NO329678B1

NO329678B1 - Fremgangsmate ved mikromaskinering av et substrat med sammensmeltede masker

Info

Publication number: NO329678B1
Application number: NO20020139A
Authority: NO
Inventors: Howard D Goldberg; Duli Yu; Lianzhong Yu; Robert P Ried
Original assignee: Ion Geophysical Corp
Priority date: 1999-07-13
Filing date: 2002-01-11
Publication date: 2010-11-29
Also published as: EP1510864B1; NO20092749L; EP1510864A3; NO20020139L; DE60016928D1; NO20020139D0; US6617098B1; EP1196788A1; EP2264468B1; EP1510864A2; AU5932700A; CA2378725A1; NO20100794L; EP1196788B1; JP2003504221A; CA2714788A1; CA2378725C; ATE285583T1; EP2264468A3; CA2714788C

Description

Oppfinnelsen angår generelt mikromaskinerte, tredimensjonale konstruksjoner og især mikromaskinerte, bevegelige konstruksjoner.

Konvensjonelle strekkodeskannere brukes for å skanne en overflate med en laserstråle. Konvensjonelle strekkodeskannere bruker typisk speil som blir brakt til å svinge for at laserstrålen kan skanne. Vanlige speil for strekkodeskannere er relativt store og unøyaktige.

For å fremstille mindre og mer nøyaktige strekkodespeil, brukes vanligvis mikromaskineringsprosesser hvor et silikonsubstrat mikromaskineres for å produsere et speil. Imidlertid lider konvensjonelle mikromaskineringsprosesser av et antall begrensninger.

F.eks. ved mikromaskinering av et første, plant substrat ved hjelp av gjentatte fotolitografiske mønsterpåføring og etsing, er det typisk ønskelig å etse substratet for å oppnå etsedybdevariasjoner som er større enn det som er vanlig ved konvensjonelle fotolitografiske mønstringsmetoder som brukes ved fremstilling av integrerte kretser. I enkelte tilfeller etsedybdevariasjonen i substratet overskride fokusdybden i det optiske, litografiske utstyr. Variasjonen i etsedybden kan også være tilstrekkelig stor for å utelukke påføring av et tynt, ensartet lag av fotoresist ved å bruke den konvensjonelle teknikk med å helle fotoresist på substratet og deretter raskt dreie substratet for å fordele fotoresisten. Hvis fotoresisten dreies på en overflate med betydelig topografi, vil den resulterende tykkelse i fotoresisten variere med mer enn 1000 %. Følgelig er litografi en ujevn fotoresist vanskelig, på grunn av overeksponeringen av de tynnere fotoresistområder. Imidlertid er det typisk ønskelig ved mikromaskineringsanvendelser å mønsterlegge et slikt substrat som har en vesentlig topografi. En annen komplikasjon oppstår under mikromaskinering hvis relativt dype fordypninger blir dannet på den ene side av et substrat og hvor den andre siden av substratet blir mikromaskinert. Typiske sugeinnretninger i konvensjonelt, automatisk platehåndteringsutstyr vil ikke kunne holde slike plater på grunn av den ujevne, mikromaskinerte overflate.

For å overvinne enkelte av disse vanskelighetene ved mikromaskinering, har det blitt utviklet et antall såkalte mikromaskineringsfremgangsmåter med sammensmeltede masker. De typiske trinnene i en slik fremgangsmåte omfatter utforming av alle etsemaskene på substratet og deretter mikromaskinere substratet. På denne måte blir etsemaskene dannet på en vesentlig plan overflate, noe som fører til en relativt ensartet og jevn filmtykkelse. Imidlertid lider konvensjonelle mikromaskineringsfremgangsmåter med sammensmeltede masker fremdeles av et antall begrensninger.

US 5 131 978 av 0'Neil beskriver en fabrikasjonsprosess for waferavledede elementer så som kanalplater for termiske blekkstråleskrivere. Prosessen omfatter dannelse av et endelig etsemønster i første og andre maskeringslag. Det andre maskeringslag er et beskyttende lag som skal forhindre fjerning av det første lag ved fjerning av et påfølgede tredje maskeringslag. Fortrinnsvis er det andre maskeringslag et oksid pålagt under lav temperaturtilstand for å redusere muligheten for å indusere formasjon av oksygenuttellinger i waferen. Et tredje maskeringslag dannes over det endelige etsemønsteret dannet det første og andre maskeringslag. Det tredje maskeringslag er mønstret for å danne en forgjengerstruktur for en stor struktur omfattet i det endelige etsemønster. Etter dannelse av forgjengerstrukturen blir det tredje maskeringslag fjernet og waferen utsatt for en endelig etseeksponering for å danne å danne de endelige etsestrukturer.

US 5 006 202 av Hawkins m.fl. beskriver en fremgangsmåte for fabrikkering av presisjonsetset tredimensjonal anordning fra en silisiumwafer, idet etsingen utføres fra en side av waferen ved bruk av en totrinns silisiumetseprosess. En tosidet deponering av et robust beskyttende lag, så som polykrystallinsk silisium, blir plassert over en tosidet deponering av et kjemisk maskeringslag så som silisiumdioksid. De to lag blir samtidig mønstret med første og andre sett av viaer på den ene siden av waferen, mens den motsatte side blir beskyttet av det beskyttende lag. Det beskyttende lag blir fjernet for å tillate deponering av et andre maskeringslag så som silisium nitrid, fulgt av deponering av et andre beskyttende lag. Tgjen forhindrer det andre beskyttende lag skade på det tandre andre maskeringslag på waferens bakside, mens forsiden blir mønstret med et tilsvarende sett viaer opplinjert med det første sett viaer i det første maskeringslag. Dette liknende sett viaer blir påfølgende dannet i både det første beskyttende lag og det underliggende andre maskeringslaget. Deretter blir waferen plassert i et etsebad slik at det første sett utsparinger blir isotropisk etset i waferens forside. Deretter blir det andre beskyttende lag og andre maskeringslag fjernet for å tillate anisotropisk etsing av det andre sett utsparinger gjennom det andre sett viaer i det første maskeringslag. Dersom det beskyttende lag er polykrystalinsk silisium, blir det samtidig etsefjernet under den initielle etsing av silisiumwaferen.

US 5 922 218 av Miyata m.fl. beskriver et blekkstrålehode omfattende: en dyseplate hvori flere dyseåpninger blir dannet, et flytebanesubstrat omfattende et reservoar hvortil blekk blir eksternt forsynt, og flere trykkamre som er koplet til reservoaret via en blekkforsyningsåpning og som respektive kommuniserer med dyseåpningene, en elastisk film som trykksetter blekk i trykkamrene, og drivmidler anordnet ved en posisjon på motsatt side av de respektive trykkamre for å forårsake at den elastiske film utfører fleksdeformasjon. Trykkamrene er anordnet i et enkelt krystallinsk silisiumsubstrat med (110) gitterplan og langs en <112> gitterorientering.

US 5 091 339 av Carey beskriver etsing og mønstringsteknikker for danning av kanaler som strekker seg delvis gjennom og viaer som strekker seg fullstendig gjennom et isolerende lag i en elektrisk interkonnekt slik som et substrat eller integrert krets. Kanalene og viaene kan fylles med en elektrisk leder i forholdsvis få trinn.

US 5 753 417 av Ulrich beskriver en fremgangsmåte for danning av flernivåprofiler fra en fotoresistmaske. Fremgangsmåten omfatter eksponering av utvalgte områder av et fotoresistlag for to eller flere lysmønstre ved forskjellig lysdose-nivåer. For eksempel vil et mønster bli eksponert med en relativt lav dose lys, eller for lys ved en kort varighet, og et andre mønster vil bli eksponert til et relativ høy dose lys eller ved en lengre varighet. De flere forskjellige eksponeringer ved forskjellige dosenivåer finner sted før fremkalling av fotoresisten. Når fotoresistlaget er fremkalt, vil mønsteret eksponert for en lavere lysdose bli etset betydelig mer langsomt enn for områdene av fotoresist eksponert for høyere lysdose. Ved å kontrollere fremkallingsprosessen for å fullstendig fjerne resisten i områdene eksponert ovenfor en høy lysdose og delvis fjerne resisten i området eksponert ovenfor en lavere lysdose, dannes en flernivå fotoresistprofil. En slik flernivåfil kan deretter brukes i påfølgende halvlederprosesseringer som for eksempel danning av interkonnekter og viaer.

US 5 914 801 av Dhuler m.fl. beskriver en elektromekanisk innretning som omfatter en første ramme med en første åpning, en andre ramme opphengt i den første ramme idet den andre ramme har en andre åpning i seg, og en plate opphengt i den andre åpning. Et første par bjelker støtter den andre ramme langs en første akse relativt til den første ramme slik at den andre ramme roterer om den første akse. Et andre par bjelker støtter platen langs en andre akse relativ til den andre ramme slik at platen roterer om den andre akse relativ til rammen. Den første og andre akse krysser hverandre fortrinnsvis ved 90° vinkel. En første aktuator tilveiebringer mekanisk kraft for rotering av den andre ramme relativt til den første ramme om den første akse. En andre aktuator tilveiebringer mekanisk kraft for rotering av platen relativt til den andre ramme om den andre akse. Derved kan platen roteres uavhengig av den første akse og den andre akse.

US 5 738 757 av Burns m.fl. beskriver en planarmaskeringsprosess for flerdybdeetsing av en silisiumwafer, idet mer enn en etsedybde blir fotolitografisk mønstret før etsing av waferen og mens waferen fortsatt har en planar overflate. Flere lag maskeringsmaterialer blir anrettet på i det minste én av topp og bunnoverflaten for silisiumwaferen og forskjellige av disse lag blir mønstret ved selektiv fotolitografisk møntring og fjerning av regioner av lagene for å danne masker for områder hvori forskjellig silisiumetsedybder er ønsket. Etter danning av maskene, blir waferen etset til et første nivå og den ytterste maske blir fjernet ved etsing. Silisiumwaferen blir deretter igjen etset til andre nivå med de gjenværende masker på plass. Den øverste maske av de gjenværende masker blir fjernet og silisiumwaferen blir igjen etset til ytterligere et nivå. Prosessene gjentas inntil de ønskede nivåer er blitt etset i silisiumwaferen.

US 4 902 377 av Berglund m.fl. beskriver en fremgangsmåte for etsing av viaer med skrånende sidevegger i et mellomliggende dielektrikum dannet på toppen av et interkonnektlag ved bruk en mønstret fotoresistfilm som en maske. En toppdel av viaen blir dannet med en våtetseprosess som isotropisk underkutter maskeringsfilmen for derved å danne en skrånende sidevegg. En bunndel av viaen blir dannet ved en tørretseprosess omfattende trinnene vekselvis utføring av et antall isotropiske maskeerosjonstrinn og et antall anisotropiske dielektriske etsetrinn slik at det mellomliggende dielektrikum eksponert for den anisotropiske etsing av maskeåpningen blir forstørret med hvert maskeerosjonstrinn. På denne måte blir en skråning dannet i den tørretsede del av viasideveggen så vel som den våtetsede delen av viasideveggen.

EP 359 417 av Hawkins beskriver tredimensjonale silisiumstrukturer som blir fabrikkert fra {100} silisiumwafere ved en enkeltsidig flertrinns ODE-etseprosess. Alle etsemasker blir dannet på toppen av de andre før oppstart av etsing, der den groveste maske dannes sist og brukes først. Når den grove anisotropiske etsing er fullført, fjernes den grove maske og den finere anisotropiske etsing blir utført. Den tredimensjonale struktur kan være en termisk blekkstrålekanalplate, i hvilket tilfelle etseprosessen er en totrinns prosess, idet det grove etsetrinn tilveiebringer blekkreservoaret, og det fine etsetrinn tilveiebringer blekkanalene.

Oppfinnelsen er rettet mot å overvinne en eller flere av begrensningene i eksterne mikromaskineringsfremgangsmåter.

I følge oppfinnelsen, løses de overnevnte problemer ved en fremgangsmåte angitt i krav 1 og som har de karakteristiske trekk som angitt i den kjennetegnende del av kravet.

Ifølge et aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en fremgangsmåte for fremstilling av en tredimensjonal konstruksjon som omfatter (1) tilveiebringing av et substrat; (2) påføre et lag med et første maskeringsmateriale på substratet; (3) mønstre laget i det første maskeringsmaterialet; (4) påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på de avdekkede deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmaterialet er minst like tykt som laget av det første maskeringsmaterialet; (5) mønstre laget av det andre maskeringsmaterialet; (6) etse de eksponerte deler av substratet; (7) etse de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmaterialet; og (8) etse de eksponerte deler av substratet.

Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en fremgangsmåte for fremstilling av en tredimensjonal konstruksjon som omfatter tilveiebringing av et substrat; påføre et lag med et første maskeringsmateriale på substratet; mønstre laget av det første maskeringsmaterialet; påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmaterialet er minst like tykt som laget av det første maskeringsmaterialet; mønstre laget av det andre maskeringsmaterialet; etse de eksponerte deler av substratet; etse de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmaterialet; og etse de eksponerte deler av substratet.

Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en fremgangsmåte for fremstilling av et tredimensjonal konstruksjon som omfatter tilveiebringing av et substrat, påføre et lag av et første maskeringsmateriale på substratet; mønstre laget av det første maskeringsmaterialet; tynnetse de eksponerte deler av substratet; påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmaterialet er minst like tykt som laget av det første maskeringsmateriale; mønstre laget av det andre maskeringsmaterialet; etse de eksponerte deler av substratet; etse de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmaterialet; og etse de eksponerte deler av substratet.

Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en fremgangmåte for fremstilling av en tredimensjonal konstruksjon som omfatter tilveiebringing av et substrat; påføre et lag av et første maskeringsmateriale på substratet; påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på laget av det første maskeringsmateriale; mønstre laget av det andre maskeringsmateriale; påføre et lag av et tredje maskeringsmateriale på de deler som ikke er dekket av det mønstrede lag av det andre maskeringsmateriale, idet laget av det tredje maskeringsmateriale er minst like tykt som den samlede tykkelse av lagene av første og andre maskeringsmaterialer; mønstre lagene av første og andre maskeringsmaterialer, etse de eksponerte deler av substratet; etse de eksponerte deler av lagene av første og andre maskeringsmateriale; og etse de eksponerte deler av substratet.

Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en fremgangsmåte for fremstilling av en tredimensjonal konstruksjon som omfatter tilveiebringing av et substrat; påføre et lag av et første maskeringsmateriale på substratet; påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på laget av det første maskeringsmateriale; mønstre laget av det andre maskeringsmateriale; mønstre laget av det første maskeringsmateriale; påføre et lag av et tredje maskeringsmateriale på de deler som ikke er dekket av det mønstrede lag av det andre maskeringsmateriale, idet laget av det tredje maskeringsmateriale er minst like tykt som den samlede tykkelse av lagene av første og andre maskeringsmaterialer; mønstre lagene av første og andre maskeringsmaterialer; etse de eksponerte deler av substratet; etse de eksponerte deler av lagene av første og andre maskeringsmaterialer; og etse de eksponerte deler av substratet.

Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en fremgangsmåte for fremstilling av en tredimensjonal konstruksjon som omfatter tilveiebringing av et substrat; påføre et lag av et første maskeringsmateriale på substratet; påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på laget av det første maskeringsmateriale; mønstre laget av det andre maskeringsmateriale; mønstre laget av det første maskeringsmateriale; tynnetse de eksponerte deler av substratet; påføre et lag av et tredje maskeringsmateriale på de deler som ikke er dekket av det mønstrede lag av det andre maskeringsmateriale, idet laget av det tredje maskeringsmateriale er minst like tykt som den samlede tykkelse av lagene av første og andre maskeringsmateriale; mønstre lagene av første og tredje maskeringsmaterialer; etse de eksponerte deler av substratet; etse de eksponerte deler av første og tredje maskeringsmaterialer; og etse de eksponerte deler av substratet.

Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en fremgangsmåte for å fremstille en tredimensjonal konstruksjon som omfatter tilveiebringing av et substrat; påføre et lag av et første maskeringsmateriale på substratet; mønstre laget av det første maskeringsmateriale; påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på det mønstrede lag av det første maskeringsmateriale; mønstre laget av det andre maskeringsmateriale; tørretese de eksponerte deler av substratet; etse de eksponerte deler av det mønstrede lag av det første maskeringsmateriale; og tørretse de eksponerte deler av substratet.

Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en fremgangsmåte for å fremstille en tredimensjonal konstruksjon som omfatter (1) tilveiebringing av et substrat, (2) påføre et lag av et første maskeringsmateriale på substratet; (3) mønstre laget av det første maskeringsmateriale; (4) påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som laget av det første maskeringsmateriale; (5) mønstre en fraksjon av tykkelsen av laget av det andre maskeringsmateriale flere ganger; (6) etse de eksponerte deler av substratet; (7) etse en fraksjon av tykkelsen av de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmateriale; (8) etse de eksponerte deler av substratet; og (9) gjenta trinn (7) og (8) flere ganger.

Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en fremgangsmåte for å fremstille en tredimensjonal konstruksjon som omfatter (1) tilveiebringing av et substrat, (2) påføre et lag av et første maskeringsmateriale på substratet; (3) mønstre laget av det første maskeringsmateriale; (4) påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som laget av det første maskeringsmateriale; (5) mønstre laget av det andre maskeringsmateriale; (6) påføre et lag av et tredje maskeringsmateriale på substratet; (7) mønstre laget av det tredje maskeringsmateriale; (8) etse laget av det tredje maskeringsmateriale; (9) etse de eksponerte deler av substratet; (10) etse de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmateriale; og (11) etse de eksponerte deler av substratet.

Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en fremgangsmåte for å fremstille en tredimensjonal konstruksjon som omfatter (1) tilveiebringing av et substrat, (2) påføre et lag av et første maskeringsmateriale på substratet; (3) mønstre laget av det første maskeringsmateriale; (4) påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som laget av det første maskeringsmateriale; (5) mønstre en fraksjon av tykkelsen av laget av det andre maskeringsmateriale flere ganger; (6) påføre et lag av et tredje maskeringsmateriale på substratet; (7) mønstre laget av det tredje maskeringsmateriale;

(8) etse laget av det tredje maskeringsmateriale; (9) etse de eksponerte deler av substratet; (10) etse en fraksjon av tykkelsen av de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmateriale; (11) etse de eksponerte deler av substratet; og (12) gjenta trinnene (10) og (11) flere ganger. Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en fremgangsmåte for å fremstille en tredimensjonal konstruksjon som omfatter (1) tilveiebringing av et substrat; (2) påføre et lag av et første maskeringsmateriale på substratet; (3) mønstre et lag av tykkelsen av laget av det første maskeringsmateriale flere ganger; (4) påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på substratet; (5) mønstre laget av det andre maskeringsmateriale; (6) etse laget av det andre maskeringsmateriale; (7) etse de eksponerte deler av substratet; (8) etse en fraksjon av tykkelsen av de eksponerte deler av laget av det første maskeringsmateriale; (9) etse de eksponerte deler av substratet; og (10) gjenta trinnene (8) og (9) flere ganger.

Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en fremgangsmåte for å fremstille en tredimensjonal konstruksjon som omfatter tilveiebringing av et substrat; påføre et lag av et første maskeringsmateriale på substratet; mønstre laget av det første maskeringsmateriale; påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på det mønstrede første lag av maskeringsmateriale; mønstre laget av det andre maskeringsmateriale; tørretse en første gruppe av eksponerte deler av substratet for en første tidsperiode; etse de eksponerte deler av laget av det første maskeringsmateriale; og tørretse en andre gruppe av de eksponerte deler av substratet for en andre tidsperiode; hvor den første tidsperiode og den andre tidsperiode er en funksjon av størrelsen av de eksponerte deler av substratet.

Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en fremgangsmåte for mikromaskinering av et substrat som omfatter våtetsing av substratet ved hjelp av en mikromaskineringsfremgangsmåte med sammensmeltede masker og tørretse substratet ved hjelp av denne fremgangsmåte.

Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en fremgangsmåte for å fremstille flere maskeringslag for bruk ved mikromaskinering av et substrat som omfatter påføring av et lag av et etsebestandig materiale på substratet og erodere de forskjellige områder av laget i forskjellige hastigheter for å danne et lag av flere tykkelser.

Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en fremgangsmåte for mikromaskinering av et substrat som omfatter bruk av en kombinasjon av forskjellige etsemidler med forskjellige anisotropiske egenskaper.

Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en fremgangsmåte for mikromaskinering av et substrat som omfatter avkopling av en første etsemetode fra en andre etsemetode.

Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en speilsammenstilling som omfatter et speil, en topphette og en bunnhette. Speilet omfatter en speilbærekonstruksjon, et par T-formede hengsler koplet til speilbærekonstruksjonen og en speilplate koplet til de T-formede hengslene. Speilplaten omfatter en eller flere vandrestoppere for å begrense speilplatens bevegelser. Topphetten er koplet til den ene side av speilet. Topphetten omfatter en topphettebærende konstruksjon med en åpning for at lyset kan reflektere fra speilplaten og en eller flere vandrestopper koplet til topplatens bærekonstruksjon for å begrense speilplatens bevegelser. Bunnhetten er koplet til den andre side av speilet. Bunnhetten omfatter en bunnheltebærende konstruksjon med en åpning og en eller flere vandrestopper koplet til bunnhettebærekonstruksjonen for å begrense speilplatens bevegelser. Speilet fremstilles ved hjelp av en fremgangsmåte som omfatter mikromaskinering med sammensmeltede masker.

Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt en speilsammenstilling som omfatter en bærekonstruksjon, et par T-formede hengsler koplet til bærekonstruksjonen og en speilplate koplet til de T-formede hengsler. Speilplaten omfatter en eller flere vandrestopper for å begrense speilplatens bevegelser. Speilet fremstilles ved hjelp av en fremgangsmåte som omfatter mikromaskinering med sammensmeltede masker.

Ifølge et annet aspekt ved oppfinnelsen er det tilveiebrakt et apparat som omfatter en eller flere T-formede fjærer og en masse koplet til de T-formede fjærer. Apparatet fremstilles ved hjelp av mikromaskinering med sammensmeltede masker.

