PL117018B1 - Method of installing semiconductor structures on insulation substratesonnom osnovanii - Google Patents

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób montazu strukitury pólprzewodoikowej na podlozu izolacyj¬ nym, zwlaszcza do wykonania podloza do wskaz¬ ników cyfrowych zegarkowych. .Znany jest sposób montazu struktury pólprze¬ wodnikowej ma podlozu z ceramiki, laminatu lub innego -materialu izolacyjnego pokrytego folia me¬ talowa. W montazu wykorzystuje sie polaczenia drutowe pomiedzy struktura pólprzewodnika a sciezkami wytrawionymi w folii metalowej. Nie¬ dogodnoscia polaczen drutowych jest sitosowanie skomplikowanych d drogich urzadzen do ulitira- lub termokompresji, dluzszy cyikl montazu oraz slaba odpornosc mechaniczna takiego polaczenia.Znany jest równiez montaz ibezdrutowy na plyt¬ ce ceramicznej. W tym celu w plytce wykonuje sie wglebienia, w których mocowane sa struktury pólprzewodnikowe. Polaczen dokonuje sie lutem lub pasta przewodzaca do bocznych kontaktów struktury. Niedogodnoscia jest, w tym przypadku, skomplikowana technologia podlozy ceramicznych wykonywanych z wielu warstw ttolii ceramicznej, aby zrealizowac wieloplaszczyznowa siec polaczen onaz otrzymac wglebienia. W zwiazku z tym cena takiego podloza jest wysoka.Istota wynalazku polega na tym, ze sciezki przewodzace wykonuje sie o krawedziach podpie¬ rajacych strukture, a strukture ustawia sie plasz¬ czyznami kontaktów prostopadle do plaszczyzny 10 15 20 podloza przy krawedziach sciezek odwzorowuja¬ cych obrys struktury.Zaleta sposobu wedlug wynalazku jest to, ze Odpowiedniki geometria linii krawedzi sciezek przewodzacych lulaitwiia montaz i transport w cza¬ sie montazu. Ponadto podloze z laminatu jest tan¬ sze, a montaz bezdrutowy pozwala uzyskac pola¬ czenia trwalsze od stosunkowo zawodnych pola¬ czen termo- lub (ultrafeompresyijnych. Wyelimino¬ wanie procesu termo- lufo «ultrakompresji skraca cykl produkcyjny i obniza koszty produkcji.Sposób jest objasniony na przykladzie wykona¬ nia uwidocznionym na rysunku, którego fig. 1 przedstawia widok z góry struktury pólprzewod¬ nikowej umieszczonej miedzy sciezkami metalo¬ wymi na podlozu z laminatu, a fig. 2 — jej prze¬ krój A—A przez kontakty elektryczne. Sciezki 1 wykonuje sie z pokrywajacej laminat folii mie¬ dzianej w procesie trawienia' fotoktografacznego.Maska z emulsji swiatloczulej nadaje krawedziom 2 sciezek linie obrysu struktury 3. Po wytrawie¬ niu ndezamafikowanej folii, a nastepnie usunieciu emulsji podloze jest gotowe do montazu struktur 3. Strukture 3 ustawia sna na podlozu miedzy sciezkami' 1 tak, ze jej plaszczyzny kontaktów me¬ talowych 4 znajduja sie przy krawedziach 2 scie¬ zek 1. Polaczenie elektryczne struktury 3 ze sciez¬ kami metalowymi 1 wykonuje sie przez polaczenie kontaktu 4 ze sciezka lutem luib pasta przewodza- \ 117 0183 117 018 4 ca spelniajaca jednoczesnie role mocowania me¬ chanicznego.Zastrzezenie patentowe Sposób montazu struktury pólprzewodnikowej na podlozu izolacyjnym ze sciezkami bedacymi doprowadzeniami elektrycznymi przez polaczenie strukltur ze sciezkami lutem lub pasta przewodza¬ ca, znamienny tym, ze plaskie kontakty (4) struk¬ tury (3) ustawia sie pomiedzy krawedziami (2) 5 sciezek (1) podpierajacymi strukture (3), przy czym krawedzie (2) wykonuje sie o linii obrysu struk¬ tury. hl h PZGraf. Koszalin A-767 105 A-4 Cena 100 zl PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób montazu struktury pólprzewodnikowej na podlozu izolacyjnym ze sciezkami bedacymi doprowadzeniami elektrycznymi przez polaczenie strukltur ze sciezkami lutem lub pasta przewodza¬ ca, znamienny tym, ze plaskie kontakty (4) struk¬ tury (3) ustawia sie pomiedzy krawedziami (2) 5 sciezek (1) podpierajacymi strukture (3), przy czym krawedzie (2) wykonuje sie o linii obrysu struk¬ tury. hl h PZGraf. Koszalin A-767 105 A-4 Cena 100 zl PL