PL106500B1 - Sposob wykonywania polaczenia wprowadzenia masowego z korpusem podstawki obudowy elementow elektronicznych - Google Patents
Sposob wykonywania polaczenia wprowadzenia masowego z korpusem podstawki obudowy elementow elektronicznych Download PDFInfo
- Publication number
- PL106500B1 PL106500B1 PL18889376A PL18889376A PL106500B1 PL 106500 B1 PL106500 B1 PL 106500B1 PL 18889376 A PL18889376 A PL 18889376A PL 18889376 A PL18889376 A PL 18889376A PL 106500 B1 PL106500 B1 PL 106500B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- mass
- lead
- connection
- solder
- making
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M Formate Chemical compound [O-]C=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000004280 Sodium formate Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HLBBKKJFGFRGMU-UHFFFAOYSA-M sodium formate Chemical compound [Na+].[O-]C=O HLBBKKJFGFRGMU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 235000019254 sodium formate Nutrition 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- SIGUVTURIMRFDD-UHFFFAOYSA-M sodium dioxidophosphanium Chemical compound [Na+].[O-][PH2]=O SIGUVTURIMRFDD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wykonywania pola¬
czenia wprowadzenia masowego z korpusem podstawki
obudowy elementów elektronicznych, zwlaszcza podstawek
-do obudów przyrzadów pólprzewodnikowych.
W róznych elementach elektronicznych takich jak obu¬
dowy ukladów hybrydowych, scalonych, a zwlaszcza w pod¬
stawkach tranzystorów malej i sredniej mocy, jedno z wpro¬
wadzen stanowi zwykle wprowadzenie masowe, to znaczy
takie, które jest trwale zlaczone z metalowym korpusem
podstawki.
Korpus podstawki stanowi zazwyczaj wytloczka metalowa
uksztaltowana w formie miseczki z wykonanymi otworami
lub tez plytka metalowa o odpowiednich ksztaltach i wy¬
miarach z otworami przeznaczonymi na wtopienie w nie, za
pomoca szkla, wprowadzen metalowych.
Wprowadzenia, które sa odizolowane od korpusu za
pomoca szkla przyjeto nazywac wprowadzeniami przeloto¬
wymi, natomiast wyprowadzenia zlaczone z korpusem —
wyprowadzeniami masowymi.
Proces wykonania podstawki, w ogólnym ujeciu, polega
na ^wykonaniu korpusu metalowego, tabletki szklanej, wy¬
prowadzenia przelotowego i wyprowadzenia masowego;
zgrzaniu wyprowadzenia masowego z korpusem $ utlenia¬
niu wszystkich czesci metalowych; zmontowaniu w kasecie
grafitowej wyprowadzenia przelotowego, korpusu ze zgrza-
jiym wyprowadzeniem masowym z umieszczona w korpusie
tabletke szklana, przez która przechodzi wyprowadzenie
przelotowe; i stopieniu w piecu tabletki szklanej uzyskujac
po ostudzeniu trwale polaczenie szkla z czesciami metalo-
2
wymi, to znaczy z korpusem i wyprowadzeniem przeloto¬
wym.
Zgrzewanie wyprowadzenia masowego z korpusem jest
operacja bardzo pracochlonna. Po zgrzewaniu bardzo
trudno jest zautomatyzowac operaqe montazu poszczegól¬
nych czesci w kasety grafitowe. Wedlug dotychczasowych
znanych sposobów laczenia metali metoda lutowania nie
mozna bylo przylutowac wyprowadzenia masowego do
korpusu w czasie stapiania tabletki szklanej, poniewaz cala
powierzchnia korpusu posiada cienka warstwe tlenku ko¬
niecznego do wytwarzania dobrego polaczenia szkla z me¬
talem.
Zadaniem wynalazku jest opracowanie sposobu trwalego
laczenia wyprowadzenia masowego z korpusem, który
pozwoli na unikniecie podanych niedogodnosci.
Zadanie to zgodnie z tym wynalazkiem zostalo rozwia¬
zane w ten sposób, ze na przynajmniej jeden z konców wy¬
prowadzenia masowego nanosi sie lutowie zawierajace
nie mniej niz 86% wagowych niklu i nie wiecej niz 14%
wagowych fosforu,po czym utleniony korpus ze spoczywaja¬
cym na nim wyprowadzeniem z naniesionym lutowiem
umieszcza sie w piecu o temperaturze nie nizszej niz 900 °C»
W trakcie wykonywania polaczenia wyprowadzenia ma¬
sowego z korpusem, w otworze korpusu znajduje sie wy¬
prowadzenie przelotowe z tabletka szklana, która podczas
ogrzewania ulega stopieniu. Po ostudzeniu zestawu otrzy¬
muje sie trwale polaczenie wyprowadzenia masowego
z korpusem oraz szkla z czesciami metalowymi, to znaczy
z korpusem i wyprowadzeniem.