Oppfinnelsen vil nå bli beskrevet i detalj under henvisning til eksempler på utførelser og vedføyde tegninger, hvor

fig. 1 er et skjematisk riss av en speilsammenstilling og laser for bruk i en strekkodeskanner,

fig. 2 er et skjematisk riss fra siden av en foretrukket utførelse av speilsammenstillingen på fig. 1,

fig. 3 er et riss ovenfra av topphetten på speilsammenstillingen på fig. 2,

fig. 4 er et tverrsnitt av topphetten på fig. 3,

fig. 5 er et snitt av topphetten på fig. 3,

fig. 6 er et riss ovenfra av speilet i speilsammenstillingen på fig. 2,

fig. 6a er et riss ovenfra av en alternativ utførelse av hengselet i speilsammenstillingen på fig. 2,

fig. 6b er et riss ovenfra av en alternativ utførelse av hengselet i speilsammenstillingen på fig. 2,

fig. 6c er et riss ovenfra av en alternativ utførelse av hengselet i speilsammenstillingen på fig. 2,

fig. 6d er et riss ovenfra av en alternativ utførelse av speilet i speilsammenstillingen på fig. 2,

fig. 7 er et snitt av speilet på fig. 6,

fig. 8 er et snitt av speilet på fig. 6,

fig. 9 er et bunnriss av speilet på fig. 6,

fig. 10 er et riss ovenfra av bunnhetten i speilsammenstillingen på fig. 2,

fig. 11 er et snitt av bunnhetten på fig. 10,

fig. 12 er et snitt av bunnhetten på fig. 10,

fig. 13 er et riss ovenfra av bunnelementet i speilsammenstillingen på fig. 2,

fig. 14 er et snitt av bunnelementet på fig. 13,

fig. 15 er et snitt av bunnelementet på fig. 13,

fig. 16 er et riss ovenfra av topphetten og speilet i speilsammenstillingen på fig. 2,

fig. 17 er et riss ovenfra av bunnhetten og bunnelementet i speilsammenstillingen på fig. 2,

fig. 18 er et snitt av speilsammenstillingen på fig. 16 som viser vibrasjonen av speiloppsamlingsplaten,

fig. 19 er et riss av speilsammenstillingen på fig. 18 og viser bruk av skråflater for å minimere klipping av laserstrålen,

fig. 20 er et flytskjema som viser fremstillingen av speilsammenstillingen på fig. 2,

fig. 21a er et flytskjema som viser fremstillingen av speilet i speilsammenstillingen på fig. 2,

fig. 21b er et flytskjema som viser fremstillingen av speilet i speilsammenstillingen på fig. 2,

fig. 22 er et snitt som viser en silikonplate med lag av silikondioksid og silikonnitrid påført for- og baksiden,

fig. 23 viser nitridfotolitografi og etsing av baksiden av silikonplaten,

fig. 23a viser etsning av de eksponerte områder av putelaget av silikondioksid,

fig. 23b viser veksten av et feltoksidlag på de eksponerte områder av silikonet på silikonplaten på fig. 23a,

fig. 24 viser samlet silikonnitrid- og silikondioksidfotolitografi og etsning av baksiden av silikonplaten,

fig. 25 er en illustrasjon av KOH-etsning av baksiden av silikonplaten på fig. 24, fig. 26 er et snitt av silikonplaten på fig. 25,

fig. 27 er en illustrasjon av etsningen av de eksponerte lag av silikondioksid på baksiden av silikonplaten, KOH-etsning av det eksponerte silikon på baksiden av silikonplaten og stripping av begge silikonnitridlagene fra silikonplaten på fig. 25,

fig. 28 er et snitt av silikonplaten på fig. 27,

fig. 29a viser mønstring av laget med silikondioksid på fremsiden av silikonplaten på fig. 27,

fig. 29b er et snitt av silikonplaten på fig. 29a,

fig. 30a viser gulldeponering, gullitografi og gulletsning av forsiden av silikonplaten på fig. 29a,

fig. 30b er et snitt av silikonplaten på fig. 30a,

fig. 30c viser påføring og mønstring av et lag av fotoresist på forsiden av silikonplaten på fig. 30a,

fig. 30d er et snitt av silikonplaten på fig. 30c,

fig. 31 viser en dypreaktiv ionetsning av eksponert silikon, etsning av eksponert silikondioksid, dypreaktiv ionetsning av eksponert silikon, og fjerning av fotoresisten på forsiden av silikonplaten på fig. 30c,

fig. 32 er et snitt av silikonplaten på fig. 31,

fig. 33 er et flytskjema som viser fremstillingen av topp- og bunnhettene i speilsammenstillingen på fig. 2,

fig. 34 er et snitt av en silikonplate med putelag av silikondioksid og lag av silikonnitrid på for- og baksiden,

fig. 35a viser fotolitografi og etsning av lagene av silikonnitrid og putelag av silikondioksid på forsiden av silikonplaten på fig. 34,

fig. 35b viser veksten av et feltlag av silikondioksid på de eksponerte områder av silikonet på silikonplaten på fig. 35a,

fig. 36 viser fotolitografi og etsning av feltlaget av silikondioksid på forsiden av silikonplaten på fig. 35b,

fig. 37 viser fotolitografi og etsning av laget av silikonnitrid på baksiden av silikonplaten på fig. 36,

fig. 38 viser fotolitografi og etsning av putelaget av silikondioksid på baksiden av silikonplaten på fig. 37,

fig. 39 viser KOH-etsning til en dybde av 150 mikron av de eksponerte områder av silikon på for- og baksiden av silikonplaten på fig. 38,

fig. 39a er et tverrsnitt av silikonplaten på fig. 39,

fig. 39b er et tverrsnitt av silikonplaten på fig. 39,

fig. 39c er et tverrsnitt av silikonplaten på fig. 39,

fig. 40 viser etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid på forsiden av silikonplaten på fig. 39,

fig. 41 viser etsning av de eksponerte deler av laget av silikondioksid på baksiden av silikonplaten på fig. 40,

fig. 42 viser KOH-etsning av de eksponerte områder av silikonet til en dybde av 50 mikron på for- og baksiden av silikonplaten på fig. 41,

fig. 42a er et snitt av silikonplaten på fig. 42,

fig. 42b er et snitt av silikonplaten på fig. 42,

fig. 42c er et snitt av silikonplaten på fig. 42,

fig. 43 viser anvendelse av et lag av gull på begge sider av silikonplaten på fig. 42,

fig. 43a er et snitt av silikonplaten på fig. 43,

fig. 43b er et snitt av silikonplaten på fig. 43,

fig. 43c er et snitt av silikonplaten på fig. 43,

fig. 43d er et flytskjema som viser en utførelse av en fremgangsmåte for å binde topp/bunn-hettene til speilet,

fig. 44 viser et strømningsskjema for forskjellige alternative utførelser av LOCOS-mikromaskineringsmetodene med sammensmeltede masker,

fig. 45a er et snitt av en silikonplate,

fig. 45b er et snitt av silikonplaten på fig. 45a med et lag av silikonnitrid,

fig. 45c er et snitt av silikonplaten på fig. 45b etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 45d er et snitt av silikonplaten på fig. 45c etter veksten av et lag med silikondioksid på de eksponerte deler av silikonplaten,

fig. 45e er et snitt av silikonplaten på fig. 45d etter mønstring av laget av silikondioksid,

fig. 45f er et snitt av silikonplaten på fig. 45e etter etsning av de eksponerte deler av silikonplaten,

fig. 45g er et snitt av silikonplaten på fig. 45f etter fjerning av de eksponerte deler av laget av silikondioksid,

fig. 45h er et snitt av silikonplaten på fig. 45g etter etsning av de eksponerte deler av silikonplaten,

fig. 45i er et snitt av silikonplaten på fig. 45h etter fjerning av laget av silikonnitrid,

fig. 46a er et snitt av silikonplaten,

fig. 46b er et snitt av silikonplaten på fig. 46a med et lag silikonnitrid,

fig. 46c er et snitt av en silikonplate på fig. 46b etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 46d er et snitt av silikonplaten på fig. 46c etter en tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten,

fig. 46e er et snitt av silikonplaten på fig. 46d etter veksten av et lag av silikondioksid på de eksponerte deler av silikonplaten,

fig. 46f er et snitt av silikonplaten på fig. 46e etter mønstring av laget av silikondioksid,

fig. 46g er et snitt av silikonplaten på fig. 46f etter etsning av de eksponerte deler av silikonplaten,

fig. 46h er et snitt av silikonplaten på fig. 46g etter fjerning av de eksponerte deler av laget av silikondioksid,

fig. 46i er et snitt av silikonplaten på fig. 46h etter etsning av de eksponerte deler av silikonplaten,

fig. 46j er et snitt av silikonplaten på fig. 46i etter fjerning av laget av silikonnitrid,

fig. 47a er et snitt av en silikonplate,

fig. 47b er et snitt av silikonplaten på fig. 47a, med et bufferlager av silikondioksid,

fig. 47c er et snitt av silikonplaten på fig. 47b med et lag silikonnitrid på bufferlaget av silikondioksid,

fig. 47d er et snitt av en silikonplate på fig. 47c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 47e er et snitt av silikonplaten på fig. 47d etter veksten av et lag av silikondioksid på deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 47f er et snitt av silikonplaten på fig. 47e etter mønstring av laget av silikondioksid,

fig. 47g er et snitt av silikonplaten på fig. 47f etter etsning av de eksponerte deler av silikonplaten,

fig. 47h er et snitt av silikonplaten på fig. 47g etter fjerning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 47i er et snitt av silikonplaten på fig. 47g etter etsning av de eksponerte deler av silikonplaten,

fig. 47j er et snitt av silikonplaten på fig. 46i etter fjerning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 48a er et snitt av en silikonplate,

fig. 48b er et snitt av silikonplaten på fig. 48a med et bufferlag av silikondioksid,

fig. 48c er et snitt av silikonplaten på fig. 48b med et lag silikonnitrid på bufferlaget av silikondioksid,

fig. 48d er et snitt av en silikonplate på fig. 48c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 48e er et snitt av silikonplaten på fig. 48d etter mønstring av de eksponerte deler av bufferlaget av silikondioksid,

fig. 48f er et snitt av silikonplaten på fig. 48e etter veksten av et lag av silikondioksid på delene som ikke er dekket av det mønstrede lag av silikonnitrid,

fig. 48g er et snitt av silikonplaten på fig. 48f etter mønstring av laget av silikondioksid,

fig. 48h er et snitt av silikonplaten på fig. 48g etter etsning av de eksponerte deler av silikonplaten,

fig. 48i er et snitt av silikonplaten på fig. 48h etter fjerning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 48j er et snitt av silikonplaten på fig. 48i etter etsning av de eksponerte deler av silikonplaten,

fig. 48k er et snitt av silikonplaten på fig. 48j etter fjerning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 49a er et snitt av en silikonplate,

fig. 49b er et snitt av silikonplaten på fig. 49a med et bufferlag av silikondioksid,

fig. 49c er et snitt av silikonplaten på fig. 49b med et lag silikonnitrid på bufferlaget av silikondioksid,

fig. 49d er et snitt av silikonplaten på fig. 49c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 49e er et snitt av silikonplaten på fig. 49d etter mønstring av de eksponerte deler av bufferlaget av silikondioksid,

fig. 49f er et snitt av silikonplaten på fig. 49e etter tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten,

fig. 49g er et snitt av silikonplaten på fig. 49f etter veksten av et lag av silikondioksid på delene som ikke er dekket av det mønstrede lag av silikonnitrid,

fig. 49h er et snitt av silikonplaten på fig. 49g etter mønstring av laget av silikondioksid,

fig. 49i er et snitt av silikonplaten på fig. 49h etter etsning av de eksponerte deler av silikonplaten,

fig. 49j er et snitt av silikonplaten på fig. 49i etter fjerning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 49k er et snitt av silikonplaten på fig. 49j etter etsning av de eksponerte deler av silikonplaten,

fig. 491 er et snitt av silikonplaten på fig. 49k etter fjerning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 50 er et flytskjema av flere utførelser av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåtene med sammensmeltede masker med flere etsedybder,

fig. 51a er et snitt av en silikonplate,

fig. 51b er et snitt av silikonplaten på fig. 51a med et lag silikonnitrid,

fig. 51c er et snitt av silikonplaten på fig. 51b etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 5ld er et snitt av silikonplaten på fig. 51c etter veksten av et lag av oksid på de eksponerte deler av silikonet,

fig. 5le er et snitt av silikonplaten på fig. 51d etter flere mønstringsoperasjoner utført på feltlaget av oksid,

fig. 5lf er et snitt av silikonplaten på fig. 5le etter etsning av de eksponerte deler av silikonet,

fig. 5lg er et snitt av silikonplaten på fig. 51f etter etsning av deler av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 51h er et snitt av silikonplaten på fig. 5lg etter etsning av de eksponerte deler av silikonet,

fig. 5li er et snitt av silikonplaten på fig. 51 h etter etsning av deler av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 51j er et snitt av silikonplaten på fig. 5li etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 51k er et snitt av silikonplaten på fig. 51 j etter etsning av de eksponerte deler av laget av silikonnitrid,

fig. 52a er et snitt av en silikonplate,

fig. 52b er et snitt av silikonplaten på fig. 52a med et lag silikonnitrid,

fig. 52c er et snitt av silikonplaten på fig. 52b etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 52d er et snitt av silikonplaten på fig. 52c etter en tynnetsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 52e er et snitt av silikonplaten på fig. 52d etter veksten av et feltlag av oksid på de eksponerte deler av silikon,

fig. 52f er et snitt av silikonplaten på fig. 52e etter flere mønstringsoperasjoner utført på feltlaget av oksid,

fig. 52g er et snitt av silikonplaten på fig. 52f etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 52h er et snitt av silikonplaten på fig. 52g etter etsning av deler av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 52i er et snitt av silikonplaten på fig. 52h etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 52j er et snitt av silikonplaten på fig. 52i etter etsning av deler av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 52k er et snitt av silikonplaten på fig. 52j etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 521 er et snitt av silikonplaten på fig. 52k etter etsning av de eksponerte deler av laget av silikonnitrid,

fig. 53a er et snitt av en silikonplate,

fig. 53b er et snitt av silikonplaten på fig. 53a med et putelag av silikondioksid, fig. 53c er et snitt av silikonplaten på fig. 53b med et lag silikonnitrid,

fig. 53d er et snitt av silikonplaten på fig. 53c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 53e er et snitt av silikonplaten på fig. 53d etter veksten av et feltlag av oksid av de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 53f er et snitt av silikonplaten på fig. 53e etter flere mønstringsoperasjoner utført på lagene av silikondioksid,

fig. 53g er et snitt av silikonplaten på fig. 53f etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 53h er et snitt av silikonplaten på fig. 53g etter etsning av deler av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 53i er et snitt av silikonplaten på fig. 53h etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 53j er et snitt av silikonplaten på fig. 53i etter etsning av deler av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 53k er et snitt av silikonplaten på fig. 53j etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 531 er et snitt av silikonplaten på fig. 53k etter fjerning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 54a er et snitt av ensilikonplate,

fig. 54b er et snitt av silikonplaten på fig. 54a med et putelag av silikondioksid, fig. 54c er et snitt av silikonplaten på fig. 54b med et lag silikonnitrid,

fig. 54d er et snitt av silikonplaten på fig. 54c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 54e er et snitt av silikonplaten på fig. 54d etter mønstring av putelaget av silikondioksid,

fig. 54f er et snitt av silikonplaten på fig. 54e etter veksten av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av det mønstrede lag av silikonnitrid,

fig. 54g er et snitt av silikonplaten på fig. 54f etter flere mønstringsoperasjoner utført på lagene av silikondioksid,

fig. 54h er et snitt av silikonplaten på fig. 54g etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 54i er et snitt av silikonplaten på fig. 54h etter etsning av deler av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 54j er et snitt av silikonplaten på fig. 54i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 54k er et snitt av silikonplaten på fig. 54j etter etsning av deler av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 541 er et snitt av silikonplaten på fig. 54k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 54m er et snitt av silikonplaten på fig. 541 etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 55a er et snitt av en silikonplate,

fig. 55b er et snitt av silikonplaten på fig. 55a med et putelag av silikondioksid, fig. 55c er et snitt av silikonplaten på fig. 55b med et silikonnitrid,

fig. 55d er et snitt av silikonplaten på fig. 55c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 55e er et snitt av silikonplaten på fig. 55d etter mønstring av putelaget av silikondioksid,

fig. 55f er et snitt av silikonplaten på fig. 55e etter en tynnetsning av de eksponerte områder av silikon,

fig. 55g er et snitt av silikonplaten på fig. 55f etter veksten av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 55h er et snitt av silikonplaten på fig. 55g etter flere mønstringsoperasjoner utført på lagene av silikondioksid,

fig. 55i er et snitt av silikonplaten på fig. 55h etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 55j er et snitt av silikonplaten på fig. 55i etter etsning av deler av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 55k er et snitt av silikonplaten på fig. 55j etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 551 er et snitt av silikonplaten på fig. 55k etter etsning av deler av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 55m er et snitt av silikonplaten på fig. 551 etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 55n er et snitt av silikonplaten på fig. 55m etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 56a og 56b er et flytskjema som viser flere utførelser av LOCOS-mikromaskineringsmetodene med sammensmeltede masker med fotoresist som en maske for dypreaktiv ioneetsning av silikon,

fig. 57a er et snitt av en silikonplate,

fig. 57b er et snitt av silikonplaten på fig. 57a med et lag silikonnitrid,

fig. 57c er et snitt av silikonplaten på fig. 57b etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 57d er et snitt av silikonplaten på fig. 57c etter veksten av et feltlag av oksid på de eksponerte deler av silikonet,

fig. 57e er et snitt av silikonplaten på fig. 57d etter mønstring av feltlaget av oksid,

fig. 57f er et snitt av silikonplaten på fig. 57e etter påføring og mønstring av et lag av fotoresist på silikonplaten,

fig. 57g er et snitt av silikonplaten på fig. 57f etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 57h er et snitt av silikonplaten på fig. 57g etter fjerning av fotoresist,

fig. 57i er et snitt av silikonplaten på fig. 57h etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 57j er et snitt av silikonplaten på fig. 57i etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 57k er et snitt av silikonplaten på fig. 57j etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 571 er et snitt av silikonplaten på fig. 57k etter etsning av de eksponerte deler av laget av silikonnitrid,

fig. 58a er et snitt av en silikonplate,

fig. 58b er et snitt av silikonplaten på fig. 58a med et lag silikonnitrid,

fig. 58c er et snitt av silikonplaten på fig. 58b etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 58d er et snitt av silikonplaten på fig. 58c etter vekst av et lag av oksid på de eksponerte deler av silikon,

fig. 58e er et snitt av silikonplaten på fig. 58d etter mønstring av feltlaget av oksid,

fig. 58f er et snitt av silikonplaten på fig. 58e etter påføring og mønstring av et lag av fotoresist på silikonplaten,

fig. 58g er et snitt av silikonplaten på fig. 58f etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 58h er et snitt av silikonplaten på fig. 58g etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 58i er et snitt av silikonplaten på fig. 58h etter fjerning av fotoresist,

fig. 58j er et snitt av silikonplaten på fig. 58i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 58k er et snitt av silikonplaten på fig. 58j etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 581 er et snitt av silikonplaten på fig. 58k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 58m er et snitt av silikonplaten på fig. 581 etter etsning av de eksponerte deler av laget av silikonnitrid,

fig. 59a er et snitt av en silikonplate,

fig. 59b er et snitt av silikonplaten på fig. 59a med et lag silikonnitrid,

fig. 59cer et snitt av silikonplaten på fig. 59b etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 59d er et snitt av silikonplaten på fig. 59c etter veksten av et lag av oksid på de eksponerte deler av silikon,

fig. 59e er et snitt av silikonplaten på fig. 59d etter mønstring av feltlaget av oksid,

fig. 59f er et snitt av silikonplaten på fig. 59e etter påføring og mønstring av et lag av fotoresist på silikonplaten,

fig. 59g er et snitt av silikonplaten på fig. 59f etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 59h er et snitt av silikonplaten på fig. 59g etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 59i er et snitt av silikonplaten på fig. 59h etter fjerning av fotoresist,

fig. 59j er et snitt av silikonplaten på fig. 59i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 59k er et snitt av silikonplaten på fig. 59j etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 591 er et snitt av silikonplaten på fig. 59k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 59m er et snitt av silikonplaten på fig. 591 etter etsning av de eksponerte deler av laget av silikonnitrid,

fig. 60a er et snitt av en silikonplate,

fig. 60b er et snitt av silikonplaten på fig. 60a med et lag silikonnitrid,

fig. 60c er et snitt av silikonplaten på fig. 60b etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 60d er et snitt av silikonplaten på fig. 60c etter vekst av et lag oksid på de eksponerte deler av silikon,

fig. 60e er et snitt av silikonplaten på fig. 60d etter mønstring av feltlaget av oksid,

fig. 60f er et snitt av silikonplaten på fig. 60e etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 60g er et snitt av silikonplaten på fig. 60f etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 60h er et snitt av silikonplaten på fig. 60g etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 60i er et snitt av silikonplaten på fig. 60h etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 60j er et snitt av silikonplaten på fig. 60i etter fjerning av fotoresist,

fig. 60k er et snitt av silikonplaten på fig. 60j etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 601 er et snitt av silikonplaten på fig. 60k etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 60m er et snitt av silikonplaten på fig. 601 etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 60n er et snitt av silikonplaten på fig. 60m etter etsning av de eksponerte deler av laget av silikonnitrid,

fig. 61a er et snitt av en silikonplate,

fig. 61b er et snitt av silikonplaten på fig. 61a med et lag silikonnitrid,

fig. 61c er et snitt av silikonplaten på fig. 61b etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 6ld er et snitt av silikonplaten på fig. 61c etter vekst av et lag oksid på de eksponerte deler av silikon,

fig. 61e er et snitt av silikonplaten på fig. 61 d etter mønstring av feltlaget av oksid,

fig. 61 f er et snitt av silikonplaten på fig. 6le etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 6lg er et snitt av silikonplaten på fig. 6lf etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 61h er et snitt av silikonplaten på fig. 61g etter fjerning av fotoresist,

fig. 61 i er et snitt av silikonplaten på fig. 61 h etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 61 j er et snitt av silikonplaten på fig. 61 i etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 61k er et snitt av silikonplaten på fig. 61j etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 611 er et snitt av silikonplaten på fig. 61k etter etsning av de eksponerte deler av laget av silikonnitrid,

fig. 62a er et snitt av en silikonplate,

fig. 62b er et snitt av silikonplaten på fig. 62a med et lag silikonnitrid,

fig. 62c er et snitt av silikonplaten på fig. 62b etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 62d er et snitt av silikonplaten på fig. 62c etter vekst av et lag oksid på de eksponerte deler av silikon,

fig. 62e er et snitt av silikonplaten på fig. 62d etter mønstring av feltlaget av oksid,

fig. 62f er et snitt av silikonplaten på fig. 62e etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 62g er et snitt av silikonplaten på fig. 62f etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 62h er et snitt av silikonplaten på fig. 62g etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 62i er et snitt av silikonplaten på fig. 62h etter fjerning av fotoresist,

fig. 62j er et snitt av silikonplaten på fig. 62i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 62k er et snitt av silikonplaten på fig. 62j etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 621 er et snitt av silikonplaten på fig. 62k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 62m er et snitt av silikonplaten på fig. 621 etter etsning av de eksponerte deler av laget av silikonnitrid,

fig. 63a er et snitt av en silikonplate,

fig. 63b er et snitt av silikonplaten på fig. 63a med et lag silikonnitrid,

fig. 63c er et snitt av silikonplaten på fig. 63b etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 63d er et snitt av silikonplaten på fig. 63c etter vekst av et feltlag av oksid på de eksponerte deler av silikon,

fig. 63e er et snitt av silikonplaten på fig. 63d etter mønstring av feltlaget av oksid,

fig. 63f er et snitt av silikonplaten på fig. 63e etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 63g er et snitt av silikonplaten på fig. 63f etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 63h er et snitt av silikonplaten på fig. 63g etter fjerning av fotoresist,

fig. 63i er et snitt av silikonplaten på fig. 63h etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 63j er et snitt av silikonplaten på fig. 63i etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 63k er et snitt av silikonplaten på fig. 63j etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 631 er et snitt av silikonplaten på fig. 63k etter etsning av de eksponerte deler av laget av silikonnitrid,

fig. 64a er et snitt av en silikonplate,

fig. 64b er et snitt av silikonplaten på fig. 64a med et lag silikonnitrid,

fig. 64c er et snitt av silikonplaten på fig. 64b etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 64d er et snitt av silikonplaten på fig. 64c etter tynnetsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 64e er et snitt av silikonplaten på fig. 64d etter vekst av et feltlag av oksid på de eksponerte deler av silikon,

fig. 64f er et snitt av silikonplaten på fig. 64e etter mønstring av feltlaget av oksid,

