Przedmiotem wynalazku jest uklad hybrydowego wzmacniacza mocy zabezpie¬ czonego przed przeciazeniem, skladajacego sie z diod polaczonych w obwód regulujacy i ograni¬ czajacy prad za pomoca zmiany wartosci jednego rezystora w koncowym stopniu mocy. Koncowy stopien mocy wzmacniacza pracuje w znanym po¬ laczeniu przeciwsobnym tranzystorów mocy pnp i npn zasilanych szeregowo i sterowanych para tranzystorów przeciwstawnych npn i pnp.Stan techniki. W dotychczasowym rozwiazaniu wzmacniacza mocy zabezpieczonego przed przecia¬ zeniem przy zwarciu wyjscia, w którym koncowy stopien mocy pracuje w polaczeniu przeciwsobnym dwóch tranzystorów mocy npn lub w polaczeniu przeciwsobnym dwóch tranzystorów mocy npn i pnp zasilanych szeregowo i sterowanych para tranzysto¬ rów przeciwstawnych pnp i npn, emiter tranzystora mocy npn lub kolektor tranzystora mocy pnp wla¬ czonego od strony dodatniego bieguna zasilania dolaczony jest do wyjscia wzmacniacza poprzez rezystor. Punkt wspólny rezystora i tranzystora mocy dolaczony jest poprzez dwójnik zbudo¬ wany z równolegle polaczonych rezystora i konden¬ satora do bazy tranzystora npn zabezpieczajacego przed przeciazeniem, którego emiter dolaczony jest do wyjscia wzmacniacza oraz kolektor dolaczony jest do bazy tranzystora pary przeciwstawnej od strony dodatniego bieguna zasilania poprzez diode w taki sposób, ze katoda diody dolaczona jest do 10 15 ^o 25 30 kolektora tranzystora npn zabezpieczajacego przed przeciazeniem, a anoda diody dolaczona jest do ba¬ zy tranzystora pary przeciwstawnej od strony do¬ datniego bieguna zasilania. Emiter tranzystora mo¬ cy pnp lub kolektor tranzystora mocy npn wlaczo¬ nego od strony ujemnego bieguna zasilania dola¬ czony jest do wyjscia wzmacniacza poprzez rezy¬ stor.Punkt wspólny rezystora i tranzystora mocy do¬ laczony jest poprzez dwójnik zbudowany z równo¬ legle polaczonych rezystora i kondensatora do bazy tranzystora pnp zabezpieczajacego przed przecia¬ zeniem, którego emiter dolaczony jest do wyjscia wzmacniacza oraz kolektor dolaczony jest do bazy tranzystora pary przeciwstawnej od strony ujem¬ nego bieguna zasilania poprzez diode w taki spo¬ sób, ze anoda diody dolaczona jest do kolektora tranzystora pnp zabezpieczajacego przed przeciaze¬ niem, a katoda diody dolaczona jest do bazy tran¬ zystora pary przeciwstawnej od strony ujemnego bieguna zasilania. Baza tranzystora npn zabezpie¬ czajacego przed przeciazeniem dolaczona jest do masy ukladu poprzez rezystor i diode polaczone sze¬ regowo w taki sposób, ze katoda diody dolaczona jest do masy ukladu. Baza tranzystora pnp zabez¬ pieczajacego przed przeciazeniem dolaczona jest do masy ukladu poprzez diode i rezystor polaczone szeregowo w taki sposób, ze anoda diody dolaczona jest do masy ukladu. Miedzy punktem wspólnym anody diody i rezystora od strony bazy tranzystora 1129913 112991 4 npn zabezpieczajacego przed przeciazeniem oraz punktem wspólnym katody diody i rezystora od strony bazy tranzystora pnp zabezpieczajacego przed przeciazeniem wlaczony jest rezystor.Wada wyzej