NO792744L - Magnestisk materiale i form av en tynn film - Google Patents
Magnestisk materiale i form av en tynn filmInfo
- Publication number
- NO792744L NO792744L NO792744A NO792744A NO792744L NO 792744 L NO792744 L NO 792744L NO 792744 A NO792744 A NO 792744A NO 792744 A NO792744 A NO 792744A NO 792744 L NO792744 L NO 792744L
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- film
- films
- amorphous
- approx
- magnetic
- Prior art date
Links
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 title claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 81
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 11
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 8
- 229910001337 iron nitride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims 1
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 39
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 13
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- -1 rare earth transition metal Chemical class 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical class ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004584 weight gain Effects 0.000 description 2
- 235000019786 weight gain Nutrition 0.000 description 2
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229940090961 chromium dioxide Drugs 0.000 description 1
- IAQWMWUKBQPOIY-UHFFFAOYSA-N chromium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Cr+4] IAQWMWUKBQPOIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N chromium(IV) oxide Inorganic materials O=[Cr]=O AYTAKQFHWFYBMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIOWANYIHSOXQY-UHFFFAOYSA-N cobalt silicon Chemical compound [Si].[Co] AIOWANYIHSOXQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- COTGJZIJWUCYCL-UHFFFAOYSA-N ethenyl nitrite Chemical compound C=CON=O COTGJZIJWUCYCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- OMEXLMPRODBZCG-UHFFFAOYSA-N iron rhodium Chemical compound [Fe].[Rh] OMEXLMPRODBZCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- QMQXDJATSGGYDR-UHFFFAOYSA-N methylidyneiron Chemical compound [C].[Fe] QMQXDJATSGGYDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- DPTATFGPDCLUTF-UHFFFAOYSA-N phosphanylidyneiron Chemical compound [Fe]#P DPTATFGPDCLUTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004627 regenerated cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/13—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F10/131—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing iron or nickel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/187—Amorphous compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
Magnetisk materiale i form av en tynn film.
Foreliggende oppfinnelse angår et nytt magnetisk materiale og mere spesielt en amorfe magnetisk legering spesielt passende til bruk som magnetisk opptegningsmedium.
Det har vært et behov.for magnetisk materiale som har en høy koersiv kraft såvel som en høy mekanisk hårdhet
for bruk spesielt som en film til magnetisk opptegningsmedium. Materialet må være hårdt for å motstå støt fra et flyvende magnetisk glidehode og være motstandsdyktig mot korrosjon.
En tynn film av magnetisk materiale er nødvendig for å øke tettheten'av de magnetidke overgangene dannet på det magnetiske materialet av den magnetiske omformer. Spesielt magnetisk opptegningsmedium er begrenset i tettheten av størrelsen på
de magnetiske materialene og hindemiddéiet som begrenser det nedre nivået til tykkelsen som kan bli utført.
Magnetiske opptegningsmedium omfatter viktige hukommelsesenheter i elektroniske datamaskiner, spesielt for magnetiske hukommelsesplater. En gjenstand for foreliggende oppfinnelse er. derfor å frembringe et nytt magnetisk materiale brukbart som magnetisk opptegninsmedium.
Det er kjent at vanlige partikkelformede ferro-magnetiske materialer slik som jeroksyd og kromdioksyd kan bli dispergert i et organisk bindemiddel for å forme et magnetisk ipptegningsmedium av beleggtypen. Ferromagneti ske metalliske tinnfiliner fremstilt ved våkum eller damput-felling har imidlertid tiltrukket seg spesiell interesse
på grunn av den relative tynnheten til det resulterende magnetiske belegget.
Ikke-elektrisk belagte tinnfilmer av kobolt eller nikkel er vel kjent fra de mange patentene på dette området.
Jernrodium er blitt foreslått som magnetisk opptegningsmedium i f.eks. US-patent nr. 3 607 h6o. Dette patentet foreslår avstøtting av jern og rodium som adskilte sjikt og så gløding for å avgløde sjiktene.