fig. 64g er et snitt av silikonplaten på fig. 64f etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 64h er et snitt av silikonplaten på fig. 64g etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 64i er et snitt av silikonplaten på fig. 64h etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 64j er et snitt av silikonplaten på fig. 64i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 64k er et snitt av silikonplaten på fig. 64j etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 641 er et snitt av silikonplaten på fig. 64k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 64m er et snitt av silikonplaten på fig. 641 etter etsning av de eksponerte deler av laget av silikonnitrid,

fig. 65a er et snitt av en silikonplate,

fig. 65b er et snitt av silikonplaten på fig. 65a med et lag silikonnitrid,

fig. 65c er et snitt av silikonplaten på fig. 65b etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 65d er et snitt av silikonplaten på fig. 65c etter en tynnetsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 65e er et snitt av silikonplaten på fig. 65d etter vekst av et feltlag av oksid på de eksponerte deler av silikon,

fig. 65f er et snitt av silikonplaten på fig. 64e etter mønstring av feltlaget av oksid,

fig. 65g er et snitt av silikonplaten på fig. 65f etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 65h er et snitt av silikonplaten på fig. 65g etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 65i er et snitt av silikonplaten på fig. 65h etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 65j er et snitt av silikonplaten på fig. 65i etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 65k er et snitt av silikonplaten på fig. 65j etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 651 er et snitt av silikonplaten på fig. 65k etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 65m er et snitt av silikonplaten på fig. 651 etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 65n er et snitt av silikonplaten på fig. 65m etter etsning av de eksponerte deler av laget av silikonnitrid,

fig. 66a er et snitt av en silikonplate,

fig. 66b er et snitt av silikonplaten på fig. 66a med et lag silikonnitrid,

fig. 66c er et snitt av silikonplaten på fig. 66b etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 66d er et snitt av silikonplaten på fig. 66c etter tynnetsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 66e er et snitt av silikonplaten på fig. 66d etter vekst av et feltlag av oksid på de eksponerte deler av silikon,

fig. 66f er et snitt av silikonplaten på fig. 66e etter mønstring av feltlaget av oksid,

fig. 66g er et snitt av silikonplaten på fig. 66f etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 66h er et snitt av silikonplaten på fig. 66g etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 66i er et snitt av silikonplaten på fig. 66h etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 66j er et snitt av silikonplaten på fig. 66i etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 66k er et snitt av silikonplaten på fig. 66j etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 661 er et snitt av silikonplaten på fig. 66k etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 66m er et snitt av silikonplaten på fig. 661 etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 66n er et snitt av silikonplaten på fig. 66m etter etsning av de eksponerte deler av laget av silikonnitrid,

fig. 67a er et snitt av en silikonplate,

fig. 67b er et snitt av silikonplaten på fig. 67a med et lag silikonnitrid,

fig. 67c er et snitt av silikonplaten på fig. 67b etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 67d er et snitt av silikonplaten på fig. 67c etter tynnetsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 67e er et snitt av silikonplaten på fig. 67d etter vekst av et feltlag av oksid på de eksponerte deler av silikon,

fig. 67f er et snitt av silikonplaten på fig. 67e etter mønstring av feltlaget av oksid,

fig. 67g er et snitt av silikonplaten på fig. 67f etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 67h er et snitt av silikonplaten på fig. 67g etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 67i er et snitt av silikonplaten på fig. 66h etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 67j er et snitt av silikonplaten på fig. 67i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 67k er el snitt av silikonplaten på fig. 67j etter fjerning av et lag fotoresist,

fig. 671 er et snitt av silikonplaten på fig. 67k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 67m er et snitt av silikonplaten på fig. 671 etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 67n er et snitt av silikonplaten på fig. 67m etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 67o er et snitt av silikonplaten på fig. 67n etter etsning av de eksponerte deler av laget av silikonnitrid,

fig. 68a er et snitt av en silikonplate,

fig. 68b er et snitt av silikonplaten på fig. 68a med et lag silikonnitrid,

fig. 68c er et snitt av silikonplaten på fig. 68b etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 68d er et snitt av silikonplaten på flg. 68c etter tynnetsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 68e er et snitt av silikonplaten på fig. 68d etter vekst av et feltlag av oksid på de eksponerte deler av silikon,

fig. 68f er et snitt av silikonplaten på fig. 68e etter mønstring av feltlaget av oksid,

fig. 68g er et snitt av silikonplaten på fig. 68f etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 68h er et snitt av silikonplaten på fig. 68g etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget avsilikondioksid,

fig. 68i er et snitt av silikonplaten på fig. 68h etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 68j er et snitt av silikonplaten på fig. 68i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 68k er et snitt av silikonplaten på fig. 68j etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 681 er et snitt av silikonplaten på fig. 68k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 69m er et snitt av silikonplaten på fig. 691 etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 69n er et snitt av silikonplaten på fig. 69m etter etsning av de eksponerte deler av laget av silikonnitrid,

fig. 70a er et snitt av en silikonplate,

fig. 70b er et snitt av silikonplaten på fig. 70a med et lag silikonnitrid,

fig. 70c er et snitt av silikonplaten på fig. 70b etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 70d er et snitt av silikonplaten på fig. 70c etter en tynnetsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 70e er et snitt av silikonplaten på fig. 70d etter vekst av et feltlag av oksid på de eksponerte deler av silikon,

fig. 70f er et snitt av silikonplaten på fig. 70e etter mønstring av feltlaget av oksid,

fig. 70g er et snitt av silikonplaten på fig. 70f etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 70h er et snitt av silikonplaten på fig. 70g etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 70i er et snitt av silikonplaten på fig. 70h etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 70j er et snitt av silikonplaten på fig. 70i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 70k er et snitt av silikonplaten på fig. 70j etter etsning av de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 701 er et snitt av silikonplaten på fig. 70k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 70m er et snitt av silikonplaten på fig. 701 etter etsning av de eksponerte deler av laget av silikonnitrid,

fig. 71a er et snitt av en silikonplate,

fig. 71b er et snitt av silikonplaten på fig. 71a med et putelag av silikondioksid, fig. 71c er et snitt av silikonplaten på fig. 71b med et lag silikonnitrid,

fig. 71d er et snitt av silikonplaten på fig. 71c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 7le er et snitt av silikonplaten på fig. 71d etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 71 f er et snitt av silikonplaten på fig. 71 e etter mønstring av laget av silikondioksid,

fig. 71g er et snitt av silikonplaten på fig. 71f etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 71h er et snitt av silikonplaten på fig. 71 g etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 7li er et snitt av silikonplaten på fig. 71 h etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 71j er et snitt av silikonplaten på fig. 7li etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 71k er et snitt av silikonplaten på fig. 71j etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 711 er et snitt av silikonplaten på fig. 71k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 7Im er et snitt av silikonplaten på fig. 711 etter fjerning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 72a er et snitt av en silikonplate,

fig. 72b er et snitt av silikonplaten på fig. 72a med et putelag av silikondioksid, fig. 72c er et snitt av silikonplaten på fig. 72b med et lag silikonnitrid,

fig. 72d er et snitt av silikonplaten på fig. 72c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 72e er et snitt av silikonplaten på fig. 72d etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 72f er et snitt av silikonplaten på fig. 72e etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 72g er et snitt av silikonplaten på fig. 72f etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 72h er et snitt av silikonplaten på fig. 72g etter etsning av de avdekkede deler av silikon,

fig. 72i er et snitt av silikonplaten på fig. 72h etter etsning av de avdekte deler av feltlaget av silikondioksid,

fig. 72j er et snitt av silikonplaten på fig. 72i etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 72k er et snitt av silikonplaten på fig. 72j etter etsning av de avdekkede deler av silikon,

fig. 721 er et snitt av silikonplaten på fig. 72k etter etsning av de avdekkede deler av lagene av silikondioksid,

fig. 72m er et snitt av silikonplaten på fig. 721 etter etsning av de avdekkede deler av silikon,

fig. 72n er et snitt av silikonplaten på fig. 72m etter fjerning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 73a er et snitt av en silikonplate,

fig. 73b er et snitt av silikonplaten på fig. 73a med et putelag av silikondioksid, fig. 73c er et snitt av silikonplaten på fig. 73b med et lag silikonnitrid,

fig. 73d er et snitt av silikonplaten på fig. 73c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 73e er et snitt av silikonplaten på fig. 73d etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 73f er et snitt av silikonplaten på fig. 73e etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 73g er et snitt av silikonplaten på fig. 73f etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 73h er et snitt av silikonplaten på fig. 73g etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 73i er et snitt av silikonplaten på fig. 73h etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 73j er et snitt av silikonplaten på fig. 73i etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 73k er et snitt av silikonplaten på fig. 73j etter etsning av de avdekkede deler av silikon,

fig. 731 er et snitt av silikonplaten på fig. 73k etter etsning av de avdekkede deler av lagene av silikondioksid,

fig. 73m er et snitt av silikonplaten på fig. 731 etter etsning av de avdekkede deler av silikon,

fig. 73n er et snitt av silikonplaten på fig. 73m etter fjerning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 74a er et snitt av en silikonplate,

fig. 74b er et snitt av silikonplaten på fig. 74a med et putelag av silikondioksid, fig. 74c er et snitt av silikonplaten på fig. 74b med et lag silikonnitrid,

fig. 74d er et snitt av silikonplaten på fig. 74c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 74e er et snitt av silikonplaten på fig. 74d etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 74f er et snitt av silikonplaten på fig. 74e etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 74g er et snitt av silikonplaten på fig. 74f etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 74h er et snitt av silikonplaten på fig. 74g etter etsning av de avdekkede deler av silikon,

fig. 74i er et snitt av silikonplaten på fig. 74h etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 74j er et snitt av silikonplaten på fig. 74i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 74k er et snitt av silikonplaten på fig. 74j etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 741 er et snitt av silikonplaten på fig. 74k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 74m er et snitt av silikonplaten på fig. 741 etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 74n er et snitt av silikonplaten på fig. 74m etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 74o er et snitt av silikonplaten på fig. 74n etter fjerning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 75a er et snitt av en silikonplate,

fig. 75b er et snitt av silikonplaten på fig. 75a med et putelag av silikondioksid,

fig. 75c er et snitt av silikonplaten på fig. 75b med et lag silikonnitrid,

fig. 75d er et snitt av silikonplaten på fig. 75c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 75e er et snitt av silikonplaten på fig. 75d etter vekst av et lag oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 75f er et snitt av silikonplaten på fig. 75e etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 75g er et snitt av silikonplaten på fig. 75f etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 75h er et snitt av silikonplaten på fig. 75g etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 75i er et snitt av silikonplaten på fig. 75h etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 75j er et snitt av silikonplaten på fig. 75i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 75k er et snitt av silikonplaten på fig. 75j etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 751 er et snitt av silikonplaten på fig. 75k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 75m er et snitt av silikonplaten på fig. 751 etter fjerning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 76a er et snitt av en silikonplate,

fig. 76b er et snitt av silikonplaten på fig. 76a med et putelag av silikondioksid, fig. 76c er et snitt av silikonplaten på fig. 76b med et lag silikonnitrid,

fig. 76d er et snitt av silikonplaten på fig. 76c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 76e er et snitt av silikonplaten på fig. 76d etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 76f er et snitt av silikonplaten på fig. 76e etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 76g er et snitt av silikonplaten på fig. 76f etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 76h er et snitt av silikonplaten på fig. 76g etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 76i er et snitt av silikonplaten på fig. 76h etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 76j er et snitt av silikonplaten på fig. 76i etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 76k er et snitt av silikonplaten på fig. 76j etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 761 er et snitt av silikonplaten på fig. 76k etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 76m er et snitt av silikonplaten på fig. 761 etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 76n er et snitt av silikonplaten på fig. 76m etter fjerning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 77a er et snitt av en silikonplate,

fig. 77b er et snitt av silikonplaten på fig. 77a med et putelag av silikondioksid, fig. 77c er et snitt av silikonplaten på fig. 77b med et lag silikonnitrid,

fig. 77d er et snitt av silikonplaten på fig. 77c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 77e er et snitt av silikonplaten på fig. 77d etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 77f er et snitt av silikonplaten på fig. 77e etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 77g er et snitt av silikonplaten på fig. 77f etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 77h er et snitt av silikonplaten på fig. 77g etter etsning av de avdekkede deler av silikon,

fig. 77i er et snitt av silikonplaten på fig. 77h etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 77j er et snitt av silikonplaten på fig. 77i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 77k er et snitt av silikonplaten på fig. 77j etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 771 er et snitt av silikonplaten på fig. 77k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 77m er et snitt av silikonplaten på fig. 771 etter fjerning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 78a er et snitt av en silikonplate,

fig. 78b er et snitt av silikonplaten på fig. 78a med et putelag av silikondioksid, fig. 78c er et snitt av silikonplaten på fig. 78b med et lag silikonnitrid,

fig. 78d er et snitt av silikonplaten på fig. 78c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 78e er et snitt av silikonplaten på fig. 78d etter mønstring av putelaget av silikondioksid,

fig. 78f er et snitt av silikonplaten på fig. 78e etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 78g er et snitt av silikonplaten på fig. 78f etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 78h er et snitt av silikonplaten på fig. 78g etter påføring og mønstring av laget fotoresist på silikonplaten,

fig. 78i er et snitt av silikonplaten på fig. 78h etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 78j er et snitt av silikonplaten på fig. 78i etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 78k er et snitt av silikonplaten på fig. 78j etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 781 er et snitt av silikonplaten på fig. 78k etter etsning av deler av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 78m er et snitt av silikonplaten på fig. 781 etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 78n er et snitt av silikonplaten på fig. 78m etter etsning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 79a er et snitt av en silikonplate,

fig. 79b er et snitt av silikonplaten på fig. 79a med et putelag av silikondioksid, fig. 79c er et snitt av silikonplaten på fig. 79b med et lag silikonnitrid,

fig. 79d er et snitt av silikonplaten på fig. 79c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 79e er et snitt av silikonplaten på fig. 79d etter mønstring av putelaget av silikondioksid,

fig. 79f er et snitt av silikonplaten på fig. 79e etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 79g er et snitt av silikonplaten på fig. 79f etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 79h er et snitt av silikonplaten på fig. 79g etter påføring og mønstring av laget fotoresist på silikonplaten,

fig. 79i er et snitt av silikonplaten på fig. 79h etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 79j er et snitt av silikonplaten på fig. 79i etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 79k er et snitt av silikonplaten på fig. 79j etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 791 er et snitt av silikonplaten på fig. 79k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 79m er et snitt av silikonplaten på fig. 791 etter etsning av deler av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 79n er et snitt av silikonplaten på fig. 79m etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 79o er et snitt av silikonplaten på fig. 79n etter etsning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 80a er et snitt av en silikonplate,

fig. 80b er et snitt av silikonplaten på fig. 80a med et putelag av silikondioksid, fig. 80c er et snitt av silikonplaten på fig. 80b med et lag silikonnitrid,

fig. 80d er et snitt av silikonplaten på fig. 80c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 80e er et snitt av silikonplaten på fig. 80d etter mønstring av putelaget av silikondioksid,

fig. 80f er et snitt av silikonplaten på fig. 80e etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 80g er et snitt av silikonplaten på fig. 80f etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 80h er et snitt av silikonplaten på fig. 80g etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 80i er et snitt av silikonplaten på fig. 80h etter etsning av de avdekkede deler av silikon,

fig. 80j er et snitt av silikonplaten på fig. 80i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 80k er et snitt av silikonplaten på fig. 80j etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 801 er et snitt av silikonplaten på fig. 80k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 80m er et snitt av silikonplaten på fig. 801 etter etsning av deler av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 80n er et snitt av silikonplaten på fig. 80m etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 80o er et snitt av silikonplaten på fig. 80n etter etsning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 81a er et snitt av en silikonplate,

fig. 81b er et snitt av silikonplaten på fig. 81a med et putelag av silikondioksid, fig. 81c er et snitt av silikonplaten på fig. 81b med et lag silikonnitrid,

fig. 81 d er et snitt av silikonplaten på fig. 81c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 8le er et snitt av silikonplaten på fig. 81 d etter mønstring av putelaget av silikondioksid,

fig. 81f er et snitt av silikonplaten på fig. 81e etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 81 g er et snitt av silikonplaten på fig. 81 f etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 81h er et snitt av silikonplaten på fig. 81g etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 81 i er et snitt av silikonplaten på fig. 81h etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 8 lj er et snitt av silikonplaten på fig. 81 i etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 81 k er et snitt av silikonplaten på fig. 8 lj etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 811 er et snitt av silikonplaten på fig. 81k etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 8lm er et snitt av silikonplaten på fig. 811 etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 81 n er et snitt av silikonplaten på fig. 8lm etter etsning av deler av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 81 o er et snitt av silikonplaten på fig. 8ln etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 8lp er et snitt av silikonplaten på fig. 81 o etter etsning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 82a er et snitt av en silikonplate,

fig. 82b er et snitt av silikonplaten på fig. 82a med et putelag av silikondioksid, fig. 82c er et snitt av silikonplaten på fig. 82b med et lag silikonnitrid,

fig. 82d er et snitt av silikonplaten på fig. 82c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 82e er et snitt av silikonplaten på fig. 82d etter mønstring av putelaget av silikondioksid,

fig. 82f er et snitt av silikonplaten på fig. 82e etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 82g er et snitt av silikonplaten på fig. 82f etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 82h er et snitt av silikonplaten på fig. 82g etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 82i er et snitt av silikonplaten på fig. 82h etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 82j er et snitt av silikonplaten på fig. 82i etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 82k er et snitt av silikonplaten på fig. 82j etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 821 er et snitt av silikonplaten på fig. 81k etter etsning av deler av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 82m er et snitt av silikonplaten på fig. 821 etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 82n er et snitt av silikonplaten på fig. 82m etter etsning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 83a er et snitt av en silikonplate,

fig. 83b er et snitt av silikonplaten på fig. 83a med et putelag av silikondioksid, fig. 83c er et snitt av silikonplaten på fig. 83b med et lag silikonnitrid,

fig. 83d er et snitt av silikonplaten på fig. 83c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 83e er et snitt av silikonplaten på fig. 83d etter mønstring av putelaget av silikondioksid,

fig. 83f er et snitt av silikonplaten på fig. 83e etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 83g er et snitt av silikonplaten på fig. 83f etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 83h er et snitt av silikonplaten på fig. 83g etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 83i er et snitt av silikonplaten på fig. 83h etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 83j er et snitt av silikonplaten på fig. 83i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 83k er et snitt av silikonplaten på fig. 83j etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 831 er et snitt av silikonplaten på fig. 83k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 83m er et snitt av, silikonplaten på fig. 831 etter etsning av deler av de eksponerte deler av lagene silikondioksid,

fig. 83n er et snitt av silikonplaten på fig. 83m etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 83o er et snitt av silikonplaten på fig. 83n etter etsning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 84a er et snitt av en silikonplate,

fig. 84b er et snitt av silikonplaten på fig. 84a med et putelag av silikondioksid, fig. 84c er et snitt av silikonplaten på fig. 84b med et lag silikonnitrid,

fig. 84d er et snitt av silikonplaten på fig. 84c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 84e er et snitt av silikonplaten på fig. 84d etter mønstring av putelaget av silikondioksid,

fig. 84f er et snitt av silikonplaten på fig. 84e etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 84g er et snitt av silikonplaten på fig. 84f etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 84h er et snitt av silikonplaten på fig. 84g etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 84i er et snitt av silikonplaten på fig. 84h etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 84j er et snitt av silikonplaten på fig. 84i etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 84k er et snitt av silikonplaten på fig. 84j etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 841 er et snitt av silikonplaten på fig. 84k etter etsning av deler av de eksponerte deler av lagene silikondioksid,

fig. 84m er et snitt av silikonplaten på fig. 841 etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 84n er et snitt av silikonplaten på fig. 84m etter etsning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 85a er et snitt av en silikonplate,

fig. 85b er et snitt av silikonplaten på fig. 85a med et putelag av silikondioksid, fig. 85c er et snitt av silikonplaten på fig. 85b med et lag silikonnitrid,

fig. 85d er et snitt av silikonplaten på fig. 85c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 85e er et snitt av silikonplaten på fig. 85d etter mønstring av putelaget av silikondioksid,

fig. 85f er et snitt av silikonplaten på fig. 85e etter en tynnetsning av de eksponerte områder av silikon,

fig. 85g er et snitt av silikonplaten på fig. 85f etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 85h er et snitt av silikonplaten på fig. 85g etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 85i er et snitt av silikonplaten på fig. 85h etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 85j er et snitt av silikonplaten på fig. 85i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 85k er et snitt av silikonplaten på fig. 85j etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 851 er et snitt av silikonplaten på fig. 85k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 85m er et snitt av silikonplaten på fig. 851 etter etsning av deler av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 85n er et snitt av silikonplaten på fig. 85m etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 85o er et snitt av silikonplaten på fig. 85n etter etsning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 86a er et snitt av en silikonplate,

fig. 86b er et snitt av silikonplaten på fig. 86a med et putelag av silikondioksid,

fig. 86c er et snitt av silikonplaten på fig. 86b med et lag silikonnitrid,

fig. 86d er et snitt av silikonplaten på fig. 86c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 86e er et snitt av silikonplaten på fig. 86d etter mønstring av putelaget av silikondioksid,

fig. 86f er et snitt av silikonplaten på fig. 86e etter en tynnetsning av de eksponerte områder av silikon,

fig. 86g er et snitt av silikonplaten på fig. 86f etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 86h er et snitt av silikonplaten på fig. 86g etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 86i er et snitt av silikonplaten på fig. 86h etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 86j er et snitt av silikonplaten på fig. 86i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 86k er et snitt av silikonplaten på fig. 86j etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 861 er et snitt av silikonplaten på fig. 86k etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 86m er et snitt av silikonplaten på fig. 861 etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 86n er et snitt av silikonplaten på fig. 86m etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 86o er et snitt av silikonplaten på fig. 85n etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 86p er et snitt av silikonplaten på fig. 86o etter etsning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 87a er et snitt av en silikonplate,

fig. 87b er et snitt av silikonplaten på fig. 87a med et putelag av silikondioksid, fig. 87c er et snitt av silikonplaten på fig. 87b med et lag silikonnitrid,

fig. 87d er et snitt av silikonplaten på fig. 87c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 87e er et snitt av silikonplaten på fig. 87d etter mønstring av putelaget av silikondioksid,

fig. 87f er et snitt av silikonplaten på fig. 87e etter en tynnetsning av de eksponerte områder av silikon,

fig. 87g er et snitt av silikonplaten på fig. 87f etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 87h er et snitt av silikonplaten på fig. 87g etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 87i er et snitt av silikonplaten på fig. 87h etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 87j er et snitt av silikonplaten på fig. 87i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 87k er et snitt av silikonplaten på fig. 87j etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 871 er et snitt av silikonplaten på fig. 87k etter fjerning av fotoresistlaget,

fig. 87m er et snitt av silikonplaten på fig. 871 etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 87n er et snitt av silikonplaten på fig. 87m etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 87o er et snitt av silikonplaten på fig. 87n etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 87p er et snitt av silikonplaten på fig. 87o etter etsning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 88a er et snitt av en silikonplate,

fig. 88b er et snitt av silikonplaten på fig. 88a med et putelag av silikondioksid, fig. 88c er et snitt av silikonplaten på fig. 88b med et lag silikonnitrid,

fig. 88d er et snitt av silikonplaten på fig. 88c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 88e er et snitt av silikonplaten på fig. 88d etter mønstring av putelaget av silikondioksid,