opisanego ukladu jest to, ze regulacja ograniczonego pradu wyjsciowego przy zwarciu wyjscia moze byc realizowana przez jednoczesna zmiane wartosci kilku rezystorów. Wiaze sie to, w przypadku hybrydowego wzmacniacza mocy z za¬ stosowaniem korekcji funkcjonalnej rezystorów lub wyprowadzeniem na zewnatrz ukladu rezystorów regulowanych, a w konsekwencji odpowiednio ze skomplikowaniem procesu technologicznego lub zwiekszeniem liczby wyprowadzen ukladu hybry¬ dowego i rozbudowaniem ukladu aplikacyjnego.W ukladzie wedlug dotychczasowego stanu tech¬ niki próg ograniczania pradu wyjsciowego przy zwarciu wyjscia okreslony jest przez mala wartosc napiecia polaryzacji zlacz baza — emiter tranzysto¬ rów npn i pnp zabezpieczajacych przed przeciaze¬ niem. Ponadto stosowanie w hybrydowym wzmac¬ niaczu mocy, celem uzyskania dobrego zabezpiecze¬ nia przed przeciazeniem, rozbudowanego ukladu skladajacego sie, wedlug dotychczasowego stanu techniki, z dwóch tranzystorów npn i pnp oraz czte¬ rech diod zwieksza* liczbe polaczen montazowych, a w konsekwencji zmniejsza niezawodnosc i zwiek¬ sza pracochlonnosc wytworzenia ukladu hybrydo¬ wego.Istota wynalazku. Uklad hybrydowego wzmacnia¬ cza mocy, zabezpieczonego przed przeciazeniem po¬ siada miedzy dodatnim biegunem zasilania i wyjs¬ ciem wzmacniacza dzielnik zbudowany z dwóch re¬ zystorów, których punkt wspólny dolaczony jest do bazy tranzystora pary przeciwstawnej npn poprzez diode w taki sposób, ze katoda diody dolaczona jest do punktu wspólnego dwóch rezystorów, a anoda diody dolaczona jest do bazy tranzystora pary prze¬ ciwstawnej npn oraz punkt wspólny dwóch rezysto¬ rów dolaczony jest do dodatniego bieguna zasilania poprzez diode i rezystor polaczone szeregowo w taki sposób, ze katoda diody dolaczona jest do punktu wspólnego dwóch "rezystorów, a anoda diody dola¬ czona jest do dodatniego bieguna zasilania poprzez rezystor. Miedzy ujemnym biegunem zasilania i wyjsciem wzmacniacza wlaczony jest dzielnik zbudowany z dwóch rezystorów i punkt wspólny dwóch rezystorów dolaczony jest do bazy tranzy¬ stora pary przeciwstawnej pnp poprzez' diode w taki sposób, ze anoda diody dolaczona jest do punktu wspólnego dwóch rezystorów, a katoda diody dola¬ czona jest do bazy tranzystora pary przeciwstawnej pnp. Punkt wspólny dwóch rezystorów dolaczony jest do ujemnego bieguna zasilania poprzez diode i rezystor polaczone szeregowo w taki sposób, ze anoda diody dolaczona jest do punktu wspólnego dwóch rezystorów, a katoda diody dolaczona jest do ujemnego bieguna zasilania poprzez rezystor, miedzy anoda diody dolaczonej poprzez rezystor do dodatniego jpieguna zasilania i katoda diody dola¬ czonej poprzez rezystor do ujemnego bieguna zasi¬ lania wlaczony jest dzielnik zbudowany z dwóch rezystorów, a punkt wspólny dwóch rezystorów do¬ laczony jest do masy wzmacniacza. Miedzy wyjs¬ ciem wzmacniacza i masa wzmacniacza wlaczony jest dzielnik zbudowany z dwóch rezystorów pola¬ czonych szeregowo, a% punkt wspólny dwóch rezy¬ storów dolaczony jest do emitera tranzystora pary przeciwstawnej npn i do emitera tranzystora pary 5 przeciwstawnej pnp poprzez rezystor regulowany.W ukladzie hybrydowym wzmacniacza zmniejszono liczbe elementów, stosujac pary duodiod ze wspólna katoda i wspólna anoda, posiadajace mozliwosc re¬ gulacji progu ograniczenia pradu wyjsciowego przez zmiane wartosci jednego rezystora oraz nie wyma¬ gajace stosowania tranzystorów zabezpieczajacych przed przeciazeniem. Uklad wedlug wynalazku mo¬ ze byc stosowany w hybrydowych i dyskretnych wzmacniaczach malej czestotliwosci.Objasnienie rysunku. Uklad wedlug wynalazku uwidoczniony jest na przykladzie wykonania poka¬ zanym na rysunku, przedstawiajacym schemat ide¬ owy hybrydowego wzmacniacza mocy malej czesto¬ tliwosci zabezpieczonego przed przeciazeniem.Przyklad wykonania wynalazku. Miedzy dodatnim biegunem zasilania i wyjsciem wzmacniacza wla¬ czony jest dzielnik zbudowany z dwóch rezystorów 5 i 7. Punkt wspólny rezystorów 5 i 7 dolaczony jest do bazy tranzystora pary przeciwstawnej npn 1 poprzez diode 2 w taki sposób, *ze katoda diotiy 2 dolaczona jest do punktu wspólnego dwóch rezysto¬ rów 5 i 7, a anoda diody 2 dolaczona jest do bazy tranzystora pary przeciwstawnej npn 1. Punkt wspólny dwóch rezystorów 5 i 7 dolaczony jest do dodatniego bieguna zasilania poprzez diode 6 i re¬ zystor 11 polaczone szeregowo w taki sposób, ze katoda diody 6 dolaczona jest do punktu wspólnego dwóch rezystorów 5 i 7, a anoda diody 6 dolaczona jest do dodatniego bieguna zasilania poprzez rezy¬ stor 11. Miedzy ujemnym biegunem zasilania i wyj¬ sciem wzmacniacza wlaczony jest dzielnik zbudo- ¦ wany z dwóch rezystorów 8 i 10.. Punkt wspólny rezystorów 8 i 10 dolaczony jest do bazy tranzy¬ stora pary przeciwstawnej pnp 4 poprzez diode 3 w taki sposób, ze anoda diody 3 dolaczona jest do punktu wspólnego dwóch rezystorów 8 i 10, a kato¬ da diody 3 dolaczona jest do bazy tranzystora pary przeciwstawnej pnp 4. Punkt wspólny rezystorów 8 i 10 dolaczony jest do ujemnego bieguna zasilania poprzez diode 9 i rezystor 14 polaczone szeregowo w taki sposób, ze anoda diody 9 dolaczona jest do punktu wspólnego dwóch rezystorów 8 i 10, a ka¬ toda' diody 9 dolaczona jest do ujemnego bieguna zasilania poprzez rezystor 14. Miedzy anoda diody 6 dolaczonej poprzez rezystor 11 do dodatniego bie¬ guna zasilania i katoda diody 9 dolaczonej poprzez rezystor 14 do ujemnego bieguna zasilania ^wlaczony jest dzielnik z rezystorów 12 i 13. Punkt wspólny rezystorów 12 i 13 dolaczony jest do masy wzmac¬ niacza. Miedzy wyjsciem wzmacniacza i masa wzmacniacza wlaczony jest, dzielnik z rezystorów 15 i 16 polaczonych szeregowo. Punkt wspólny dwóch rezystorów 15 i 16 dolaczony jest do emitera tranzystora pary przeciwstawnej npn 1 i do emitera tranzystora pary przeciwstawnej pnp 4 poprzez re¬ zystor regulowany 17.Zasada dzialania ukladu jest nastepujaca: jezeli napiecie na bazie tranzystora pary przeciwstawnej npn 1 wzrosnie, osiagajac wartosc wieksza od na¬ piecia w punkcie wspólnym dwóch rezystorów 5 i 7, 20 29 30 35 40 45 50 55 605 to dioda 2 zostanie