Andre tynnfilm-magneti ske opptegningsmedium om-fattende en magnetisk film preparert ved å forme en film av FegO^ er beskrevet i US-patent.nr. 3 620 Qkl.
I mange av patentene blir den magnetiske filmen dannet på substratet ved vanlig el ektropl ett.ering eller for-dampningspl ettering slik som dampavsetting , ka todef or s tøvning eller ioneplettering. Magnetisk film er vanligvis fremstilt av f.eks. ferromagneti ske metaller, slik som jern, kobolt, nikkel og lignende, eller ferromagneti ske legeringer, som omfatter en kombinasjon av ferromagneti ske metaller med tillegg av visse materialer for spesielle hensikter. F.eks. har platin og rodium blitt blandet med ferromagneti ske materialer for å utføre et magnetisk opptegningsmedium.
Som vist i US-pateht nr. k 002 ^ >U6 kan også magnetisk opptegningsmedium av en kobolt-silikonlegering bli ione-plettert.
Det er videre kjent at amorfe legeringer kan bli dannet som har magnetiske egenskaper. F.eks. beskriver ar-tikkelen i "Journal of Applied Physics", Voluma , No 10, oktober 1976, på sidene k660- 2 under tittelen "Low-Field Magnetic Properties of ^ egQ^ 20 <-^-1-ass"' ^e magnetiske egenskapene til metallisk glass. Magnetisk glass har ekstremt lav . lebersiti vitet som gjør dem uhensiktsmessige for magentisk opptegningsmedium. Lignende amorfe overgangsmetal1ikleger-inger, slik som jernkarbon, jernfosfor o.s.v. er alle svært bløte magnetiske materialer. Det ene eksempelet på en høy koersiti vitet amorf legering omfatter f erromagne ti sk amorf, sjelden jordovergangsmetal1-1egeringer nær utjevningstemp-eraturen eller like sjeldne jordovergangsmetall-legeringer som inneholder høye anisotropiske atomer slik som terbium.
Følgelig er det en hensikt med foreliggende oppfinnelse å frembringe et amorf magne tisk materiale som har høy koersitivitet.
En videre hensikt med foreliggende oppfinnelse er å frembringe et nytt amorf magnetisk materiale, som har egenskaper som gjør det brukbart som et magnetisk opptegnings medium; Videre er det en hensikt med foreliggende oppfinnelse å frembringe et øket magnetisk materiale som har relativ høy koersitivitet samtidig med god korros jonsmotstandskraf t. Det er videre en hensikt med foreliggende oppfinnelse å frembringe tynnfilmer som er mekanisk sterke og er relativt motstandsdyktige mot slitasje.
Foreliggende oppfinnelse angår et nytt film-magnetisk materiale som omfatter et amorf jertmitritsjikt som er spesielt brukbart som magnetisk opptegningsmedium.. Amorf jernnitrid sjiktet inneholder fra omkring 70 til mere enn. ^0 atomprosent jern og fra ca. 30 til mindre enn 60 atomprosent nitrogen,
Amorf jernnitridfiImer blir preparerte ved diode-forstøvningsavsetningsteknikk i en inert gass.
Oppfinnelsen skal nå nærmere beskrives ved hjelp av et utf ørel se seksempel og med henvisning til tegningene,, hvor: figur 1 er en kurve som viser effekten av gasstrykket på koersiti vitet (^c^ til avsa~tt film, og'
figur 2 er en kurve som viser korrosjonsforløpet til amorf film preparert ifølge foreliiggende oppfinnelse sammenlignet med delvis krystallinske filmer som også inneholder krom.
Filmene som foreliggende oppfinnelse er rettet mot er amorfe filmer av j ernni tr idi. For at filmene skal bli både magnetiske såvel som å ha en relativt høy koersiti vitet blir det foretrukket at filmene inneholder Fe i en atomprosent på
> ho til omkring 70, og fortrinnsvis fra omkring 50 til omkring 70, og N i atomprosent på 30 til ^ 60, og fortrinnsvis omkring 30 til omkring 50. Atomprosenten er basert på de totale atomene til Fe og N i filmen.