fig. 88f er et snitt av silikonplaten på fig. 88e etter en tynnetsning av de eksponerte områder av silikon,

fig. 88g er et snitt av silikonplaten på fig. 88f etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 88h er et snitt av silikonplaten på fig. 88g etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 88i er et snitt av silikonplaten på fig. 88h etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 88j er et snitt av silikonplaten på fig. 88i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 88k er et snitt av silikonplaten på fig. 88j etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 881 er et snitt av silikonplaten på fig. 88k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 88m er et snitt av silikonplaten på fig. 881 etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 88n er et snitt av silikonplaten på fig. 88m etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 880 er et snitt av silikonplaten på fig. 88n etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 88p er et snitt av silikonplaten på fig. 880 etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 88q er et snitt av silikonplaten på fig. 88p etter etsning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 89a er et snitt av en silikonplate,

fig. 89b er et snitt av silikonplaten på fig. 89a med et putelag av silikondioksid, fig. 89c er et snitt av silikonplaten på fig. 89b med et lag silikonnitrid,

fig. 89d er et snitt av silikonplaten på fig. 89c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 89e er et snitt av silikonplaten på fig. 89d etter mønstring av putelaget av silikondioksid,

fig. 89f er et snitt av silikonplaten på fig. 89e etter en tynnetsning av de eksponerte områder av silikon,

fig. 89g er et snitt av silikonplaten på fig. 89f etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 89h er et snitt av silikonplaten på fig. 89g etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 89i er et snitt av silikonplaten på fig. 89h etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 89j er et snitt av silikonplaten på fig. 89i etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 89k er et snitt av silikonplaten på fig. 89j etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 891 er et snitt av silikonplaten på fig. 89k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 89m er et snitt av silikonplaten på fig. 891 etter etsning av de eksponerte deler av lagene avsilikondioksid,

fig. 89n er et snitt av silikonplaten på fig. 89m etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 89o er et snitt av silikonplaten på fig. 89n etter etsning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 90a er et snitt av en silikonplate,

fig. 90b er et snitt av silikonplaten på fig. 90a med et putelag av silikondioksid, fig. 90c er et snitt av silikonplaten på fig. 90b med et lag silikonnitrid,

fig. 90d er et snitt av silikonplaten på fig. 90c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 90e er et snitt av silikonplaten på fig. 90d etter mønstring av putelaget av silikondioksid,

fig. 90f er et snitt av silikonplaten på fig. 90e etter en tynnetsning av de eksponerte områder av silikon,

fig. 90g er et snitt av silikonplaten på fig. 90f etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 90h er et snitt av silikonplaten på fig. 90g etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 90i er et snitt av silikonplaten på fig. 90h etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 90j er et snitt av silikonplaten på fig. 90i etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 90k er et snitt av silikonplaten på fig. 90j etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 901 er et snitt av silikonplaten på fig. 90k etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 90m er et snitt av silikonplaten på fig. 901 etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 90n er et snitt av silikonplaten på fig. 90m etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 90o er et snitt av silikonplaten på fig. 90n etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 90p er et snitt av silikonplaten på fig. 90o etter etsning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 91a er et snitt av en silikonplate,

fig. 91b er et snitt av silikonplaten på fig. 91a med et putelag av silikondioksid, fig. 91c er et snitt av silikonplaten på fig. 91b med et lag silikonnitrid,

fig. 9ld er et snitt av silikonplaten på fig. 91c etter mønstring av laget av silikonnitrid,

fig. 91 e er et snitt av silikonplaten på fig. 91d etter mønstring av putelaget av silikondioksid,

fig. 91 f er et snitt av silikonplaten på fig. 91e etter en tynnetsning av de eksponerte områder av silikon,

fig. 9lg er et snitt av silikonplaten på fig. 91f etter vekst av et feltlag av oksid på de deler som ikke er dekket av mønstringslaget av silikonnitrid,

fig. 91h er et snitt av silikonplaten på fig. 91g etter mønstring av lagene av silikondioksid,

fig. 91 i er et snitt av silikonplaten på fig. 91h etter påføring og mønstring av et lag fotoresist på silikonplaten,

fig. 9 lj er et snitt av silikonplaten på fig. 91 i etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 91k er et snitt av silikonplaten på fig. 9 lj etter fjerning av laget av fotoresist,

fig. 911 er et snitt av silikonplaten på fig. 91k etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 91 m er et snitt av silikonplaten på fig. 911 etter etsning av de eksponerte deler av lagene av silikondioksid,

fig. 91 n er et snitt av silikonplaten på fig. 9lm etter etsning av de eksponerte deler av silikon,

fig. 91 o er et snitt av silikonplaten på fig. 91n etter etsning av de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid,

fig. 92a og 92b er et flytskjema som viser flere utførelser av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåtene med sammensmeltede masker med flere etsedybder og fotoresist som en maske for dypreaktiv ioneetsing av silikon,

fig. 93a og 93b er et flytskjema som viser flere utførelser av mikromaskineringsfremgangsmåter med sammensmeltede masker med flere etsedybder og fotoresist som en maske for dypreaktiv ioneetsing av silikon,

fig. 94 er et flytskjema som viser en utførelse av en mikromaskineringsfremgangsmåte med sammensmeltede masker for etsning av flere etsedybder,

fig. 95a er et snitt som viser en silikonplate,

fig. 95b er et snitt av silikonplaten på fig. 95a med et lag av et første maskeringsmateriale,

fig. 95c er et snitt av silikonplaten på fig. 95b etter mønstring av laget av det første maskeringsmateriale,

fig. 95d er et snitt av silikonplaten på fig. 95c med et lag av et andre maskeringsmateriale,

fig. 95e er et snitt av silikonplaten på fig. 95d etter mønstring av laget av det andre maskeringsmaterialet,

fig. 95f er et snitt av silikonplaten på fig. 95e etter etsning av de eksponerte deler av silikonplaten,

fig. 95g er et snitt av silikonplaten på fig. 95f etter etsning av de eksponerte deler av laget av det første maskeringsmateriale,

fig. 95h er et snitt av silikonplaten på fig. 95g etter etsning av de eksponerte deler av silikonplaten,

fig. 96 er et flytskjema som viser en utførelse av en mikromaskineringsfremgangsåte med sammensmeltede masker for etsning av eksponerte områder av forskjellige størrelse til samme etsedybde,

fig. 97a er et snitt av en silikonplate,

fig. 97b er et snitt av silikonplaten på fig. 97a med et lag av et første maskeringsmateriale,

fig. 97c er et snitt av silikonplaten på fig. 97b etter mønstring av laget av det første maskeringsmateriale,

fig. 97d er et snitt av silikonplaten på fig. 97c med et lag et andre maskeringsmateriale,

fig. 97e er et snitt av silikonplaten på fig. 97d etter mønstring av laget av det andre maskeringsmateriale,

fig. 97f er et snitt av silikonplaten på fig. 97e etter etsning av de eksponerte deler av silikonplaten,

fig. 97g er et snitt av silikonplaten på fig. 97f etter etsning av de eksponerte deler av laget av det første maskeringsmateriale,

fig. 97h er et snitt av silikonplaten på fig. 97g etter etsning av de eksponerte deler av silikonplaten.

En fremgangsmåte for mikromaskering med sammensmeltede masker i en mikromaskinert konstruksjon er tilveiebrakt. Fremgangsmåten brukes fortrinnsvis for å fremstille en speilsammenstilling for bruk i en strekkodeleser. Speilsammenstillingen omfatter fortrinnsvis et mikromaskinert, tredimensjonalt speil med et "T"-formet hengsel. Speilsammenstillingen omfatter fortrinnsvis videre en eller flere vandrestoppere for å begrense speilets bevegelse. Speilsammenstillingen omfatter videre en eller flere skråkantflater og utskjæringer for å minimere klipping av tilfeldige og reflekterte laserstråler.

Fig. 1 er et snitt av en laserskanneinnretning, f.eks. en strekkodeskanner 100 med en lysstråle 115 som oppstår fra innretningen for å nå et mål 120. Lysstrålen reflekteres eller spres av målet 120. Strekkodeskanneren 100 omfatter en laserstrålekilde 105 og en speilsammenstilling 110. Ved bruk av strekkodeskanneren 100, blir den optisk-reflekterende del 111 i speilsammenstillingen 110 fortrinnsvis vibrert for at laserstrålen 115 kan skanne en overflate, f.eks. et strekkodesymbol 120, ved å reflektere laserstrålen 115 fra den optisk-reflekterende del 111 i speilsammenstillingen 110. Det reflekterte lys 125 når strekkodeskanneren 100 gjennom et vindu 165 og påvises av en lysdetektor 160. Laserstrålekilden 105 kan omfatte et antall konvensjonelt tilgjengelige innretninger for å generere laserstrålen 115.

Strekkodeskanneren 100 kan omfatte flere trekk for brukergrensesnittet, styring-og databearbeiding. Disse trekken kan omfatte en prosessor 130 og en minneinnretning 135 som del av en sentral behandlingsenhet 140, en styreenhet 145 for å generere spenning for å vibrere speilet 110, en datainnretning, f.eks. et tastatur 150 og en datavisningsinnretning, f.eks. et display 155 for flytende krystaller. Speilsammenstillingen 110, fremstilt ifølge oppfinnelsen, er beskrevet nedenfor under henvisning til fig. 2-19.

På fig. 2, i en foretrukket utførelse, omfatter speilsammenstillingen 110 en topphette 205, et speil 210, en bunnhette 215 og et bunnelement 220. Topphetten 205 omfatter en åpning som lar laserstrålen 115 reflektere fra speilet 210. På denne måte er speilet 210 omsluttet og beskyttet av topphetten 205 og bunnhetten 215. Delsammenstillingen som omfatter topphetten 205, speilet 210 og bunnhetten 215, er utformet og deretter montert på bunnelementet 220.

Topphetten 205 og bunnhetten 215 kan fremstilles fra et antall konvensjonelt tilgjengelige materialer, f.eks. silikon, glass, keramikk eller plast. I en foretrukket utførelse fremstilles topphetten 205 ved mikromaskinering av en silikonplate.

Fig. 3-5 viser forskjellige riss av en foretrukket utførelse av topphetten 205 som har en ramme 301 som omfatter topp-bunn-, venstre og høyre bæreelementer 305, 315, 325 og 335. Topp- og bunnvandrestoppelementene 310 og 320 er henholdsvis koplet til topp- og bunnbæreelementene 305 og 315. Venstre og høyre bæreelementer 325 og 335 omfatter tilsvarende venstre og høyre kantutskjæringer 330 og 340 for å minimere klipping av lyset.

Topphetterammen 301 utgjør en generell bærekonstruksjon for topphetten 205. Rammens 301 tykkelsen kan f.eks. variere fra omtrent 400 til 600 mikron med en foretrukket tykkelse mellom omtrent 390 og 400 mikron, for å tilveiebringe en kompakt konstruksjon med liten masse.

Toppvandrestoppen 310 begrenser fortrinnsvis bevegelsen fra den reflektive del av speilet 210 i retningen loddrett på planet for den reflektive del av speilet 210 (Z-retningen). Toppvandrestoppen 310 strekker seg fortrinnsvis vesentlig loddrett fra toppbæreelementet 305. I en foretrukket utførelse er toppvandrestoppen 310 anbrakt innenfor planet av toppbæreelementet 305. Tykkelsen av toppvandrestoppen 310 kan f.eks. variere fra omtrent 340 til 580 mikron. I en foretrukket utførelse varierer tykkelsen av toppvandrestoppen 310 fra omtrent 350 til 380 mikron for å tilveiebringe optimal støtbeskyttelse, bevegelsesfrihet og en kompakt konstruksjon med liten masse.

På fig. 4, i en særlig foretrukket utførelse, er bunnoverflaten 310b av toppvandrestoppen 310 anbrakt i en fordypning under nivået av bunnoverflaten 305b av toppbæreelementet 305. På denne måte er bunnoverflaten 310b av toppvandrestoppen 310 fortrinnsvis anbrakt over nivået for den reflektive overflate av speilet 210. Lengden av toppvandrestoppelementet 310 kan f.eks. variere fra omtrent 800 til 2.800 mikron. I en foretrukket utførelse varierer lengden av toppvandrestoppelementet 310 mellom 2.000 og 2.500 mikron. I en særlig foretrukket utførelse er lengden av toppvandrestoppelementet 310 valgt slik at det overlapper speilsamleplaten 610 på speilet med omtrent 300 mikron.

Bunnvandrestoppen 320 strekker seg vesentlig loddrett fra bunnbæreelementet 315 og er vesentlig identisk med toppvandrestoppen 310. En åpning 345 lar lyset reflekteres fra speilets 210 reflektive overflate. Åpningen 345 omfatter fortrinnsvis en venstre kantutskj æring 330 og en høyre kantutskj æring 340. Venstre og høyre kantutskj æringer 330 og 340 er fortrinnsvis anbrakt på motstående sider i et omsluttende forhold i forhold til speilets 210 reflekterende overflate. På denne måte gir venstre og høyre kantutskj æringer 330 og 340 optisk adgang til speilets 210 reflekterende overflate.

I en foretrukket utførelse omfatter topphetterammen 301, vandrestoppene 310 og 320, kantutskj æringene 330 og 340 og åpningen 345 skråkanter, 350A og 350B for å lette den optiske adgang til speilets 210 (fig. 5) reflekterende overflate. Skråkantenes 350A og 350B vinkel varierer fortrinnsvis fra omtrent 50 til 60° for å gi en optimal refleksjon av laserlyset som sendes i en vinkel mot kantdelen av speilets 210 reflekterende overflate.

Fig. 6 viser et riss av et speil eller speilsammenstilling 210, fremstilt ifølge en utførelse av oppfinnelsen. Speilet 210 omfatter en ramme eller speilrammekonstruksjon 600 med bæreelementer 602, 604, 606 og 608. Speilet 210 omfatter videre en speilsamleplaten 610 med en reflekterende overflate 628, et øvre T-formet hengsel 612, et nedre T-formet hengsel 614, en øvre, venstre vandrestoppfinger 616, en øvre, høyre vandrestoppfinger 618, en nedre, venstre vandrestoppfinger 620, en nedre, høyre vandrestoppfinger 622, en åpning 624, et ledende lag 626 og en reflekterende overflate 628.

Speilrammen 600 gir en generell bærekonstruksjon for speilet 210. Rammens 600 tykkelse kan f.eks. variere fra omtrent 400 til 600 mikron med en foretrukket tykkelse som varierer fra omtrent 400 til 450 mikron for å tilveiebringe en optimal konstruksjon med liten masse. I en foretrukket utførelse gir bæreelementene 602, 604, 606 og 608 effektive strålelengder som varierer fra omtrent 500 til 2.500 mikron og tverrsnitt på omtrent 8.000 mikron<2> til 160.000 mikron<2> for optimalt å absorbere støtbelastninger på omtrent 2.000g/0,5mS, halvsinusbølge.

Speilsamleplaten 610 er koplet til det øvre, T-formede hengsel 612 og det nedre T-formede hengsel 614. På denne måte dreier speilsamleplaten 610 rundt aksen 630, dvs. har en torsjonsbevegelse rundt en slik akse. I en foretrukket utførelse er aksen 630 anbrakt vesentlig langs speilsamleplatens 610 midtlinje og sammenfaller med midten av de T-formede hengsler 612 og 614 for derved å tilveiebringe en felles akse for dreining av fjærene. Den reflekterende overflate 628 er koplet til toppen 632 av speilsamleplaten 610. På denne måte får dreiningen av speilsamleplaten 610 rundt aksen 630, laserlyset fra en stasjonær laser til å reflektere vekk fra den reflekterende overflate 628 i flere retninger.

Tykkelsen av speilsamleplaten 610 kan f.eks. variere fra omtrent 100 til 600 mikron med en foretrukket tykkelse mellom omtrent 100 og 250 mikron for å tilveiebringe liten masse-og maksimere den effektive, naturlige frekvens fra speilet 210.

Den reflekterende overflate 628 kan omfatte et antall konvensjonelt tilgjengelige, optisk reflekterende overflater, f.eks. gull, sølv eller aluminium. I en foretrukket utførelse omfatter den reflekterende overflate 628 gull for å tilveiebringe optimal mengde optisk energi som reflekteres. I en foretrukket utførelse er overflategrovheten i den reflekterende overflate 628 mindre enn omtrent 0,1 bølgelengde av det reflekterte lys for å optimere mengden av optisk energi som reflekteres.

Fig. 7 og 8 viser snitt av speilet på fig. 6 og fig. 9 viser et nedre riss av speilet på fig. 6. Som vist på fig. 7-9, i en foretrukket utførelse, omfatter bunnen 634 av speilsamleplaten 610 en toppvandrestopp 710, en bunnvandrestopp 715 og en fordypning 720. Toppvandrestoppen 710 strekker seg fra bunnen 634 av speilsamleplaten 610. Toppvandrestoppen 710 begrenser fortrinnsvis bevegelsen fra speilsamleplaten 610 i Z-retningen. Toppvandrestoppen 710 strekker seg fortrinnsvis fra bunnen 634 av speilsamleplaten 610 vesentlig i loddrett retning. Toppvandrestoppen 710 kan strekke seg fra bunnen 634 av speilsamleplaten 610 i en avstand mellom f.eks. 200 og 400 mikron, med en foretrukket avstand fra omtrent 200 til 250 mikron, for optimalt å begrense speilsamleplatens 610 bevegelse. I en foretrukket utførelse er toppvandrestoppen 710 sentrert rundt aksen 630 og er anbrakt nærliggende, og på den ene side av fordypningen 720. Bunnvandrestoppen 715 er fortrinnsvis identisk med toppvandrestoppen 710, beskrevet ovenfor.

Hulrommet 720 strekker seg inn i bunnen av speilsamleplaten 610, hvilket minsker massen av speilsamleplaten 610. På denne måte minskes speilets 210 helling. I en foretrukket utførelse varierer dybden og volumet av hulrommet 710 fra omtrent 200 til 500 mikron og 8X10<6> til 1X10<9> mikron<3>. I en foretrukket utførelse er hulrommet 720 anbrakt sentralt rundt aksen 630 og innenfor baksiden 634 av speilsamleplaten 610.

