JP2003243245A - Ceramic electronic component and its manufacturing method - Google Patents

Ceramic electronic component and its manufacturing method

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JP2003243245A
JP2003243245A JP2002036588A JP2002036588A JP2003243245A JP 2003243245 A JP2003243245 A JP 2003243245A JP 2002036588 A JP2002036588 A JP 2002036588A JP 2002036588 A JP2002036588 A JP 2002036588A JP 2003243245 A JP2003243245 A JP 2003243245A
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component
metal
electrode
coat layer
ceramic
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JP2002036588A
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Japanese (ja)
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Hiroharu Nakajima
洋晴 中嶋
Yasumasa Fujita
泰誠 藤田
Takaaki Kawai
孝明 河合
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a ceramic electronic component having external electrodes on which plated metallic layers are formed to sufficiently cover baked electrodes, and to obtain a method of manufacturing the electronic component. <P>SOLUTION: A laminated ceramic capacitor 10 includes an elemental ceramic body 12 constituted by alternately laminating ceramic dielectric layers 14 and internal electrodes 16 upon another. The external electrodes 18 are formed on both end faces of the ceramic body 12. The external electrodes 18 include the baked electrodes 20 formed by baking electrode paste containing a metallic component and a glass component. On the whole surfaces of the baked electrodes 20, coating layers 22 are formed by using a material containing a metallic component and not containing any glass component. First plated metallic layers 24 are formed on the coating layers 22, and second plated metallic layers 26 are formed on the layers 24. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック電子
部品およびその製造方法に関し、特に、たとえば積層セ
ラミックコンデンサなどのようなセラミック素体上に外
部電極が形成されたセラミック電子部品およびその製造
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic electronic component and a method for manufacturing the same, and more particularly to a ceramic electronic component having external electrodes formed on a ceramic body such as a laminated ceramic capacitor and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】図2は、従来のセラミック電子部品の一
例としての積層セラミックコンデンサを示す図解図であ
る。積層セラミックコンデンサ1は、セラミック素体2
を含む。セラミック素体2は、複数の誘電体セラミック
層3と複数の内部電極4とが交互に積層されて形成され
る。内部電極4の隣接するものが、それぞれセラミック
素体2の対向する端面に交互に引き出される。そして、
セラミック素体2の端面には、外部電極5が形成され、
内部電極4と外部電極5とが接続される。
2. Description of the Related Art FIG. 2 is an illustrative view showing a monolithic ceramic capacitor as an example of a conventional ceramic electronic component. The monolithic ceramic capacitor 1 has a ceramic body 2
including. The ceramic body 2 is formed by alternately stacking a plurality of dielectric ceramic layers 3 and a plurality of internal electrodes 4. Adjacent ones of the internal electrodes 4 are alternately drawn out to opposite end faces of the ceramic body 2. And
External electrodes 5 are formed on the end faces of the ceramic body 2.
The internal electrode 4 and the external electrode 5 are connected.

【0003】外部電極5は、焼付電極6を含む。焼付電
極6は、たとえばCuやNiなどの金属成分とガラス成
分とを含む電極ペーストを用いて形成される。この電極
ペーストがセラミック素体2の端面に塗布され、焼き付
けられることによって、焼付電極6が形成される。ここ
で、ガラス成分は、セラミック素体2と焼付電極6との
接着のために用いられる。
The external electrode 5 includes a printing electrode 6. The baking electrode 6 is formed using, for example, an electrode paste containing a metal component such as Cu or Ni and a glass component. The electrode paste is applied to the end surface of the ceramic body 2 and baked, whereby the baked electrode 6 is formed. Here, the glass component is used for bonding the ceramic body 2 and the baking electrode 6.

【0004】焼付電極6上には、たとえばNiなどによ
り、第1の金属めっき層7が形成される。さらに、第1
の金属めっき層7上には、たとえばSnなどにより、第
2の金属めっき層8が形成される。これらの焼付電極
6、第1の金属めっき層7および第2の金属めっき層8
により、外部電極5が形成される。ここで、第1の金属
めっき層7は、積層セラミックコンデンサ1を回路基板
などに半田付けする際に、電極くわれを防止するために
形成されている。また、第2の金属めっき層8は、半田
付け性を良好にするために形成されている。
A first metal plating layer 7 is formed on the baking electrode 6 with Ni or the like. Furthermore, the first
A second metal plating layer 8 is formed on the metal plating layer 7 by using, for example, Sn or the like. These baking electrode 6, first metal plating layer 7 and second metal plating layer 8
Thereby, the external electrode 5 is formed. Here, the first metal plating layer 7 is formed to prevent electrode breakage when the laminated ceramic capacitor 1 is soldered to a circuit board or the like. The second metal plating layer 8 is formed to improve solderability.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな積層セラミックコンデンサにおいて、焼付電極を形
成する際に、ガラス成分が表面に浮き出すという問題が
ある。焼付電極の表面にガラス成分が浮き出すと、その
部分のめっき付き性が悪くなり、積層セラミックコンデ
ンサの品質に悪影響を及ぼす原因となっていた。
However, in such a monolithic ceramic capacitor, there is a problem that the glass component floats on the surface when forming the baking electrode. If the glass component floats up on the surface of the baking electrode, the plating property of the portion is deteriorated, which adversely affects the quality of the laminated ceramic capacitor.

【0006】そこで、特開平8−97075号公報に示
されているように、焼付電極用の電極ペーストをセラミ
ック素体の端面に塗布し、その上に金属箔の小片を付着
させて焼き付けることが考えられた。それにより、浮き
出したガラス成分の表面に金属箔を付着させることがで
き、めっき付き性の劣化を緩和することができる。とこ
ろが、このような方法の場合、焼付電極の表面全体を金
属箔の小片で覆うことは難しく、焼付電極の全面に金属
めっき層を形成することは困難である。また、焼付電極
表面に金属箔を均一に付着させることは難しく、金属め
っき層を均一に形成することが困難である。
Therefore, as disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-97075, it is possible to apply an electrode paste for a baking electrode to the end face of a ceramic element body, and attach a small piece of metal foil onto it to bake it. it was thought. As a result, the metal foil can be attached to the surface of the glass component that has risen, and the deterioration of the plating property can be mitigated. However, in such a method, it is difficult to cover the entire surface of the baking electrode with a small piece of metal foil, and it is difficult to form a metal plating layer on the entire surface of the baking electrode. Further, it is difficult to uniformly attach the metal foil to the surface of the printing electrode, and it is difficult to uniformly form the metal plating layer.

【0007】それゆえに、この発明の主たる目的は、焼
付電極を十分に被覆する金属めっき層が形成された外部
電極を有するセラミック電子部品とその製造方法を提供
することである。
Therefore, a main object of the present invention is to provide a ceramic electronic component having an external electrode having a metal plating layer sufficiently covering the burned electrode and a method for manufacturing the same.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明は、セラミック
素体と、金属成分とガラス成分とを含む電極ペーストを
焼き付けることによりセラミック素体の端面に形成され
る焼付電極と、金属成分を含みかつガラス成分を含まな
い材料を用いて焼付電極を被覆するように形成されるコ
ート層と、コート層を被覆するように形成される金属め
っき層とを含む、セラミック電子部品である。このよう
なセラミック電子部品において、コート層の厚みは、
0.05μm〜500μmの範囲にあることが好まし
い。ここで、コート層を形成するための金属成分とし
て、金属めっき層に含まれる金属成分とイオン化傾向の
近い金属成分を用いることが好ましい。また、コート層
およびその上に形成される金属めっき層を形成するため
の金属成分として、Niを用いることができる。また、
この発明は、セラミック素体を準備する工程と、セラミ
ック素体に金属成分とガラス成分とを含む電極ペースト
を焼き付けることにより焼付電極を形成する工程と、金
属成分を含みかつガラス成分を含まない材料を用いて焼
付電極上にコート層を形成する工程と、コート層上に金
属めっき層を形成する工程とを含む、セラミック電子部
品の製造方法である。このようなセラミック電子部品の
製造方法において、コート層は、コート層を形成するた
めの金属成分を含む導電性ペーストを焼付電極上に塗布
して焼き付けることにより形成することができる。
The present invention includes a ceramic element body, a baking electrode formed on an end surface of the ceramic element body by baking an electrode paste containing a metal component and a glass component, and a metal component. It is a ceramic electronic component including a coat layer formed so as to cover a baked electrode using a material containing no glass component, and a metal plating layer formed so as to cover the coat layer. In such a ceramic electronic component, the thickness of the coat layer is
It is preferably in the range of 0.05 μm to 500 μm. Here, it is preferable to use, as the metal component for forming the coat layer, a metal component having an ionization tendency close to that of the metal component contained in the metal plating layer. Further, Ni can be used as a metal component for forming the coat layer and the metal plating layer formed thereon. Also,
This invention provides a step of preparing a ceramic body, a step of forming a baked electrode by baking an electrode paste containing a metal component and a glass component on the ceramic body, and a material containing a metal component but not a glass component. A method of manufacturing a ceramic electronic component, comprising: a step of forming a coat layer on a baked electrode using the method; and a step of forming a metal plating layer on the coat layer. In such a method for manufacturing a ceramic electronic component, the coat layer can be formed by applying a conductive paste containing a metal component for forming the coat layer onto the baking electrode and baking the conductive paste.

【0009】このセラミック電子部品は、セラミック素
体の端面の焼付電極を被覆するコート層を含むものであ
る。このコート層は、金属成分を含みかつガラス成分を
含んでいない材料で形成されるため、めっき付き性の良
好なものである。そのため、コート層の略全面に金属め
っき層が形成され、焼付電極に含まれるガラス成分が露
出していない外部電極を有するものであり、良好な品質
を有するセラミック電子部品を得ることができる。な
お、コート層の厚みが0.05μm〜500μmの範囲
で、めっき付き性の良好なコート層を得ることができ
る。また、コート層を形成するための金属成分として、
金属めっき層に含まれる金属成分とイオン化傾向の近い
金属成分を用いることにより、コート層上に金属めっき
層が形成されやすくなる。特に、コート層上に形成され
る金属めっき層として、半田付け時に金属くわれの少な
いNiが多く用いられ、その場合、コート層の金属成分
としてもNiが用いられる。金属成分を含みかつガラス
成分を含まない材料を用いて、焼付電極上にコート層を
形成することにより、焼付電極の全面に金属材料で形成
されたコート層が形成される。このように、焼付電極の
全面に金属材料で形成されたコート層が形成されるた
め、コート層へのめっき付き性が良好となる。このよう
なコート層を形成するために、焼付電極上に導電性ペー
ストを塗布して焼き付けてもよい。
This ceramic electronic component includes a coating layer for coating the baking electrode on the end face of the ceramic body. Since this coat layer is formed of a material containing a metal component and not a glass component, it has a good plating property. Therefore, the metal plating layer is formed on substantially the entire surface of the coating layer, and the external electrode is one in which the glass component contained in the baking electrode is not exposed, and a ceramic electronic component having good quality can be obtained. In addition, when the thickness of the coat layer is in the range of 0.05 μm to 500 μm, it is possible to obtain a coat layer having good plating property. Further, as a metal component for forming the coat layer,
By using a metal component having an ionization tendency close to that of the metal component contained in the metal plating layer, the metal plating layer is easily formed on the coat layer. In particular, Ni is often used as the metal plating layer formed on the coat layer, which causes less metal shaving during soldering, and in that case, Ni is also used as the metal component of the coat layer. A coat layer formed of a metal material is formed on the entire surface of the baking electrode by forming a coat layer on the baking electrode using a material containing a metal component but not a glass component. In this way, since the coating layer formed of the metal material is formed on the entire surface of the printing electrode, the coating property of the coating layer becomes good. In order to form such a coat layer, a conductive paste may be applied and baked on the baking electrode.

【0010】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
The above objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the embodiments of the invention with reference to the drawings.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図1は、この発明のセラミック電
子部品の一例としての積層セラミックコンデンサを示す
図解図である。積層セラミックコンデンサ10は、セラ
ミック素体12を含む。セラミック素体12は、複数の
誘電体セラミック層14と複数の内部電極16とが交互
に積層されて形成される。内部電極16の隣接するもの
は、セラミック素体12の対向する端面に、交互に露出
するように形成される。
FIG. 1 is an illustrative view showing a monolithic ceramic capacitor as an example of a ceramic electronic component of the present invention. The monolithic ceramic capacitor 10 includes a ceramic body 12. The ceramic body 12 is formed by alternately stacking a plurality of dielectric ceramic layers 14 and a plurality of internal electrodes 16. Adjacent ones of the internal electrodes 16 are formed so as to be alternately exposed on the opposing end faces of the ceramic body 12.

【0012】内部電極16が露出したセラミック素体1
2の端面には、外部電極18が形成される。外部電極1
8は、焼付電極20を含む。焼付電極20は、セラミッ
ク素体12の端面に、金属成分とガラス成分とを含む電
極ペーストを塗布し、焼き付けることによって形成され
る。電極ペーストに含まれる金属としては、たとえばC
uやNi、Cu−Ni合金などが用いられ、さらに溶剤
や無機酸化物などが含まれる。
Ceramic body 1 with internal electrodes 16 exposed
An external electrode 18 is formed on the end face of 2. External electrode 1
8 includes a printing electrode 20. The baking electrode 20 is formed by applying an electrode paste containing a metal component and a glass component to the end surface of the ceramic body 12 and baking the electrode paste. Examples of the metal contained in the electrode paste include C
u, Ni, a Cu-Ni alloy, etc. are used, and also a solvent, an inorganic oxide, etc. are contained.

【0013】焼付電極20上には、コート層22が形成
される。コート層22は、たとえばNiなどの金属成分
を含み、かつガラス成分を含まない導電性ペーストを塗
布し、焼き付けることによって形成される。なお、導電
性ペースト中に含まれるNiは、コート層22上に形成
される第1の金属めっき層としてNiが多く用いられる
ため、第1の金属めっき層に合わせて選定されるもので
ある。なお、第1の金属めっき層としてNiを用いる場
合、コート層22を形成するための導電性ペーストに含
まれる金属材料として、Ni金属やその化合物を含んで
いれば、錫、半田、金などの金属や合金が含有されてい
てもよい。
A coat layer 22 is formed on the printing electrode 20. The coat layer 22 is formed, for example, by applying a conductive paste containing a metal component such as Ni and not containing a glass component and baking it. It should be noted that Ni contained in the conductive paste is selected according to the first metal plating layer because Ni is often used as the first metal plating layer formed on the coat layer 22. When Ni is used as the first metal plating layer, if Ni metal or a compound thereof is contained as the metal material contained in the conductive paste for forming the coat layer 22, tin, solder, gold or the like is used. A metal or alloy may be contained.

【0014】さらに、コート層22上には、第1の金属
めっき層24が形成される。第1の金属めっき層24
は、たとえばNiなどによって形成される。ここで、第
1の金属めっき層24は、積層セラミックコンデンサ1
0を回路基板などに半田付けする際に、外部電極18の
金属くわれを防止するために形成される。そして、この
ような金属くわれの防止に適する材料として、Niなど
が用いられる。
Further, a first metal plating layer 24 is formed on the coat layer 22. First metal plating layer 24
Is formed of, for example, Ni. Here, the first metal plating layer 24 is the monolithic ceramic capacitor 1
It is formed in order to prevent metal breakage of the external electrode 18 when 0 is soldered to a circuit board or the like. Then, Ni or the like is used as a material suitable for preventing such metal cracks.

【0015】第1の金属めっき層24上には、第2の金
属めっき層26が形成される。第2の金属めっき層26
は、たとえばSnやSn−Pbなどの半田付け性の良好
な材料で形成される。このような第2の金属めっき層2
6を形成することにより、回路基板などに積層セラミッ
クコンデンサ10を実装する際に半田付けが容易とな
る。
A second metal plating layer 26 is formed on the first metal plating layer 24. Second metal plating layer 26
Is formed of a material having good solderability, such as Sn or Sn-Pb. Such a second metal plating layer 2
Forming 6 facilitates soldering when mounting the monolithic ceramic capacitor 10 on a circuit board or the like.

【0016】このような積層セラミックコンデンサ10
では、セラミック素体12の端面に焼付電極20を形成
する際に、ガラス成分が電極表面に浮き出てくる。しか
しながら、コート層22によって焼付電極20の表面全
体が被覆されているため、めっき付き性がよくなり、コ
ート層22の全面に第1の金属めっき層24が形成され
る。したがって、第2の金属めっき層26もセラミック
素体12の端面の全面に形成することができ、積層セラ
ミックコンデンサ10の信頼性を高くすることができ
る。
Such a monolithic ceramic capacitor 10
Then, when the baking electrode 20 is formed on the end surface of the ceramic body 12, the glass component floats out on the electrode surface. However, since the entire surface of the baking electrode 20 is covered with the coating layer 22, the plating property is improved, and the first metal plating layer 24 is formed on the entire surface of the coating layer 22. Therefore, the second metal plating layer 26 can also be formed on the entire end face of the ceramic body 12, and the reliability of the monolithic ceramic capacitor 10 can be increased.

【0017】このように、焼付電極20上にコート層2
2を形成することにより、第1の金属めっき層24を均
一に形成することができる。なお、第1の金属めっき層
24として、金属くわれ防止用のNiめっき層を形成し
たが、他の金属材料を用いる場合には、コート層22の
材料として、第1の金属めっき層24と同じ材料、また
はイオン化傾向の近い材料が用いられる。このような材
料を選択することにより、コート層22上に、第1の金
属めっき層24を形成しやすくすることができ、コート
層22と第1の金属めっき層24の密着性を良好にする
ことができる。
Thus, the coating layer 2 is formed on the baking electrode 20.
By forming 2, the first metal plating layer 24 can be formed uniformly. Although the Ni plating layer for preventing metal cracks is formed as the first metal plating layer 24, when another metal material is used, the first metal plating layer 24 and the first metal plating layer 24 are used as the material of the coat layer 22. The same material or a material having a close ionization tendency is used. By selecting such a material, the first metal plating layer 24 can be easily formed on the coat layer 22, and the adhesion between the coat layer 22 and the first metal plating layer 24 can be improved. be able to.

【0018】なお、このような製造方法は、積層セラミ
ックコンデンサに限らず、抵抗、インダクタ、LC部品
など、他のセラミック電子部品にも適用可能である。こ
れらのセラミック電子部品についても、焼付電極20の
全面に金属めっき層24,26を形成することができ、
信頼性の高いセラミック電子部品を得ることができる。
It should be noted that such a manufacturing method is applicable not only to the monolithic ceramic capacitor but also to other ceramic electronic parts such as resistors, inductors and LC parts. Also in these ceramic electronic components, the metal plating layers 24 and 26 can be formed on the entire surface of the baking electrode 20,
It is possible to obtain a highly reliable ceramic electronic component.

【0019】[0019]

【実施例】(実施例1)内部電極を形成した3.2×
1.6×1.6mmのセラミック素体の端面に、Cu、
ガラス成分、溶剤、無機酸化物などを含む電極ペースト
を塗布し、焼成することにより、端面の膜厚が100μ
mの焼付電極を形成した。この焼付電極上に、Niを含
みかつガラス成分を含まない導電性ペーストを塗布し、
焼き付けることによって3μmのコート層を形成した。
コート層の上にNiめっきを施し、3μmの第1の金属
めっき層を形成した。さらに、第1の金属めっき層の上
に、Snによる5μmの第2の金属めっき層を形成し
て、積層セラミックコンデンサを形成した。また、比較
例として、コート層を形成しないで、焼付電極上に第1
の金属めっき層を形成し、さらに第2の金属めっき層を
形成して、積層セラミックコンデンサを形成した。
Example (Example 1) 3.2 × with internal electrodes formed
Cu on the end face of the 1.6 × 1.6 mm ceramic body,
By coating and baking an electrode paste containing a glass component, a solvent, an inorganic oxide, etc., the thickness of the end face is 100 μm.
m printing electrode was formed. On this baked electrode, a conductive paste containing Ni and not containing a glass component is applied,
A 3 μm-thick coat layer was formed by baking.
Ni plating was applied on the coat layer to form a 3 μm first metal plating layer. Further, a 5 μm second metal plating layer of Sn was formed on the first metal plating layer to form a monolithic ceramic capacitor. As a comparative example, the first layer was formed on the baking electrode without forming the coat layer.
A metal plating layer was formed, and a second metal plating layer was further formed to form a monolithic ceramic capacitor.

【0020】これらの積層セラミックコンデンサについ
て、めっき付き性を調べた。その結果、コート層を形成
した積層セラミックコンデンサでは、サンプル数100
個の中で、めっき付き性不良は認められなかった。それ
に対して、コート層を形成しなかった積層セラミックコ
ンデンサでは、サンプル数100個の中で、めっき付き
性不良が35個認められた。なお、めっき付き性につい
ては、焼付電極の表面の90%以上が第1の金属めっき
層および第2の金属めっき層で覆われているものを良品
とし、焼付電極の表面の90%未満しか第1の金属めっ
き層および第2の金属めっき層で覆われていないものを
不良品とした。
With respect to these laminated ceramic capacitors, the plating property was examined. As a result, the number of samples in the multilayer ceramic capacitor with the coat layer is 100
Among the individual pieces, no poor plating property was observed. On the other hand, in the monolithic ceramic capacitor in which the coat layer was not formed, 35 out of 100 samples had defective plating property. Regarding the plating property, a product in which 90% or more of the surface of the baking electrode is covered with the first metal plating layer and the second metal plating layer is a good product, and less than 90% of the surface of the baking electrode is Those not covered with the first metal plating layer and the second metal plating layer were regarded as defective products.

【0021】また、コート層を形成した積層セラミック
コンデンサについて、コート層の厚みとめっき付き性と
の関係を調べ、その結果を表1に示した。表1において
は、コート層の各厚みに対するサンプル数は、それぞれ
100個とした。そして、これらのサンプルの中で、め
っき付き性不良の数を示した。
With respect to the laminated ceramic capacitor having the coat layer formed thereon, the relationship between the thickness of the coat layer and the plating property was examined, and the results are shown in Table 1. In Table 1, the number of samples for each thickness of the coat layer was 100. Then, among these samples, the number of defective plating properties was shown.

【0022】[0022]

【表1】 [Table 1]

【0023】表1からわかるように、コート層の厚みが
0.5μm〜500μmの範囲において、めっき付き性
不良は認められなかった。なお、コート層の厚みが0.
1μm以下においては、コート層を形成するための導電
性ペーストの塗布を十分に行なうことができないため、
焼付電極の全面をコート層で被覆することができなかっ
たものと考えられる。
As can be seen from Table 1, in the case where the thickness of the coat layer was in the range of 0.5 μm to 500 μm, no poor plating property was observed. The thickness of the coat layer was 0.
If the thickness is 1 μm or less, the conductive paste for forming the coat layer cannot be sufficiently applied.
It is considered that the entire surface of the printing electrode could not be covered with the coating layer.

【0024】(実施例2)内部電極を形成したセラミッ
ク素体の端面に、金属成分、ガラス成分、溶剤、無機酸
化物などを含む電極ペーストを塗布し、焼成することに
より、焼付電極を形成した。この焼付電極上に、Niを
含みかつガラス成分を含まない導電ペーストを塗布し、
焼き付けることによってコート層を形成した。また、焼
付電極をNi箔で被覆し、焼き付けることによってコー
ト層を形成した。
(Example 2) A baked electrode was formed by applying an electrode paste containing a metal component, a glass component, a solvent, an inorganic oxide, etc., to the end surface of the ceramic element body on which the internal electrode was formed and firing it. . On this baked electrode, a conductive paste containing Ni and containing no glass component is applied,
A coat layer was formed by baking. Further, the baked electrode was covered with Ni foil and baked to form a coat layer.

【0025】コート層の上にNiめっきを施し、第1の
金属めっき層を形成した。さらに、第1の金属めっき層
の上に、Snによる第2の金属めっき層を形成した。そ
して、コート層の厚みと、めっき付き性との関係につい
て調べ、その結果を表2に示した。なお、めっき付き性
の判定については、実施例1と同様にして行なった。ま
た、コート層の各厚みにおけるサンプル数は100個と
し、めっき付き性不良の数を示した。
Ni plating was applied on the coat layer to form a first metal plating layer. Further, a second metal plating layer of Sn was formed on the first metal plating layer. Then, the relationship between the thickness of the coat layer and the plating property was investigated, and the results are shown in Table 2. The determination of the plating property was performed in the same manner as in Example 1. In addition, the number of samples in each thickness of the coat layer was 100, and the number of defective plating properties was shown.

【0026】[0026]

【表2】 [Table 2]

【0027】表2より、コート層を形成したのちに、第
1の金属めっき層および第2の金属めっき層を形成した
場合、コート層の厚みが0.05μm〜500μmの範
囲において、めっき付き性は良好であることがわかる。
なお、コート層の作製にあたって、Niペーストの塗布
については、薄くすることが困難であるため、コート層
の厚みを0.1μm〜500μmの範囲とした。また、
Ni薄膜については、厚くなりすぎると、焼付電極表面
に被覆させることが困難となり、薄くなりすぎると、焼
付電極表面の全面を覆うことが困難となるため、コート
層の厚みを0.05μm〜10μmの範囲とした。
From Table 2, when the first metal plating layer and the second metal plating layer are formed after the coat layer is formed, the plating property is obtained when the thickness of the coat layer is in the range of 0.05 μm to 500 μm. Turns out to be good.
Since it is difficult to thin the Ni paste when manufacturing the coat layer, the thickness of the coat layer was set to 0.1 μm to 500 μm. Also,
When the Ni thin film is too thick, it becomes difficult to coat the surface of the baking electrode, and when it is too thin, it becomes difficult to cover the entire surface of the baking electrode, so that the thickness of the coating layer is 0.05 μm to 10 μm. And the range.

【0028】[0028]

【発明の効果】この発明によれば、セラミック素体上の
焼き付け電極を被覆するようにコート層を形成すること
により、焼付電極形成時に浮き出したガラス成分の表面
に金属層を形成することができるため、第1の金属めっ
き層や第2の金属めっき層などのめっき付き性を良好に
することができる。そのため、この発明のセラミック電
子部品は、良好な構造を有する外部電極を有し、不良品
を低減して信頼性を高めることができる。
According to the present invention, by forming the coating layer so as to cover the baking electrode on the ceramic body, it is possible to form the metal layer on the surface of the glass component that is raised at the time of forming the baking electrode. Therefore, the plating adherence of the first metal plating layer and the second metal plating layer can be improved. Therefore, the ceramic electronic component of the present invention has the external electrode having a good structure, and it is possible to reduce defective products and enhance reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明のセラミック電子部品の一例としての
積層セラミックコンデンサを示す図解図である。
FIG. 1 is an illustrative view showing a monolithic ceramic capacitor as an example of a ceramic electronic component of the present invention.

【図2】従来のセラミック電子部品の一例としての積層
セラミックコンデンサを示す図解図である。
FIG. 2 is an illustrative view showing a monolithic ceramic capacitor as an example of a conventional ceramic electronic component.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 積層セラミックコンデンサ 12 セラミック素体 14 誘電体セラミック層 16 内部電極 18 外部電極 20 焼付電極 22 コート層 24 第1の金属めっき層 26 第2の金属めっき層 10 Multilayer ceramic capacitors 12 Ceramic body 14 Dielectric ceramic layer 16 internal electrodes 18 External electrode 20 Burning electrode 22 Coat layer 24 First metal plating layer 26 Second metal plating layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河合 孝明 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Fターム(参考) 5E001 AB03 AC04 AF00 AF06 AH01 AH07 AH09 AJ03 5E082 AA01 AB03 BC38 FG26 GG10 GG11 GG26 GG28 JJ03 JJ12 JJ23 MM24 PP09    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Takaaki Kawai             2-10-10 Tenjin, Nagaokakyo, Kyoto Stock             Murata Manufacturing Co., Ltd. F-term (reference) 5E001 AB03 AC04 AF00 AF06 AH01                       AH07 AH09 AJ03                 5E082 AA01 AB03 BC38 FG26 GG10                       GG11 GG26 GG28 JJ03 JJ12                       JJ23 MM24 PP09

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミック素体、 金属成分とガラス成分とを含む電極ペーストを焼き付け
ることにより前記セラミック素体の端面に形成される焼
付電極、 金属成分を含みかつガラス成分を含まない材料を用いて
前記焼付電極を被覆するように形成されるコート層、お
よび前記コート層を被覆するように形成される金属めっ
き層を含む、セラミック電子部品。
1. A ceramic body, a baking electrode formed on an end surface of the ceramic body by baking an electrode paste containing a metal component and a glass component, and a material containing a metal component and not containing a glass component. A ceramic electronic component comprising: a coat layer formed to cover the baked electrode; and a metal plating layer formed to cover the coat layer.
【請求項2】 前記コート層の厚みは、0.05μm〜
500μmの範囲にあることを特徴とする、請求項1に
記載のセラミック電子部品。
2. The thickness of the coat layer is from 0.05 μm to
The ceramic electronic component according to claim 1, wherein the ceramic electronic component is in a range of 500 μm.
【請求項3】 前記コート層を形成するための金属成分
として、前記金属めっき層に含まれる金属成分とイオン
化傾向の近い金属成分が用いられる、請求項1または請
求項2に記載のセラミック電子部品。
3. The ceramic electronic component according to claim 1, wherein a metal component having an ionization tendency close to that of the metal component contained in the metal plating layer is used as the metal component for forming the coat layer. .
【請求項4】 前記コート層およびその上に形成される
前記金属めっき層を形成するための金属成分がNiであ
ることを特徴とする、請求項1ないし請求項3のいずれ
かに記載のセラミック電子部品。
4. The ceramic according to claim 1, wherein a metal component for forming the coating layer and the metal plating layer formed thereon is Ni. Electronic components.
【請求項5】 セラミック素体を準備する工程、 前記セラミック素体に金属成分とガラス成分とを含む電
極ペーストを焼き付けることにより焼付電極を形成する
工程、 金属成分を含みかつガラス成分を含まない材料を用いて
前記焼付電極上にコート層を形成する工程、および前記
コート層上に金属めっき層を形成する工程を含む、セラ
ミック電子部品の製造方法。
5. A step of preparing a ceramic body, a step of forming a baked electrode by baking an electrode paste containing a metal component and a glass component on the ceramic body, a material containing a metal component and not containing a glass component A method of manufacturing a ceramic electronic component, comprising: forming a coat layer on the baked electrode using the method; and forming a metal plating layer on the coat layer.
【請求項6】 前記コート層は、前記コート層を形成す
るための金属成分を含む導電性ペーストを前記焼付電極
上に塗布して焼き付けることにより形成される、請求項
5に記載のセラミック電子部品の製造方法。
6. The ceramic electronic component according to claim 5, wherein the coat layer is formed by applying a conductive paste containing a metal component for forming the coat layer onto the baking electrode and baking the conductive paste. Manufacturing method.
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