粉末を得る。サーミスタ抵抗体材
料粉末に樹脂、水等からなバインダー組成物を混合し、
この混合物を成形機により成形してサーミスタ抵抗体グ
リーンシートを作製する。このサーミスタ抵抗体グリー
ンシートを一定寸法に切断し、焼成し、図1に示すよう
に、3.2mm×1.6mm×1.0mm形状のNTC
サーミスタ素地チップ11を得る。このサーミスタ素地
チップ11を平均粒径30μmのアルミナ粉末、水とと
もに攪拌することにより湿式バレル研磨を行なって角隅
部及び稜線部分の角部が丸くなったサーミスタ素地チッ
プ12を得る。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Example 1 As in the case of manufacturing a normal ceramic product, manganese, nickel and cobalt thermistor resistor raw materials were mixed, mixed and calcined, and the calcined product was pulverized.
A thermistor resistor material powder is obtained. Thermistor resistor material powder mixed with a binder composition made of resin, water, etc.,
This mixture is molded by a molding machine to produce a thermistor resistor green sheet. This thermistor resistor green sheet is cut into a certain size, baked, and as shown in FIG. 1, a 3.2 mm × 1.6 mm × 1.0 mm NTC is formed.
The thermistor base chip 11 is obtained. The thermistor base chip 11 is stirred with alumina powder having an average particle diameter of 30 μm and water to perform wet barrel polishing to obtain a thermistor base chip 12 having rounded corners and ridges.

【0011】作業点温度が400〜1000℃で後述の
電極材料焼付け膜の焼付け温度より低い作業点温度、例
えば700℃の作業点温度を有するガラスを含有するガ
ラスペーストに上記サーミスタ素地チップ12を浸漬法
により付着させてから乾燥し、さらに800℃で10分
間熱処理して約10μmのガラス被膜13を形成する。
作業点温度というのは1万ポイズ単位の粘度になる温度
であり、具体的にこれに該当する材料としては、岩城硝
子株式会社のカタログのIWFフリット品種、特性一覧
表に記載されている。軟化点温度では300〜800℃
が好ましい。組成的には酸化ケイ素、酸化ホウ素、酸化
バリウム系のものが挙げられ、そのほかにLi、K、N
a、Mg、Sr、Zn、Cd、Pb、Alなどのイオン
を含むものが挙げられ、例えばホウケイ酸鉛ガラスが好
ましい。なお、ガラスペーストはガラス粉末(作業点温
度700℃)、バインダー樹脂としてニトロセルロー
ス、溶剤としてブチルカルビトールアセテートを使用し
て調製した。
The thermistor base chip 12 is immersed in a glass paste containing a glass having a working point temperature of 400 to 1000 ° C. and lower than the baking temperature of the electrode material baking film described later, for example, a working point temperature of 700 ° C. After being adhered by the method, it is dried, and further heat-treated at 800 ° C. for 10 minutes to form a glass coating 13 of about 10 μm.
The working point temperature is a temperature at which the viscosity becomes 10,000 poise units. Specific examples of the material corresponding to the working point temperature are described in the IWF frit varieties and characteristics list in the catalog of Iwaki Glass Co., Ltd. 300-800 ° C at softening point temperature
Is preferred. The composition includes silicon oxide, boron oxide, and barium oxide-based ones. In addition, Li, K, N
Examples thereof include those containing ions such as a, Mg, Sr, Zn, Cd, Pb, and Al. For example, lead borosilicate glass is preferable. The glass paste was prepared using glass powder (working point temperature: 700 ° C.), nitrocellulose as a binder resin, and butyl carbitol acetate as a solvent.

【0012】ガラス被膜を形成したサーミスタ素地チッ
プ12の両側端部にAg―Pdの粉末、バインダー等か
らなる電極材料ペーストを浸漬により付着させてから乾
燥させ、850℃、10分焼付けを行なう。この焼付け
時にガラス被膜が流動化し、電極材料とガラスとが混在
した状態になって両側端部に約20μmの厚さの電極材
料ガラス焼付け膜14、14が形成され、電極材料もサ
ーミスタ素地チップ12の端面に接触できるようにな
る。この際両側の電極材料ガラス焼付け膜14、14の
相対する端部の距離は、所定の抵抗値になるように決め
られる。なお、電極材料ペーストはAg―Pd(7:
3)粉末、バインダー樹脂としてエチルセルロース、溶
剤としてブチルカルビトールアセテートを使用して調製
した。
An electrode material paste made of a powder of Ag-Pd, a binder, or the like is attached to both end portions of the thermistor base chip 12 having the glass coating formed thereon by dipping, dried, and baked at 850 ° C. for 10 minutes. At the time of this baking, the glass coating fluidizes, and the electrode material and the glass are mixed and the electrode material glass baking films 14 and 14 having a thickness of about 20 μm are formed at both end portions. Can contact the end face of At this time, the distance between the opposite ends of the electrode material glass baking films 14 on both sides is determined so as to have a predetermined resistance value. The electrode material paste was Ag-Pd (7:
3) The powder was prepared using ethyl cellulose as a binder resin and butyl carbitol acetate as a solvent.