For typiske strekkodeskannere kan dreienøyaktigheten for laserstrålen typisk være innenfor 1,3 når speilsamleplaten 610 utsettes for et selvindusert tyngekraftmoment over hengselet. Når momentet T = mg<*>h/2, med mg = speilsamleplatens vekt og h = speilsamleplatens tykkelse. Speilets nøyaktighet er en funksjon av pekenøyaktighet og speilhelling. Torsjonsfjærkonstanten Kr av de T-formede hengsler 612 og 614, bestemmes av resonansrfekvensen F for speilsamleplaten 610 og speilsamleplatens 610 størrelse og masse. Speilvinkelen 0 på grunn av et tyngdekraftmoment bestemmes av forholdet 0=T/Kr. Følgelig velges speilsamleplatens 610 tykkelse og masse for å tilveiebringe en speilvinkel på mindre enn 1,3°. I en foretrukket utførelse blir speilsamleplatens 610 tykkelse og masse redusert ved å minske tykkelsen av speilsamleplaten 610 og ved å tilveiebringe et eller flere hulrom i speilsamleplaten 610. ;Det øvre T-formede hengsel 612 er koplet til venstre bæreelement 606, høyre bæreelement 608 og den øvre del av speilsamleplaten 610. Det øvre T-formede hengsel 612 omfatter fortrinnsvis et vertikalt bæreelement 644 (stråle eller ben) og et andre, eller horisontalt bæreelement 646 (T-element). Det horisontale bæreelement 646 bæres fortrinnsvis i motsatte ender av det venstre bæreelement 606 og det høyre bæreelement 608.1 en foretrukket utførelse står det horisontale bæreelement 646 vesentlig loddrett på både venstre bæreelement 606 og det høyre bæreelement 608. Det vertikale bæreelement 644 er koplet til det horisontale bæreelement 646. I en foretrukket utførelse står det vertikale bæreelement 644 vesentlig loddrett på det horisontale bæreelement 646. Det vertikale bæreelement 644 er koplet til midtpunktet av det horisontale bæreelement 646. Det vertikale bæreelement 644 er anbrakt langs aksen 630. Lengden, bredden og tykkelsen av det vertikale bæreelement 644 kan f.eks. variere fra omtrent 100 til 2.500 mikron, 2 til 100 mikron og 2 til 100 mikron. 1 en foretrukket utførelse varierer lengden, bredden og tykkelsen av det vertikale bæreelement 646 fra henholdsvis omtrent 800 til 1.000 mikron, 8 til 15 mikron og 8 til 15 mikron. Torsjonsfjærkonstanten for det vertikale bæreelement 644 kan f.eks. variere fra omtrent 2X10"<9> til 10X10"<7> Ibf-ft/radian. I en foretrukket utførelse varierer torsjonsfjærkonstanten for det vertikale bæreelement 644 fra omtrent 2X10"<8> til 10X10"<8> lbf-ft/radian. Lengden, bredden og tykkelsen av det horisontale bæreelement 646 kan f.eks. variere fra omtrent 500 til 4.500 mikron, 6 til 100 mikron og 6 til 100 mikron. I en foretrukket utførelse varierer lengden, bredden og tykkelsen av det horisontale bæreelement 646 henholdsvis fra omtrent 2.200 til 2.500 mikron, 15 til 25 mikron og 15 til 25 mikron. ;Det nedre T-formede hengsel 614 er koplet til venstre bæreelement 606, høyre bæreelement 608 og den nedre del av speilsamleplaten 610. Det nedre T-formede hengsel 614 har samme oppbygning som det øvre T-formede hengsel 612. ;Andre utførelser av et T-formet hengsel ifølge oppfinnelsen, som vist på fig. 6A-6C gir forbedret følsomhet for avføling av akselerasjonslasteforholdene. På fig. 6A, har et T-formet hengsel 612A et vertikalt bæreelement 644A med en slangeform og et horisontalt bæreelement 646A med en vesentlig lineær form. På fig. 6B omfatter en alternativ utførelse av et T-formet hengsel 612B et vertikalt bæreelement 644B koplet til et horisontalt bæreelement 646B på et sted forskjøvet fra midten. På fig. 6C er en eller begge de T-formede hengsler 612 og 614 modifisert for å omfatte et T-formet hengsel 612C med et vertikalt bæreelement 644C som gjennomskjærer et horisontalt bæreelement 646C i en spiss vinkel og også er koplet til det horisontale bæreelement 646C på et sted forskjøvet i forhold til midten. ;Den øvre, venstre vandrestopp 616 strekker seg fra og er koplet til den øvre, venstre del av speilsamleplaten 610. Den øvre, venstre vandrestopp 616 begrenser fortrinnsvis bevegelsen fra speilsamleplaten 610 i x-retningen. Den øvre, venstre vandrestopp 616 er fortrinnsvis anbrakt i planet for speilsamleplaten 610.1 en foretrukket utførelse strekker den øvre, venstre vandrestoppen 616 seg fra speilsamleplaten 610 vesentlig loddrett. Tykkelsen av den øvre, venstre vandrestopp 616 kan f.eks. variere fra omtrent 200 til 600 mikron. I en foretrukket utførelse varierer tykkelsen av den øvre, venstre vandrestopp 616 fra omtrent 250 til 350 mikron for å tilveiebringe optimal støtbeskyttelse og en elastisk, kompakt konstruksjon med liten masse. Lengden av den øvre, venstre vandrestopp 616 kan f.eks. variere fra omtrent 500 til 2.000 mikron. I en foretrukket utførelse varierer lengden av den øvre venstre vandrestopp 616 fra omtrent 900 til 1.100 mikron. 1 en særlig foretrukket utførelse er den øvre overflate av den øvre, venstre vandrestopp 616 plan med den øvre overflate av speilsamleplaten 610.1 en særlig foretrukket utførelse er bunnflaten av den øvre, venstre vandrestopp 616 plan med bunnflaten av speilsamleplaten 610. ;Øvre høyre og nedre venstre og høyre vandrestopper 618, 620 og 622 er vesentlig identisk med den øvre, venstre vandrestopp 616. Disse vandrestoppene er anbrakt på tilsvarende steder rundt speilsamleplaten 610. ;Vandrestoppene 616, 618, 620 og 622 tilveiebringer fortrinnsvis oversving- og x-akse-støtbeskyttelse for speilsamleplaten 610 under fremstilling og bruk. I en foretrukket utførelse er vandrestoppene 616, 618, 620 og 622 utformet integrert med speilsamleplaten 610. I en foretrukket utførelse tilveiebringer vandrestoppene 616, 618, 620 og 622 effektive strålelengder som er større enn omtrent 500 mikron og et tverrsnitt på omtrent 40.000 mikron<2> til 240.000 mikron<2>or å gi en optimal beskyttelse mot støtbelastninger på 2.000g/0,5 mS, halvsinusformet bølgeinngang. ;Åpningen 624 tillater fortrinnsvis speilsamleplaten 610 til å dreie rundt aksen 630. Veggene 636 i åpningen 624 begrenser fortrinnsvis bevegelse fra speilsamleplaten 610 i x-retningen og i y-retningen. Åpningen 624 omfatter fortrinnsvis en øvre seksjon 638, en midtre seksjon 640 og en bunnseksjon 642. Toppseksjonen 638 av åpningen 624 inneholder fortrinnsvis det øvre T-formede hengsel 612 og øvre venstre og høyre vandrestopper 616 og 618. Den midtre seksjon 640 av åpningen 624, omfatter fortrinnsvis speilsamleplaten 610. Bunnseksjonen 642 av åpningen 624 inneholder fortrinnsvis det nedre T-formede hengsel 614 og nedre venstre og høyre vandrestopper 620 og 622. Veggene i den midtre seksjon 640, av åpningen 624, kan være anbrakt i en avstand fra de motstående kanter av speilsamleplaten 610 i en avstand på f.eks. 30 til 150 mikron. I en foretrukket utførelse er veggene i den midtre seksjon 640 av åpningen 624 anbrakt fra det motstående kanter av speilsamleplaten 610 i en avstand på omtrent 60 til 100 mikron, for å optimalt minimere bevegelsen fra speilsamleplaten 610 i x- og y-retningen. I en foretrukket utførelse er åpningen i x-retningen forskjellig fra åpningen i y-retningen for å optimalt beskytte speilsamleplaten 610 mot støt. I en foretrukket utførelse gir åpningen mellom speilsamleplaten 610 og midtseksjonen 640 av åpningen 624 et mellomrom i y-retningen som varierer fra omtrent 15 til 45 mikron og et mellomrom i x-retningen som varierer fra omtrent 50 til 180 mikron for å optimalt begrense støtbelastninger mot speilsamleplaten 610. ;Det ledende lag 626 er fortrinnsvis koplet til ytterkanten av overflaten av speilet 210. Den ledende overflate 626 tilveiebringer fortrinnsvis en ledende, elektrisk bane. Det ledende lag 626 kan være fremstilt fra et antall konvensjonelt tilgjengelige materialer, f.eks. gull, aluminium eller sølv. I en foretrukket utførelse er det ledende lag 626 fremstilt av gull. I en foretrukket utførelse er det ledende lag 626 bundet til det underliggende substrat ved hjelp av et mellomliggende lag av titan. ;Speilet 210 kan være fremstilt fra et antall konvensjonelt tilgjengelige materialer, f.eks. silikon, plettert metall eller plast. I en foretrukket utførelse er speilet 210 fremstilt ved mikromaskinering av en silikonplate ved hjelp av en eller flere av utførelsene for mikromaskinering som er presentert i nærværende beskrivelse. ;I en foretrukket utførelse er den løsnende og frittstående speilsamleplaten 610 forbundet til den omsluttende bæreramme 600 ved hjelp av T-hengsler 612 og 614. 1 en foretrukket utførelse tilveiebringer vandrestoppfingrene 616, 618, 620 og 622 oversvingbeskyttelse for speilsamleplaten 610. I en foretrukket utførelse brukes en fremgangsmåte for 200-mikron dyp anisotropisk, reaktiv ioneetsing (DRIE) for å utforme svært nøyaktige, smale åpninger for X-akse støtbeskyttelse og Y-akse støtbeskyttelse hvor speilsamleplaten 610 er fortrinnsvis vesentlig fullstendig formet inne i rammen 602, 604, 606 og 608 for x-akse og y-akse translasjons eller planbevegelse, dvs. i speilflatens plan. En fagmann vil forstå at uttrykket DRIE viser til dypreaktiv ioneetsing av et substrat. I en foretrukket anvendelse er DRIE-fremgangsmåten vesentlig som beskrevet i US patentskrift nr. 5 498 312 og 5 501 893, som det henvises til her. De T-formede hengsler 612 og 614 gir fortrinnsvis samleplaten 610 optimal translasjonsbevegelse i x-akse- og y-akse-retningen, hvor speilsamleplaten 610 blir støtbeskyttet av rammen 602, 604, 606 og 608, samtidig som det også opprettholdes lave belastningsnivåer innenfor de T-formede hengsler 612 og 614, for å unngå brudd. I en foretrukket utførelse er de T-formede hengsler 612 og 614 fortrinnsvis relativt ettergivende i x-akse- og y-akseretningen, mens de er tilstrekkelig stive for dreining rundt aksen 630 for å etablere resonansfrekvensen for speilsamleplaten 610. ;Således blir speilsamleplaten 610, i en foretrukket utførelse av oppfinnelsen, båret og opphengt av et par hengsler 612 og 614. Disse hengslene tillater torsjonsbevegelse og dreining av speilsamleplaten 610 rundt den felles hengselakse 630 og bevegelse av speilsamleplaten i x-, y- og z-retningen. Åpningene eller mellomrommet 647 mellom hengselelementet 646 og rammen 601 tillater bevegelse av speilsamleplaten 610 i y-retningen, mens mellomrommet 611 mellom stoppene 616, 618, 620 og 621 og rammen 601 tillater bevegelse i x-retningen. Bevegelsene i x- og y-retningene kalles av og til plan- eller translasjonsbevegelsene og hengslene som fjærer. Strålene 644 og 628 tillater også speilsamleplaten 610 til å bevege seg i z-retningen. T-hengslene tilveiebringer nødvendig ettergivenhet i speilsamleplatens bevegelsesretningen i y-retningen, noe som forbedrer støttoleransen for hengselet mot y-aksebelastninger fra speilsamleplaten 610. Tidligere teknikk anvender typisk et hengsel med rett stråle, dvs. en stråle tilkoplet rammen uten et T-element, f.eks. elementet 646. Slike rett-stråle-hengsler har en tendens til å bukle seg og gå fra hverandre på grunn av belastninger mot y-aksen. Også strålene eller benene 644 og 648 av T-hengslene 612 og 614 beveger seg opp i z-retningen på grunn av støtbelastninger. Elementene 646 og 650 kan dreie torsjonsmessig, noe som minsker belastningen i 644 og 648-elementene av hengslene, idet disse belastningene har blitt funnet å være mindre enn belastningen som induseres i rett-strålehengslene. Mengden av stressreduksjon er en funksjon av hengslenes 612 og 614 "sideforhold", som er forholdet mellom bredde/tykkelse. ;Som vist på fig. 7-9, omfatter speilet 210 fortrinnsvis deler 602, 604, 606 og 608 som er tykkelsen for hele platen (f.eks. 400 mikron) og deler 610 som omfatter tykkelsen av en halv plate (f.eks. 200 mikron). Hulrommet 710 i midten av speilsamleplaten 610 er fortrinnsvis etset 150 mikron ned fra bunnflaten 634 av speilsamleplaten 610, og de T-formede hengsler 612 og 614 er fortrinnsvis omtrent 8-15 mikron. Speilsamleplaten 610 av halv tykkelsen minsker mengden av dypreaktiv ioneetsning (DRIE) og forbedrer også posisjonsnøyaktigheten for speilsamleplaten 610. Hulrommet 720, som fortrinnsvis er etset i midten av speilsamleplaten 610, er fortrinnsvis hovedsakelig brukt for å forbedre posisjonsnøyaktigheten for speilsamleplaten 610 og minske speilsamleplatens 610 masse uten vesentlig å endre resonansfrekvensen. ;Baksiden av speilsamleplaten 610 omfatter fortrinnsvis z-vandrestopper 710 og 715 som fortrinnsvis har en tykkelse for en hel plate (f.eks. 400 mikron). Siden speilsamleplaten 610 fortrinnsvis er 200 mikron tykk, vil derfor de tykkere vandrestopper 710 og 715 optimalt opprettholde 50-mikron mellomrommet med vandrestoppfingrene 1010 og 1020 i bunnhetten 215 og derfor hjelpe til å tilveiebringe støtbeskyttelse i z-retningen. En speilsamleplate 610 med minimale x-, y-plandimensjoner på omtrent 3 mm x 3 mm, er foretrukket. ;I en alternativ utførelse, som vist på fig. 6d, omfatter venstre og høyre bæreelementer 606 og 608, for speilet 210, videre utskjæringer 660A og 660B anbrakt på motstående sider av speilsamleplaten 610. På denne måte minskes mengden av viskøs dempning på grunn av motstanden mot passasje av luft mellom speilsamleplaten 610 og venstre og høyre bæreelementer 606 og 608, redusert. På denne måte blir frekvensresponsen fra speilet 210, forbedret. ;Som vist på fig. 10-12 omfatter bunnhetten 215 en bunnhetteramme 1000 for støtte av bunnhetten. Rammen 1000 omfatter også støtteelementer og øvre og nedre vandrestoppelementer som beskrevet ovenfor for topphetten og vist på fig. 3. Bunnhetten omfatter videre en øvre, venstre stråle 1035, en øvre høyre stråle 1040, en nedre venstre stråle 1045, en nedre høyre stråle 1050, en øvre ledende overflate 1055, en nedre ledende overflate 1060 og en åpning 1065. ;Bunnhetterammens 1000 tykkelse kan f.eks. variere fra omtrent 400 til 600 mikron med en foretrukket tykkelse fra omtrent 400 til 450 mikron for å tilveiebringe en kompakt konstruksjon med liten masse. ;Det øvre vandrestoppelement 1010 begrenser fortrinnsvis bevegelsen av den reflektive del av speilet 210 i z-retningen. Det øvre vandrestoppelement 1010 strekker seg fortrinnsvis vesentlig loddrett fra det øvre bæreelement 1005. I en foretrukket utførelse er det øvre vandrestoppelement 1010 anbrakt innenfor planet for det øvre bæreelement 1005. Det øvre vandrestoppelements 1010 tykkelse kan f.eks. variere fra omtrent 350 til 550 mikron. I en foretrukket utførelse varierer det øvre vandrestoppelementets tykkelse fra omtrent 150 til 380 mikron for å tilveiebringe en kompakt konstruksjon med liten masse. 1 en særlig foretrukket utførelse er den øvre flate 101 OA av det øvre vandrestoppelement 1010 nedsenket under nivået for overflaten 1005A av det øvre bæreelement 1005. På denne måte blir oversiden 1010A av den øvre vandrestopp 1010 fortrinnsvis anbrakt under nivået for speilsamleplaten 610 for speilet 210. Lengden av det øvre vandrestoppelement 1010 kan f.eks. variere fra omtrent 1.200 til 2.800 mikron. 1 en foretrukket utførelse varierer lengden av det øvre vandrestoppelement 1010 fra omtrent 2.000 til 2.500 mikron. I en særlig foretrukket utførelse blir lengden av det øvre vandrestoppelement 1010 valgt for å overlappe speilsamleplaten 610 på speilet, med omtrent 300 mikron. ;Det nedre vandrestoppelement 1020 strekker seg fortrinnsvis vesentlig loddrett fra det nedre bæreelement 1015. Det nedre vandrestoppelement 1020 er ellers vesentlig identisk med det ovenfor beskrevne øvre vandrestoppelement 1010. ;Den øvre, venstre bjelke 1035 gir fortrinnsvis støtte og begrenser bevegelsen av speilsamleplaten 610 for speilet 210 i z-retningen under fremstillingen. På denne måte blir defekte speil 210 beskyttet mot støt, svikt og mot å falle inn i bearbeidingsutstyret under fremstillingen. Den øvre, venstre bjelke 1035 strekker seg fortrinnsvis vesentlig loddrett fra det venstre bæreelement 1025.1 en foretrukket utførelse er den øvre, venstre bjelke 1035 anbrakt innenfor planet for det venstre bæreelement 1025. Tykkelsen av den øvre, venstre bjelke 1035 kan f.eks. variere fra omtrent 150 til 250 mikron. 1 en foretrukket utførelse varierer den øvre, venstre bjelke 1035 fra omtrent 200 til 220 mikron for å gi optimal, kompakt konstruksjon med liten masse. I en særlig foretrukket utførelse er overflaten av den øvre, venstre bjelke 1035 senket ned under nivået for oversiden 1025A av det venstre bæreelement 1025. På denne måte blir den øvre, venstre bjelke 1035 fortrinnsvis anbrakt under nivået for det øvre, venstre vandrestoppelement 616 for speilet 210. Lengen av den øvre, venstre bjelke 1035 kan f.eks. variere fra omtrent 1.500 til 2.200 mikron. I en foretrukket utførelse er lengden av den øvre, venstre bjelke 1035 omtrent 1.800 mikron. ;Øvre høyre og nedre venstre og høyre bjelker 1040, 1045 og 1050 er fortrinnsvis identiske med den øvre, venstre bjelke 1035. Disse bjelkene er anbrakt innenfor planet for tilsvarende bæreelementer. ;Den øvre ledende overflate 1055 er fortrinnsvis koplet til ytterkanten av oversiden av bunnhetten 215. Den øvre ledende overflate 1055 omfatter fortrinnsvis en ledende elektrisk bane. Den øvre ledende bane 1055 tilveiebringer fortrinnsvis en sammenføyningsring for senere sammentrykningssammenføyning av bunnhetten 215 til speilet 210. Den øvre, ledende overflate 1055, fremstilt fra et passende konvensjonelt tilgjengelig materiale, f.eks. gull, aluminium eller sølv. I en foretrukket utførelse er den øvre, ledende overflate 1055 fremstilt av gull. I en foretrukket utførelse er den øvre, ledende overflate 1055 bundet til bunnhetten 215 ved hjelp av et mellomliggende lag av titan. Den nedre, ledende overflate 1060 er fortrinnsvis koplet til ytterkanten av den nedre overflate av bunnhetten 215 og er ellers vesentlig identisk med den øvre ledende overflate 1055. ;I en foretrukket utførelse dekker den ledende overflate 1055 og 1060 hele de eksponerte overflater av bunnhetten 215. ;Åpningen 1075 tillater fortrinnsvis drivputeelektrodene 1310 og 1315 i bunnelementet 220, elektrisk statisk å drive og kapasitivt å avføle posisjonen av speilsamleplaten 610 i speilet 210. Åpningen 1065 omfatter fortrinnsvis en vesentlig rektangulær åpning som er større enn speilsamleplaten 610 i speilet 210. ;Som vist på fig. 13-15, i en foretrukket utførelse, omfatter bunnelementet 220 en bunnplate 1305, en venstre drivputeelektrode 1310, en høyre drivputeelektrode 1315, en ramme 1300, et ledende lag 1340 og ledende baner 1345, 1350 og 1355. ;Bunnplaten 1305 og rammen 1300 gir sammen en støtte for bunnelementet 220. Bunnelementet 220 bærer fortrinnsvis bunnhetten 215, speilet 210 og topphetten 205. ;Bunnplaten 1305 omfatter fortrinnsvis et fast element fremstilt av et konvensjonelt tilgjengelig materiale, f.eks. keramikk, silikon eller glass. I en foretrukket utførelse varierer tykkelsen av bunnplaten 1305 mellom omtrent 200 og 400 mikron. ;Den venstre drivputeelektrode 1310 er koplet til bunnplaten 1305. Den venstre drivputeelektrode 1310 tillater fortrinnsvis at speilsamleplaten 610 på speilet 210 blir drevet ved hjelp av elektrostatisk kraft og/eller posisjonen av speilsamleplaten 610 på speilet 210 for kapasitiv avføling. På denne måte vibrerer speilsamleplaten 610 i speilet 210 rundt aksen 630. I en foretrukket utførelse omfatter den venstre drivputeelektrode 1310 et ledende lag 131 OA som er koplet til den ledende bane 1350. På denne måte kan elektrisk forbindelse tilveiebringes til det ledende lag 1310A. Det ledende lag 1310A kan være fremstilt av et konvensjonelt tilgjengelig materiale, f.eks. metall, polysilikon eller ledende epoksy. I en foretrukket utførelse er det ledende laget 1310A fremstilt av metall. ;Den venstre drivputeelektrode 1310 kan ha en overside som f.eks. varierer fra omtrent 3X10 til 10X10 mikron . I en foretrukket utførelse er oversiden av den venstre drivputeelektrode 1310 omtrent 4,5X10<6> mikron<2> for optimalt å drive speilsamleplaten 610 på speilet 210. Den venstre drivputeelektrode 1310 strekker seg fortrinnsvis fra bunnplaten 1305 vesentlig loddrett. Den venstre drivputeelektrode 1310 kan strekke seg fra bunnplaten 1305 i en avstand og f.eks. fra 50 til 200 mikron. I en foretrukket utførelse strekker den venstre drivputeelektrode 1310 seg fra bunnplaten 1305 i en avstand som varierer fra omtrent 50 til 100 mikron. I en særlig foretrukket utførelse er mellomrommet mellom toppen av den venstre drivputeelektrode 1310 og bunnen av speilsamleplaten 610 for speilet 210 mellom omtrent 300 og 400 mikron. ;Den høyre drivputeelektrode 1315 er vesentlig identisk med den venstre drivputeelektrode 1310.1 en foretrukket utførelse er venstre og høyre drivputeelektroder 1310 og 1315 anbrakt vesentlig i samme avstand fra aksen 630. Det øvre bæreelement 1320 er koplet til bunnplaten 1305, det venstre bæreelement 1330, det høyre bæreelement 1335 og det ledende lag 1340. Det øvre bæreelement 1320 kan ha en lengde, bredde og høyde som varierer f.eks. fra omtrent 4.000 til 6.000 mikron, 400 til 600 mikron og 400 til 600 mikron. I en foretrukket utførelse har det øvre bæreelement 1320 en lengde, bredde og høyde på omtrent 4.900 mikron, 375 mikron og 400 mikron. ;Det venstre bæreelement 1330 er forbundet til bunnplaten 1305, det øvre bæreelement 1320, det nedre bæreelement 1325 og det ledende lag 1340. Det venstre bæreelement 1330 kan ha en lengde, bredde og høyde som f.eks. varierer fra omtrent 6.000 til 9.000 mikron, 400 til 600 mikron og 400 til 600 mikron. 1 en foretrukket utførelse har det venstre bæreelement 1330 en lengde, bredde og høyde på omtrent 6.800 mikron, 375 mikron og 400 mikron. ;Det nedre bæreelement 1325 er vesentlig identisk med det øvre bæreelement 1320 og det høyre bæreelement 1335 er vesentlig identisk med det venstre bæreelement 1330. ;I en foretrukket utførelse er bunnplaten 1305, det øvre bæreelement 1320 og det nedre bæreelement 1325, det venstre bæreelement 1330 og det høyre bæreelement 1335, utformet integrert. ;Det ledende lag 1340 strekker seg fortrinnsvis rundt kanten av oversiden av bunnelementet 220. Det ledende lag 1340 tilveiebringer fortrinnsvis en ledende elektrisk bane for bruk ved aktivering av speilsamleplaten 610 i speilet 210. Det ledende lag 220 kan være fremstilt av et konvensjonelt tilgjengelig materiale, f.eks. metall, polysilikon eller ledende epoksy. I en foretrukket utførelse er det ledende lag 1340 fremstilt av gull. Det ledende lag 1340 kan være koplet til den ledende bane 1345 på vanlig måte. ;Bunnelementet 220 kan være fremstilt av et konvensjonelt tilgjengelig materiale, f.eks. keramikk, silikon eller glass ved hjelp av et antall konvensjonelle fremstillingsmetoder. I en foretrukket utførelse er bunnelementet 220 fremstilt ved mikromaskinering og/eller tykkfilmtrykking av et keramisk substrat ved hjelp av en eller flere av utførelsene for mikromaskinering som beskrevet i nærværende beskrivelse. ;Bunnen 220 tilveiebringer fortrinnsvis elektrodeadgang til speilsamleplaten 610 for elektrostatisk aktivering og kapasitiv posisjonsavføling ved hjelp av drivputeelektroder 1310 og 1315. Utformingen og bruken av elektrostatisk aktivering og kapasitiv posisjoneringsavføling er kjent i faget. ;Metallringen 1340 rundt kanten av bunnelementet 220, i kombinasjon med ledende epoksybinding av bunnelementet 220 til bunnhetten 215, tilveiebringer fortrinnsvis elektrisk kontakt mellom bunnelementet 220 og bunnhetten 215. I en foretrukket utførelse lar platebindingsbehandlingen fortrinnsvis bunnhetten 215 å komme i direkte elektrisk kontakt med speilsamleplaten 610. Følgelig kan speilsamleplaten 610 fortrinnsvis nåes elektrisk, styres og overvåkes ved hjelp av bunnelementet 220. Den elektriske drivpute og speilkontakt metallisering, 1310A, 1315A og 1340 på bunnelementet 220 er fortrinnsvis tilkoplet elektriske konlaktputer på baksiden av bunnelementet 220 ved hjelp av konvensjonell teknologi for tykkfilm gjennom hull, noe som effektivt gjør at speilsammenstillingen 610 kan overflatemonteres. ;På fig. 16 er det vist en delsammenstillingen med topphetten 205 og speilet 210. Som vist på fig. 16 beskytter vandrestoppene 310 og 320 i topphetten 205, speilsamleplaten 610 mot støt i z-aksen og minimerer også skygging, overlapping av refleksoverflaten 628 i speilsamleplaten 610. Videre maksimerer sidekantutskjæringene 330 og 340 i topphetten 205 den optiske bane for den reflekterende overflate 628 i speilsamleplaten 610. ;På fig. 17 er det vist en delsammenstillingen med bunnhetten 215 og bunnelementet 220. Som vist på fig. 17 beskytter vandrestoppfingrene 1010 og 1020 speilsamleplaten 610 mot støt i z-aksen og maksimerer drivområdet for drivputeelektrodene 1310 og 1315. ;Under henvisning til fig. 18 vil det bli beskrevet en ekstra støtbeskyttelse av speilsammenstillingen 110. Som vist på fig. 18 omfatter fortrinnsvis alle de innvendige vegger av topphetten 205 og bunnhetten 215, skrå vegger. I en foretrukket utførelse kan speilsamleplaten 610 dreies ut av planet med omtrent 14° i begge retninger. I en foretrukket utførelse er klaringen mellom speilsamleplaten 610 og innerveggene av topphetten 205, bunnhetten 215 og bærekonstruksjonen for speilet 210, omtrent 60 ± 10 mikron for et dreieområde mellom -10° og +14E. Som også vist på fig. 18 beskytter vandrestoppene 320 og 1020 speilsamleplaten 610 mot støt i z-aksen. I en foretrukket utførelse er klaringen mellom speilsamleplaten 610 og vandrestoppene 320 og 1020 omtrent 20-60 mikron. ;Som vist på fig. 18 beskytter vandrestoppfingrene 310 og 320 topphetten 205 speilet 210 mot støt i z-aksen samtidig som skygging, overlapping av speilsamleplaten 610 og gir således den eksterne laser optisk adgang til mikrospeilet. Vandrestoppfingrene 310 og 320 er fortrinnsvis nedsenket til omtrent 20-60 mikron fra overflaten av topphetten 205, som fortrinnsvis setter mellomrommet speilsamleplaten 610 og vandrestoppfingrene 310 og 320 til omtrent 20-60 mikron i z-retningen. Skråveggene rundt innsiden av topphetten 205 er fortrinnsvis for å fange speilsamleplaten 610 under et inngangsstøt mens speilsamleplaten 610 dreies ut av plan. Venstre og høyre kantutskj æringer 330 og 340 i topphetten 205 gir fortrinnsvis en reduksjon i klippingen. Vandrestoppfingrene 1010 og 1020 for bunnhetten 215 beskytter fortrinnsvis speilsamleplaten 610 mot støt i z-aksen mens området for drivputeelektrodene 1310 og 1315 maksimeres. Vandrestoppfingerarrangementet i øvre og nedre hette 205 og 215 holder fortrinnsvis speilsamleplaten 610 i å foreta en translasjonsbevegelse i z-aksen samtidig som dreining av speilsamleplaten 610 rundt aksen 630 forbedres. ;Bunnhetten 215 omfatter også bjelkene 1025, 1040, 1045 og 1050 for å lette håndteringen av defekte speil under fremstillingsmetoden. ;Som vist på fig. 6, 6A, 6B og 6C, kopler utformingen av de T-formede hengsler 612 og 614 dreiefjærkonstantene fra translasjonsfjærkonstantene. På denne måte blir speilsamleplaten 610 optimalt beskyttet mot vibrasjon og støtbelastninger. ;På fig. 19 vil det nå bli beskrevet flere egenskaper ved speilsammenstillingen 110 for optimering av refleksjon av laserstråler. I et eksempel på utførelse av følersammenstillingen 110, blir en laserstråle A rettet mot speilsamleplaten 110 i en vinkel på 45° og fører til den reflekterte stråle B. For et skanningsområde på +10°, blir de reflekterte laserstråler bundet av strålene B' og B. For å unngå laserstråleklipping, minimerer skråveggene og kantutskj æringene 330 og 340 i topphetten 205, klipping av bestrålte og reflekterte laserstråler. Disse egenskapene er især fordelaktig i en situasjon hvor laserstrålen forskyves, hvilket fører til laserstrålen A' eller den reflekterte laserstråle ;B. ;Som vist på fig. 18 og 19 gir skråveggene i bunnhetten 215 optimal støtbeskyttelse for speilsamleplaten 610 og skråveggene i topphetten 305 minimerer klipping av innfallende og reflekterte laserstråler. ;En speilsammenstilling har blitt beskrevet som omfatter et speil, en topphette og en bunnhette. Speilet omfatter en speilbærekonstruksjon, et par T-formede hengsler koplet til speilbærekonstruksjonen og en speilplate koplet til T-formede hengsler. Speilplaten omfatter en eller flere vandrestopper for å begrense speilplatens bevegelse. Topphetten er koplet til en side av speilet. Topphetten omfatter en topphette bærekonstruksjon med en åpning for at lyset kan reflekteres fra speilplaten og en eller flere vandrestopper koplet til topphettens bærekonstruksjon for å begrense speilplatens bevegelse. Topphetten er koplet til en andre side av speilet. Bunnhetten omfatter en bærekonstruksjon for bunnhetten med en åpning og en eller flere vandrestopper koplet til bunnhettens bærekonstruksjon for å begrense speilplatens bevegelse. I en foretrukket utførelse omfatter speilbærekonstruksjonen et øvre bæreelement, et nedre bæreelement, et høyre bæreelement og et venstre bæreelement. I en foretrukket utførelse omfatter speilbærekonstruksjonen en åpning. I en foretrukket utførelse omfatter bærekonstruksjonen et par motstående utskjæringer. I en foretrukket utførelse er bærekonstruksjonens åpning komplementær i forhold til speilplaten. I en foretrukket utførelse varierer mellomrommet mellom kanten av bærekonstruksjonens åpning og speilplaten fra omtrent 15 til 180 mikron. I en foretrukket utførelse omfatter paret med T-formede hengsler et øvre T-formet hengsel og et nedre T-formet hengsel anbrakt i en åpning i forhold til det øvre T-formede hengsel. I en foretrukket utførelse omfatter speilplaten et plateelement med en første og andre side, en reflekterende overflate koplet til den første side av plateelementet, en fordypning anordnet i den andre side av plateelementet og et par vandrestopper koplet til den andre side av plateelementet. I en foretrukket utførelse omfatter plateelementets fordypning et V-formet tverrsnitt. I en foretrukket utførelse omfatter et plateelement og en eller flere av vandrestoppene som strekker seg fra plateelementet. 1 en foretrukket utførelse er vandrestoppene anbrakt i planet for plateelementet. I en foretrukket utførelse har plateelementets vandrestopper som er anbrakt i planet for plateelementet, en lengde og tykkelse som varierer fra omtrent 500 til 2.000 mikron og 200 til 600 mikron. I en foretrukket utførelse strekker plateelementet seg fra planet for plateelementet. I en foretrukket utførelse har plateelementets vandrestopper som strekker seg fra planet for plateelementet en lengde som varierer fra omtrent 200 til 250 mikron. I en foretrukket utførelse omfatter speilplaten et plateelement og flere vandrestopper som strekker seg fra plateelementet. I en foretrukket utførelse strekker minst et av plateelementets vandrestopper i planet for plateelementet og minst en av vandrestoppene som strekker seg i planet fra plateelementet. I en foretrukket utførelse omfatter hvert T-formet hengsel et første element og et andre element koplet til det første element. I en foretrukket utførelse står første og andre elementer vesentlig loddrett. 1 en foretrukket utførelse varierer lengden, bredden og tykkelsen av det første hengselelement fra omtrent 500 til 4.500 mikron, 10 til 100 mikron og 10 til 100 mikron. I en foretrukket utførelse varierer lengden, bredden og tykkelsen av det andre hengselelement fra omtrent 400 til 1.800 mikron, 2 til 35 mikron og 2 til 35 mikron. I en foretrukket utførelse tilveiebringer hvert T-formede hengsel en torsjonsfjær. I en foretrukket utførelse varierer fjærkonstanten fra omtrent 2X10"<9> til 10X10"<7> lbf-ft/radian. I en foretrukket utførelse er topphettens vandrestopper anbrakt i planet for topphettens bærekonstruksjon. I en foretrukket utførelse er tykkelsen av topphettens vandrestopper mindre enn tykkelsen av topphettens bærekonstruksjon. I en foretrukket utførelse omfatter åpningen i topphettens bærekonstruksjon et par motstående utskjæringer. I en foretrukket utførelse er utskjæringene skråvegger. I en foretrukket utførelse varierer vinkelen i skråveggene fra omtrent 55 til 60°. I en foretrukket utførelse omfatter topphettens åpning skråvegger. I en foretrukket utførelse varierer vinkelen i skråveggene fra omtrent 55 til 60°. I en foretrukket utførelse er bunnhettens vandrestopper anbrakt i planet for bunnhettens bærekonstruksjon. I en foretrukket utførelse er tykkelsen av bunnhetten vandrestopper mindre enn tykkelsen av bunnhettens bærekonstruksjon. I en foretrukket utførelse omfatter bunnhetten skråvegger. I en foretrukket utførelse varierer vinkelen i skråveggene fra omtrent 55 til 60°. I en foretrukket utførelse omfatter speilsammenstillingen videre et bunnelement koplet til bunnhetten. I en foretrukket utførelse omfatter bunnelementet en eller flere drivputer for aktivering av speilplaten. I en foretrukket utførelse omfatter bunnelementet et eller flere avfølingselementer for å avføle speilplatens posisjon. I en foretrukket utførelse omfatter bunnhetten videre elementer for å bære speilplaten under fremstillingen. I en foretrukket utførelse varierer lengden og tykkelsen av topphettens vandrestopper fra omtrent 800 til 2.800 mikron og 340 til 580 mikron. I en foretrukket utførelse varierer lengden og tykkelsen av bunnehettens vandrestopper fra omtrent 800 til 2.800 mikron og 340 til 580 mikron. I en foretrukket utførelse omfatter en eller flere av de T-formede hengsler el første element og et andre element koplet til det første element, hvor det andre element står loddrett på det første. I en foretrukket utførelse omfatter et eller flere av de T-formede hengsler et første element og et andre element koplet til det første element, hvor det andre element er slangeformet. I en foretrukket utførelse omfatter et eller flere av de T-formede hengsler et første element og et andre element koplet til det første element, hvor det andre element er forskjøvet i forhold til midten av det første element. I en foretrukket utførelse omfatter et eller flere av de T-formede hengsler et første element og et andre element koplet til det første element idet det andre element gjennomskjærer det første element i en spiss vinkel. I en foretrukket utførelse omfatter hvert T-formet hengsel en translasjonsfjærkonstant og en dreiefjærkonstant som er avkoplet fra hverandre. ;En speilsammenstilling har også blitt beskrevet som omfatter en bærekonstruksjon, et par T-formede hengsler koplet til bærekonstruksjonen og en speilplate koplet til de T-formede hengsler. Speilplaten omfatter en eller flere vandringsstoppere for å begrense speilplatens bevegelse. I en foretrukket utførelse omfatter hvert T-formede hengsel en dreiefjærkonstant og en translasjonsfjærkonstant som har avkoplet. I en foretrukket utførelse omfatter bærekonstruksjonen et øvre bæreelement, et nedre bæreelement, et høyre bæreelement og et venstre bæreelement. I en foretrukket utførelse omfatter bærekonstruksjonen en åpning. I en foretrukket utførelse omfatter åpningen et par motstående utskjæringer. I en foretrukket utførelse er åpningen komplementær i forhold til speilplaten. I en foretrukket utførelse er avstanden mellom kantene av åpningen og speilplaten mellom omtrent 15 og 180 mikron. I en foretrukket utførelse omfatter paret av T-formede hengsler et øvre T-formet hengsel og et nedre T-formet hengsel anbrakt motstående det øvre T-formede hengsel I en foretrukket utførelse omfatter speilplaten et plateelement med en første og en andre side, en reflekterende overflate koplet til den første side av plateelementet, en fordypning anordnet i den andre side av plateelementet og et par vandringsstopper koplet til den andre side av plateelementet. I en foretrukket utførelse er fordypningen V-formet. I en foretrukket utførelse omfatter speilplaten et plateelement og en eller flere vandringsstopper som strekker seg fra plateelementet. I en foretrukket utførelse er vandringsstoppene i planet for plateelementet. I en foretrukket utførelse har vandringsstoppene som er anbrakt i planet for plateelementet en lengde og tykkelse som varierer fra mellom 500 og 2.000 mikron og 200 og 600 mikron. I en foretrukket utførelse strekker vandringsstoppene seg fra planet for plateelementet. I en foretrukket utførelse har vandringsstoppene som strekker seg fra planet for plateelementet en lengde som strekker seg fra omtrent 200 til 250 mikron. I en foretrukket utførelse omfatter speilplaten et plateelement og flere vandringsstopper som strekker seg fra dette. I en foretrukket utførelse er minst en av vandringsstoppene anbrakt i planet for plateelementet og minst en av vandringsstoppene strekker seg fra planet for plateelementet. I en foretrukket utførelse omfatter hvert T-formede hengsel et første element og et andre element koplet til det første. 1 en foretrukket utførelse står det første og andre element vesentlig loddrett. I en foretrukket utførelse varierer lengden, bredden og tykkelsen av det første element fra omtrent 500 til 4.500 mikron, 10 til 100 mikron og 10 til 100 mikron. I en foretrukket utførelse varierer lengden, bredden og tykkelsen av det andre element fra omtrent 400 til 1.800 mikron, 20 til 35 mikron og 2 til 500 mikron. I en foretrukket utførelse tilveiebringer hvert T-formede hengsel en torsjonsfjær. I en foretrukket utførelse varierer fjærkonstanten fra omtrent 2X10"<9> til 10X10"<7> lbf-ft/radian. I en foretrukket utførelse omfatter et eller flere av de T-formede hengsler et første element og et andre element koplet til det første, hvor det andre element står loddrett på det første. I en foretrukket utførelse omfatter et eller flere av de T-formede hengsler et første element og et andre element koplet til det første, hvor det andre element er slangeformet. I en foretrukket utførelse omfatter et eller flere av de T-formede hengsler et første element og et andre element koplet til det første, hvor det andre element er forskjøvet i forhold til midten av det første element. I en foretrukket utførelse omfatter et eller flere av de T-formede hengsler et første element og et andre element koplet til det første, hvor det andre element gjennomskjærer det første element i en spiss vinkel. I en foretrukket utførelse blir speilsammenstillingen fremstilt ved hjelp av en eller flere fremgangsmåter for mikromaskinering og med sammensmeltede masker som beskrevet i denne beskrivelse. ;Et apparat har også blitt beskrevet som omfatter en eller flere T-formede fjærer og en masse koplet til de T-formede fjærer. I en foretrukket utførelse omfatter massen en reflekterende overflate. I en foretrukket utførelse omfatter massen en eller flere vandringsstopper for å begrense massens bevegelse. I en foretrukket utførelse omfatter apparatet videre en topphette koplet til toppen av massen, idet topphetten omfatter en eller flere vandringsstopper for å begrense massens bevegelse. I en foretrukket utførelse omfatter apparatet videre en bunnhette koplet til bunnen av massen, hvor bunnhetten omfatter en eller flere vandringsstopper for å begrense massens bevegelse. 1 en foretrukket utførelse omfatter apparatet videre en topphette koplet til toppen av massen og en bunnhette koplet til bunnen av massen, idet topp- og bunnhettene hver inneholder en eller flere vandringsstopper for å begrense massens bevegelse. I en foretrukket utførelse blir apparatet fremstilt ved hjelp av en eller flere mikromaskineringsfremgangsmåter med sammensmeltede masker som beskrevet i nærværende beskrivelse. I en foretrukket utførelse omfatter hvert T-formede hengsel en rotasjonsfjærkonstant og en translasjonsfjærkonstant som er avkoplet. I en foretrukket utførelse omfatter apparatet et akselerometer. I en foretrukket utførelse omfatter apparatet et gyroskop. ;Et apparat er også blitt beskrevet som omfatter et hus, en masse og en eller flere fjærer for kopling av massen til huset. Hver fjær omfatter en dreiefjærkonstant og en translasjonsfjærkonstant. Rotasjonsfjærkonstanten er avkoplet fra translasjonsfjærkonstanten. I en foretrukket utførelse blir fjærene fremstilt ved hjelp av en fremgangsmåte som omfatter mikromaskinering av et substrat. I en foretrukket utførelse blir huset, massen og fjærene fremstilt ved hjelp av en fremgangsmåte som omfatter mikromaskinering av et substrat. I en foretrukket utførelse omfatter hver fjær flere fjærer. I en foretrukket utførelse er hver fjær T-formet. I en foretrukket utførelse omfatter apparatet videre en topphette koplet til toppen av huset med en topphetteutskjæring og en bunnhette koplet til bunnen av huset med en bunnhetteutskjæring. Topp- og bunnhetteutskjæringene begrenser massens bevegelse når massen dreies vekk fra sin hvilestilling. I en foretrukket utførelse omfatter hver utskjæring skrå sidevegger. I en foretrukket utførelse blir skråveggene dreiet fra vertikalt i en vinkel som varierer fra omtrent 15 til 45°. ;En fremgangsmåte for elastisk bæring av en masse i et hus er også blitt beskrevet, som omfatter kopling av massen til huset ved hjelp av en eller flere fjærer med translasjonsfjærkonstanter og dreiefjærkonstanter og som avkopler translasjonsfjærkonstanten fra dreiefjærkonstanten. I en foretrukket utførelse blir fjærene fremstilt ved hjelp av en fremgangsmåte som omfatter mikromaskinering av et substrat. I en foretrukket utførelse blir huset, massen og fjærene fremstilt ved hjelp av en fremgangsmåte som omfatter mikromaskinering av et substrat. I en foretrukket utførelse omfatter hver fjær flere fjærer. I en foretrukket utførelse er hver fjær T-formet. 1 en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre en begrensning av massens bevegelse når den dreies fra en hvilestilling. I en foretrukket utførelse omfatter begrensningsbevegelsen av massen når den dreies fra hvilestillingen, begrenset translasjon av massen når den dreies fra hvilestillingen. ;En fremgangsmåte for elastisk bæring av en masse i et hus er også blitt beskrevet som omfatter en begrenset translasjonsbevegelse av massen i X-, Y- og Z-retningene og som begrenser massens dreiebevegelse. I en foretrukket utførelse fremstilles huset og massen ved hjelp av en fremgangsmåte som omfatter mikromaskinering av et substrat. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre en begrensning av massens bevegelse når den dreies fra en hvilestilling. I en foretrukket utførelse omfatter massens begrensningsbevegelse når den dreies fra en hvilestilling en begrenset translasjon av massen når den dreies fra hvilestillingen. ;Et apparat har også blitt beskrevet som omfatter et hus og en masse som er elastisk koplet til huset, idet massen omfatter en eller flere vandringsstopper for å begrense dreining og translasjonsbevegelse av massen. I en foretrukket utførelse omfatter huset en åpning for å motta massen som begrenser massens translasjonsbevegelse. I en foretrukket utførelse omfatter apparatet videre en topphette koplet til toppen av huset og en bunnhette koplet til bunnen av huset. Topp- og bunnhetten begrenser massens bevegelse når den dreies ut fra sin hvilestilling i huset. I en foretrukket utførelse omfatter topp- og bunnhettene utskjæringer. I en foretrukket utførelse omfatter hver utskjæring skrå sidevegger. I en foretrukket utførelse blir skråsidene dreiet fra den vertikale retning i en vinkel som varierer fra omtrent 15 til 45°. ;Et apparat har også blitt beskrevet som omfatter et hus med en åpning som omfatter en eller flere utskjæringer og en reflekterende overflate som er elastisk koplet til huset. I en foretrukket utførelse omfatter hver utskjæring skrå sidevegger. I en foretrukket utførelse blir de skrå sideveggene dreiet fra den vertikale retning i en vinkel som varierer fra omtrent 15 til 45°. 1 en foretrukket utførelse er huset og den reflektive overflate fremstilt ved hjelp av en fremgangsmåte som omfatter mikromaskinering av et substrat. ;En fremgangsmåte for å reflektere lysstråler er også blitt beskrevet som omfatter en reflekterende overflate og en optisk bane for å nå den reflekterende overflate med en eller flere utskjæringer for å minimere klipping av en fallende og reflektert lysstråle. I en foretrukket utførelse omfatter den optiske bane sidevegger som dreies fra den vertikale retning i en vinkel fra omtrent 15 til 45°. I en foretrukket utførelse fremstilles den optiske bane og reflekterende overflate ved hjelp av en fremgangsmåte som omfatter mikromaskinering av et substrat. ;På fig. 20, i en foretrukket utførelse, omfatter fremstillingen av speilsammenstillingen 110 trinnene: (1) speilplatebehandlingen 2005, (2) keramisk bunnplatebehandling 2010, (3) topp/bunn-hetteplatebehandling 2015, (4) gullbinding av hetteplatene til speilplaten for å fremstille en speilplatestabel 2020, (5) ledende epoksybinding av den keramiske bunnplate til speilplatestabelen for å utforme en pakket speilplatestabel 2025, (6) pressforme den pakkede speilplatestabel 2030 og (7) prøve den pakkede speilformen 2035. ;Speilplatefremgangsmåten 2005 omfatter fortrinnsvis speilet 210. I en foretrukket utførelse, som vist på fig. 21a og 21b, omfatter fortrinnsvis speilplatefremgangsmåten 2005 trinnene: (1) tilveiebringing av en silikonplate i trinnene 2105, (2) dyrke putelag av silikondioksid på begge sider av silikonplaten i trinn 2110, (3) påføre lag av silikonnitrid til begge sider av silikonplaten i trinn 2115, (4) mønstre silikonnitridlaget på baksiden av silikonplaten i trinn 2120, (5) etse de eksponerte områder av silikondioksid på baksiden av silikonplaten i trinn 2125, (6) tynnetse de eksponerte områder av silikon på baksiden av silikonplaten i trinn 2130, (7) dyrke et feltlag med silikondioksid på områdene av baksiden av platen som ikke er dekket av laget av silikonnitrid i trinn 2135, (8) mønstre feltlaget av silikondioksid på baksiden av silikontrinnet i trinn 2140, (9) KOH-etse de eksponerte deler av silikon på baksiden av silikonplaten i trinn 2150. (10) etse de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid på baksiden av silikonplaten i trinn 2155, (11) KOH-etse de eksponerte deler av silikon på baksiden av silikonplaten og strippe silikonnitridlagene på begge sider av silikonplaten i trinn 2160, (12) fotolitografere de eksponerte deler av silikondioksidlaget på forsiden av silikonplaten i trinn 2165, (13) etse silikondioksidlagene på begge sider av silikonplaten i trinn 2170, (14) deponere gull på forsiden av silikonplaten i trinn 2175, (15) fotolitografere og etse gullaget på forsiden av silikonplaten i trinn 2180, (16) påføre et fotoresistlag på forsiden av silikonplaten i trinn 2185, (17) fotolitografere og etse fotoresistlaget på forsiden av silikonplaten i trinn 2190, (18) dypreaktiv ionetse (DRIE) de eksponerte deler av silikon på forsiden av silikonplaten i trinn 2192, (19) etse de eksponerte deler av silikondioksidlaget på forsiden av silikonplaten i trinn 2194, (20) dypreaktiv ionetse (DRIE) de eksponerte deler av silikon på forsiden av silikonplaten i trinn 2196 og (21) plasmastrippe fotoresistlaget på forsiden av silikonplaten i trinn 2198. ;Som det vil fremgå for en fagmann og som har dratt fordel av nærværende beskrivelse, angår mønstring de etterfølgende operasjoner med konvensjonell fotolitografering og etsning for å frembringe mønster i et materiallag eller substrat. Som det også vil fremgå for en fagmann og etter å ha lest beskrivelsen, angår etsning fjerning av minst en del av de eksponerte deler av et lag materiale eller substrat. ;I en foretrukket utførelse er DRIE-metoden tilveiebrakt vesentlig som beskrevet i US patentskrift nr. 5 498 312 og 5 501 893, og som det henvises til her. ;Som vist på fig. 2, i fremgangsmåtens trinn 2105, er det tilveiebrakt en silikonplate 2205 med en forside 2205a og en bakside 2205b. I en foretrukket utførelse omfatter silikonplate 2205 en silikonplatetykkelse 400 mikron. 1 en foretrukket utførelse mottar silikonplaten 2205 en doping av boron-dopet epi på forsiden av silikonplaten 2205. Tungt dopede boron-silikon-lag danner en etsestopp for KOH. I en foretrukket utførelse er dopingen av boron-dopet epi på forsiden av silikonplaten 2205 tilveiebrakt for en dybde på omtrent 7 mikron. ;I en foretrukket utførelse er utgangsmaterialspesifikasjonene for topp/bunnhetten og speilplatene dobbeltsidet polert, tykkelseskontroll på 400 ± 7,5 mikron og en dopingskonsentrasjon på 10 cm" boron. For speilplater blir utgangsplatene fortrinnsvis belagt med 7 mikron tungt, borondopet epi på forsiden og platene blir så polert tilbake til omtrent 400 mikron utgangstykkelse. I en foretrukket utførelse går den elektriske forbindelse fra den frigjorte speilsamleplaten 610 til det keramiske bunnelement 220 gjennom tykkelsen i speilplaten og bunnhetteplaten. Den høye dopingkonsentrasjon av disse platene gir en optimal og god, ohmsk, elektrisk kontakt mellom speil/bunn-hetten og bunnhette/bunnelementmetalliseringen. I en alternativ utførelse er det tilveiebrakt en dobbeltsidet implantering av bunnhetten 220 og baksideimplantering av speilet 210. ;I fremgangsmåtens trinn 2110, blir så putelag 2210a og 2210b av silikondioksid dyrket på begge sider av silikonplaten 2205. Lagene 2210a og 2210b av silikondioksid kan dyrkes ved hjelp av konvensjonelt tilgjengelige fremgangsmåter. I en foretrukket utførelse blir lagene 2210a og 2210b av silikondioksid dyrket ved hjelp av termisk oksidering. Lagene 2210a og 2210b av silikondioksid kan dyrkes til dybder som varierer f.eks. fra 300 til 10.000 Angstrom. I en foretrukket utførelse blir lagene 2210a og 2210b av silikondioksid dyrket til dybder som varierer fra omtrent 3.000 til 6.000 Angstrom. Putelagene 2210a og 2210b gir et bufferlag av silikondioksid mellom lagene 2215a og 2215b av silikonnitrid og overflaten av silikonplaten 2205. ;I fremgangsmåtens trinn 2115, blir så lagene 2215a og 2215b av silikonnitrid, deretter påført lagene 2210a og 2210b av silikondioksid. Lagene 2215a og 2215b av silikonnitrid kan påføres ved hjelp av en kommersielt tilgjengelig fremgangsmåte. I en foretrukket utførelse blir lagene 2215a og 2215b av silikonnitrid påført ved hjelp av kjemisk damppåføring. Lagene 2215a og 2215b av silikonnitrid kan påføres til dybder som f.eks. varierer fra omtrent 1.000 til 20.000 Angstrom. I en foretrukket utførelse blir lagene 2215a og 2215b av silikonnitrid påført til dybder som varierer fra omtrent 1.200 til 1.500 Angstrom. ;Som vist på fig. 23, i fremgangsmåtens trinn 2120, blir lagene 2215b av silikonnitrid deretter etset for å avdekke deler av putelaget 2210b av silikondioksid. De uetsede deler av laget 2215b av silikonnitrid gir beskyttelse for områdene på baksiden 2205b av silikonplaten 2205 som ikke skal etses og som fortrinnsvis omfatter bærekonstruksjonen for speilet 210 og vandrestoppene 710 og 715 på speilsamleplaten 610. ;Som vist på fig. 23a, i fremgangsmåtens trinn 2125, blir de eksponerte deler av putelaget 2210b silikondioksid, deretter etset på de eksponerte deler av baksiden 2205 av silikonplaten. ;Som vist på fig. 23, i fremgangsmåtens trinn 2130 og 2135, blir de eksponerte deler av baksiden 2205 av silikonplaten tynnetset og deretter blir et feltlag 2210c av silikondioksid dyrket på områdene av baksiden 2205 av silikonplaten som ikke er dekket av laget 2215b av silikonnitrid. I en foretrukket utførelse varierer dybden av tynnetsingen av baksiden 2205 av silikonplaten fra omtrent 0,5 til 1,5 mikron for optimalt å lette veksten av laget 2210c av feltoksid. I en foretrukket utførelse er tykkelsen av feltlaget 2210c av silikondioksid større enn, eller lik den samlede tykkelse av putelaget 2210a av silikondioksid og laget 2210b av silikonnitrid. ;Som vist på fig. 24, i fremgangsmåtens trinn 2140, blir de eksponerte deler av feltlaget 2210c av silikondioksid deretter etset på de eksponerte deler av baksiden 2205b av silikonplaten 2205. Disse eksponerte deler av baksiden 2205b av silikonplaten 2205 blir fortrinnsvis deretter etset ned til det 7-mikron tykke epi laget i etterfølgende bearbeidingstrinn. I en foretrukket utførelse tilveiebringer 7-mikron epi-laget en kjemisk etsestopp. ;De etsede lag 2210c og 2215b av silikondioksid og silikonnitrid tilveiebringer fortrinnsvis etsemasker for flere etsedybder. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av silikonplaten 2205 først etset til en første dybde gjennom åpningene i etsefeltlaget 2210c av silikondioksid. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av etsefeltlaget 2210c av silikondioksid deretter fjernet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av silikonplaten deretter etset til en andre dybde gjennom åpningene i det etsede 2215b av silikonnitrid. På denne måte tilveiebringer fortrinnsvis bearbeidingstrinnene 2110-2160 en lokalisert oksidering av silikon (LOCOS)-mikromaskineringsmetode med sammensmeltede masker. Som det vil fremgå for en fagmann og av den følgende beskrivelse, angår LOCOS den lokaliserte vekst av silikondioksid på et substrat. I en alternativ utførelse blir tilleggsmaskering tilveiebrakt for å gjøre det mulig å mikromaskinere ekstra etsedybder. I en alternativ utførelse omfatter maskeringslagene vekslende lag av silikondioksid og silikonnitrid. ;Som vist på figurene 25 og 26, i fremgangsmåtens trinn 2150, blir baksiden 2205b av silikonplaten deretter etset ved hjelp av KOH. I en foretrukket utførelse blir baksiden 2205b av silikonplaten deretter etset ved hjelp av KOH til en dybde på 190 mikron. KOH-etsemetoden danner fortrinnsvis hengsler 612 og 614, speilsamleplaten 610 og hulrommet 720 i speilsamleplaten 610. ;Som vist på fig. 27 og 28, i fremgangsmåtens trinn 2155 og 2160, blir de eksponert deler av feltlaget 2210c av silikondioksid på baksiden 2205b av silikonplaten 2205 fjernet. De eksponerte deler av baksiden 2205b av silikonplaten 2205 blir deretter etset ved hjelp av KOH til en dybde på 200 mikron. KOH-etsemetoden kan ha fortrinnsvis hengslene 612 og 614, speilsamleplaten 610 og hulrommet 720 i speilsamleplaten 610. Endelig blir de gjenværende deler av lagene 2215a og 2215b av silikonnitrid deretter fjernet fra begge sider av silikonplaten 2205. Det tungt boron dopede epi-laget tilveiebrakt i silikonplaten 2205 gir en kjemisk etsestopp for KOH-metoden. På denne måte formes hulrommet 720 i speilsamleplaten 610 og de T-formede hengselområder 612 og 614. ;I en alternativ utførelse dannes hulrommet 720 i speilsamleplaten 610 av åpninger tilveiebrakt i maskeringslagene som brukes for å utforme hulrommet 720. I en alternativ utførelse har hulrommet 720 i speilsamleplaten 610 et V-formet tverrsnitt. ;Som vist på fig. 21a, i fremgangsmåtens trinn 2110-2160, er det tilveiebrakt en lokalisert oksidering av silikon (LOCOS)-KOH-mikromaskineringsprosess med sammensmeltede masker hvor maskene som kreves for å etse flere forskjellige etsedybder av silikonplaten 2205 skjer ved å påføre flere etsebestandige lag og etse disse lagene til flere maskeringslag. Som det vil fremgå for en fagmann og etter å ha lest nærværende beskrivelse, gjelder LOCOS den lokaliserte oksidering av et substrat eller lag som inneholder silikon for å frembringe et overliggende lag av silikondioksid. Dette gjør det mulig å definere områder med forskjellig topologi med bare en litografi og flere etsesykluser. ;Som vist på fig. 29a og 29b, i fremgangsmåtens trinn 2165 og 2170, blir putelaget 2210a av silikondioksid på forsiden 2205a av silikonplaten 2205 deretter maskert og etset for å danne en del av etsemasken for speilsamleplaten 610 på forsiden 2205a av silikonplaten 2205. De gjenværende, eksponerte deler av putelaget 2210b av silikondioksid på baksiden 2205b av silikonplaten, blir også etset. ;Som vist på fig. 30a og 30b, i fremgangsmåtens trinn 2175, blir et lag 3005 av gull påført forsiden 2205a av silikonplaten 2205. Laget 3005 av gull blir så mønstret i trinn 2180 for å frembringe den reflekterende overflate 628 av speilsamleplaten 610 og det yre, ledende lag 626 for trykksammenføyning av speilet til topphetten. I en foretrukket utførelse blir laget 3005 av gull bundet til forsiden 2205a av silikonplaten 2205 ved hjelp av et mellomliggende lag av titan. ;Som vist på fig. 30c og 30d i fremgangsmåtens trinn 2185 og 2190, blir et lag 3010 av fotoresist påført og mønstret på forsiden 2205a av silikonplaten 2205. Det mønstrede lag 3010 av fotoresist blir så brukt som en etsemaske for etsning og definering av de T-formede hengsler 612 og 614 og speilsamleplaten 610. ;Som vist på fig. 31 og 32, i fremgangsmåtens trinn 2192, 2194, 2196 og 2198, blir de eksponerte deler av forsiden 2205a av silikonplaten deretter etset ved hjelp av en dypreaktiv ionetsning (DRIE) av det eksponerte silikon på forsiden 2205a av silikonplaten til en dybde på 190 mikron for å danne speilsamleplaten 610. De eksponerte deler av laget 210a av silikondioksid blir deretter etset. Forsiden 2205a av silikonplaten 2205 blir så etset ved hjelp av en dyp, reaktiv ionetsning (DRIE) til en dybde på 10 mikron for å danne de T-formede hengsler. Endelig blir fotoresistlaget fjernet fra forsiden 2205a av silikonplaten 2205.1 en foretrukket utførelse danner DRIE utført i trinn 2192 og 2196 sidevegger med en vinkel på 90E ± 45E i forhold til horisontalt. ;De etsede lag av silikondioksid og fotoresist på forsiden 2205a av silikonsubstratet 2205 gir fortrinnsvis etsemasker for flere etsedybder. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av silikonplaten 2205 først etset til en første dybde gjennom åpningene i etseputelaget 2210a av silikondioksid. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av etselaget 2210a av silikondioksid deretter fjernet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av silikonplaten 2205 deretter etset til en andre dybde gjennom åpningene i det etsede lag av fotoresist. På denne måte tilveiebringer fremgangsmåtens trinn 2155-2185 en mikromaskineringsprosess med sammensmeltede masker som anvender fotoresistlaget som en etsemaske. ;Som vist på fig. 21a og 21b, tilveiebringer fremgangsmåtens trinn 2110-2160 også en våt KOH-mikromaskineringsfremgangsmåte med sammensmeltede masker mens fremgangsmåtens trinn 2165-2198 tilveiebringer en tørr DRIE-mikromaskineringsfremgangsmåte med sammensmeltede masker. Generelt tilveiebringer fremgangsmåtens trinn 2110-2160 en mikromaskineringsfremgangsmåte med sammensmeltede masker som omfatter trinnene: (1) tilveiebringe et silikonsubstrat; (2) påføre et bufferlag av silikondioksid på silikonsubstratet; 3) påføre et maskeringslag på bufferlaget; (4) mønstre buffer- og maskeringslaget; (5) tynnetse de eksponerte deler av silikonsubstratet; (6) dyrke et feltlag av silikondioksid på de eksponerte deler av silikonsubstratet; (7) mønstre feltlaget av silikondioksid; (8) etse de eksponerte deler av silikonsubstratet ved hjelp av feltoksid som etsemaske; (9) fjerne de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid; og (10) etse de eksponerte deler av silikonsubstratet ved hjelp av silikonnitrid som etsemaske. Især tilveiebringer fremgangsmåtens trinn 2165-2198 en mikromaskineringsfremgangsmåte med sammensmeltede masker som omfatter trinnene; (1) tilveiebringe et silikonsubstrat; (2) påføre et første maskeringslag på silikonsubstratet; 3) mønstre det første lag av maskeringsmateriale; (4) påføre et andre maskeringslag på det mønstrede første lag av maskeringsmateriale; (5) etse de eksponerte deler av silikonsubstratet; (6) fjerne de eksponerte deler av det første lag av maskeringsmateriale; (7) etse de eksponerte deler av silikonsubstratet; og (8) fjerne de eksponerte deler av det andre lag av maskeringsmateriale. ;Som vist på fig. 21a-32, i en foretrukket utførelse, begynner fremstillingen av speilet ved å forsyne en 400-mikron silikonplate 2205 med 7-mikron av tungt borondopet epi anbrakt på forsiden. Silikonplaten 2205 har så lag med silikondioksid 2210 og silikonnitrid 2215 anbrakt på begge sider av silikonplaten 2205 for å utforme en etsemaske for våt KOH-etsning. På baksiden av platen 2205, blir silikonnitridlaget 2215b mønstret for å beskytte områdene som skal forbli uetset (dvs. speilrammeområdet og Z-vandrestoppegenskapene). Det underliggende, eksponerte puteoksidlag 2210b blir så etset for å avdekke baksiden 2205b av silikonplaten 2205. De eksponerte deler av baksiden 2205b av silikonplaten 2205 blir så tynnetset til en dybde på omtrent 1 mikron. Et lag 2210c av feltoksid blir så dyrket på baksiden 2205b av silikonplaten 2205. Feltoksidlaget 2210c blir så mønstret for å avdekke de områder som skal etses ned til epi-laget. Silikonplaten 2205 blir så plassert i vått KOH-etsemiddel som etser de eksponerte silikonområder og ikke etser de områder som er beskyttet med enten silikondioksid eller silikonnitrid. Det eksponerte silikon blir da etset til en dybde på 190 mikron. Det eksponerte silikondioksidfeltlaget 2210c blir så etset vekk og etterlater silikonnitridbeskyttede områder som tynnetsede masker. Silikonplaten 2205 blir så plassert tilbake i det våte KOH-etsemiddelet og etset i enda 200 mikron. Områdene som tidligere ble etset i den første runde av KOH-etsningen stopper etsningen når det tungt boron-dopede epi-laget nåes og disse områdene danner hulrommet 720 og de T-formede hengselområder. Tungt-dopede borede silikonlag danner en kjemisk etsestopp for KOH. Derfor blir de nylig eksponerte silikonområder etset til en dybde på 200 mikron under denne andre runde av KOH-etsning og danner speilsamleplaten 610 med halv tykkelse. Denne KOH-metode med sammensmeltede masker lar områder med forskjellige etsetopologier defineres med bare en litografi- og etsesyklus. Denne fremstillingsmetode unngår de betydelige ustabiliteter i forbindelse med konvensjonell dyp-hulromslitografi. ;Som vist på fig. 21a, 31 og 32, brukes en fremgangsmåte for dypreaktiv ionetsning (DRIE) tørretsning med mikromaskinering for å danne de T-formede hengsler 612 og 614 og frigjøre speilsamleplaten 610 fra rammen 602, 604, 606 og 608. I en foretrukket utførelse gir DRIE-tørretsningen minimal sideveis underskj æring og gir nesten vertikale sideveggprofiler. På denne måte gir DRIE-tørretsningen optimale X-åpninger og Y-åpninger mellom speilsamleplaten 610 og rammen 602, 604, 606 og 608 som optimalt fungerer som støtvandrestoppere for speilsamleplaten 610.1 en foretrukket utførelse er X-åpnings og Y-åpnings-sideveggprofilene i speilsamleplaten 610 og bærerammen 602, 604, 606 og 608 vesentlig vertikale. I en foretrukket utførelse er X-åpningen og Y-åpningen mellom speilsamleplaten 610 og bærekonstruksjonen 602, 604, 606 og 608 opprettholdt for alle dreieretninger av speilsamleplaten 610. På denne måte blir speilsamleplaten 610 støtstoppet av rammen 602, 604, 606 og 608. For mye skråning av speilsamleplaten 610 eller sideveggene i rammen 602, 605, 606 og 608, gjør X-åpningene eller Y-åpningene effektivt større for en gitt dreievinkel og vil derfor ikke gi så stor støtbeskyttelse for de T-formede hengsler 612 og 614. I en foretrukket utførelse er graden av skråning av speilsamleplaten 610 eller sideveggene i rammen 602, 604, 606 og 608, omtrent 54,7E. ;I en foretrukket utførelse er frigjøringsetsemetoden for speilsamleplaten 610 og etsningen for T-formede hengsler 612 og 614 avkoplet. I et eksempel på utførelse er den T-formede hengseletsning bare 10 mikron dyp og speilsamleplatens frigjøringsetsedybde er 200 mikron. Hvis etsningene blir foretatt samtidig, ville hengslene 612 og 614 være utsatt for en tilleggetsning på 190 mikron som kan føre til sideveis underskj æring, baksideetsning og sideveggsskråning som påvirker hengslenes 612 og 614 støtevne. ;Siden speilsamleplaten 610 videre ikke er beskyttet av topp/bunn-hetteplater før gullbinding av speilplaten 210 til topp/bunnhettene 205 og 215, når speilsamleplaten 610 blir DRIE-tørretsefrigjort, er speilsamleplatene 610 ømtålelige og kan fritt bevege seg i X, Y, Z og theta. Følgelig har håndteringen av den frigjorte speilsamleplatens plater en kritisk innflytelse på ettergivenheten. Dessuten vil det alltid være en mulighet at enkelte "defekte" speil 210, hvis hengsler 612 og 614, blir kompromittert, slik at de ikke lenger kan bære speilsamleplaten 610 etter DRIE-tørretsefrigjøringsbehandlingen. ;Som vist på fig. 21a og 21b, brukes fortrinnsvis en DRIE-behandling med sammensmeltede masker for å mikromaskinere de T-formede hengsler 612 og 614 og frigjøre speilsamleplaten 610. DRIE-behandlingen med sammensmeltede masker omfatter fortrinnsvis en kompositt silikondioksid- og fotoresistmaske som danner forskjellige etseområder for en 2-faset DRIE-tørretsebehandling. I en foretrukket utførelse blir den eksponerte silikondioksidmaske strippet før den andre fase av DRIE-tørretsebehandlingen. 1 en foretrukket utførelse blir speilplatens frigjøringsetsning definert i fotoresist og hengselfrigjøringsområdene beskyttes av en silikondioksidmaske. I et eksempel på utførelsen etser den første fase av DRIE-tørretsebehandl ingen speilsamleplatens frigjøringsbaner til en dybde på 190 mikron. I en foretrukket utførelse blir silikondioksidmasken deretter selektivt fjernet ved våtetsning. I et eksempel på utførelse bruker den andre fase av DRIE-tørretsebehandlingen en 10 mikron dyp etsning for å frigjøre speilsamleplaten 610 fullstendig og også frigjøre de T-formede hengsler 612 og 614. DRIE-tørretsebehandlingen med sammensmeltede masker avkopler den dype speilsamleplatens frigjøringsetsning fra den grunne T-formede hengselfrigjøringsetsning. Dette gjør at de to etsebehandlingene optimalt og individuelt kan optimeres for en nær vertikal sideveggsprofil med minimal underskjæring og ingen baksidehengseletsning. ;I en alternativ utførelse blir speilsamleplaten 610 beskyttet etter frigjøringsetsningsbehandlingen gjennom påfesting av en midlertidig ryggplate som forsyner speilsamleplaten 610 med strukturstøtte og dessuten fanger opp eventuelle defekte speilsamlingsplater. 1 en alternativ utførelse blir speilsamleplaten 610 beskyttet etter frigjøringsetsningen ved å bruke bunnhettens 215 plate som ryggplate. I en foretrukket utførelse blir bunnhettens 215 plate gullsveiset til speilets 210 plate før DRIE-tørretsebehandlingen. I en alternativ utførelse, under DRIE-tørretsebehandlingen, gir bunnhetten 215 strukturstøtte for speilsamleplaten 610 og bjelkene 1035, 1040, 1045 og 1050 griper eventuelle defekte speilsamleplater 610 og hindrer dem fra å bli etterlatt inne i etsekammeret. I en foretrukket utførelse blir topphetten 205 deretter gullsveiset til speilplatens/bunnhettens platestabel etter DRIE-tørretsebehandling. ;Fremstillingen av speilsammenstillingen 110 anvender fortrinnsvis en eller flere av de følgende fremgangsmåter: KOH-våtetsning med sammensmeltede masker, DRIE-tørretsning med sammensmeltede masker, gullautektisk sveising av hetteplater til speilplaten og platenivå, ledende epoksy-sveising av den keramiske plate til speilplatestabelen. Behandlingsmodulenes fokus og hele fremstillingsgangen forbedres produksjonsmessig og gir reduserte produksjonskostnader. ;I en foretrukket utførelse omfatter DRIE-tørretsebehandlingen med sammensmeltede masker videre en eller flere fremstillingsmuligheter for håndtering av speilet 210 under fremstillingen. ;I en alternativ utførelse blir speilplatene 210 festet til en midlertidig ryggplate for DRIE-tørretsebehandlingen med sammensmeltede masker. Ryggplaten fanger opp eventuelle "defekte" speilsamleplater på grunn av den automatiserte platebehandlingen. Etter DRIE-tørretsningen med sammensmeltede masker og fjerning av ryggplaten, blir begge hetter 205 og 215 deretter sveiset til speilplaten 210 i et gullsveisetrinn. ;I en annen, alternativ utførelse blir speilsamleplaten 610 sveiset til bunnhetteplaten 215 før DRIE-etsebehandlingen med sammensmeltede masker. Bunnhetten 215 fanger opp eventuelle defekte speilsamleplater 610 under DRIE-tørretsebehandlingen og virker derfor som en innebygget ryggplate. Etter fullføringen av DRIE-tørretsebehandlingen med sammensmeltede masker, blir topphetten 205 gullsveiset til den kompositt speil/bunnhetteplatestabel. ;Den keramiske bunnplatebehandling 2010 tilveiebringer fortrinnsvis bunnelementet 220. I en foretrukket utførelse blir bunnelementet 220 fremstilt ved hjelp av konvensjonelle, keramiske maskineringsmetoder. ;Topp/bunnhetteplatebehandlingen 2015 tilveiebringer fortrinnvis topphetten 205 og bunnhetten 215. Som vist på fig. 33 omfatter topp/bunnhetteplatebehandlingen 2015 fortrinnsvis trinnene: (1) tilveiebringe 400 mikron tykke silikonplater med putelag av silikondioksid og lag av silikonnitrid på begge sider i trinn 3305, (2) fotolitografering av forsiden av silikonplatene for de midtre fordypninger i trinn 3310, (3) etse de eksponerte deler av lagene av silikonnitrid og putelagene av silikondioksid på forsiden av silikonplatene i trinn 3315, (4) tynnetse de eksponerte områder av silikon på forsidene av silikonplatene i trinn 3320, (5) dyrke feltlag av silikondioksid på de tynnetsede deler av forsidene av silikonplatene i trinn 3325, (6) fotolitografere forsiden av silikonplatene for vandrestoppene i trinn 3330, (7) etse de eksponerte deler av feltlagene av silikondioksid på forsidene av silikonplatene i trinn 3335, (8) fotolitografere baksiden av silikonplatene for vandrestoppene i trinn 3340, (9) etse de eksponerte deler av putelagene av silikondioksid og lagene av silikonnitrid på baksiden av silikonplaten i trinn 3345, (10) KOH-etse det eksponerte silikon på begge sider av silikonplatene til en dybde av 150 mikron i trinn 3350, (11) etse de eksponerte feltlag av silikondioksid på begge sider av silikonplatene i trinn 3355, (12) KOH-etse de eksponerte deler av silikon på begge sider av silikonplatene til en dybde på 50 mikron i trinn 3360, (13) strippe lagene av silikonnitrid på begge sider av silikonplatene i trinn 3365, (14) etse de eksponerte lag av silikondioksid på begge sider av silikonplatene i trinn 3370, (15) anbringe et lag av gull på forsiden av bunnhetten i trinn 3375 og (16) anbringe et lag av gull på baksiden av bunnhetten i trinn 3380. ;Som vist på fig. 34, i bearbeidingstrinnet 3305, blir silikonplater 3405 tilveiebrakt med en forside 3405a og en bakside 3405b. I en foretrukket utførelse omfatter silikonplatene 3405 400 mikron tykke plater av silikon. I behandlingstrinnet 3305, blir putelagene 3410a og 3410b av silikondioksid deretter dyrket på begge sider av silikonplatene 3405. ;I en foretrukket utførelse er utgangsmaterialspesifikasjonene for topp/bunnhetten og speilplatene dobbeltsidet polering, tykkelsekontroll av 400 + 7,5 mikron og en doping konsentrasjon på 1018cm"<3>boron. For speilplater blir utgangsplaten fortrinnsvis påført 7 mikron tungt borondopet epi på forsiden og platen blir deretter polert tilbake til en tykkelse på omtrent 400 mikron utgangstykkelse. I en foretrukket utførelse skjer den elektriske tilkopling fra den frigjorte speilsamleplate 610 til det keramiske bunnelement 220 gjennom tykkelsen av speilplaten og bunnhetteplaten. Den høye doping av disse platene tilveiebringer optimalt en god, ohmsk elektrisk kontakt mellom speil/bunn-hetten og bunnhette/bunnelement metallisering. I en alternativ utførelse er det tilveiebrakt en dobbeltsidet implantering av bunnhetten 220 og baksideimplementering av speilet 210. ;Putelagene 3410a 3410b av silikondioksid kan dyrkes ved hjelp av et antall konvensjonelt tilgjengelige fremgangsmåter. I en foretrukket utførelse blir lagene 3410a og 3410b av silikondioksid dyrket ved hjelp av termisk oksidering. Lagene 3410a og 3410b av silikondioksid kan dyrkes til dybder som varierer f.eks. fra omtrent 300 til 10.000 Angstrom. I en foretrukket utførelse blir lagene 3410a og 3410b av silikondioksid dyrket til dybder fra omtrent 300 til 600 Angstrom. I behandlingstrinnet 3305 blir lagene 3415a og 3415b av silikonnitrid deretter påført lagene 3410a og 3410b av silikondioksid. Lagene 3415a og 3415b av silikonnitrid kan påføres ved hjelp av konvensjonelt tilgjengelige metoder. I en foretrukket utførelse blir lagene 3415a og 3415b av silikonnitrid påført ved hjelp av kjemisk dampdeponering. Lagene 3415a og 3415b av silikonnitrid kan påføres til dybder som f.eks. varierer fra omtrent 0,1 til 2 mikron. I en foretrukket utførelse blir lagene 3415a og 3415b av silikonnitrid påført til dybder som varierer f.eks. fra 0,12 til 0,15 mikron. ;Som vist på fig. 35a, i behandlingstrinnene 3310 og 3315, blir putelagene 3410a av silikondioksid og lagene 3415a av silikonnitrid på forsidene 3405a av silikonplatene 3405 mønstret og etset for å gi en etterfølgende avgrensning for de sentrale fordypninger for øvre og nedre hetter. ;Som vist på fig. 35b, i behandlingstrinnene 3320 og 3325, blir deretter de eksponerte deler av silikon på forsidene 3405a av silikonplatene 3405 tynnetset. I en foretrukket utførelse varierer dybden av de tynnetsede områder fra omkring 0,5 til 1,5 mikron for å lette veksten av feltlagene av silikondioksid. Feltlagene 3410c av silikondioksid blir så dyrket på eksponerte områder av silikon på forsidene 3405a av silikonplatene 3405. Tykkelsen av feltlagene 3410c av silikondioksid blir fortrinnsvis større eller lik den samlede tykkelse av putelagene 3410a av silikondioksid og lagene 3410b av silikonnitrid. ;Som vist på fig. 36, i behandlingstrinnene 3330 og 3335, blir de eksponerte deler av feltlaget 3410c av silikondioksid på forsidene 3405a av silikonplatene 3405 mønstret og etset for å tilveiebringe etterfølgende avgrensning for vandrestoppene for øvre og nedre hetter. ;Som vist på fig. 37 og 38, i behandlingstrinnene 3340 og 3345, blir putelagene 3415a av silikondioksid og lagene 3415b av silikonnitrid på baksidene 3405b av silikonplatene 3405, mønstret for å tilveiebringe en etterfølgende avgrensning for vandrestoppene og de midtre fordypninger av øvre og nedre hetter. ;Som vist på fig.39, 39a, 39b og 39c, i behandlingstrinn 3350, blir de eksponerte deler av silikon på begge sider av silikonplatene 3405 KOH-etset til en dybde på 150 mikron. Dette avgrenser hulrommene og vandrestoppene for øvre og nedre hetter. Denne KOH-etsning fører fortrinnsvis til en midtre membran av silikon med en tykkelse på omtrent 100 mikron. ;Som vist på fig. 40 og 41, i behandlingstrinn 3355, blir de eksponerte deler av putelagene 3410a og feltlagene 3410c av silikondioksid på begge sider av silikonplatene 3405, etset. Denne etsning gjør det mulig senere å anbringe overflatene av vandrestoppene i fordypninger. ;Som vist på fig. 42, 42a, 42b og 42c i behandlingstrinn 3360, blir de eksponerte deler av silikon på begge sider av silikonplatene 3405 KOH-etset til en dybde på omtrent 50 mikron. Dette gir en endelig avgrensning for hulrommene og vandrestoppene for øvre og nedre hetter. Det tilveiebringer videre fordypninger for overflaten av vandrestoppene med omtrent 50 mikron. ;Som vist på fig. 43, 43a, 43b og 43c i behandlingstrinnene 3365, 3370, 3375 og 3380, blir de gjenværende deler av lagene 3410a, 3410b, 3415a og 3415b av silikondioksid og silikonnitrid strippet fra begge sider av silikonplatene 3405. Fra topphetten 205 vil dette fortrinnvis fullføre fremstillingsbehandlingen. For bunnhetten 215 blir deretter lagene 4305a og 4305b av gull deretter påført øvre og nedre overflater av silikonplaten 3405. I en foretrukket utførelse blir lagene 4305a og 4305b av gull sveiset til silikonsubstratet 3405 ved hjelp av et mellomliggende lag av titan. ;I en alternativ utførelse omfatter bearbeidningen av bunnhetten 215 modifiserte maskeringstrinn for å tilveiebringe bjelkene 1035, 1040, 1045 og 1050. F.eks. kan disse være tilveiebrakt ved å modifisere bearbeidingstrinnene 3330 og 3340 for å gi plass til bjelkene 1035, 1040, 1045 og 1050. ;Som vist på fig. 33 gir behandlingstrinnene 3305-3370 en våt KOH-LOCOS-mikromaskineringsbehandling med sammensmeltede masker. Generelt tilveiebringer behandlingstrinnene 3305-3370 en mikromaskineringsbehandling med sammensmeltede masker som omfatter trinnene: (1) tilveiebringe et silikonsubstrat; (2) gradvis påføre flere maskeringslag på silikonsubstratet; (3) gradvis mønstre lagene av maskeringsmateriale; (4) tynnetse de eksponerte områder av silikon; (5) dyrke et feltlag av silikondioksid; (6) mønstre feltlaget av silikondioksid; (6) etse de eksponerte deler av silikonsubstratet; (7) etse de eksponerte deler av feltlaget av silikondioksid; og (8) etse de eksponerte deler av silikonsubstratet. ;Gullsveisingen av hetteplatene til speilbehandlingen 2020 gir fortrinnsvis en del sammenstilling med topphetten 205, speilet 210 og bunnhetten 215. På fig. 43d, i en foretrukket utførelse, omfatter gullsveisingen en gullautektisk platesveisebehandling 4350 som omfatter trinnene: belegge en tilpasset plateoverflate med et lag gull mens den tilpassede overflate av den annen plate omfatter bart silikon i trinn 4355, plassere de tilpassede overflater av platene i nær kontakt i trinn 4360, trykke de tilpassede overflater sammen i trinn 4365 og varme opp platene i trinn 4370 over temperaturen for gullet/autektik. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten 4350 en hermetisk binding mellom platene. ;I en foretrukket utførelse, og for å minimere antall gullanbringelsestrinn (redusere kostnadene) og unngå dyphulromslitografi for å avgrense metalliseringen på baksiden av speilet (flytning), blir begge topp/bunnhettenes 205 og 215 plater sveiset til speilet 210 ved hjelp av gullautektisk sammensveising. For gullautektisk platesveising, blir en plateoverflate belagt med gull mens plateoverflaten er bart silikon og platene plasseres i berøring med en kraft tilført og oppvarmet over det gull/silikon-autektiske punkt. Gullet diffuserer inn i den rene silikonplate og danner en sterk, hermetisk platesammensveising. ;Den ledende epoksysammensveising av den keramiske bunnplate 220 til speilplatestabelbehandlingen 2025 tilveiebringer fortrinnsvis en sammenstilling omfattende topphetten 205, speilet 210, bunnhetten 215 og bunnelementet 220. I en foretrukket utførelse omfatter den ledende epoksybindebehandlingen bruk av en konvensjonell preform av ledende epoksy. 1 en foretrukket utførelse gir metallringen 1340 rundt omkretsen av bunnelementet 220, i kombinasjon med bunnelementets 220 ledende epoksybinding til bunnhetten 215, fortrinnsvis en elektrisk kontakt med bunnhetten 215. Platebindingsbehandlingen lar fortrinnsvis bunnhetten 215 komme i direkte elektrisk kontakt med speilsamleplaten 610. Følgelig kan speilsamleplaten 610 fortrinnsvis nåes elektrisk, styres og overvåkes ved hjelp av bunnelementet 220. Elektrodedrivputen og speilkontaktmetalliseringen 1310a, 1315a og 1340 på bunnelementet 220 er fortrinnsvis videre tilkoplet de elektriske kontaktputer på baksiden av bunnelementet 220 ved hjelp av en vanlig tykkfilm-gjennom hull-teknologi, som effektivt gjør speilsammenstillingen 110 til en overflatemonterbar komponent. ;Ruteoppdelingen av den pakkede speilplatestabelen 2030 tilveiebringer fortrinnsvis speilsammenstillingen 110. I en foretrukket utførelse blir speilet 210 gullsveiset til topphetten 205 og bunnhetten 215. Denne gullsammensveisede delsammenstiIling blir så fortrinnsvis sammensveiset til det keramiske bunnelement 220. Den gullsammensveisede delsammenstillingen, med topphetten 205, speilet 210 og bunnhetten 215, blir fortrinnsvis sammensveiset til det keramiske bunnelementet 220 ved hjelp av et plateskalert, ledende epoksyfiberemne. I en foretrukket utførelse avgrenser den firdelte delsammenstilling med topphetten 205, speilet 210, bunnhetten 215 og bunnelementet 220 en pakket speilplatestabel. I en foretrukket utførelse blir så kløvetape tilpasset platestørrelsen påført både topphetten 205 og bunnhetten 215 for hermetisk å beskytte den firdelte stabel mot kløvesagvannet. Den firdelte stabel er kløvet med en vanlig, automatisk kløvesag til de enkelte, pakkede speilformer. Tapen blir så fjernet. ;Utprøvingen av den pakkede speilformbehandling 2035, prøver fortrinnsvis speilsammenstiIlings 110 elektriske, optiske og mekaniske ytelse. ;En speilsammenstilling har blitt beskrevet som fortrinnsvis omfatter et mikrospeil i halv tykkelse, silikon T-formede hengsler og mikromaskinerte silikontopp/bunnhetter i platenivået. Speilsammenstillingen omfatter fortrinnsvis følgende tekniske elementer: (1) utforming for redusert kostnad og forbedret produksjon; (2) forbedret speilposisjonsnøyaktighet (dvs. kombinasjon av "helling" og pekenøyaktighet); (3) robust støtbeskyttelse for en mer krevende støtspesifikasjon; og (4) kapping (pakning) av speilet under laserklipping. ;Fremstillingsmetoden for speilsammenstillingen 110 omfatter et antall vesentlige produksj onskostnadsreduksj oner. ;For det første reduserer de mikromaskinerte silikonhetteplatene 205 og 215 materialkostnader og pakning vesentlig sammenlignet med konvensjonell pakning. F.eks. blir topp/bunnhettene 205 og 215 sveiset ved platenivå, på en samlet måte. Dette er mer kostnadseffektivt enn om fremgangsmåten ble foretatt på konvensjonell måte hver for seg. ;For det andre oppnås speilsamleplatens 601 halve tykkelse gjennom en balansert kombinasjon av våtetsning (rimelig) og tørretsning (kostbar) teknikk. I et eksempel på utførelsen tilveiebringer fremgangsmåten med silikon hengsel/halvtykkelse-speil typisk en 72 % reduksjon i DRIE-etsetid sammenlignet med full tykkelse (speilmetoden). ;For det tredje blir formstørrelsen minimert så meget som mulig ved å minimere speilets rammeområde. Også bruk av dobbeltsidet våtetsning av topp/bunn-hetteplatene minimerer sideveggskråningen som i et eksempel på utførelse, fører til en 20 % reduksjon i størrelsen samtidig som det muliggjør optimal bruk av topphettelaserklipping. ;Speilsammenstillingen 110 gir også et antall fordeler med hensyn til posisjonsnøyaktighet og støtbestandighet. ;F.eks. kan det være nødvendig at laserstrålen i flere eksempler på strekkodeskanner, kreves å holde seg innenfor 1,3° når speilet utsettes for et overhengslet, selvindusert gravitasjonsmoment, hvor momentet = T = mg<*>h/2 (hvor mg = speilegenvekt, h = speiltykkelse). Speilsamleplaten 610 sin posisjonsnøyaktighet består av pekenøyaktigheten og "helle"-komponentene. Siden torsjonsfjærkonstanten Kr og speilsamleplatens 610 masse bestemmes av speilresonansfrekvensen F og speilstørrelsen, blir skråvinkelen 0 for speilsamleplaten 610 også bestemt av forholdet 0 = T/Kr. I et eksempel på utførelse er speilsamleplatens 610 vippevinkel større enn 1,3° for et speil i full tykkelse. Posisjonsnøyaktigheten til speilsamleplaten 610 blir forbedret, idet dette i et eksempel på utførelse (dvs. reduksjon i vippevinkelen) ved å øke resonansspesifikasjonen til 50 Hz, øker torsjonsfjærkonstanten. Speilsamleplatens utforming i halv tykkelse og bakside speilsamleplatens hulromsetsning, ved å minske speilsamleplatens egenvekt rundt de T-formede hengsler 612 og 614, oppfyller posisjonsnøyaktigheten i eksempelet.