Det er blitt observert at dersom atomprosenten
til nitrogen i filmen er mindre enn omkring 30$> så mister filmen sine hove korresivitetsegenskaper. Dessuten er filmer som inneholder mer enn omkring 60 atomprosent nitrogen ikke tilstrekkelig magnetiske til å tjene som magnetisk opptegningsmedium ved romtemperatur.
I tillegg kan de fremstilte filmene omfatte relative mindre urenheter (dvs. omkring 2 atomprosent). F.eks. kan de mindre mengdene av inert gass, slik som argon (dvs. opp til omkring 2 atomprosent) anvendt ved forstøvningsavsetnings-teknikken være tilstede på den endelige filmen. Dessuten kan andre legeringselementer som omfatter krom være tilstede sålenge verdiene og typen kan bli innblandet uten å ødelegge de amorfe og magnetiske karakteristikkene til filmen.
Foreliggende oppfinnelse gjør det mulig å frembringe amorfe filmer som har høy koersiti vi tet, slik som minst omkring kOO ørstett. Filmene oppnådd ved foreliggende oppfinnelse er dessuten magnetiske og har verdier på 4 t M opp til omkring 12 kgauss.
Jernnitrid-amorfe filmer til foreliggende.oppfinnelse fremstiller korrosjonsmotstandsevnen som det fremgår fra figur 2 og som vil bli beskrevet nedenfor. Jernnitride filmer ifølge foreliggende oppfinnelse har gode mekaniske hårdh.etsegenskaper og er motstandsdyktige mot slitasje.
På bakgrunn av'. ovenf ornevnte gode kombinasjons av mekaniske og magnetiske egenskaper er amorfe filmer ifølge foreliggende oppfinnelse spesielt brukbare som magnetisk opptegningsmedium. Den amorfe naturen til filmene gir de yttergligere fordeler med hensyn til mediumstøy forbundet med endelig kornstørrelse. De amorfe filmene ifølge foreliggende oppfinnelse er svært enkle å passifisere.
Filmene ifølge foreliggende oppfinnelse er fremstilt ved katodediodeforstøvningsavsetting på et egnet substrat.
I forstøvningsteknikken er materialet som skal bli avsatt og substratet på hvilket det skal bli avsatt plassert i et delvis våkum. Et høyere potensial blir så .tilført mellom elektroden og materialet som skal bli avsatt (dvs. metall-legering). og gassionene frembragt av det høye potensialet stryker overflaten til metallet med energi tilstrekkelig til å forårsake at atomene fra metallet til å gå inn i dampfasen. Disse atomene kondenserer så til fast tilstand på overflaten utsatt for dampen. Forstøvningsteknikken er beskrevet i detaljer i ^Handbook of Thin Film Technology", L.I. Maissel og R. Glang, McGraw-Hill, 1970.
Ifølge foreliggende oppfinnelse må den anvendte gassen omfatte en inert gass slik som helium, neon, argon, krypton, xenon og radon. Den foretrukkede gassen er argon. Gassmediumet kan i tillegg inneholder mengder av.andre gasser slik som nitrogen. Den anvendte mengden og typen av gass er ikke slik for å ugunstig påvirke de ønskede egenskapene til filmen til en uaksepterbar grad.
Man har sett at 'koersitiviteten til det magnetiske materialet varierer som en funksjon av gasstrykket anvendt i løpet av forstøvningen. På figur 1 vises det f.eks. en kurve av koersitiviteten (H ) som en funksjon av trykket til argon i løpet av forstøvningsavsettingen. Som vist på figur 1
stiger H fra mindre enn 100 ørsted ved lOym argon trykk til over 550 ørsted ved 100 m argon trykk for substratene ved romtemperatur (300°K). Som antydet var film avsatt ved lavt argontrykk krystalinsk eller delvis krystalinsk mens de som blir avsatt ved, høyere argontrykk var amorfe som bestemt av røngtenstråle bøyningen. Det viser seg at det er en korrela-sjon mellom den amorfe naturen til filmen og relativt store koersitiv verdier. Når det blir anvendt argon i gassen er
det foretrukket at trykket er større enn omkring 25 ym. Maksimal trykket som anvendes er primært bestemt ved praktiske
og økonomiske betraktninger. For eksempel begynner trykk større enn omkring 100 y m og forårsaker noen vanskeligheter
i forstøvningsteknikken. Følgelig er.det foretrukket at
trykket ikke er større enn omkring 100 ym.
