PL121614B2 - Process for manufacturing textured surfaces of silicon plates,especialy for solar cellsok kremnija-glavnym obrazom dlja solnechnykh ehlementov - Google Patents
Process for manufacturing textured surfaces of silicon plates,especialy for solar cellsok kremnija-glavnym obrazom dlja solnechnykh ehlementov Download PDFInfo
- Publication number
- PL121614B2 PL121614B2 PL22187880A PL22187880A PL121614B2 PL 121614 B2 PL121614 B2 PL 121614B2 PL 22187880 A PL22187880 A PL 22187880A PL 22187880 A PL22187880 A PL 22187880A PL 121614 B2 PL121614 B2 PL 121614B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- silicon
- textured surfaces
- solar
- solnechnykh
- kremnija
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 9
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000029087 digestion Effects 0.000 claims description 8
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004537 pulping Methods 0.000 description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania teksturowanych powierzchni plytek krzemu, zwlaszcza do ogniw slonecznych.Dotychczas znany z publikacji F.Restrepo i CE. Backus'a w IEEE „Trans.Electron Devices", ED-23, 1195 (1076). Sposób wytwarzania teksturowanych powierzchni krzemu polega na naste¬ pujacym postepowaniu. Przygotowanie plytek krzemu do roztwarzania polega na ich myciu w stezonym kwasie siarkowym o temperaturze 423 K, plukaniu w wodzie dejonizowanej, zanurzeniu w buforowym roztworze kwasu fluorowodorowego, ponownym plukaniu w wodzie dejonizowanej i suszeniu. Bezposrednio przed roztwarzaniem plytki krzemu zanurza sie w goracym czterochlorku wegla lub dowolnym zwiazku organicznym w celu wytworzenia na powierzchni krzemu zarodków weglika, które nie roztwarzajac sie w procesie roztwarzania krzemu w roztworze wodorotlenku potasu, glikolu etylowego i wody stanowia centra, na których powstaja ostroslupy. Nastepnie tak przygotowane plytki krzemu roztwarza sie w goracej trójskladnikowej mieszaninie wodorotlenku potasu, glikolu etylowego i wody.Niedogodnosci techniczno-uzytkowe tego sposobu wytwarzania teksturowanych powierzchni krzemu sa nastepujace. Zasadnicza niedogodnoscia sa uciazliwe warunki przygotowania plytek krzemu do roztwarzania, wynikajace z koniecznosci stosowania goracych czynników organicznych i goracego stezonego kwasu siarkowego. Nastepna niedogodnoscia jest koniecznosc wytwarzania zarodków weglika krzemu przed roztwarzaniem. Kolejna niedogodnoscia sa trudnosci z doborem parametrów roztwarzania krzemu, które decyduja o jakosci otrzymywanej powierzchni.Istota wynalazku polega na tym, ze przed roztwarzaniem plytki krzemu traktuje sie miesza¬ nina chromowa a nastepnie 10-40% roztworem kwasu flurowodorowego,poczym roztwarza sie w 1-10 molowym roztworze wodorotlenku sodu o temperaturze 313-383 K.Zalety techniczno-uzytkowe wynikajace ze stosowania sposobu wedlug wynalazku sa nastepu¬ jace. Zasadnicza zaleta sa dogodne warunki prowadzenia przygotowania plytek krzemu do roztwa¬ rzania. Nastepna zaleta jest wyeliminowanie koniecznosci wytwarzania zarodków weglika krzemu przed roztwarzaniem. Kolejna zaleta jest latwosc doboru parametrów roztwarzania krzemu.2 121 614 Przedmiot wynalazku przedstawiony jest w przykladzie wykonania. Plytke krzemu o orienta¬ cji (100) typu p lub n oraz o rezystywnosci rzedu 10~3-10_1 ftm mocuje sie w uchwycie do roztwarzania, a nastepnie myje sie w mieszaninie chromowej, plucze w wodzie dejonizowanej, zanurza w 20% roztworze kwasu fluorowodorowego, ponownie plucze w wodzie dejonizowanej, po czym roztwarza sie w 5% molowym roztworze wodorotlenku o temperaturze 353 K przez 30 minut. Po tym czasie plytke krzemu plucze sie w wodzie dejonizowanej i suszy.W procesie roztwarzania powstaje nieciagla warstwa uwodnionego dwutlenku krzemu, która stanowi swoista maske podczas roztwarzania krzemu, poniewaz szybkosc roztwarzania dwutlenku krzemu w roztworze wodorotlenku sodu jest znacznie mniejsza od szybkosci roztwarzania krzemu w tym roztworze. Otrzymuje sie powierzchnie pokryta równo bardzo duza iloscia (rzedu 106/cm2) ostroslupów. Tak steksturowana powierzchnia wykazuje wysoki wspólczynnik absorpcji swiatla wskutek wielokrotnego oddzialywania swiatla miedzy ostroslupami. Zastosowanie krzemu o tak steksturowanej powierzchni do ogniw slonecznych podwyzsza ich sprawnosc.Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania teksturowanych powierzchni plytek krzemu, zwlaszcza do ogniw slone¬ cznych, polegajacy na przygotowaniu plytek krzemu do roztwarzania przez traktowanie czynni¬ kiem silnie utleniajacym, plukaniu w wodzie dejonizowanej, traktowanie roztworem kwasu fluorowodorowego, plukaniu w wodzie dejonizowanej, a nastepnie roztwarzaniu w roztworze zwiazku powstajacego w wyniku dzialania wody na tlenek metalu, znamienny tym, ze przed roztwarzaniem plytki krzemu traktuje sie mieszanina chromowa a nastepnie 10-40% roztworem kwasu fluorowodorowego, po czym roztwarza sie w 1-10 molowym roztworze wodorotlenku sodu o temperaturze 313-383 K.Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 120 cgz.Cena 100 zl PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania teksturowanych powierzchni plytek krzemu, zwlaszcza do ogniw slone¬ cznych, polegajacy na przygotowaniu plytek krzemu do roztwarzania przez traktowanie czynni¬ kiem silnie utleniajacym, plukaniu w wodzie dejonizowanej, traktowanie roztworem kwasu fluorowodorowego, plukaniu w wodzie dejonizowanej, a nastepnie roztwarzaniu w roztworze zwiazku powstajacego w wyniku dzialania wody na tlenek metalu, znamienny tym, ze przed roztwarzaniem plytki krzemu traktuje sie mieszanina chromowa a nastepnie 10-40% roztworem kwasu fluorowodorowego, po czym roztwarza sie w 1-10 molowym roztworze wodorotlenku sodu o temperaturze 313-383 K. Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 120 cgz. Cena 100 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL22187880A PL121614B2 (en) | 1980-02-06 | 1980-02-06 | Process for manufacturing textured surfaces of silicon plates,especialy for solar cellsok kremnija-glavnym obrazom dlja solnechnykh ehlementov |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL22187880A PL121614B2 (en) | 1980-02-06 | 1980-02-06 | Process for manufacturing textured surfaces of silicon plates,especialy for solar cellsok kremnija-glavnym obrazom dlja solnechnykh ehlementov |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL221878A2 PL221878A2 (pl) | 1981-01-16 |
| PL121614B2 true PL121614B2 (en) | 1982-05-31 |
Family
ID=20001237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL22187880A PL121614B2 (en) | 1980-02-06 | 1980-02-06 | Process for manufacturing textured surfaces of silicon plates,especialy for solar cellsok kremnija-glavnym obrazom dlja solnechnykh ehlementov |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL121614B2 (pl) |
-
1980
- 1980-02-06 PL PL22187880A patent/PL121614B2/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL221878A2 (pl) | 1981-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107924836B (zh) | 一种单晶硅片表面织构化的方法 | |
| ATE3064T1 (de) | Herstellung eines strukturbedingten tiefschwarzen ueberzugs. | |
| US2647865A (en) | Brightening aluminum and aluminum alloy surfaces | |
| CN109825822A (zh) | 一种金刚石/铜半导体封装材料表面加工方法 | |
| JP3905939B2 (ja) | 予め金属化された電導性ポリマー被膜を有する多孔性構造体及びその製造方法 | |
| CN106098840A (zh) | 一种湿法黑硅制备方法 | |
| PL121614B2 (en) | Process for manufacturing textured surfaces of silicon plates,especialy for solar cellsok kremnija-glavnym obrazom dlja solnechnykh ehlementov | |
| US3669776A (en) | Novel nickel etch process | |
| CN109023460A (zh) | 一种镁锂合金表面电镀锌的方法 | |
| CN111254473A (zh) | 一种铝硅合金表面高太阳吸收率消杂光膜层的制备方法 | |
| JPS6139311A (ja) | 導電性繊維及びフイルムの製法 | |
| CN110828611A (zh) | 一种新型的槽链式相结合的黑硅绒面制备方法 | |
| US1816837A (en) | Process of finishing cadmium plated goods | |
| JPS6417883A (en) | Method for rinsing color rolled and annealed stainless steel strip after pickling | |
| US4172909A (en) | Application of active mass to porous electrode support structures | |
| JPS60109175A (ja) | アルカリ蓄電池用極板の製造法 | |
| US3804768A (en) | Nickel etch composition | |
| JPS5952748B2 (ja) | 太陽熱吸収体 | |
| US3356534A (en) | Production of electrodes for alkaline storage batteries wherein active material is at least partially formed from the metals in said grid | |
| JP2000096431A (ja) | 繊維及び繊維製品の無電解メッキ方法 | |
| JPS60208495A (ja) | カ−ボン材料に電気めつきを行なうための前処理方法 | |
| JPS5895682A (ja) | 表面に金属メツキを施した焼物の製造方法 | |
| SU582302A1 (ru) | Способ изготовлени подложек дл цилиндрических магнитных пленок | |
| JPH0615742B2 (ja) | 絹繊維の塩縮加工方法 | |
| CN120250105A (zh) | 一种tbc电池的电镀方法 |