Som vist på fig. 19, i et eksempel på utførelse, skinner en innfallende laserstråle på speilsamleplatens overflate i en vinkel på 45° langs linjen A og reflekteres tilbake til mellomrommet langs linjen B. I et eksempel på utførelse har laserstrålen en endelig punktstørrelse med en bredde på omtrent 500 mikron og lengde på 1.000 mikron. Den 500 mikron brede laserstråle blir sentrert langs linjen A og B. I en eksempel på utførelse vil det være nødvendig med en speilsamleplate 610 for å skanne ± 10 %. 1 denne utførelse kan det reflekterte laserstråleområdet begrenses av B' og B". For å unngå laserklipping er det nødvendig at det ikke finnes noen hindringer langs lysbanen. Bruk av dobbeltsidet våtetsning av topp/bunn-hettene 205 og 215 tilveiebringer den dobbeltsidede avskråning i innerkantene av topp/bunn-hettene 205 og 210 som minimerer laserklipping og tilveiebringer en støtbeskyttelse fanget av hetten. Videre opptar "hettefangingen" fortrinnsvis variasjoner i x-retningens mellomrom fra 10 til 100 mikron når speilsamleplaten 610 dreies ut av plan. På denne måte gir "hettefangingen" fortrinnsvis støtbeskyttelse opp til omtrent 2.000g/l,l ms, for et inngangssignal av halvsinusform. Endelig minimerer venstre og høyre kantutskj æringer 330 og 340 i topphetten 205 fortrinnsvis endring av banen langs lysbanen og klippevirkningen.