spolaryzowana w kierunku prze¬ wodzenia i wówczas wzrost pradu emitera tranzy¬ stora pary przeciwstawnej npn 1 zostanie ograni¬ czony, a w konsekwencji ograniczony zostanie prad wyjsciowy plynacy przez tranzystor mocy pnp.Wartosc napiecia na bazie tranzystora pary prze¬ ciwstawnej npn 1 zalezna jest od spadku napiecia wyjsciowego wystepujacego w punkcie wspólnym dwóch rezystorów 15 i 16 oraz spadku napiecia na rezystorze regulowanym 17.Wobec powyzszego wartosc ograniczonego pradu wyjsciowego zalezy od chwilowej wartosci napiecia w punkcie wspólnym rezystorów 5 i 7, od wartosci rezystora regulowanego 17, od wartosci rezystorów 15* i 16 oraz od wartosci napiecia na wyjsciu wzmac¬ niacza. Stosunki rezystorów 5 i 7 oraz 11 i 12 do¬ brane sa tak, ze przy napieciu na wyjsciu wzmac¬ niacza równym polowie napiecia zasilania, napiecie w punkcie wspólnym rezystorów 5 i 7 jest równe napieciu w punkcie wspólnym dwóch rezystorów 11 i 12. Jezeli napiecie na wyjsciu wzmacniacza- wzrosnie osiagajac wartosc wieksza od polowy na- ^ piecia zasilania, to wzrosnie napiecie w punkcie wspólnym dwóch rezystorów 5 i 7 i dioda 6 zostanie spolaryzowana w kierunku zaporowym. Jezeli na¬ piecie na wyjsciu wzmacniacza zmaleje, osiagajac wartosc mniejsza od polowy napiecia zasilania, to dioda 6 zostanie spolaryzowana w kierunku prze¬ wodzenia. Wobec powyzszego chwilowa wartosc napiecia w punkcie wspólnym dwóch rezystorów 5 i 7 jest proporcjonalna do chwilowej wartosci na¬ piecia na wyjsciu wzmacniacza, a wspólczynnik proporcjonalnosci dla napiec wyjsciowych o warto¬ sci chwilowej mniejszej od polowy napiecia zasila¬ nia jest rózny od wspólczynnika proporcjonalnosci dla napiec wyjsciowych o wartosci chwilowej wiek¬ szej od polowy napiecia zasilania. Zaleznosc warto^ sci* ograniczonego pradu wyjsciowego plynacego przez tranzystor mocy pnp cd .wartosci napiecia wyjsciowego wzmacniacza jest wiec funkcja zobra¬ zowana przez krzywa lamana, której wspólczynnik nachylenia mozna ustalic przez odpowiedni dobór wartosci rezystorów 5, 7, 11, 12.Celem zapewnienia symetrii ukladu rezystory 5 i 10, 7 i 8, 11 i 14 oraz 12 i 13 dobrane sa parami o jednakowej wartosci nominalnej. Dzieki symertii ukladu, zaleznosc wartosci ograniczonego pradu wyjsciowego, plynacego przez tranzystor mocy npn, od wartosci napiecia na wyjsciu wzmacniacza jest identyczny jak dla ograniczonego pradu wyjsciowe¬ go plynacego przez tranzystor mocy pnp.Przy sterowaniu wzmacniacza wspólpracujacego z obciazeniem nominalnym chwilowa wartosc na- . piecia na wyjsciu wzmacniacza jest wieksza od chwilowej wartosci napiecia na bazach tranzysto¬ rów pary przeciwstawnej npn li pnp 4, a w kon¬ sekwencji diody 2 i 3 spolaryzowane sa zaporowo i nie wystepuje ograniczenie pradu wyjsciowego wzmacniacza. Po zwarciu wyjscia wysterowanego wzmacniacza napiecie wyjsciowe zanika, a napiecie na bazach tranzystorów pary przeciwstawnej npn 1 i pnp 4 wzrasta. Diody 2 i 3 sa wówczas okresowo polaryzowane w kierunku przewodzenia i prad wyj¬ sciowy zostaje ograniczony. 6'¦¦'." 