PL111625B2 - System for generation of tri-stable signals - Google Patents

System for generation of tri-stable signals Download PDF

Info

Publication number
PL111625B2
PL111625B2 PL21031178A PL21031178A PL111625B2 PL 111625 B2 PL111625 B2 PL 111625B2 PL 21031178 A PL21031178 A PL 21031178A PL 21031178 A PL21031178 A PL 21031178A PL 111625 B2 PL111625 B2 PL 111625B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
transistors
power source
collector
main
Prior art date
Application number
PL21031178A
Other languages
English (en)
Other versions
PL210311A1 (pl
Inventor
Jozef Zielinski
Original Assignee
Politechnika Wroclawska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Wroclawska filed Critical Politechnika Wroclawska
Priority to PL21031178A priority Critical patent/PL111625B2/pl
Publication of PL210311A1 publication Critical patent/PL210311A1/pl
Publication of PL111625B2 publication Critical patent/PL111625B2/pl

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest uklad wytwarzania sygnalów trójstanowych, stosowany zwlaszcza w regula¬ torach krokowychi ekstremalnych oraz w nadaznych, korelacyjnych miernikach predkosci.Z ksiazki „Poradnik inzyniera-zastosowania elektroniki", WNT, Warszawa 1975, r.,s. 792, znany jest uklad wytwarzania sygnalów trójstanowych zbudowany z dwóch przekazników i z dwóch zródel napiecia stalego.Zródla napiec stalych sa polaczone ze soba szeregowo, natomiast dodatni biegun tak utworzonego zródla zasflania jest polaczony z zestykiem jednego przekaznika, a ujemny biegun jest polaczony z zestykiem drugiego przekaznika. Zestyki przekazników sa polaczone z drugiej strony ze soba, stanowiac jeden zacisk wyjsciowy ukladu, a wspólny punkt polaczen zródel napiec stalych stanowi drugi zacisk wyjsciowy ukladu. W zaleznosci od polozenia zestyków przekazników, sygnal na wyjsciu ukladu ma wartosc dodatnia, ujemna lub równa zero.Zasadnicza niedogodnoscia znanego ukladu wytwarzania sygnalów trójstanowych jest ograniczona szyb¬ kosc dzialania i mala niezawodnosc, powodowane obecnoscia elementów elektromechanicznych.Uklad wedlug wynalazku jest wyposazony w dwie jednakowe diody Zenera, które sa polaczone ze soba szeregowo przeciwstawnie i sa zbocznikowane rezystorem. Tak utworzony uklad jest polaczony z jednej strony z punktem wspólnym ukladu, a z drugiej strony, poprzez glówne tranzystory o przeciwnych typach przewod¬ nictwa z dodatnim i z ujemnym biegunem zródla zasilania, przy czym kolektory tranzystorów sa polaczone z ukladem: diody Zenera-rezystor, aemitery-ze zródlem zasilania. Baza jednego z tranzystorów glównych jest polaczona z dzielnikiem napiecia, którego wejscie jest wlaczone miediy jeden z biegunów zródla zasilania, a kolektor tranzystora odwracajacego, którego emiter jest polaczony z drugim biegunem zródla zasilania. Bazy tranzystora odwracajacego i drugiego tranzystora glównego stanowia zaciski wejsciowe ukladu, a wspólny punkt polaczen emiterów tranzystorów glównych i diod Zenera jest zaciskiem wyjsciowym ukladu. Korzystne jest wyposazenie ukladu w tranzystory sterujace, poprzez które doprowadza se ar^ty wejsciowe. Jeden z tranzys¬ torów sterigacych ma kolektor polaczony z baza tranzystora odwracajacego i ze zródlem zasilania, a drugi tranzystor sterujacy ma kolektor polaczony z baza pierwszego tranzystora glównego i ze zródlem zasilania.Emitery tranzystorów sterujacych sa polaczone z punktem wspólnym ukladu, a bazy tych tranzystorów sa zaciskami wejsciowymi ukladu.2 111625 Uklad wedlug wynalazku, dzieki wyeliminowaniu elementów elektromechanicznych, charakteryzuje wieksza szybkosc i niezawodnosc dzialania, niz uklad znany. Uklad zgodny z wynalazkiem pracuje poprawnie nawet w zakresie czestotliwosci akustycznych. Dodatkowe wyposazenie ukladu w wejsciowe tranzystory steruja¬ ce umozliwia wspólprace ukladu z ukladami scalonymi, gdyz w tym przypadku wartosci bezwzgledne sygnalów wejsciowych moga byc równe wartosciom sygnalów wystepujacych w typowych ukladach scalonych.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie wykonania na rysunku, który przedstawia schemat ideowy ukladu wytwarzania sygnalów trójstanowych.Przykladowy uklad wedlug wynalazku sklada sie z dwóch jednakowych diod Zenera 1, które sa polaczone ze soba szeregowo przeciwstawnie, a równolegle do nich jest dolaczony bocznikujacy rezystor 2.Wspólny punkt polaczen jednej diody Zenera 1 i rezystora 2. jest polaczony z kolektorami dwóch glównych tranzystorów 3 i 4, przy czym pierwszy tranzystor 3 jest typu pnp, a drugi tranzystor 4 jest typu npn. Emiter pierwszego glównego tranzystora 3 jest polaczony poprzez emiterowy rezystor 5 z dodatnim biegunem jednego zródla 6 napiecia stalego a emiter drugiego glównego tranzystora 4 jest polaczony poprzez emiterowy rezystor 7 z ujemnym biegunem drugiego zródla 8 napiecia stalego, natomiast zródla napiec stalych 6 i 8 sa polaczone ze soba szeregowo. Baza pierwszego glównego tranzystora 3 jest polaczona poprzez ograniczajacy rezystor 9 z kolektorem pierwszego sterujacego tranzystora 10, który ponadtojest polaczony poprzez obciazajacy rezystor 11, z dodatnim biegunem zródla 6 napiecia stalego, natomiast baza tego