【0013】この後、通常の方法によりニッケルメッ
キ、はんだメッキを施して金属メッキ層15、15を形
成したチップ型サーミスタップ16を得る。
Thereafter, a chip-type thermistor tap 16 on which metal plating layers 15 and 15 are formed by performing nickel plating and solder plating by an ordinary method is obtained.

【0014】このようにして得られたチップ型サーミス
タ100個の外観検査ではメッキ延び、サーミスタ素地
の侵食などの異常は見られなかった。
In the appearance inspection of 100 chip type thermistors thus obtained, plating was elongated, and no abnormality such as erosion of the thermistor substrate was observed.

【0015】比較例 実施例1において、ガラス層を設けなかった以外は同様
にしてチップ型サーミスタを作製し、その100個につ
いて外観検査を行ったところ、全部についてメッキ液に
よる侵食が見られた。
Comparative Example A chip-type thermistor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the glass layer was not provided, and 100 of the thermistors were visually inspected.

【0016】[0016]

【発明の効果】本発明によれば、角隅部や稜線部分の角
部が丸くなったサーミスタ素地チップの全体の表面にガ
ラス被膜が被覆され、さらにその端部に電極材料焼付け
膜がガラス被膜をそのガラスの作業点温度より高い温度
流動化しつつ形成され、これに金属メッキ層が形成さ
れるため、ガラス被膜は尖った角隅部や稜線部分がな
く、チップ型サーミスタを表面実装する作業時等におい
てガラス被膜が欠けることも少ない。また、電極材料が
ガラスと混在状態となりサーミスタ素地チップの端面と
接触できるのでこれに金属メッキ層を形成して端子電極
にすることができ、この端子電極も欠けることが少な
い。このようにサーミスタ素地チップを両端の電極材料
ガラス焼付け膜で覆い、その他の部分をガラス被膜で覆
うことができると、メッキを行ってもサーミスタ素地部
分がメッキ液に侵食されることがないのみならず、サー
ミスタ素地部分においてメッキ延びもなくすことができ
る。また、メッキをした端子電極ははんだ食われ現象が
起きないようにできるので、フローはんだ付け方法を使
用したチップ型サーミスタを提供することができ、その
生産性を向上できるとともに、はんだ付け性が良いこと
及び上記のメッキを行う場合の障害がないことと併せて
高精度、高信頼性のチップ型サーミスタを提供すること
ができる。
According to the present invention, the entire surface of the thermistor base chip whose rounded corners and ridges are rounded is coated with a glass coating, and an electrode material baking film is coated on the end of the glass coating. The glass working point temperature higher than the temperature
The glass coating has no sharp corners or ridges, and the glass coating is less likely to be chipped during surface mounting of chip-type thermistors, etc. . In addition, since the electrode material is mixed with the glass and can be brought into contact with the end face of the thermistor base chip, a metal plating layer can be formed thereon to form a terminal electrode, and the terminal electrode is rarely chipped. If the thermistor base chip can be covered with the electrode material glass baking films at both ends and the other parts can be covered with the glass coating in this way, even if plating is performed, the thermistor base part will not be eroded by the plating solution. In addition, plating extension in the thermistor base can be prevented. Further, since the plated terminal electrode can prevent the solder erosion phenomenon, a chip type thermistor using a flow soldering method can be provided, and the productivity can be improved and the solderability is good. It is possible to provide a highly accurate and highly reliable chip thermistor in addition to the fact that there is no obstacle in performing the plating.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例のチップ型サーミスタの製造
工程説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a manufacturing process of a chip type thermistor according to one embodiment of the present invention.

【図2】従来のチップ型サーミスタの製造工程説明図で
ある。
FIG. 2 is an explanatory view of a manufacturing process of a conventional chip thermistor.

【図3】従来のチップ型サーミスタの他の製造工程説明
図である。
FIG. 3 is an explanatory view of another manufacturing process of a conventional chip-type thermistor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 サーミスタ素地チップ 12 角部を丸めたサーミスタ素地チップ 13 ガラス被膜 14 電極材料ガラス焼付け膜 15 金属メッキ層 16 チップ型サーミスタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Thermistor base chip 12 Thermistor base chip with rounded corners 13 Glass coating 14 Electrode material glass baking film 15 Metal plating layer 16 Chip type thermistor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01C 7/02 - 7/22 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01C 7/ 02-7/22