0 Zadana wartosc ograniczonego pradu wyjsciowego mozna ustalic przez zmiane wartosci rezystora re¬ gulowanego 17. Pary diod 2 i 6 oraz 3 i 9 mozna za¬ stapic przez duodiody. Próg ograniczenia ustalony 5 jest przez stosunkowo duza wartosc napiecia na re¬ zystorze 7 lub 8. ' !0 Zastrzezeniepatentowe \ ¦ Uklad hybrydowego wzmacniacza mocy malej czestotliwosci zabezpieczonego przed przeciazeniem, którego koncowy stopien mocy pracuje w polaczeniu 15 przeciwsobnym tranzystorów pnp i npn zasilanych . szeregowo i sterowanych para tranzystorów prze¬ ciwstawnych npn i pnp, kolektory których s,a po¬ laczone z wyjsciem wzmacniacza, a baza tranzystora mocy pnp dolaczona jest do kolektora tranzystora 20 pary przeciwstawnej npn, natomiast baza tranzy1 stoca mocy npn dolaczona jest do kolektora tran¬ zystora pary przeciwstawnej pnp, znamienny tym, ze miedzy dodatnim biegunem zasilania i wyjsciem wzmacniacza wlaczony jest dzielnik zbudowany 25 z dwóch rezystorów (5, 7), których wspólny' punkt dolaczony jest do bazy tranzystora pary przeciw¬ stawnej npn (1) poprzez diode (2) w taki sposób, ze katoda diody (2) dolaczona jest do wspólnego punk¬ tu polaczenia rezystorów, a anoda tej diody dola- *° czona lest do bazy tranzystora pary przeciwstawnej npn (1), wspólny punkt polaczenia rezystorów (5, 7) jest równiez dolaczony do dodatniego bieguna zasi¬ lania poprzez diode (6) i rezystor (11) wlaczony sze¬ regowo z dioda, której katoda jest polaczona ze 35 wspólnym punktem polaczenia rezystorów (5, 7) a anoda dioó^y (6) dolaczona jest do,dodatniego bie¬ guna zasilania poprzez rezystor (11), miedzy ujem¬ nym biegunem zasilania i wyjsciem wzmacniacza wlaczony jest dzielnik zbudowany z dwóch rezysto- 40 rów (8, 10) i punkt wspólny rezystorów (8 i 10) do¬ laczony jest do bazy tranzystora pary przeciwstaw¬ nej pnp (4) poprzez diode (3) w taki sposób, ze ano¬ da diody (3) dolaczona jest do punktu wspólnego rezystorów (8, 10), a katoda diody (3) dolaczona jest 45 do bazy tranzystora pary przeciwstawnej pnp (4) oraz punkt wspólny rezystorów (8, 10) dolaczony jest do ujemnego bieguna zasilania poprzez diode (9) i rezystor (14) polaczone szeregowo w taki sposób, ze anoda diody (9) dolaczona jest do punktu wspólnego 50 rezystorów (8, 10), a katoda diody (9) dolaczona jest do ujemnego bieguna zasilania poprzez rezystor (14), miedzy anoda diody (6), dolaczonej poprzez rezystor (11) do dodatniego bieguna zasilania i katoda diody (9), dolaczonej poprzez rezystor (14) do ujemnego 55 bieguna zasilania, wlaczony jest dzielnik zbudowany z rezystorów (12, 13), a punkt wspólny rezystorów (12, 13) dolaczony jest do masy wzmacniacza, mie¬ dzy wyjsciem wzmacniacza i masa wzmacniacza wlaczony jest dzielnik zbudowany z rezystorów (15, 60 16) polaczonych szeregowo, a punkt wspólny rezy¬ storów (15, 16) dolaczony jest do emitera tranzy¬ stora pary przeciwstawnej * npn (1) i do emitera tranzystora pary przeciwstawnej pnp (4) poprzez rezystor regulowany (17).112991 o —I lv-^ L., ^—Hf 4-oW -w r I L±x ZGK, zam. 8786/1110/4/81, 120 Cena 45 zl PL