I tillegg, som vist på figur 1, var filmer som var avsatt på substratene ved reduserte temperaturer (77°K) lett høyere i koersitiviteten enn de. avsatt på substratet ved romtemperatur. Temperaturen til substratet i løpet av forstøv-ningsavsettingen har en begrénset effekt ved koersitivitet til avsatt film.
Dessuten er det blitt observert at når en elektrisk forspenning blir tilført til substratet, tenderer de avsatte filmene til å bli mer krystallinske og følgelig lavere i koersitiviteten. Derfor er det foretrukket ikke å forspenne substratet.
Det er vesentlig i fremstillingen av amorfe filmer ifølge foreliggende oppfinnelse at en inert gass blir anvendt. F.eks. , var ikke filmer som va.r forstøvet avsatt i rent nitrogen magnetisk. Man antar at bruken av rent nitrogen øker mengden av nitrogen i den avsatte filmen til en verdi større enn omkring 6o atomprosent hvilket ikke er ønskelig. Derimot kan en blanding av inert gass og nitrogen som ovenfor beskrevet bli anvendt så lenge som mengden av nitrogen relativt til den inerte gassen ikke er så stor at den resulterer i slik en økning i ni trogennivået i de avsatte filmene at filmen ikke er magnetisk.
Tykkelsen til filmen var ikke en viktig faktor
med hensyn til egenskapene til filmen. Tykkelsen av filmen kan variere i en stor utstrekning.
Substratet på hvilket filmen er avsatt kan variere vidt og er ikke avgjørende for utførelsen av foreliggende oppfinnelse og der foretrekker at den avsatte filmen kleber fast dertil og at substratet er forenlig med den tilsiktede bruken av materialet..
Når filmene ifølge foreliggende oppfinnelse er
for bruk til magnetisk opptegningsmedium er det foretrukket at substratet er et material som er stabilt ved tempera turer som opptrer i løpet av avsettingen og som fortrinnsvis kan bli formet med en glatt overflate. Eksempel på egnede sub-strater ér kvarts, glass, keramikk, papir, syntetiske harpikser slike som polyethy1en terepthalater, polyamider,.polyimider, po ly ethyl en, polyvinyl klorid, kopo lymerer av vinyl klorider og vinyl acetat, copolymerer av vinyl klorid og vinyliden-klorid, polyvinylalkohol, polykarbonat, polyetrafluorethylen, polykl oro trif luorelhyl en , polystyren, gummi, hydroklorid, vinylnitrit-gummi, regenerert cellulose, celluloseacetat, cellulose triacetat, cellulose acetat butyrat, cellulose-nitrat, ethyl cellulose og polymelhylrnetakryla t, og metaller eller legeringer slik som aluminium, kobber, messing og rustfritt stål.
Tykkelsen av substratet er ikke avgjørende for utførelse av foreliggende oppfinnelse og blir primært bestemt av praktiske og økonomiske betraktninger. F.eks. amorfe filmer ifølge foreliggende oppfinnelse med tykkelse opp til omkring 2 mikron har blitt avsatt på kvarts med en tykkelse på ca. 0, 5nnn og glass med omkring 0,05mm tykkelse.
Følgende eksempel er anført for en ytterligere illustrasjon av foreliggende oppfinnelse.
Eksempel 1.
En Fe_ -N K 76,2mm diameter presset pulverskive
av Cerac og en 0 , 5mm kvarts substrat er plassert i et for-støvningsapparat under en argon atmosfere ved et trykk på omkring 100 ym. Substratet blir holdt ved omkring romtemperatur og omkring 38,lmm fra skiven og er jordet. Skiven blir, holdt et potensial på omkring - 1500 Volt. Behandlingen blir utført i> omkring 2500 sekunder hvorved en film på omkring 2 mikron blir formet. Filmen er amorf, har en koersitivitet t>å omkring 600 østed, og er representert ved formelen Fe aNb hvor a er omkring 0,58 og b er omkring 0,42.
Eksempel 2.
Eksempel 1 blir gjentatt med unntak av at argon-trykket er omkring 75 y ni. Filmen blir amorf, har en koersitivitet på omkring 550 ørsted og er representert ved formelen Fe N hvor a er omkring 0,6 og b er omkring 0,4.
a d
Eksempel 3.
Eksempel 1 blir gjentatt med unntak av at argontrykk e t er omkring 60 ym, og at tiden er omkring 2.4-00.sekunder. Filmen blir amorf, har en koersitivitet på omkring 500 ørsted, og er representert ved formelen Fe a N b hvor a er omkring 0,6
og b er omkring 0,4.
Eksempel 4.
Eksempel 1 blir gjentatt med unntak av at argon-trykket er omkring 50 y m. Filmen blir amorf, har en koersitivitet på omkring 400 ørsted, og er representert ved formelen Fe N, hvor a er omkring 0,64 og b er omkring 0,36.
ab
Eksempel 5-
Eksempel 1 blir gjentatt med unntak av at argon-trykket er omkring 25 V ni. Filmen er amorf, har en koersitivitet på omkring 200 ørsted,, og er representert ved formelen Fe N hvor a er omkring 70 og b er omkring 30.
a L"1
Ss ram en1i gning s eksemp e1 6.
Eksempel 5 blir gjentatt med unntak av at en forspenning på omkring 50 Volt blir tilført substratet. Filmen blir krystalinsk med en koersitivitet på bare omkring 40 ørsted og er ikke egnet for magnetisk opptegningsmedium. Dette eksempelet er vist på figur 1 med punktet betegnet med 6.
Eksempel 7>
Eksempel h blir gjentatt med unntak av at temperaturen til substratet er omkring 77°K. Filmen blir amorf, har en koersitivitet på omkring 550 ørsted, og er representert ved formelen Fe a N d hvor a er omkring 63 og b er omkring 37•
Eksempel 8.
Eksempel 1 blir gjentatt med unntak' av at argon-trykket er omkring 10 Vm. Filmen blir krystallinsk, har en koersitivitet på bare omkring 90 ørsted og er ikke egnet for magnetisk opptegningsmedium.
Eksempel 9•
Eksempel 1 blir gjentatt med unntak av at argin-trykket er omkring 10 Pm og substrattemperaturen • er omkring 77°K. Filmen blir krystallinsk, har en koersitivitet på
bare omkring 150 ørsted og er ikke egnet for- magnetisk opptegningsmedium.
Koersitiviteten til filmene på ekseinelene 1-9
er vist med varierende trykk og tilstander på figur 1.
Filmene i eksempelene 1-5 og 7 har en magnetisering på k tt M
og tilnærmet 10,1<+>2 kilogauss. Man har funnet ut at for filmer forstøvet avsatt ved 50 mikron eller mere argontrykk blir koersitiviteten lik eller større enn omkring kOO ørsted, •og kjøling av substratet frembringer ytterligere økning i koersitiviteten. Ved filmer som blir glødet ved 250°C for 29 timer resulterte dette i bare en liten økning i koersitiviteten, men var enda ganske bra egnet for magnetisk opptegningsmedium.
Eksempel 10.
Amorfe film preparert ifølge behandlingen på eksempel 1 blir testet for korro s j onsmo t staiidsevnen ved å plassere den i et korrosjonstestkammer som har en gassblanding på 300 ppb S02, kOO ppb N02, 3 ppb Cl2og 40 ppb HgS ved 20°C og 70 /o relativ fuktighet. Den liniære strømningsmengden av gass er omkring 30,5m/min. Filmen viser ingen vektøkning i 3 dager.
'Eksempel 11.
Eksempel 10 blir gjentatt med unntak av at filmen
preparert ifølge eksempel 2 blir plassert i et korrosjonstestkammer. Denne filmen forblir 11 dager i kammeret med en total vektøkning på h, k yg/cm 2. Dette eksempelet er vist på figur 2 merket amorf.
Sammenligningseksempel 12.
Film preparert på samme måten som på eksempel 2 med unntak av at varierende mengder av krom blir tillagt skiven og blir testet i et korrosjonstestkamnier for korros-sionsmotstandsevnen. Filmene blir delvis krystallinske og inneholder fra omkring 6 til omkring 15 atomprosent krom. Dette resultatet er vist på figur .2.
Figur 2 er en kurve hvor økningen i vekt i y-gr er inntegnet i avhengighet av tiden i kammeret i dager. Alle filmene som blir testet har en overflate på omkring 1,27 cm<2>. Disse filncene som inneholder krom har høyere korros j onsverdier enn filmer ifølge foreliggende oppfinnelse.
Filmene i foreliggende oppfinnelse fremviser gode korrosjonemotstandsevner sammenlignet med krystallinske filmer som inneholder jern og nitrogen. Man har merket seg at film som inneholder omkring 15 atomprosent krom, ' atomprosent jern og ho atomprosent N har de høyeste korrosjonsverdiene.
Man ser av eksempelet ovenfor at for å frembringe filmer som har både høy koersitivitet koplet med høy korro-pjonsmotstandsevne må filmene være amorfe.
Videre viser de amorfe filmene ifølge foreliggende oppfinnelse .en god hårdhetskarakteristikk og er motstandsdyktige 'mot slitasje.
Claims (1)
1. Magnetisk materiale i form av en tynn film for bruk som opptegningsmedium, karakterisert ved at filmen utgjøres av amorf jernnitrid.
2. Materiale ifølge krav 1, karakterisert ved at filmen har en koersitivitetskraft på minst h00 ørsted.
3. Materiale ifølge krav 2, karakterisert v e d at filmen inneholder 0-2 atomrposent argon.
h. Materiale.ifølge patentkrav 1, karakteri sert v o d at atomprosenten Fe i nevnte materiale er fra ca. 70 . til^ Ao, og at atomprosenten N i materialet er fra ca. 30 til<\6o, hvorved atomprosenten er basert på de totale Fe- og N-atomene i materialet.
5. Materialet ifølge patentkrav k, karakterisert ved at atomprosenten Fe i nevnte materiale er fra ca. 70 til ca. 50 og at atomprosenten N er' fra ca. 30 til ca.
50..
6. Fremgangsmåte for fremstilling av en amorf jern-ni trod-film ifølge patentkrav 1-5»karakterisert ved at jernnitridfiImen avsettes på et substrat gjennom diodeforstøvningsavsetting med anvendelse av en inert gass.
7. Fremgangsmåte ifølge krav 6, karakterisert ved at nevnte inerte gass inkluderer argon.
8. Fremgangsmåte ifølge krav 7>karakterisert ved at gasstrykket under forstøvningsavsettingen er minst ca. 25 y rn.
8. Fremgangsmåte ifølge krav 7>karakterisert ved at gasstrykket under forstøvningsavsettingen er mellom 25 og 100 y m.
10. Fremgangsmåte ifølge krav 6, karakterisert ved at en skive av hovedsaklig FeA -ISL _ blir 0,5 0,5 anvendt.
11. Fremgangsmåte ifølge krav 6, karakterisert ved at substratet er åkvarts eller glass.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/937,686 US4271232A (en) | 1978-08-28 | 1978-08-28 | Amorphous magnetic film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO792744L true NO792744L (no) | 1980-02-29 |
Family
ID=25470265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO792744A NO792744L (no) | 1978-08-28 | 1979-08-23 | Magnestisk materiale i form av en tynn film |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4271232A (no) |
| EP (1) | EP0008328B1 (no) |
| JP (1) | JPS5533093A (no) |
| AU (1) | AU521856B2 (no) |
| BR (1) | BR7905446A (no) |
| CA (1) | CA1135044A (no) |
| DE (1) | DE2964474D1 (no) |
| DK (1) | DK356879A (no) |
| ES (1) | ES483670A1 (no) |
| FI (1) | FI74165C (no) |
| NO (1) | NO792744L (no) |
| ZA (1) | ZA792889B (no) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4467383A (en) * | 1980-02-23 | 1984-08-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetooptic memory medium |
| JPS57130405A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Magnetic recording medium |
| US4511601A (en) * | 1983-05-13 | 1985-04-16 | North American Philips Corporation | Copper metallization for dielectric materials |
| US4610911A (en) * | 1983-11-03 | 1986-09-09 | Hewlett-Packard Company | Thin film magnetic recording media |
| DE3342533A1 (de) * | 1983-11-24 | 1985-06-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Aufstaeubung von permalloy-schichten |
| US4640755A (en) * | 1983-12-12 | 1987-02-03 | Sony Corporation | Method for producing magnetic medium |
| JPS6154023A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH061551B2 (ja) * | 1984-08-24 | 1994-01-05 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| GB2167448B (en) * | 1984-11-02 | 1988-10-19 | Hitachi Ltd | Perpendicular magnetic recording medium |
| JPS62210607A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 軟磁性合金膜及びその形成法 |
| JP2790451B2 (ja) * | 1987-04-10 | 1998-08-27 | 松下電器産業株式会社 | 窒素を含む軟磁性合金膜 |
| US5112701A (en) * | 1988-03-25 | 1992-05-12 | Ricoh Company, Ltd. | Magneto-optic recording media and process for producing the same |
| JP2698813B2 (ja) * | 1989-04-03 | 1998-01-19 | 富士写真フイルム株式会社 | 軟磁性薄膜 |
| US5538802A (en) * | 1992-09-18 | 1996-07-23 | Kao Corporation | Magnetic recording medium and process for producing the same |
| GB2353293A (en) * | 1999-08-18 | 2001-02-21 | Rtc Systems Ltd | FeXN deposition process based on helicon sputtering |
| JP3886802B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-02-28 | 株式会社東芝 | 磁性体のパターニング方法、磁気記録媒体、磁気ランダムアクセスメモリ |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3607460A (en) * | 1968-11-18 | 1971-09-21 | Gen Electric | First order transition films for magnetic recording and method of forming |
| US3700499A (en) * | 1969-06-17 | 1972-10-24 | American Cyanamid Co | Magnetic recording element |
| NL6909541A (no) * | 1969-06-21 | 1970-12-23 | ||
| US3620841A (en) * | 1970-02-16 | 1971-11-16 | Ibm | Process for making continuous magnetite films |
| US3965463A (en) * | 1972-08-29 | 1976-06-22 | International Business Machines Corporation | Apparatus using amorphous magnetic compositions |
| DE2250481C3 (de) * | 1972-10-14 | 1981-08-27 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Aufzeichnungsträgers |
| JPS56851B2 (no) * | 1973-07-24 | 1981-01-09 | ||
| JPS573137B2 (no) * | 1974-03-13 | 1982-01-20 | ||
| JPS5311679B2 (no) * | 1974-08-26 | 1978-04-24 | ||
| US4144058A (en) * | 1974-09-12 | 1979-03-13 | Allied Chemical Corporation | Amorphous metal alloys composed of iron, nickel, phosphorus, boron and, optionally carbon |
