JP2591206B2 - Thermistor - Google Patents

Thermistor

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JP2591206B2
JP2591206B2 JP1343662A JP34366289A JP2591206B2 JP 2591206 B2 JP2591206 B2 JP 2591206B2 JP 1343662 A JP1343662 A JP 1343662A JP 34366289 A JP34366289 A JP 34366289A JP 2591206 B2 JP2591206 B2 JP 2591206B2
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inorganic
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は使用温度範囲内における温度上昇にともなっ
て抵抗値が減少するサーミスタに関する。特に、サーミ
スタの素子構造に関する。サーミスタは、電子機器の温
度補償、表面温度測定センサその他に利用される。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a thermistor whose resistance value decreases with an increase in temperature within a use temperature range. In particular, it relates to the element structure of a thermistor. Thermistors are used for temperature compensation of electronic devices, surface temperature measurement sensors, and the like.

〔概要〕〔Overview〕

本発明は、使用温度範囲内における温度上昇にともな
って抵抗値が減少するサーミスタにおいて、 電極と接触する部分以外のサーミスタ素体の表面をガ
ラスと無機結晶物との無機複合材料で被覆し、電極をメ
ッキにより形成することにより、 ハンダ付着性およびハンダ耐熱性に優れ、かつ抵抗値
のバラツキが小さいサーミスタ素子を提供するものであ
る。
The present invention relates to a thermistor in which the resistance value decreases as the temperature rises within the operating temperature range, wherein the surface of the thermistor body other than the portion in contact with the electrode is coated with an inorganic composite material of glass and an inorganic crystal, Is formed by plating to provide a thermistor element having excellent solder adhesion and solder heat resistance, and having a small variation in resistance value.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

サーミスタは、負の大きな抵抗温度係数をもち、使用
温度範囲内における温度上昇にともなって抵抗値が減少
する。この特性を利用して、例えば通信機器では、発振
周波数の温度補償を行っている。
The thermistor has a large negative temperature coefficient of resistance, and the resistance value decreases as the temperature rises within the operating temperature range. Utilizing this characteristic, for example, in communication equipment, temperature compensation of the oscillation frequency is performed.

プリント基板あるいはアルミナ基板などに表面実装さ
れる従来のサーミスタは、サーミスタ素体の両端に銀−
パラジウムを主成分とする電極が形成された構造をも
つ。電極に銀−パラジウムを用いる理由は、プリント基
板にサーミスタをハンダ付けする際に、電極がハンダ中
に溶出して消失することを防止すること、すなわちハン
ダ耐熱性を得るためである。
Conventional thermistors that are surface-mounted on a printed circuit board or alumina substrate, etc., have silver-
It has a structure in which an electrode mainly composed of palladium is formed. The reason why silver-palladium is used for the electrodes is to prevent the electrodes from eluting and disappearing in the solder when soldering the thermistor to the printed circuit board, that is, to obtain solder heat resistance.

銀−パラジウム電極を形成するには、銀−パラジウム
・ペーストにサーミスタ素体の一部を浸漬するなどの方
法が用いられる。
In order to form a silver-palladium electrode, a method of immersing a part of the thermistor body in a silver-palladium paste is used.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

しかし従来のサーミスタは、ハンダ耐熱性が不十分で
あり、高温かつ長時間のハンダ付けはできないなど、ハ
ンダ付け条件のうえで制約があった。
However, conventional thermistors have limitations on soldering conditions, such as insufficient soldering heat resistance and inability to perform soldering at a high temperature for a long time.

ハンダ耐熱性を向上させるためには、パラジウム量を
増加させるとよい。しかし、パラジウム量が増加する
と、ハンダ付着性が低下し、サーミスタ電極へのハンダ
付着量が少なくなってしまう。このため、プリント基板
へのサーミスタの固着力が弱くなったり、サーミスタと
回路上の配線との間の電気的接続が不完全となるなどの
問題が生じていた。
In order to improve the solder heat resistance, the amount of palladium may be increased. However, as the amount of palladium increases, the solder adhesion decreases, and the amount of solder attached to the thermistor electrode decreases. For this reason, there have been problems such as a weak fixing force of the thermistor to the printed circuit board and an incomplete electrical connection between the thermistor and the wiring on the circuit.

ハンダ付着性およびハンダ耐熱性の双方を改善するに
は、電極の表面に金属メッキを施す方法が考えられる。
しかし、メッキ処理時にサーミスタ素体が浸食された
り、素体表面へのメッキ付着が発生する。
In order to improve both solder adhesion and solder heat resistance, a method of applying metal plating to the surface of the electrode is considered.
However, during the plating process, the thermistor body erodes or plating adheres to the body surface.

従来のサーミスタにメッキ処理を施した場合のサーミ
スタ断面の顕微鏡写真を第4図、第5図に示す。第4図
に示した例では、サーミスタ素体が浸食されている。ま
た、第5図に示した例では、サーミスタ素体表面にメッ
キが付着している。
FIGS. 4 and 5 show micrographs of the cross section of the thermistor when a plating treatment is applied to the conventional thermistor. In the example shown in FIG. 4, the thermistor body is eroded. Further, in the example shown in FIG. 5, plating is attached to the thermistor body surface.

また、第4図に示すほど浸食が顕著でない場合でも、
電極とサーミスタ素体との界面や素体表面の一部が浸食
され、耐湿性などの信頼性が低下してしまうことがあ
る。
In addition, even when the erosion is not so remarkable as shown in FIG. 4,
The interface between the electrode and the thermistor body or a part of the body surface may be eroded, and the reliability such as moisture resistance may be reduced.