106 500106 500
3
Nanoszenie lutowia odbywa sie chemicznie przez zanu¬
rzenie wyprowadzenia w wodnym roztworze o skladzie
—50 g/l siarczanu niklawego, 12—40 g/l podfosforynu
sodowego, 8—15 g/l mrówczanu sodowego, 1—4 g/l kwasu
borowego. Oczywistym jest3 ze opisany sposób mozna
stosowac do laczenia metalowych czesci, gdzie zachodzi
koniecznosc utrzymania warstwy tlenku na jednej z laczo¬
nych czesci oraz do czesci nie utlenionych.
Glówna zaleta tego rozwiazania jest to, ze umozliwia ono
wprowadzenie automatyzacji montazu wszystkich czesci
skladowych podstawki przed dokonaniem operacji stapia¬
nia tabletki szklanej w piecu. Eliminuje sie takze praco¬
chlonna operacje zgrzewania elektrod masowych z korpu¬
sami podstawek. Poza tym wykonane polaczenie posiada
mala rezystancje przejscia co jest niewatpliwie bardzo duza
zaleta.
Przyklady w powiazaniu z rysunkiem, na którym fig. 1
przedstawia czesci skladowe podstawki obudowy tranzys¬
torowej w przekroju osiowym w stanie rozlozonym przed
stapianiem, a fig. 2 czesci skladowe innego rodzaju pod¬
stawki obudowy tranzystorowej w przekroju osiowym,
dokladniej podaja sposób postepowania przy wykonywaniu
lutowanego polaczenia. Fig.. 3 przedstawia w przekroju
osiowym podstawke wykonana z czesci skladowych z fig. 1,
a fig. 4 przedstawia w przekroju osiowym podstawke wy¬
konana z czesci skladowych z fig. 2.
Podstawka wedlug fig. 1 i fig. 3 sklada sie z korpusu
metalowego 1 w postaci miseczki z jednym otworem, po¬
jedynczej szklanej tabletki 2, przelotowego wyprowadzenia
metalowego 3 i masowego wyprowadzenia metalowego 4.
Poszczególne czesci skladowe podstawki umieszcza sie
w odpowiednim rozstawieniu miedzy soba na grafitowej
kasecie 5, a'czesc 6 sluzy do utrzymywania w odpowiedniej
pozycji masowego wyprowadzenia 4.
Podstawka wedlug fig. 2 i fig. 4 sklada sie z korpusu
metalowego V w postaci krazka z dwoma otworami prze¬
znaczonymi na dwie tabletki 2', metalowych wyprowadzen
przelotowych 3' i metalowego wyprowadzenia masowego 4'.
Poszczególne czesci skladowe podstawki umieszcza sie
w kasecie grafitowej 5'' i utrzymuje w odpowiednim usta¬
wieniu za pomoca czesci 6'.
P r z ylk l a d I. Speczone wyprowadzenie masowe 4,
przeznaczone do wykonania podstawki tranzystorowej, od
strony speczonej pokryto metoda chemiczna stopem nikiel-
-fosfor w kapieli o skladzie: siarczan niklawy 40 g/l, pod-
fosforyn sodowy 25 g/l, mrówczan sodowy 8 g/l, kwas
borowy 3 g/l. Nakladanie stopu prowadzono przez 45 minut
4
w tej kapieli o temperaturze 80 °C. Nastepnie poszczególne
czesci skladowe podstawki umieszczono w kasecie grafito¬
wej 5, a wyprowadzenie masowe 4 swym speczonym kon¬
cem z naniesionym na nie lutowiem spoczywalo na utle-
nionej wewnetrznej powierzchni korpusu metalowego 1_
Tak zmontowany zestaw umieszczono w piecu o tempera¬
turze 1020 °C na okres 20 minut. Po ostudzeniu zestawu
otrzymano dobre polaczenie wyprowadzenia masowego
z korpusem. Rezystancja przejscia lutowanego polaczenia
byla mniejsza niz 0,01 ohma przy pradzie 1A.
Przyklad II. Wyprowadzenie masowe 4' przeznaczone
do wykonania innego rodzaju podstawki obudowy trnazys-
torowej, od strony speczonej pokryto metoda chemiczna
stopem nikiel-fosfor w wodnym roztworze o skladzie:
siarczan niklawy 35 g/l, podfosforyn sodowy 20 g/l, mrów¬
czan sodowy 8 g/l, kwas borowy 4 g/l. Nakladanie lutu pro¬
wadzono w tym roztworze przez 60 minut. Temperatura
roztworu wynosila 90°C. Nastepnie poszczególne czesci
skladowe podstawki umieszczono w kasecie grafitowej 5'y
a wyprowadzenie masowe 4' swym speczonym koncem
spoczywalo na korpusie metalowym 1'. Tak zmontowany
zestaw umieszczono w piecu o temperaturze 950 °C na
okres 30 minut. Po ostudzeniu zestawu otrzymano trwale
polaczenie szkla z czesciami metalowymi oraz wyprowa-
dzenia masowego z korpusem.