| JPS5812728B2 (ja) * | 1974-12-10 | 1983-03-10 | 富士写真フイルム株式会社 | ジキキロクバイタイノ セイホウ |
| JPS5197545A (en) * | 1975-02-25 | 1976-08-27 | Paamaroimakuno seisakuho | |
| US4067732A (en) * | 1975-06-26 | 1978-01-10 | Allied Chemical Corporation | Amorphous alloys which include iron group elements and boron |
| US4013803A (en) * | 1975-10-30 | 1977-03-22 | Sperry Rand Corporation | Fabrication of amorphous bubble film devices |
| JPS5931970B2 (ja) * | 1976-12-17 | 1984-08-06 | 日本電気株式会社 | 非晶質強磁性膜の製造方法 |
| US4236946A (en) * | 1978-03-13 | 1980-12-02 | International Business Machines Corporation | Amorphous magnetic thin films with highly stable easy axis |
-
1978
- 1978-08-28 US US05/937,686 patent/US4271232A/en not_active Expired - Lifetime
-
1979
- 1979-06-11 ZA ZA792889A patent/ZA792889B/xx unknown
- 1979-06-11 AU AU47968/79A patent/AU521856B2/en not_active Ceased
- 1979-06-18 EP EP79102006A patent/EP0008328B1/en not_active Expired
- 1979-06-18 DE DE7979102006T patent/DE2964474D1/de not_active Expired
- 1979-07-20 CA CA000332291A patent/CA1135044A/en not_active Expired
- 1979-07-30 JP JP9620879A patent/JPS5533093A/ja active Granted
- 1979-08-21 FI FI792600A patent/FI74165C/fi not_active IP Right Cessation
- 1979-08-23 NO NO792744A patent/NO792744L/no unknown
- 1979-08-23 BR BR7905446A patent/BR7905446A/pt unknown
- 1979-08-27 DK DK356879A patent/DK356879A/da not_active Application Discontinuation
- 1979-08-27 ES ES483670A patent/ES483670A1/es not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU4796879A (en) | 1980-03-06 |
| DK356879A (da) | 1980-02-29 |
| CA1135044A (en) | 1982-11-09 |
| US4271232A (en) | 1981-06-02 |
| JPS5533093A (en) | 1980-03-08 |
| EP0008328B1 (en) | 1983-01-12 |
| DE2964474D1 (en) | 1983-02-17 |
| FI792600A (fi) | 1980-02-29 |
| ZA792889B (en) | 1981-01-28 |
| JPS614163B2 (no) | 1986-02-07 |
| ES483670A1 (es) | 1980-04-01 |
| AU521856B2 (en) | 1982-05-06 |
| EP0008328A1 (en) | 1980-03-05 |
| BR7905446A (pt) | 1980-05-20 |
| FI74165C (fi) | 1987-12-10 |
| FI74165B (fi) | 1987-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NO792744L (no) | Magnestisk materiale i form av en tynn film | |
| US4236946A (en) | Amorphous magnetic thin films with highly stable easy axis | |
| Kim et al. | The corrosion behavior of sputter-deposited amorphous Cr Nb and Cr Ta alloys in 12 M HCl solution | |
| CA1094360A (en) | Palladium alloys | |
| Aboaf et al. | Amorphous magnetic alloys of cobalt‐titanium | |
| EP0576376B1 (en) | Cobalt platinum magnetic film and method of fabrication thereof | |
| Grundy et al. | The magnetic and microstructural properties of Co-Cr thin films with perpendicular anisotropy | |
| EP0087559B1 (en) | Thin-film permanent magnet | |
| JPS61253622A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| Lee et al. | Microstructural evolution and phase transformation characteristics of Zr-doped FePt films | |
| US4645690A (en) | Method of manufacturing a magnetic media | |
| Deng et al. | Structural characteristics of bias sputtered CoCrTa/Cr films | |
| CA1131438A (en) | Method and alloying elements for producing high coercive force and high squareness magnetic film for magnetic recording medium | |
| US4753852A (en) | Magnetic recording medium comprising a magnetic Co-Ni-Cr alloy thin layer | |
| JPS60138736A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0328805B2 (no) | ||
| Hwang et al. | Magnetic properties and structures of CoCrTa films for wide range of Cr variation | |
| US4023965A (en) | Ni-Fe-Rh alloys | |
| JPS6056414B2 (ja) | 磁気記録媒体用Ｃｏ基合金 | |
| EP0183120A2 (en) | Magnetic recording member | |
| Hoshi et al. | Preparation of permalloy films using facing‐type targets and a high‐rate and low‐temperature sputtering method | |
| Jokić et al. | Ion sputtering targets electrolytically prepared | |
| JPH01191318A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| Honda et al. | Preparation of Co Cr films for perpendicular recording by sputter deposition at extremely high Ar pressures | |
| Tsoukatos et al. | Magnetic Hysteresis of CoPt Films |