I et eksempel på utførelse, og for å unngå klipping av høyre side, er det tilveiebrakt en klar, optisk bane i søylerommet dannet av B" +250 mikron, som ikke er et problem for en perfekt tilpasning av laserstrålen mot speilsamleplaten 610. Klippeproblemet oppstår typisk når det er en stor feiltilpasning ved den manuelle skanning som flytter laserkilden mot høyre og venstre i forhold til speilets midtlinje. Som vist på fig. 19 kan den mest høyre linjen være linjen B'" som er parallell med B". Gjennomskjæring av B'" med planet for speilsamleplaten 610 fører til en klippeavstand på 600 mikron. Følgelig er denne anvendelige del av speilsamleplaten 610 på den høyre halvdel 1.250 mikron (50 % av speilstørrelsen på 2,5 mm) - 600 mikron (klippeavstand) = 650 mikron. Den tillatte feiltilpasning mot høyre er 650 mikron - 250 mikron (50 % laserpunktstørrelse) = 400 mikron (16 mil). I et eksempel på utførelse er klippingen på venstre side likeledes 240 mikron og tillatt feiltilpasning mot høyre kan være så stor som 760 mikron (30 mil). Hvis laser/speil-tilpasningen er bedre 16 mil, vil det ikke være noe klippeproblem. Hvis laserens posisjonsnøyaktighet forbedres, vil det videre være en anledning til å kunne minske speilets formstørrelse, siden samleområdet kan reduseres og det vil være en tilsvarende reduksjon i venstre/høyre hettekant av skjæringen. Det vil fremgå at denne lineære posisjonsnøyaktighet er koplet til vinkelposisjonsnøyaktigheten til laserkilden på 45°. Hvis f.eks. monteringsvinkelen er 45°, vil laserklippingen bli meget verre.