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 角部を丸めたサーミスタ素地チップを準
備する工程と、このサーミスタ素地チップの全体の表面
尖った角隅部や稜線部分がないガラス被膜を形成する
ガラス被膜形成工程と、このガラス被膜形成工程で得ら
れたチップの両端部に電極材料を付着させる工程と、前
記ガラス被膜がそのガラスの作業点温度より高い温度で
熱処理されて流動化するその処理温度であってかつ前記
電極材料とガラスが混在状態になる処理温度で熱処理す
ることにより前記サーミスタ素地チップに導電接続され
た電極材料焼付け膜を形成する電極材料焼付け膜形成工
程と、この電極材料焼付け膜形成工程で得られた電極材
料焼付け膜上に金属メッキ層を形成する工程を有するチ
ップ型サーミスタの製造方法。
A step of preparing a thermistor base chip having rounded corners ; a glass coating forming step of forming a glass coating having no sharp corners or ridges on the entire surface of the thermistor base chip; A step of attaching electrode materials to both ends of the chip obtained in the glass film forming step, and the glass film is formed at a temperature higher than the working point temperature of the glass.
Forming conductive electrodes connected material baked film on the thermistor matrix chip by the a process temperature and the <br/> electrode material and a glass fluidizing been heat-treated is heat-treated at a processing temperature at which the mixed state A method for manufacturing a chip type thermistor, comprising: an electrode material baked film forming step; and a step of forming a metal plating layer on the electrode material baked film obtained in the electrode material baked film forming step.
JP11951492A 1992-03-30 1992-03-30 Manufacturing method of chip type thermistor Expired - Fee Related JP3277291B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11951492A JP3277291B2 (en) 1992-03-30 1992-03-30 Manufacturing method of chip type thermistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11951492A JP3277291B2 (en) 1992-03-30 1992-03-30 Manufacturing method of chip type thermistor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05283206A JPH05283206A (en) 1993-10-29
JP3277291B2 true JP3277291B2 (en) 2002-04-22

Family

ID=14763159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11951492A Expired - Fee Related JP3277291B2 (en) 1992-03-30 1992-03-30 Manufacturing method of chip type thermistor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3277291B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6812381B2 (en) 1998-09-10 2004-11-02 Nissan Chemical Industries, Ltd. DNA fragment having promoter function

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0982504A (en) * 1995-09-11 1997-03-28 Mitsubishi Materials Corp Chip thermistor and its manufacture
JP3624395B2 (en) 1999-02-15 2005-03-02 株式会社村田製作所 Manufacturing method of chip type thermistor
TWI245323B (en) * 2005-04-15 2005-12-11 Inpaq Technology Co Ltd Glaze cladding structure of chip device and its formation method
WO2024070426A1 (en) * 2022-09-30 2024-04-04 太陽誘電株式会社 Multilayer-ceramic electronic component and method for manufacturing same
WO2024079963A1 (en) * 2022-10-12 2024-04-18 株式会社村田製作所 Electronic component and film forming method

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5843762Y2 (en) * 1979-02-15 1983-10-04 ティーディーケイ株式会社 Chip type positive temperature coefficient thermistor
JPS62122103A (en) * 1985-11-20 1987-06-03 松下電器産業株式会社 Manufacture of laminated chip varistor
JP3036567B2 (en) * 1991-12-20 2000-04-24 三菱マテリアル株式会社 Conductive chip type ceramic element and method of manufacturing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6812381B2 (en) 1998-09-10 2004-11-02 Nissan Chemical Industries, Ltd. DNA fragment having promoter function

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05283206A (en) 1993-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6436316B2 (en) Conductive paste and printed wiring board using the same
JP3497840B2 (en) Manufacturing method of chip varistor having glass coating film
JPH06295803A (en) Chip type thermister and production thereof
JP3277291B2 (en) Manufacturing method of chip type thermistor
JP2001110232A (en) Conductive paste and semiconductor ceramic electronic parts
JPH05235497A (en) Copper conductive paste
JP3277292B2 (en) Chip type thermistor and manufacturing method thereof
JPH0896623A (en) Conductive paste
JP2555536B2 (en) Method for manufacturing platinum temperature sensor
JPH05308003A (en) Method of manufacturing chip type thermistor
JP2847102B2 (en) Chip type thermistor and method of manufacturing the same
JP2777206B2 (en) Manufacturing method of thick film resistor
JPH01286402A (en) Resistor and its manufacture
CN114284665B (en) High-power microwave load sheet and preparation method thereof
JP2996016B2 (en) External electrodes for chip-type electronic components
JP3269404B2 (en) Chip type thermistor and manufacturing method thereof
JPH04154104A (en) Laminated ceramic capacitor
JP4359267B2 (en) Conductor paste, multilayer chip varistor and manufacturing method thereof
JPH0349108A (en) Copper conductor composition material
JPH08236306A (en) Chip type thermistor and manufacture thereof
JP2591206B2 (en) Thermistor
JP3316552B2 (en) Manufacturing method of resistor
JP2001023438A (en) Conductive paste and ceramic electronic component
JPH0644670B2 (en) Ceramic circuit board manufacturing method
JPH07141914A (en) Silver paste and ceramic electronic parts

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020108

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees