PL124534B1 - Electromechanical construction of transistor bridge amplifier - Google Patents

Electromechanical construction of transistor bridge amplifier Download PDF

Info

Publication number
PL124534B1
PL124534B1 PL21375779A PL21375779A PL124534B1 PL 124534 B1 PL124534 B1 PL 124534B1 PL 21375779 A PL21375779 A PL 21375779A PL 21375779 A PL21375779 A PL 21375779A PL 124534 B1 PL124534 B1 PL 124534B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
power
bridge
emitter
transistor
emitter resistor
Prior art date
Application number
PL21375779A
Other languages
English (en)
Other versions
PL213757A1 (pl
Inventor
Ladyslaw Gronau
Original Assignee
Inst Elektrotechniki
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Elektrotechniki filed Critical Inst Elektrotechniki
Priority to PL21375779A priority Critical patent/PL124534B1/pl
Publication of PL213757A1 publication Critical patent/PL213757A1/xx
Publication of PL124534B1 publication Critical patent/PL124534B1/pl

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest konstrukcja elek¬ tromechaniczna tranzystorowego wzmacniacza mostkowego w obudowie kasetowej, przeznaczo¬ nego do impulsowego zasilania silnika pradu sta¬ lego o duzym zakresie regulacji predkosci obro¬ towej, zwlaszcza dla napedu posuwu w obrabiar¬ kach sterowanych numerycznie.Znane jest urzadzenie pod nazwa ,,Hi-Akr' z tranzystorowym wzmacniaczem mostkowym do impulsowego zasilania silnika pradu stalego dla napedu posuwu w obrabiarkach sterowanych nu¬ merycznie, którego jedynie uklad regulacji elek¬ tronicznej jest przedmiotem patentu USA nr 3 560 829 z dnia 2.02.71 r oraz publikacji NEC z konferencji obrabiarkowej IEEE w Hartford, Conecticuit USA z dnia 29—30.10.1973 r.Konstrukcja elektromechaniczna tranzystorowe¬ go wzmacniacza mostkowego powyzszego urzadze¬ nia, produkowanego przez firme General Elektric jako PWM Servodrive Model II od roku 1976 20 w pieciu typowielkosciach. rozwiazana jest na za¬ sadzie znanych plytek dwustronnie drukowanych, na których sa zamontowane normalnym sposobem liczne tranzystory malej mocy w obudowie kon¬ wencjonalnej, laczone w kazdej galezi mostka 25 równolegle i tworzace nastepnie'uklad kompletne¬ go mostka elektrycznego.Kazdy tranzystor posiada po dwa równolegle laczone rezystory emiterowe, przy czym typowiel kosc 1 w jednej galezi mostka posiada 2 tran 39 zystory i 4 rezystory emiterowe, typowielkosc 2 — odpowiednio 4 tranzystory i 8 rezystorów emi- terowych itd. W ten sposób przykladowo intere¬ sujaca nas typowielkosc 5 przy 10 tranzystorach i 20 rezystorach emiterowych w kazdej galezi po¬ siada w pelnym ukladzie wzmacniacza mostkowe¬ go lacznie 40 tranzystorów malej mocy, 80 rezy¬ storów emiterowych oraz 8 diod mocy.Zastosowane rezystory emiterowe sa typu kon¬ wencjonalnego i lutowane cyna do sciezek druko¬ wanych, podobnie jak i tranzystory i diody. Kon¬ strukcja elektromechaniczna tego wzmacniacza mostkowego nie jest przystosowana do wbudowa¬ nia w kasete UKA-6U, zawiera duza ilosc tran¬ zystorów i rezystorów, diod oraz liczne niezbedne polaczenia elektryczne miedzy nimi.Wobec koniecznosci indywidualnego zabezpiecze¬ nia przeciwprzetezeniowego kazdego tranzystora mocy rozwiazanie powyzsze komplikuje budowe ukladu. Zarówno tranzystory, diody jak i rezysto¬ ry stosowane w tym urzadzeniu nie sa produko¬ wane w kraju ani w krajach RWPG.Celem wynalazku jest zbudowanie urzadzenia bedacego odpowiednikiem typowielkosci 5 wspom¬ nianego urzadzenia PWM Servodrive Model II fir¬ my General Electric, w którym nie beda wyste¬ powaly wymienione wyzej niedogodnosci w posta¬ ci duzej ilosci elementów i licznych niezbednych w tym rozwiazaniu polaczen elektrycznych. 124534* ¦ Istota wynalazku polega na odpowiednim roz¬ wiazaniu konstrukcji elektromechanicznej tranzy¬ storowego wzmacniacza t mostkowego w ten spo¬ sób, ze kazda galaz mostka zbudowana jest z jed¬ nego pastylkowego tranzystora mocy, jednej dio¬ dy mocy z katoda na obudowie srubowej i jed¬ nego zestawu radiatorowego skrecanego klamra, l&óre mocowane „s$. po jednej stronie plyty nosnej oraz jednego rezystora emiterowego, który wraz z dwoma lacznikami stanowiacymi zaciski zasilania rfkJstka mlotowany jest po drugiej stronie plyty nos¬ nej, przy czym-jednoczesnie polaczenia mechanicz¬ ne miedzy czterema galeziami mostka zbudowanymi z elementów rozmieszczonych -po obu stronach ply¬ ty nosnej stanowia zarazem elektryczne polaczenie .tych elementów w jeden integralny uklad mostka elektrycznego. W zestawach radiatorowych kazdej galezi mostka utworzonych z ksztaltowników o róznej dlugosci, do powierzchni stykowej wiek¬ szej ^aa^dluzszym ksztaltowniku przylaczony jest kolektor pastylkowego tranzystora mocy oraz do gwintowanego otworu znajdujacego sie na srodku drugiej mniejszej powierzchni stykowej tego dluz¬ szego ksztaltownika wkrecona jest dioda mocy z katoda na obudowie srubowej, natomiast do po- wTelrFcnnY~ stykowej na ksztaltowniku krótszym przylaczony jest emiter tranzystora mocy. Dlugosc -obu ksztaltowników dopasowana jest do mocy strat wydzielanej przez tranzystor i diode oraz do gabarytu wnetrza kasetowej obudowy.Zaleta rozwiazania wedlug wynalazku jest mala ilosc elementów wchodzacych w sklad ukladu tranzystorowego wzmacniacza mostkowego i cal¬ kowite wyeliminowanie drutowych polaczen elek¬ trycznych elementów tworzacych mostek, za wy¬ jatkiem koncówek anodowych diod mocy. Rozwia¬ zanie cechuje zwarta konstrukcja elektromecha¬ niczna, mieszczaca sie w kasecie o znormalizowa¬ nym standardzie 6U/19 cali typu UKA lub CAMAC.- Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przy¬ kladowym wykonaniu na rysunku przedstawiaja¬ cym prawa polowe mostka w widoku od przodu, która jest lustrzanym odbiciem lewej polowy mostka (dla przejrzystosci rysunku pominieto ply¬ te nosna).^Konstrukcja elektromechaniczna mostka wedlug wynalazku wykonana jest tak, ze tranzystor mo¬ cy T w wersji pastylkowej, umieszczony miedzy dwoma ksztaltownikami L scisnietymi klamra 1, laczy sie kazdorazowo kolektorem z wieksza plasz¬ czyzna stykowa na dluzszym ksztaltowniku LI, na" którym równiez znajduje sie druga, mniejsza p%szcz^zna stykowa przeznaczona dla diody mo¬ cy. W srodku tej mniejszej plaszczyzny stykowej wykonamy jest gwintowany otwór, w którym wkrecona jest^ dioda majaca katode na obudowie srubowej. Emiter tranzystora T laczy sie kazdo¬ razowo z plaszczyzna stykowa na krótszym ksztal¬ towniku L2.Klamra 1 sciskajaca ksztaltowniki LI, L2, za¬ opatrzona we wskaznik docisku 2, dostepny wi¬ zualnie od góry lub ód dolu zestawu radiatoro- wego, jest zamontowana w -ien sposób, ze sruby dociskowe w celu regulacji docisku znajduja sie pd prawej lub lewej strony ukladu mostkowego. 534 4 Dodatni biegun zasilania mostka przylaczony jest do lacznika 4, który laczy jednoczesnie elek¬ trycznie i mechanicznie poprzez plyte nosna (nie pokazana na rysunku), ksztaltowniki górne Tl 5 z przylaczonym do nich' kolektorem tranzystora mocy Tl i -analogicznie T4. Emiter tranzystora mocy Tl i analogicznie T4 przylaczony do górne- — go ksztaltownika L2, laczy sie jednoczesnie elek¬ trycznie i mechanicznie poprzez plyte nosna z gór- 10 nym blokiem zaciskowym 5 rezystora emiterowe¬ go Rl i odpowiednio R4. Drugi koniec rezystora Rl i analogicznie R4 poprzez dolny blok zacisko- _ wy 5 i plyte nosna laczy sie mechanicznie z dol¬ nym ksztaltownikiem LI, a zarazem elektrycznie 1S z kolektorem tranzystora mocy T2 i analogicznie T3. Dolny ksztaltownik L2 z przylaczonym emi¬ terem tranzystora mocy T2 i analogicznie T3 laczy sie elektrycznie i mechanicznie poprzez plyte nosna z dolnym blokiem zaciskowym 5 rezystora emite- 20 rowego R2 i analogicznie R3. Drugi koniec re¬ zystora emiterowego R2 i analogicznie R3 górnym blokiem zaciskowym 5 laczy sie _A elektrycznie z lacznikiem 3, stanowiacym ujemny biegun zasi¬ lania mostka oraz mechanicznie z sama „plyta n nosna. W ten sposób odpowiednio rozwiazanym konstrukcyjnie ukladem polaczen mechanicznych uzyskuje sie calkowite wyeliminowanie elektrycz¬ nych polaczen drutowych, które bylyby niezbedne z uwagi na duze prady tranzystorów rzedu 100 A ,e i wiecej, za wyjatkiem koncówek anodowych diod mocy. Koncówki anodowe diod mocy D2 i analo¬ gicznie D3 dolaczone sa do lacznika 3, natomiast koncówka anodowa diody Dl i analogicznie D4 dolaczona jest do kolektora tranzystora mocy T2 83 i odpowiednio T3.Zastrzezenia patentowe 1. Konstrukcja elektromechaniczna tranzystoro- wego wzmacniacza mostkowego zlozona z obudowy kasetowej, plyty nosnej, czterech galezi mostka tranzystorowo-diodowego, w którym kazda galaz mostka zbudowana jest z jednego pastylkowego tranzystora mocy, jednej diody mocy z katoda na obudowie srubowej i jednego zestawu radia to¬ rowego skreconego klamra, jednego rezystora emi¬ terowego mocy oraz z dwóch laczników stanowia¬ cych zaciski zasilania mostka, znamienna tym, ze w zestawach radiatordwych utworzonych z ksztal¬ towników o róznej dlugosci (L), do wiekszej po¬ wierzchni stykowej na dluzszym ksztaltowniku (LI) przylaczony jest kolektor pastylkowego tran¬ zystora mocy (T), a do otworu gwintowanego na srodku drugiej mniejszej powierzchni stykowej na tym dluzszym ksztaltowniku (LI) wkrecona jest dioda mocy (D) z katoda na obudowie srubowej, natomiast do powierzchni stykowej na krótszym ksztaltowniku (L2) przylaczony jest emiter tran¬ zystora mocy (T), przy. czym wykonane poprzez plyte nosna nastepujace polaczenia mechaniczne: lacznika (4), stanowiacego dodatni biegun zasila¬ nia mostka, z kolektorem tranzystorów mocy (Tl) i analogicznie (T4) oraz emitera tranzystorów mo¬ cy (Tl) i analogicznie (T4) z górnym blokiem za- • ciskowym (5) rezystora emiterowego (Rl) i odpo-124 534 wiednio rezystora emiterowego (R4), a nastepnie kolektora tranzystorów mocy (T2) z dolnym blo-. kiem zaciskowym (5) rezystora emiterowego (Rl) i analogicznie (T3) z dolnym blokiem zaciskowym (5) rezystora emiterowego (R4) i dalej emitera tranzystorów mocy (T2) z dolnym blokiem zacis¬ kowym (5) rezystora emiterowego (R2) i analogicz¬ nie (T3) z dolnym blokiem zaciskowym (o) rezy¬ stora emiterowego (R3), a takze górnych bloków • zaciskowych (5) rezystorów emiterowych (R2) i analogicznie (R3) z masa plyta nosna i lacznikiem (3), stanowiacym ujemny biegun zasilania mostka — tworzac zarazem integralne polaczenia elektryczne tych elementów w elektryczny tranzystorowy wzmacniacz mostkowy, zamontowany na wspólnej plycie nosnej, która za pomoca listwy i srub wbu¬ dowana jest do wnetrza kasety o znormalizowa¬ nym standardzie. 2. Konstrukcja wedlug zastrz. 1, znamienna tym, ze do dolnego bloku zaciskowego (5) rezystora emiterowego (Rl) i analogicznie rezystora emitero¬ wego (R4) dolaczone sa koncówki anodowe diody mocy odpowiednio (Dl) i (D4), natomiast koncówki anodowe diod mocy (D2) i (D3) dolaczone sa do lacznika (3). 3. Konstrukcja wedlug zastrz. 1, znamienna tym, ze dlugosci ksztaltowników (LI, L2) sa proporcjo¬ nalne do mocy wydzielanych strat przez tranzy- 15 story mocy (T) i diody mocy (D). 10 bE» ni II i PL

Claims (3)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Konstrukcja elektromechaniczna tranzystoro- wego wzmacniacza mostkowego zlozona z obudowy kasetowej, plyty nosnej, czterech galezi mostka tranzystorowo-diodowego, w którym kazda galaz mostka zbudowana jest z jednego pastylkowego tranzystora mocy, jednej diody mocy z katoda na obudowie srubowej i jednego zestawu radia to¬ rowego skreconego klamra, jednego rezystora emi¬ terowego mocy oraz z dwóch laczników stanowia¬ cych zaciski zasilania mostka, znamienna tym, ze w zestawach radiatordwych utworzonych z ksztal¬ towników o róznej dlugosci (L), do wiekszej po¬ wierzchni stykowej na dluzszym ksztaltowniku (LI) przylaczony jest kolektor pastylkowego tran¬ zystora mocy (T), a do otworu gwintowanego na srodku drugiej mniejszej powierzchni stykowej na tym dluzszym ksztaltowniku (LI) wkrecona jest dioda mocy (D) z katoda na obudowie srubowej, natomiast do powierzchni stykowej na krótszym ksztaltowniku (L2) przylaczony jest emiter tran¬ zystora mocy (T), przy. czym wykonane poprzez plyte nosna nastepujace polaczenia mechaniczne: lacznika (4), stanowiacego dodatni biegun zasila¬ nia mostka, z kolektorem tranzystorów mocy (Tl) i analogicznie (T4) oraz emitera tranzystorów mo¬ cy (Tl) i analogicznie (T4) z górnym blokiem za- • ciskowym (5) rezystora emiterowego (Rl) i odpo-124 534 wiednio rezystora emiterowego (R4), a nastepnie kolektora tranzystorów mocy (T2) z dolnym blo-. kiem zaciskowym (5) rezystora emiterowego (Rl) i analogicznie (T3) z dolnym blokiem zaciskowym (5) rezystora emiterowego (R4) i dalej emitera tranzystorów mocy (T2) z dolnym blokiem zacis¬ kowym (5) rezystora emiterowego (R2) i analogicz¬ nie (T3) z dolnym blokiem zaciskowym (o) rezy¬ stora emiterowego (R3), a takze górnych bloków • zaciskowych (5) rezystorów emiterowych (R2) i analogicznie (R3) z masa plyta nosna i lacznikiem (3), stanowiacym ujemny biegun zasilania mostka — tworzac zarazem integralne polaczenia elektryczne tych elementów w elektryczny tranzystorowy wzmacniacz mostkowy, zamontowany na wspólnej plycie nosnej, która za pomoca listwy i srub wbu¬ dowana jest do wnetrza kasety o znormalizowa¬ nym standardzie.