Claims (2)
1. Sposób wykonywania polaczenia wyprowadzenia ma- 30 sowego z korpusem podstawki obudowy elementów elektro¬ nicznych, znamienny tym, ze na wyprowadzenie masowe przeznaczone do polaczenia z korpusem nanosi sie przy¬ najmniej z jednego jego konca lutowie zawierajace nie mniej niz 86% wagowych niklu i nie wiecej niz 14% wagowych 35 fosforu, nastepnie poszczególne czesci skladowe, to znaczy korpus, tabletke szklana oraz co najmniej jedno wyprowadze¬ nie przelotowe i co najmniej jedno wyprowadzenie masowe spoczywajace swym koncem z naniesionym lutowiem na korpusie, umieszczasie w odpowiednim zestawieniu w piecu 49 o temperaturze nie nizszej niz 900 °C, po czym studzi sie do temperatury otoczenia.
2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze luto¬ wie na wyprowadzenie masowe nanosi sie chemicznie z roztworu wodnego o skladzie 20—50 g/l siarczanu nikla- 45 wego, 12—40 g/l podfosforynu sodowego, 8—15 g/l mrów¬ czanu sodowego, 1—4 g/l kwasu borowego, a reszte sta¬ nowi woda. i i.106 500 fig.1 fig. 3106 500 fig.2 fig. in.4 LZG Z-d 3 w Pab., zam, 1441-79, nakl. 110+20 egz. Cena 45 zl
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL18889376A PL106500B1 (pl) | 1976-04-16 | 1976-04-16 | Sposob wykonywania polaczenia wprowadzenia masowego z korpusem podstawki obudowy elementow elektronicznych |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL18889376A PL106500B1 (pl) | 1976-04-16 | 1976-04-16 | Sposob wykonywania polaczenia wprowadzenia masowego z korpusem podstawki obudowy elementow elektronicznych |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL106500B1 true PL106500B1 (pl) | 1979-12-31 |
Family
ID=19976488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL18889376A PL106500B1 (pl) | 1976-04-16 | 1976-04-16 | Sposob wykonywania polaczenia wprowadzenia masowego z korpusem podstawki obudowy elementow elektronicznych |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL106500B1 (pl) |
-
1976
- 1976-04-16 PL PL18889376A patent/PL106500B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1492506A (en) | Immersion plating of tin-lead alloys | |
| TW583349B (en) | Method for enhancing the solderability of a surface | |
| JPH1075052A (ja) | はんだ付け方法 | |
| PL106500B1 (pl) | Sposob wykonywania polaczenia wprowadzenia masowego z korpusem podstawki obudowy elementow elektronicznych | |
| CN114206542A (zh) | SnZn焊料及其制造方法 | |
| US20170042040A1 (en) | Composition and method for electroless plating of palladium phosphorus on copper, and a coated component therefrom | |
| JPS5464049A (en) | Bonding of metals or alloys | |
| DE50111820D1 (de) | Bleifreie chemisch-nickel-legierung | |
| US20080138528A1 (en) | Method for Depositing Palladium Layers and Palladium Bath Therefor | |
| JPS5985855A (ja) | 金めつき浴 | |
| US1236383A (en) | Process of coating tungsten or molybdenum with noble metals. | |
| JPS57140891A (en) | Pretreating solution for silver plating | |
| JPS59500475A (ja) | キレ−ト化金属 | |
| JPH0122330B2 (pl) | ||
| US6045604A (en) | Autocatalytic chemical deposition of zinc tin alloy | |
| EP0638656A4 (en) | ALLOY TO BE COATED, PLATING METHOD AND PLATING SOLUTION. | |
| JPS5594793A (en) | Cream solder | |
| US4654237A (en) | Process for chemical and thermal treatment of steel workpieces | |
| JPH024978A (ja) | 無電解インジウムめっき浴 | |
| PL120542B1 (en) | Method of soldering an earthing terminal to a moulding of semiconductor device basegotovke podstavki poluprovodnikovogo pribora | |
| US3567598A (en) | Rendering the surface of molybdenum and tungsten compositions soft-solderable | |
| JP2003268561A (ja) | 無電解めっき液、及びセラミック電子部品の製造方法、並びにセラミック電子部品 | |
| JPS5926985A (ja) | ガラスまたはセラミツクスと銅とのろう付け結合方法 | |
| Gawrilov et al. | Electroless Tin Plating on Copper and Copper Alloys | |
| JP2000285991A (ja) | 気密端子 |