tranzystora 10 jest polaczona, poprzez wejsciowy rezystor 12, z wejsciowym zaciskiem WEi. ukladu. Baza drugiego glównego tranzystora 4 jest polaczona poprzez ograniczajacy rezystor 13, z punktem wspólnym dwóch rezystorów, stanowiacych dzielnik 14, napiecia, który jest polaczony z jednej strony z ujemnym biegunem zródla 8 napiecia stalego, a z drugiej strony — z kolektorem odwracajacego tranzystora 15 typu pnp. Emiter odwracajacego tranzystora 15 jest polaczony, poprzez emiterowy rezystor 16, z dodatnim biegunem zródla 6 napiecia stalego, a baza tego tranzystora 15 jest polaczona, poprzez ograniczajacy rezystor 17, z kolektorem drugiego sterujacego tranzystora 18, który jest ponadto polaczony poprzez obciazajacy rezystor 19, z dodatnim biegunem zródla 6 napiecia stalego. Baza drugiego sterujacego tranzystora 18 jest polaczona, poprzez wejsciowy rezystor 20, z drugim wejsciowym zaciskiem WE2 ukladu. Wspólny punkt polaczen zródel 6 i 8 napiec stalych jest polaczony z emiterami sterujacych tranzystorów 10 i 18 oraz z ukladem: diody Zenera 1 —bocznikujacy rezystor 2.Wyjsciem WY ukladu sa skrajne zaciski diod Zenera 1.Pojawienie sie dodatniego potencjalu na pierwszym wejsciowym zacisku WEi powoduje nasycenie sterujacego tranzystora 10 i obnizenie potencjalu jego kolektora, w wyniku czego pierwszy glówny tranzystor 3 zaczyna przewodzic prad, a wraz z tym przez diody Zenera 1 przeplywa prad. Na wyjsciu WY ukladu pojawia sie sygnal dodatni. Przy pojawieniu sie dodatniego potencjalu na drugim wejsciowym zacisku WE2, sterujacy tranzystor 18 wchodzi wstan nasycenia, a potencjal jego kolektora obniza sie. Odwracajacy tranzystor 15 zaczyna przewodzic prad, a na rezystorze dzielnika napiecia 14 wystepuje spadek napiecia. Skutkiem tego drugi glówny tranzystor 4 zaczyna przewodzic prad, który plynac przez diody Zenera 1 powoduje, ze na wyjsciu WY ukladu pojawia sie sygnal ujemny. Przy braku sygnalów na wejsciowych zaciskach WEi iWE2 wszystkie tranzystory ukladu znajduja sie w stanie nieprzewodzenia pradu. Prad zerowy kolektorów glównych tranzysto¬ rów 3 i 4 przeplywa wówczas przez bocznikujacy rezystor 2. a sygnal na wyjsciu WY ukladu ma wartosc praktycznie równa zero.Sygnaly wejsciowe moga byc równiez doprowadzane bezposrednio do baz pierwszego glównego tranzysto¬ ra 3 i odwracajacego tranzystora 15. Jednak uklad pozbawiony wejsciowych tranzystorów sterujacych nie nadaje sie do bezposredniej wspólpracy z ukladami scalonymi.Zastrzezenia patentowe 1. Uklad wytwarzania sygnalów trójstanowych, znamienny ty m,» ze stanowia go diody Zenera (1) polaczone ze soba szeregowo przeciwstawnie oraz zbocznikowane rezystorem (2), przy czym tak utworzony uklad jest polaczony z jednej strony z punktem wspólnym calego ukladu, a z drugiej strony jest polaczony z kolektorami dwóch glównych tranzystorów (3, 4) o róznym typie przewodnictwa, natomiast emitery tych tranzystorów (3, 4) sa polaczone ze zródlem zasilania (6, 8) zas baza drugiego glównego tranzystora (4) jest polaczona z dzielnikiem napiecia (14), który jest wlaczony miedzy biegun zródla zasilania (6, 8) a kolektor odwracajacego tranzystora (15), a emiter tego tranzystora (15)jest polaczony z biegunem zródla zasilania (6, 8). 2. Uklad wedlug zastrz. 1, z n a m i e n n y t y m,i ze jest dodatkowo wyposazony w sterujace tranzystory (10, 18), których kolektory sa polaczone z jednym biegunem zródla zasilania (6, 8) a emitery sa polaczone z punktem wspólnym ukladu, przy czym kolektor jednego sterujacego tranzystora (10) jest polaczony z baza glównego tranzystora (3) zas kolektor drugiego sterujacego tranzystora (18) jest polaczony z baza odwracajacego tranzystora (15).111625 PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Uklad wytwarzania sygnalów trójstanowych, znamienny ty m,» ze stanowia go diody Zenera (1) polaczone ze soba szeregowo przeciwstawnie oraz zbocznikowane rezystorem (2), przy czym tak utworzony uklad jest polaczony z jednej strony z punktem wspólnym calego ukladu, a z drugiej strony jest polaczony z kolektorami dwóch glównych tranzystorów (3, 4) o róznym typie przewodnictwa, natomiast emitery tych tranzystorów (3, 4) sa polaczone ze zródlem zasilania (6, 8) zas baza drugiego glównego tranzystora (4) jest polaczona z dzielnikiem napiecia (14), który jest wlaczony miedzy biegun zródla zasilania (6, 8) a kolektor odwracajacego tranzystora (15), a emiter tego tranzystora (15)jest polaczony z biegunem zródla zasilania (6, 8).
  2. 2. Uklad wedlug zastrz. 1, z n a m i e n n y t y m,i ze jest dodatkowo wyposazony w sterujace tranzystory (10, 18), których kolektory sa polaczone z jednym biegunem zródla zasilania (6, 8) a emitery sa polaczone z punktem wspólnym ukladu, przy czym kolektor jednego sterujacego tranzystora (10) jest polaczony z baza glównego tranzystora (3) zas kolektor drugiego sterujacego tranzystora (18) jest polaczony z baza odwracajacego tranzystora (15).111625 PL
PL21031178A 1978-10-14 1978-10-14 System for generation of tri-stable signals PL111625B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21031178A PL111625B2 (en) 1978-10-14 1978-10-14 System for generation of tri-stable signals