また、サーミスタ素体を銀−パラジウムに浸漬する方
法では、個々の素子に対する銀−パラジウムの付着量に
バラツキが生じ、電極の間隔にバラツキが生じてしま
う。この結果、サーミスタの抵抗値分布が広がり、製造
ロット内および製造ロット間のバラツキが大きくなるな
どの問題があった。
Further, in the method of immersing the thermistor body in silver-palladium, the amount of silver-palladium adhered to each element varies, and the distance between the electrodes varies. As a result, there has been a problem that the resistance value distribution of the thermistor is widened, and the variation within a manufacturing lot and between manufacturing lots is increased.

本発明は、以上の問題点を解決し、ハンダ付着性およ
びハンダ耐熱性に優れ、かつ抵抗値のバラツキを減らす
ことのできる構造のサーミスタを提供することを目的と
する。
An object of the present invention is to solve the above problems and to provide a thermistor having a structure excellent in solder adhesion and solder heat resistance and capable of reducing variation in resistance value.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明のサーミスタは、サーミスタ素体の表面が電極
の部分を除いてガラスと無機結晶物とを含む無機複合材
料で被覆され、電極は、サーミスタ素体の表面のうち無
機複合材料で被覆されていない部分を覆う下地電極と、
この下地電極の表面に設けられたメッキ層とを含み、無
機複合材料はその線熱膨張係数がサーミスタ素体の線熱
膨張係数の40%以上100%以下であることを特徴とす
る。
In the thermistor of the present invention, the surface of the thermistor body is coated with an inorganic composite material containing glass and an inorganic crystal except for the electrode portion, and the electrode is coated with the inorganic composite material on the surface of the thermistor body. A base electrode covering the non-existing part;
And a plating layer provided on the surface of the base electrode, wherein the inorganic composite material has a linear thermal expansion coefficient of 40% to 100% of the linear thermal expansion coefficient of the thermistor body.

サーミスタ素体の表面をガラスまたは無機物で被覆し
たサーミスタとしては、それぞれ実開昭63-67201号公
報、特開昭63-177402号公報に開示されたものがある。
これらの公知技術は、サーミスタ素体が露出しているこ
とによる使用中の特性劣化を防止するためにガラス層ま
たは無機物を用いるものであり、メッキ処理については
考慮されていない。
Examples of thermistors in which the surface of the thermistor body is coated with glass or an inorganic substance are disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 63-67201 and Japanese Patent Laid-Open No. 63-177402, respectively.
These known techniques use a glass layer or an inorganic substance in order to prevent deterioration of characteristics during use due to the exposed thermistor body, and do not consider plating.

これに対して本発明は、電極表面にメッキを施すこと
によるハンダ付着性およびハンダ耐熱性の改善を目的と
するものであり、これに付随する問題を解決するために
無機複合材料を利用するものである。
On the other hand, the present invention aims to improve solder adhesion and solder heat resistance by plating an electrode surface, and uses an inorganic composite material to solve the accompanying problems. It is.

また、上述の特開昭63-177402号公報には無機物とし
てアルミナが例示されているが、ガラスと無機結晶物と
を含む無機複合材料を用いることは公知ではない。
In the above-mentioned JP-A-63-177402, alumina is exemplified as an inorganic substance, but it is not known to use an inorganic composite material containing glass and an inorganic crystal.

本発明のサーミスタを製造するには、サーミスタ素体
の表面に、電極を形成しようとする部分を除いて無機複
合材料の被覆を形成する。この後に、無機複合材料で被
覆されていない部分に銀を主成分とする電極を形成し、
その上にニッケル、スズなどの金属メッキを施す。
In order to manufacture the thermistor of the present invention, a coating of an inorganic composite material is formed on the surface of the thermistor body except for a portion where an electrode is to be formed. Thereafter, an electrode containing silver as a main component is formed in a portion not covered with the inorganic composite material,
Metal plating such as nickel and tin is applied thereon.

無機複合材料に含まれるガラスと無機結晶物との体積
比は、ガラスが50〜98%、無機結晶物が2〜50%の範囲
であることが望ましい。ガラスの体積比が50%未満の場
合には被覆の緻密化が困難となり、メッキ処理を施した
ときにサーミスタ素体の抵抗値が変化するなどの問題が
生じる。ガラスの体積比が98%を越えると、素子どうし
の付着や焼成治具への貼り付きなどが発生する問題が生
じ、無機複合材料を使用する効果が失われてしまう。
The volume ratio of glass to inorganic crystal contained in the inorganic composite material is desirably 50 to 98% for glass and 2 to 50% for inorganic crystal. If the volume ratio of the glass is less than 50%, it becomes difficult to densify the coating, and problems such as a change in the resistance value of the thermistor body during plating treatment occur. When the volume ratio of glass exceeds 98%, there occurs a problem that elements adhere to each other and stick to a firing jig, and the effect of using the inorganic composite material is lost.

無機複合材料に含まれるガラスとしては、軟化点が40
0〜1000℃の範囲の材料が望ましい。さらには、軟化点
が低めの材料を多く、高めの材料を少なくすることが望
ましい。軟化点の範囲は実際には電極焼成温度との兼ね
合いで決定される。電極に焼付銀を用いるときの焼成温
度は600〜850℃であり、その温度よりガラスの軟化点が
大幅に低い場合には、電極焼成時にガラスが電極表面に
浮き上がり、素子同士または素子と焼成治具との貼り付
きが生じて歩留りが低下することがある。また、軟化点
が1000℃より高いと、被覆形成時の温度が実質的に1000
℃付近となり、サーミスタ素体が変質するなどの弊害が
発生する。
The glass contained in the inorganic composite material has a softening point of 40
Materials in the range of 0 to 1000 ° C are desirable. Further, it is desirable to increase the number of materials having a lower softening point and to reduce the number of materials having a higher softening point. The range of the softening point is actually determined in consideration of the electrode firing temperature. When baked silver is used for the electrode, the firing temperature is 600 to 850 ° C. If the softening point of the glass is significantly lower than that temperature, the glass rises to the electrode surface during electrode firing, and the elements or elements and the element are cured. In some cases, sticking to the tool may occur, and the yield may decrease. If the softening point is higher than 1000 ° C., the temperature at the time of coating formation is substantially 1000 ° C.
The temperature is around ℃ and adverse effects such as deterioration of the thermistor body occur.

具体的なガラス材料としてはSiO2、B2O3、BaO系のも
のが好ましいが、この他に、Li、K、Na、Mg、Sr、Zn、
Cd、Pb、Alなどのイオンを含むものでも良く、本発明は
これらの材料に限定されるものではない。
As a specific glass material, SiO 2 , B 2 O 3 , and BaO-based materials are preferable, but in addition, Li, K, Na, Mg, Sr, Zn,
It may contain ions such as Cd, Pb, and Al, and the present invention is not limited to these materials.

無機複合材料に含まれる無機結晶物としては、絶縁物
であればどのようなものでも良いが、特に、アルミナ、
ジルコニア、ジルコン、チタニア、ムライト、マグネシ
ア、フォルステライト、コージライト、シリカ、チタン
酸バリウム、酸化亜鉛その他の安価なものを利用でき
る。
As the inorganic crystal contained in the inorganic composite material, any material may be used as long as it is an insulator.
Zirconia, zircon, titania, mullite, magnesia, forsterite, cordierite, silica, barium titanate, zinc oxide and other inexpensive materials can be used.

無機複合材料の線熱膨張係数は、サーミスタ素体の線
熱膨張係数の40%以上100%以下であることが望まし
い。この範囲の場合には、無機複合材料の被覆のない場
合に比較してサーミスタの抗折強度が増加する。特に50
〜90%のときには、抗折強度が20〜70%増加する。これ
に対して40〜100%の範囲外では、被覆を設けない場合
に比較して抗折強度が低下してしまう。
It is desirable that the linear thermal expansion coefficient of the inorganic composite material is 40% or more and 100% or less of the linear thermal expansion coefficient of the thermistor body. In this range, the transverse rupture strength of the thermistor increases as compared with the case where the inorganic composite material is not coated. Especially 50
At ~ 90%, the flexural strength increases by 20-70%. On the other hand, outside the range of 40 to 100%, the transverse rupture strength is reduced as compared with the case where no coating is provided.

抗折強度とは、間隔を設けて配置された二つの台に素
子の両端を置き、素子の中央部に加重したときの破壊強
度をいう。これは、素子を表面実装基板に取り付けると
きのハンダ等による熱や取り付け後の熱サイクルによっ
て生じる応力歪にどれだけ耐えることができるかの目安
となる。
The transverse rupture strength refers to the breaking strength when both ends of the element are placed on two pedestals arranged at an interval and a weight is applied to the center of the element. This is a measure of how much the element can withstand the stress caused by heat due to solder or the like when the element is mounted on the surface mount substrate or a thermal cycle after the mounting.

抗折強度が増加するのは、素子表面の無機複合材料被
膜に圧縮応力が残留するためと考えられる。すなわち、
製造時に熱膨張していたサーミスタ素体と被膜とが冷え
ると、熱膨張係数の大きなサーミスタ素体の方が縮み方
が大きく、被膜が圧縮された状態となる。この状態のサ
ーミスタに折り曲げ力を加えると、折り曲げの内側には
圧縮応力が生じ、外側には引張応力が生じる。サーミス
タ素体のセラミック材料と被膜とは、共に圧縮応力には
強いが引張応力には弱く、ある程度以上の折り曲げ力を
加えるとその曲げの外側にクラックが生じる。このと
き、外側の被膜に元から圧縮応力が加わっているため、
被膜がない場合に比較して抗折強度が増加する。
It is considered that the transverse rupture strength is increased because compressive stress remains in the inorganic composite material film on the element surface. That is,
When the thermistor element that has been thermally expanded at the time of manufacturing and the coating cools, the thermistor element having a larger thermal expansion coefficient shrinks more, and the coating is in a compressed state. When a bending force is applied to the thermistor in this state, a compressive stress is generated inside the bend and a tensile stress is generated outside the bend. Both the ceramic material and the coating of the thermistor body are strong against compressive stress but weak against tensile stress, and when a bending force of a certain degree or more is applied, cracks occur outside the bending. At this time, since compressive stress is applied to the outer coating from the beginning,
The flexural strength increases as compared with the case without the coating.

サーミスタ素体の材料としては、マンガン、コバル
ト、ニッケル、アルミニウム、銅から選択される一以上
の金属の酸化物焼結体を利用できるが、本発明はこれら
の材料に限定されるものではない。
As the material of the thermistor body, an oxide sintered body of one or more metals selected from manganese, cobalt, nickel, aluminum, and copper can be used, but the present invention is not limited to these materials.

サーミスタ素体の形状としては、角柱状や円筒状のも
のが好ましいが、本発明はこれらの形状に限定されるも
のではない。
The shape of the thermistor body is preferably prismatic or cylindrical, but the present invention is not limited to these shapes.

メッキ層の下地となる材料としては、銀−パラジウム
合金に比較して電気伝導度が良く、耐熱に優れ、かつ低
価格の、銀を主成分とする銀ペーストの焼付電極を利用
できる。しかし、これに限定されることなく、例えば銅
やニッケルなどを使用することもでき、溶射法により下
地の層を形成することもできる。
As a material to be a base of the plating layer, a baked silver paste electrode containing silver as a main component, which has better electric conductivity, better heat resistance and lower cost than silver-palladium alloy, can be used. However, the present invention is not limited to this. For example, copper, nickel, or the like can be used, and a base layer can be formed by a thermal spraying method.

〔作用〕[Action]

電極以外の部分を無機複合材料で被覆することによ
り、メッキ時のサーミスタ素体部への浸食、素体へのメ
ッキ付着、および電極と素体との界面の浸食を防止で
き、電極表面のみをメッキ処理することが可能となる。
したがって、ハンダ付着性およびハンダ耐熱性の双方を
改善できる。
By coating the parts other than the electrodes with the inorganic composite material, it is possible to prevent erosion of the thermistor element body during plating, adhesion of plating to the element body, and erosion of the interface between the electrode and the element body. Plating can be performed.
Therefore, both solder adhesion and solder heat resistance can be improved.

また、無機複合材料が電極形成時のマスクとなるた
め、同一構造の素子であれば電極付着面積が実質的に一
定となり、製造後の抵抗値のバラツキが少なくなる。
In addition, since the inorganic composite material serves as a mask when forming the electrodes, if the elements have the same structure, the electrode attachment area becomes substantially constant, and the variation in the resistance value after manufacture is reduced.

ガラス単独の被覆を用いた場合でも、以上の効果は得
られる。しかし、被膜形成時あるいは電極形成時にガラ
スが溶融することから、素子同士の付着や焼成治具への
貼り付きなどの問題が発生し、その結果、歩留が低下す
ることがある。
The above effects can be obtained even when the coating of glass alone is used. However, since the glass is melted at the time of film formation or electrode formation, problems such as adhesion of elements and sticking to a firing jig occur, and as a result, the yield may be reduced.

また、無機結晶物単独被膜の場合には、その構成物の
性質から、被膜形成に要する温度が1000℃を越える温度
となる。このため、サーミスタ素体との過度の反応など
の弊害が発生したり、緻密な被膜が得られずにメッキ液
が侵入する問題が発生する。
Further, in the case of the inorganic crystal single film, the temperature required for forming the film exceeds 1000 ° C. due to the properties of the constituents. For this reason, a problem such as an excessive reaction with the thermistor body occurs, and a problem that a plating solution invades without obtaining a dense film occurs.

これに対して複合被膜の場合には、素子同士の付着や
焼成治具への貼り付きなどを防止して高い歩留で製造で
き、比較的低温での被膜形成が可能で被膜とサーミスタ
素体との過度の反応が生じることなく、緻密な被膜が得
られる。
On the other hand, in the case of a composite coating, it can be manufactured at a high yield by preventing the elements from adhering to each other and sticking to a firing jig, and the coating can be formed at a relatively low temperature. And a dense coating can be obtained without excessive reaction with

さらに、ガラスと無機結晶物との組合せにより熱膨張
係数を自由に選択でき、抗折強度の高いサーミスタが得
られる。
Furthermore, the coefficient of thermal expansion can be freely selected by a combination of glass and an inorganic crystal, and a thermistor with high bending strength can be obtained.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明実施例のサーミスタの斜視図を示し、
第2図は長さ方向に沿った断面図を示す。ここでは、角
柱状でその両端に電極が設けられた構造の素子を例に説
明する。
FIG. 1 is a perspective view of a thermistor according to an embodiment of the present invention,
FIG. 2 shows a cross-sectional view along the length direction. Here, an element having a prismatic structure in which electrodes are provided at both ends will be described as an example.

このサーミスタは、使用温度範囲内における温度上昇
にともなって電気抵抗が低下するサーミスタ素体1と、
このサーミスタ素体1の表面に設けられた二つの電極と
を備える。ここで本実施例の特徴とするところは、サー
ミスタ素体1の表面が二つの電極の部分を除いてガラス
と無機結晶物とを含む無機複合材料層4で被覆され、二
つの電極はそれぞれ、焼付電極2とメッキ層3とを含む
ことにある。
This thermistor comprises a thermistor element body 1 whose electric resistance decreases as the temperature rises within the operating temperature range,
And two electrodes provided on the surface of the thermistor body 1. Here, the feature of this embodiment is that the surface of the thermistor body 1 is covered with an inorganic composite material layer 4 containing glass and an inorganic crystal except for two electrodes, and the two electrodes are respectively The printing electrode 2 and the plating layer 3 are included.

具体的な実施例について以下に説明する。 A specific embodiment will be described below.

(実施例1) まず、市販の炭酸マンガン、炭酸ニッケル、炭酸コバ
ルトを出発原料とし、MnO2:NiO:CoOに換算して金属原子
比3:1:2の割合で秤量し、ボールミルで16時間混合した
後に脱水乾燥した。次に、この混合物を900℃で2時間
仮焼し、再びボールミルで混合して脱水乾燥した。その
仮焼後の原料に対し、ポリビニルブチラール6重量%、
エタノール30重量%およびブタノール30重量%を加え、
混合スラリーを作製した。このスラリーを用いて、ドク
ターブレード法により厚さ0.80mmのシートを作製した。
このシートから2.34mm×1.48mmの大きさのチップを打ち
抜き、1200℃で4時間焼成し、長さ1.9mm、幅1.2mm、厚
さ0.65mmの焼成体を得た。
(Example 1) First, commercially available manganese carbonate, nickel carbonate, and cobalt carbonate were used as starting materials, weighed at a metal atomic ratio of 3: 1: 2 in terms of MnO 2 : NiO: CoO, and then ball-milled for 16 hours. After mixing, the mixture was dehydrated and dried. Next, this mixture was calcined at 900 ° C. for 2 hours, mixed again with a ball mill, and dehydrated and dried. Based on the calcined raw material, polyvinyl butyral 6% by weight,
Add 30% by weight of ethanol and 30% by weight of butanol,
A mixed slurry was prepared. Using this slurry, a sheet having a thickness of 0.80 mm was produced by a doctor blade method.
A chip having a size of 2.34 mm × 1.48 mm was punched from the sheet and fired at 1200 ° C. for 4 hours to obtain a fired body having a length of 1.9 mm, a width of 1.2 mm and a thickness of 0.65 mm.

この焼成体をサーミスタ素体1とし、その表面に無機
複合材料層4を形成した。無機複合材料層4の原料とし
て、SiO2、B2O3およびBaOを主成分とする軟化点720℃の
ガラス粉末70%と、アルミナ粉末30%との混合粉末を用
いた。この混合粉末に有機バインダと溶剤とを加えてペ
ーストとし、このペーストをサーミスタ素体1の端面
(1.2mm×0.65mmの面)を除く表面に印刷し、850℃で焼
成した。これにより、厚さ15±5μmの無機複合材料層
4が得られた。
This fired body was used as a thermistor body 1, and an inorganic composite material layer 4 was formed on the surface thereof. As a raw material of the inorganic composite material layer 4, a mixed powder of 70% of a glass powder having a softening point of 720 ° C. containing SiO 2 , B 2 O 3 and BaO as main components and 30% of an alumina powder was used. An organic binder and a solvent were added to the mixed powder to form a paste. The paste was printed on the surface of the thermistor body 1 excluding the end face (1.2 mm × 0.65 mm face) and fired at 850 ° C. Thus, an inorganic composite material layer 4 having a thickness of 15 ± 5 μm was obtained.

次に、サーミスタ素体1の露出面と無機複合材料層4
の一部表面とに銀ペーストを塗布し、800℃で焼付して
焼付電極2を形成した。この段階における素子の寸法
は、長さ約2.0mm、幅約1.25mm、厚さ約0.7mmであった。
Next, the exposed surface of the thermistor body 1 and the inorganic composite material layer 4
A silver paste was applied to a part of the surface of the substrate and baked at 800 ° C. to form a baked electrode 2. The dimensions of the element at this stage were about 2.0 mm in length, about 1.25 mm in width, and about 0.7 mm in thickness.

これに続いて、焼付電極2の表面にメッキ層3を形成
した。メッキ処理方法としては電解メッキ法を用い、焼
付電極2の表面に厚さ2〜3μmのニッケル層を形成
し、続けてその上に、同様に厚さ4〜5μmのスズ層を
形成した。
Subsequently, a plating layer 3 was formed on the surface of the baked electrode 2. As a plating method, a nickel layer having a thickness of 2 to 3 μm was formed on the surface of the baked electrode 2 by using an electroplating method, and a tin layer having a thickness of 4 to 5 μm was similarly formed thereon.

このようにして得られたサーミスタについて、ハンダ
付着性およびハンダ耐熱性の試験を行った。また、比較
例として、サーミスタ素体に銀−パラジウム電極を850
℃で焼き付けたものについても試験を行った。ハンダ付
着性については230℃のハンダ浴に4秒間浸漬し、その
ハンダ付着面積を観察した。その結果を第1表に示す。
ハンダ耐熱性については、350℃のハンダ浴に30秒間浸
漬し、電極の消失状態を観察した。その結果を第2表に
示す。
The thus obtained thermistor was tested for solder adhesion and solder heat resistance. As a comparative example, a silver-palladium electrode was used for thermistor body at 850.
Tests were also performed on those baked at ° C. The solder adhesion was immersed in a 230 ° C. solder bath for 4 seconds, and the solder adhesion area was observed. Table 1 shows the results.
Regarding the solder heat resistance, the electrode was immersed in a solder bath at 350 ° C. for 30 seconds and the disappearance of the electrode was observed. Table 2 shows the results.

このように、実施例1で得られたサーミスタは、ハン
ダ付着性およびハンダ耐熱性が非常に優れていた。
Thus, the thermistor obtained in Example 1 was very excellent in solder adhesion and solder heat resistance.

また、同じ製造方法で1ロット300個、4ロットのサ
ーミスタを製造し、25℃における各ロットの平均抵抗値
およびバラツキを測定した。比較例についても4ロット
製造し、同様に平均抵抗値およびバラツキを測定した。
この結果を第3表に示す。ロット番号1〜4は実施例で
あり、ロット番号5〜8は比較例を示す。
In addition, the same manufacturing method was used to manufacture 300 thermistors of one lot and four lots of thermistors, and the average resistance value and variation of each lot at 25 ° C. were measured. Four lots of the comparative example were manufactured, and the average resistance value and the variation were measured in the same manner.
Table 3 shows the results. Lot numbers 1 to 4 are examples, and lot numbers 5 to 8 are comparative examples.

このように実施例の素子は、ロット内の抵抗値のバラ
ツキが小さく、ロット間の平均値のバラツキも小さかっ
た。
As described above, in the device of the example, the variation in the resistance value among the lots was small, and the variation in the average value between the lots was also small.

(実施例2) 実施例1における出発原料を炭酸マンガンおよび炭酸
ニッケルに替え、MnO2:NiOに換算して金属原子比を80:2
0として、実施例1と同様の方法によりサーミスタを作
製した。このサーミスタをプリント基板にハンダ付け
し、85℃、85RH%、1000時間の湿中放置における25℃の
抵抗値の経時変化を測定した。また、比較例として、サ
ーミスタ素体に銀−パラジウム電極を焼き付けたもの、
およびそれにメッキ処理を施したものについても同じ測
定を行った。この結果を第4表に示す。この表におい
て、ロット番号1、2は実施例により得られたもの、ロ
ット番号3はメッキ処理を施していない比較例、ロット
番号4はメッキ処理を施した比較例をそれぞれ示す。各
ロットの素子数は300個である。
(Example 2) The starting material in Example 1 was changed to manganese carbonate and nickel carbonate, and the metal atomic ratio was converted to MnO 2 : NiO to 80: 2.
As 0, a thermistor was produced in the same manner as in Example 1. This thermistor was soldered to a printed circuit board, and the change over time in the resistance value at 25 ° C. when left in a wet state at 85 ° C., 85 RH% for 1000 hours was measured. As a comparative example, a thermistor body baked with a silver-palladium electrode,
The same measurement was carried out for the plating-treated product. Table 4 shows the results. In this table, lot numbers 1 and 2 are obtained by the examples, lot number 3 is a comparative example without plating, and lot number 4 is a comparative example with plating. The number of elements in each lot is 300.

表から明らかなように、従来技術で製造されメッキ処
理が施された比較例は、経時変化が大きく、メッキ処理
により耐湿性が低下している。これに対して実施例の素
子は、メッキ処理を施しても、従来技術により製造され
たメッキ処理を施していない素子と同等、もしくはそれ
以上に経時変化が小さく、信頼性に優れている。
As is clear from the table, in the comparative example manufactured by the conventional technique and subjected to the plating treatment, the change with time is large, and the moisture resistance is reduced by the plating treatment. On the other hand, the element of the example has a small change with time or is superior to the non-plated element manufactured by the conventional technique even after plating, and has excellent reliability.

(実施例3) 無機複合材料層4の原料として、実施例1で用いた軟
化点720℃のガラス粉末と、種々の無機結晶粉末とを用
い、その体積比を変えて実施例1と同等のサーミスタを
作製した。このときの無機結晶粉末の材料、ガラスとの
体積比、歩留、メッキ工程前後での抵抗値のロット内平
均値の変化率を第5表および第6表に示す。歩留につい
ては、無機複合材料層4の形成時と電極形成時とに発生
した素子同士の付着や焼成治具への貼り付きなどで生じ
た不良品を除いた良品の割合で示す。各ロットの試料数
は2000個である。なお、ロット番号1、9、10、11、12
の試料は、ガラスと無機結晶物との体積比が、ガラス50
〜98%、無機結晶物2〜50%という範囲から外れてい
る。
(Example 3) As a raw material of the inorganic composite material layer 4, the glass powder having a softening point of 720 ° C used in Example 1 and various inorganic crystal powders were used. A thermistor was manufactured. Tables 5 and 6 show the material of the inorganic crystal powder, the volume ratio to glass, the yield, and the rate of change of the average value of the resistance values before and after the plating step in the lot. The yield is indicated by the ratio of non-defective products excluding defective products caused by adhesion of elements generated during the formation of the inorganic composite material layer 4 and electrode formation and sticking to a firing jig. The number of samples in each lot is 2000. Lot numbers 1, 9, 10, 11, 12
In the sample, the volume ratio between glass and inorganic crystal was 50
9898%, inorganic crystal material 25050%.

第5表および第6表に示したように、ガラスと無機結
晶物との体積比がガラス50〜98%、無機結晶物2〜50%
の範囲では、素子同士の付着や焼成治具への貼り付きな
どの問題も少なく、メッキ処理での抵抗値変化も実質的
に発生しない。ガラス55〜80%、無機結晶物20〜45%で
あればさらに望ましい。
As shown in Tables 5 and 6, the volume ratio between glass and inorganic crystal was 50 to 98% for glass and 2 to 50% for inorganic crystal.
Within the range, there are few problems such as adhesion between elements and sticking to a firing jig, and there is substantially no change in resistance during plating. More preferably, the glass is 55 to 80% and the inorganic crystal is 20 to 45%.

(実施例4) 無機複合材料層4の原料として、軟化点の異なる種々
のガラス粉末を70体積%と、アルミナ粉末を30体積%と
の混合粉末を用い、実施例1と同様にしてサーミスタを
作製した。得られたサーミスタについて、用いたガラス
の軟化点、歩留、ロット内の抵抗値の平均値、およびそ
の平均値のメッキ工程前後の変化率を第7表に示す。歩
留については、無機複合材料層4の形成時と電極形成時
とに発生した素子同士の付着や焼成治具への貼り付きな
どで生じた不良品を除いた良品の割合で示す。各ロット
の試料数は2000個である。なお、ロット番号1、2、14
および15の試料は、ガラスの軟化点が、400℃〜1000℃
という範囲から外れている。
(Example 4) As a raw material of the inorganic composite material layer 4, a mixed powder of 70% by volume of various glass powders having different softening points and 30% by volume of alumina powder was used. Produced. For the obtained thermistor, Table 7 shows the softening point of the glass used, the yield, the average value of the resistance values in the lot, and the rate of change of the average value before and after the plating step. The yield is indicated by the ratio of non-defective products excluding defective products caused by adhesion of elements generated during the formation of the inorganic composite material layer 4 and electrode formation and sticking to a firing jig. The number of samples in each lot is 2000. Lot numbers 1, 2, 14
And 15 samples have a softening point of 400-1000 ° C.
Is out of the range.

第7表に示したように、無機複合材料層4を構成する
ガラスの軟化点が400〜1000℃の範囲であれば、素子同
士の付着や焼成治具への貼り付きなどの問題も少なく、
被膜形成時のサーミスタ素体の変質による抵抗値変化も
実質的に発生しない。ガラスの軟化点の範囲としては54
0〜860℃がより好ましい。
As shown in Table 7, if the softening point of the glass constituting the inorganic composite material layer 4 is in the range of 400 to 1000 ° C., there are few problems such as adhesion between elements and sticking to a firing jig,
Substantially no change in resistance value due to deterioration of the thermistor body at the time of film formation. The range of softening point of glass is 54
0-860 ° C is more preferred.

(実施例5) 無機複合材料層の熱膨張係数によるサーミスタの抗折
強度を測定するため、サーミスタ素体としてMn、Co、N
i、Cu、Al等の酸化物を混合して焼成した種々の線熱膨
張係数のものを用い、無機複合材料層として、 ガラスのみ、 線熱膨張係数αコート=65×10-7/℃ のガラスにジルコニア(線熱膨張係数が105×10
-7/℃)を20体積%添加したもの、 線熱膨張係数αコート=73×10-7/℃ のガラスにジルコニアを30体積%添加したもの、 線熱膨張係数αコート=77×10-7/℃ のガラスにアルミナ(線熱膨張係数が83×10-7
℃)を20体積%添加したもの、 線熱膨張係数αコート=101×10-7/℃ のガラスにアルミナを40体積%添加したもの、 線熱膨張係数αコート=106×10-7/℃ ガラスのみ、 線熱膨張係数αコート=110×10-7/℃ を用い、電極を形成する前の状態で長さl=約2.0mm、
幅w=約1.25mmのサーミスタを形成した。また、無機複
合材料層を設けないサーミスタも作った。これらのサー
ミスタの長さ方向の両端を間隔1.2mmで配置された二つ
の台にそれぞれ載置し、二つの台の中間の位置に押し下
げ速度20mm/minで力を加え、破壊時に加えられた加重を
測定した。
Example 5 In order to measure the bending strength of the thermistor based on the coefficient of thermal expansion of the inorganic composite material layer, Mn, Co, and N were used as the thermistor bodies.
i, Cu, Al, etc. are mixed and baked with various linear thermal expansion coefficients. As the inorganic composite material layer, only glass, linear thermal expansion coefficient α coat = 65 × 10 -7 / ° C Glass with zirconia (linear thermal expansion coefficient 105 × 10
−7 / ° C.), 20% by volume, linear thermal expansion coefficient α coat = 73 × 10 −7 / ° C., zirconia added at 30% by volume, linear thermal expansion coefficient α coat = 77 × 10 − 7 / ° C. glass alumina (coefficient of linear thermal expansion 83 × 10 -7 /
C) is 20% by volume, linear thermal expansion coefficient α- coat = 101 × 10 −7 / ° C., glass is 40% by volume alumina added, linear thermal expansion coefficient α- coat = 106 × 10 −7 / ° C. Glass only, using linear thermal expansion coefficient α coat = 110 × 10 -7 / ° C, length l = about 2.0 mm before electrode formation,
A thermistor having a width w of about 1.25 mm was formed. A thermistor without an inorganic composite material layer was also made. Both ends of these thermistors in the length direction were placed on two tables arranged at a distance of 1.2 mm, and a force was applied to the middle position between the two tables at a pressing speed of 20 mm / min. Was measured.

この結果を第8表と第3表に示す。これらに示した値
は、同じサーミスタ素体材料と無機複合材料との組み合
わせに対して、それぞれ20個の平均値を測定し、無機複
合材料層がない場合の抗折強度fコートなしと、無機複
合材料層がある場合の抗折強度fコートありとの比を百
分率で表したものである。
The results are shown in Tables 8 and 3. The values shown in these for a combination of the same thermistor element material and an inorganic composite material, respectively to measure the 20 average values, and no bending strength f coat in the absence of the inorganic composite material layer, an inorganic The ratio of the transverse rupture strength f with the composite material layer to the presence of the coat is expressed in percentage.

第3図は、横軸に線熱膨張係数の比をとり、縦軸に抗
折強度の比を示す。無機複合材料層に線熱膨張係数α
コートがサーミスタ素体の線熱膨張係数αサーミスタ
40〜100%の材料を用いた場合には、その層がない場合
に比較して抵折強度が増加した。特に、50〜90%の場合
には、強度が20〜70%増加した。これに対して線熱膨張
係数αコートが上述の範囲外のときには、無機複合材料
層がない場合に比較して抗折強度が低下してしまった。
In FIG. 3, the horizontal axis shows the ratio of the linear thermal expansion coefficient, and the vertical axis shows the ratio of the transverse rupture strength. Linear thermal expansion coefficient α for inorganic composite material layer
Coat of linear thermal expansion coefficient α thermistor of the thermistor element
When 40 to 100% of the material was used, the flexural strength increased as compared with the case where the layer was not provided. In particular, in the case of 50 to 90%, the strength increased by 20 to 70%. Linear thermal expansion coefficient α coat contrast when outside the range described above, as compared when no inorganic composite material layer bending strength had decreased.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、本発明のサーミスタは、第一
に、メッキ電極を用いているので、ハンダ付着性とハン
ダ耐熱性との双方を向上させることができる効果があ
る。
As described above, the thermistor of the present invention has the effect of improving both the solder adhesion and the solder heat resistance, firstly, since the plated electrode is used.

第二に、抵抗値を決定するサーミスタ素体と接する電
極の面積があらかじめ設定されているため、目標抵抗値
の再現性がよく、そのバラツキが少ない。すなわち、製
品の歩留りを向上させることができる効果がある。
Second, since the area of the electrode in contact with the thermistor element for determining the resistance value is set in advance, the reproducibility of the target resistance value is good, and the variation is small. That is, there is an effect that the yield of products can be improved.

第三に、製造過程で素子同士の付着や焼成治具への貼
り付きなどによる不良品の発生が少なく、被覆形成時の
サーミスタ抵抗値の変化が少なく、メッキ工程の前後に
おけるロット内の平均抵抗値の変化も少ない。したがっ
て、高品質かつ高信頼性のサーミスタを製造できる効果
がある。
Third, in the manufacturing process, there is little occurrence of defective products due to adhesion of elements or sticking to a firing jig, little change in thermistor resistance during coating formation, and average resistance in the lot before and after the plating process. There is little change in the value. Therefore, there is an effect that a high quality and highly reliable thermistor can be manufactured.

第四に、電極材料として銀−パラジウムより安価な銀
や銅その他を使用でき、低コストのサーミスタを製造で
きる効果がある。
Fourth, silver or copper or the like, which is cheaper than silver-palladium, can be used as an electrode material, and there is an effect that a low-cost thermistor can be manufactured.

第五に、サーミスタ素体に対する被覆の熱膨張率を選
択することにより、サーミスタの抗折強度を高めること
ができる効果がある。
Fifth, by selecting the coefficient of thermal expansion of the coating with respect to the thermistor body, there is an effect that the bending strength of the thermistor can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明実施例サーミスタの斜視図。 第2図は断面図。 第3図は線熱膨張係数の比に対する抗折強度比の変化を
示す図。 第4図は従来例サーミスタのメッキ処理後の電極部分の
断面結晶構造を示す顕微鏡写真。 第5図は従来例サーミスタのメッキ処理後の電極部分の
断面結晶構造を示す顕微鏡写真。 1……サーミスタ素体、2……焼付電極、3……メッキ
層、4……無機複合材料層。
FIG. 1 is a perspective view of a thermistor according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view. FIG. 3 is a diagram showing a change in a transverse rupture strength ratio with respect to a linear thermal expansion coefficient ratio. FIG. 4 is a micrograph showing a cross-sectional crystal structure of an electrode portion after plating of a conventional thermistor. FIG. 5 is a micrograph showing a cross-sectional crystal structure of an electrode portion after plating of a conventional thermistor. 1 ... Thermistor body, 2 ... Bake electrode, 3 ... Plating layer, 4 ... Inorganic composite material layer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平間 昌弘 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三菱鉱業セメント株式会社セラミックス 研究所内 (72)発明者 石川 良彦 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三菱鉱業セメント株式会社セラミックス 研究所内 (72)発明者 浅見 守康 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三菱鉱業セメント株式会社セラミックス 研究所内 (72)発明者 松島 秀直 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三菱鉱業セメント株式会社セラミックス 研究所内 (72)発明者 越村 正己 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三菱鉱業セメント株式会社セラミックス 研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−287601(JP,A) 特開 昭60−701(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Masahiro Hirama 2270 Yokoze, Yokoze-cho, Chichibu-gun, Saitama Mitsubishi Mining Cement Co., Ltd. Mining Cement Co., Ltd., Ceramics Research Laboratory (72) Inventor Moriyasu Asami, 2270 Yokoze, Yokoze-cho, Chichibu-gun, Saitama Mitsubishi Mining Cement Co., Ltd. Mining Cement Co., Ltd. Ceramics Research Laboratory (72) Inventor Masami Koshimura 2270 Yokoze, Yokoze-cho, Chichibu-gun, Saitama Prefecture Mitsubishi Mining Cement Co., Ltd. Ceramics Research Laboratory (56) References Showa 60-701 ( P, A)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】使用温度範囲内における温度上昇にともな
って電気抵抗が低下するチップ状のサーミスタ素体と、 このサーミスタ素体の表面に設けられた二つの電極と を備えたサーミスタにおいて、 上記二つの電極がそれぞれ電気的に接触する部分を除い
て上記サーミスタ素体の表面がガラスと無機結晶物とを
含む無機複合材料で被覆され、 上記二つの電極はそれぞれ、上記サーミスタ素体の表面
のうち上記無機複合材料で被覆されていない部分を覆う
下地電極と、この下地電極の表面に設けられたメッキ層
とを含み、 上記無機複合材料はその線熱膨張係数がサーミスタ素体
の線熱膨張係数の40%以上100%以下である ことを特徴とするサーミスタ。
1. A thermistor comprising: a chip-shaped thermistor element whose electric resistance decreases as the temperature rises within a use temperature range; and two electrodes provided on the surface of the thermistor element. The surface of the thermistor body is coated with an inorganic composite material containing glass and an inorganic crystal, except for a portion where the two electrodes are in electrical contact with each other. The two electrodes are each a surface of the thermistor body. A base electrode covering a portion not covered with the inorganic composite material, and a plating layer provided on the surface of the base electrode, wherein the inorganic composite material has a linear thermal expansion coefficient of a linear thermal expansion coefficient of a thermistor body. A thermistor characterized by being 40% or more and 100% or less.
【請求項2】無機複合材料に含まれるガラスと無機結晶
物との体積比は、ガラスが50〜98%、無機結晶物が2〜
50%の範囲である請求項1記載のサーミスタ。
2. The volume ratio of glass to inorganic crystal contained in the inorganic composite material is 50 to 98% for glass and 2 to 2 for inorganic crystal.
2. The thermistor according to claim 1 in the range of 50%.
【請求項3】無機複合材料に含まれるガラスはその軟化
点が400〜1000℃の範囲である請求項1記載のサーミス
タ。
3. The thermistor according to claim 1, wherein the glass contained in the inorganic composite material has a softening point in the range of 400 to 1000 ° C.
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