  2. 2. Konstrukcja wedlug zastrz. 1, znamienna tym, ze do dolnego bloku zaciskowego (5) rezystora emiterowego (Rl) i analogicznie rezystora emitero¬ wego (R4) dolaczone sa koncówki anodowe diody mocy odpowiednio (Dl) i (D4), natomiast koncówki anodowe diod mocy (D2) i (D3) dolaczone sa do lacznika (3).
  3. 3. Konstrukcja wedlug zastrz. 1, znamienna tym, ze dlugosci ksztaltowników (LI, L2) sa proporcjo¬ nalne do mocy wydzielanych strat przez tranzy- 15 story mocy (T) i diody mocy (D). 10 bE» ni II i PL
PL21375779A 1979-02-26 1979-02-26 Electromechanical construction of transistor bridge amplifier PL124534B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21375779A PL124534B1 (en) 1979-02-26 1979-02-26 Electromechanical construction of transistor bridge amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21375779A PL124534B1 (en) 1979-02-26 1979-02-26 Electromechanical construction of transistor bridge amplifier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL213757A1 PL213757A1 (pl) 1980-10-20
PL124534B1 true PL124534B1 (en) 1983-01-31

Family

ID=19994806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL21375779A PL124534B1 (en) 1979-02-26 1979-02-26 Electromechanical construction of transistor bridge amplifier

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL124534B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL213757A1 (pl) 1980-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4854081B2 (ja) 接続装置、その製造方法及びソーラーモジュール
EP0098051B1 (en) A plastics-encapsulated circuit element
US4972125A (en) Plug-in dimmer module for lighting control systems
JP2001167839A (ja) 電気コネクタアセンブリ
EP0774782A3 (en) Semiconductor power module
CA2046253A1 (en) Integrated circuit package and compact assemblies thereof
WO2014115986A1 (ko) Led 램프용 전극모듈
JPH0397257A (ja) 大電力半導体装置
PL124534B1 (en) Electromechanical construction of transistor bridge amplifier
CN215266735U (zh) 接线端子及电力电子设备
WO2015124036A1 (zh) 基于印刷电路板的开关电路结构
JPH0720940Y2 (ja) 電力型電子回路装置
TWI875157B (zh) 大電流Type-C連接器及電子設備
KR880000314Y1 (ko) 고출력 트랜지스터용 콜렉터 단자 인출장치
CN223471641U (zh) 电池管理组件和装置
US4728302A (en) Mounting coupling and heat sink assembly for axial lead components
US20230262897A1 (en) Battery pack
US5751119A (en) High density plug-in dimmer module for lighting control systems
JP3467605B2 (ja) 箔フレームダイオードを用いた複合モジュール
JPH0365659B2 (pl)
CN111312974B (zh) 具有两种不同的电池模组的储能系统
CN110504818B (zh) 一种点电源模块及电源组件
US9893214B2 (en) Bus bar for solar cell component
JP2002374049A (ja) 電源装置の実装構造
JPS5943741Y2 (ja) 半導体整流装置