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21031178A PL111625B2 (en) 1978-10-14 1978-10-14 System for generation of tri-stable signals

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL210311A1 PL210311A1 (pl) 1979-08-13
PL111625B2 true PL111625B2 (en) 1980-09-30

Family

ID=19992049

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL21031178A PL111625B2 (en) 1978-10-14 1978-10-14 System for generation of tri-stable signals

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL111625B2 (pl)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL398871A1 (pl) 2012-04-18 2013-10-28 Bio Technology Spólka Z Ograniczona Odpowiedzialnoscia Sposób otrzymywania nawozu mineralno-organicznego z odpadów pofermentacyjnych w biogazowniach rolniczych
PL398870A1 (pl) 2012-04-18 2013-10-28 Biosynergia Spólka Akcyjna Nawóz i sposób otrzymywania zawiesinowego nawozu fosforowo-organicznego z odpadów pofermentacyjnych
PL414101A1 (pl) 2015-09-23 2017-03-27 Wikana Bioenergia Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Sposób wytwarzania nawozu organiczno-mineralnego z odpadów pofermentacyjnych

Also Published As

Publication number Publication date
PL210311A1 (pl) 1979-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3845405A (en) Composite transistor device with over current protection
KR910018890A (ko) 집적 단말 회로 및 그 제공 방법
KR940025186A (ko) 전압 제어 발진기
KR920020847A (ko) 샘플밴드-갭 전압 기준 회로
KR890017875A (ko) 마스터-슬레이브 플립플롭회로
ES465474A1 (es) Perfeccionamientos en redes telefonicas de conservacion paraconectar un transmisor y un receptor a una linea telefonica.
EP0129553A1 (en) Comparator circuit having reduced input bias current
EP0155720A1 (en) Cascode current source arrangement
US4420786A (en) Polarity guard circuit
KR910019320A (ko) 3-단자 연산 증폭기
GB1026841A (en) Automatic control switchboard assembly
SE451781B (sv) Integrerad styrkrets for omkoppling av induktiva belastningar, varvid kretsen innefattar ett mottaktslutsteg
PL111625B2 (en) System for generation of tri-stable signals
KR20000075637A (ko) 전류 리미터 회로
KR930003543A (ko) 전류 거울 회로
US6271735B1 (en) Oscillator controller with first and second voltage reference
KR890013767A (ko) biCMOS 인터페이스 회로
EP0485617B1 (en) Hysteresis circuit
KR880005743A (ko) 비교기
US3033995A (en) Circuit for producing an output voltage indicative of the absolute valve of the difference between two input voltages
US4404477A (en) Detection circuit and structure therefor
SU1410006A1 (ru) Источник тока
SU714291A1 (ru) Устройство сравнени
JPH08139531A (ja) 差動アンプ
US3469178A (en) Voltage level shift circuit controlled by resistor ratios