I et eksempel på utførelse overskygger de øvre hettevandrestoppfingre, 310 og 320 speilsamleplaten 610 med 300 mikron i y-retningen. I et eksempel på utførelse kreves minimumsoverlapping av vandrestoppfingrene 310 og 320 for å fungere som vandrestopper i z-retningen. Derfor er de anvendelige speilsamleplaterområder i et eksempel på utførelse 1.250 mikron (50 % av 2,5 mm speilets størrelse) - 300 mikron (klippeavstand) = 950 mikron og tillatt feiltilpasning 950 mikron - 500 mikron (50 % av laserpunktstørrelsen) = 450 mikron (18 mil).

En fremgangsmåte for å forbedre laserklippevirkningen er å montere laserkilden i en vinkel på mindre enn 45°. I flere eksempler på utførelser som vist i tabell 1, er forholdet mellom laserens monteringsvinkel og klippelengden slik:

I et eksempel på utførelse er støtoverlevelsesspesifikasjonen for speilsammenstillingen 110 en halvsinuspuls på 2.000 g, 1,0 millisekunders varighet. Dette korrelerer med et 6 fots fall med 100 % støtelastisitet. Dette er en krevende støtsspesifikasjon for en mikromaskinert innretning. Videre er denne spesifikasjon for den nakne speilsammenstilling 110 uten hette som ikke tar i betraktning den innebyggede støtabsorpsjon til en konvensjonell, ekstern strekkodeskanner. I et eksempel på utførelse tilfredsstiller speilsammenstillingen 110 disse strenge krav med et antall støtbeskyttelsestrekk. F.eks., som beskrevet ovenfor, blir speilsamleplaten 610 fortrinnsvis støtbeskyttet av rammen 602, 604, 606 og 608 for translaterte støt i speilsamleplatens 610 plan enten i x-aksen og/eller y-aksen. Også som beskrevet ovenfor, gir også vandrestoppfingrene 310, 320, 1010 og 1020 i topp/bunn-hettene 205 og 215 fortrinnsvis støtbeskyttelse for speilsamleplaten 610 for ut av plan-translasjonsstøt i z-retningnen. Den vanskeligste støtbeskyttelse for speilsamleplaten 610 er translasjonssjokk når speilsamleplaten 610 dreies ut av plan. I eksempelet med 3 mm x 3 mm speilsamleplate 610, når speilsamleplaten 610 dreier mer enn 7,5°, er speilsamleplaten 610 med halv tykkelse ut av planet på rammen 602, 604, 606 og 608, slik at rammen 602, 604, 606 og 608 ikke lenger gir støtbeskyttelse mot støt med en x-akse-komponent. I dette tilfellet fanger de skrå innervegger i topp/bunn-hettene 205 og 215 fortrinnsvis speilsamleplaten 610 ("hettefanging"). For enhver grad av dreining, vil rammen 602, 604, 606 og 608 fremdeles gi støtbeskyttelse for y-akse-komponenten i et støt, siden en del av speilsamleplaten 610 av halv tykkelse alltid vil være i planet for rammen 602, 604, 606 og 608 nær de T-formede hengsler 612 og 614.

Som vist på fig. 18 utgjør de innvendige, skrå vegger av topp/bunnhettene 205 og 215 videre speilsamleplaten 610 med støtbeskyttelse for støt med en x-akse-komponent når speilsamleplaten 610 dreies ut av plan i forhold til rammen 602, 604, 606 og 608. Alle disse støtbeskyttelser forsyner fortrinnsvis speilsamleplaten 610 med en tredimensjonal støtbeskyttelse og gjør at speilsamleplaten kan motstå halvsinusformede støtbelastninger på 2.000g/l,0 mS i enhver av de tre retningsaksene, enhver kombinasjon av disse aksene og enhver kombinasjon av retningsaksene når speilsamleplaten er dreiet opp til ±14°.

I en foretrukket utførelse er hovedhensikten med at hjelpevandrestoppfingrene 616, 618, 620 og 622 festet til speilsamleplaten 610 er å tilveiebringe oversvingbeskyttelse for speilsamleplaten 610 under bruk. 1 et eksempel på en utførelse kan disse 200 mikron tykke vandrestoppfingre 616, 618, 620 og 622 tilveiebringe en støtbeskyttelse på 2.000g/0,5mS (for enhver kombinasjon av translasjons- og dreiestøt). Innføring av "hettefangings"-utformingen forbedrer fortrinnsvis støtbeskyttelsen til et nivå på 2.000g/l,0mS. Hjelpevandrestoppene 616, 618, 620 og 622 tjener også samme formål, som er å tilveiebringe en begrenset støtbeskyttelse mot de nakne speilplatene for den normale håndteringen som oppstår under fremstillingsbehandlingen, især etter at DRIE-etsningen for å frigjøre speilsamleplaten 610 og før topp/bunn-hetteplatens sammenføyningsbehandling.

I en alternativ utførelse blir speilsammenstillingen 110 videre modifisert på kjent måte, f.eks. som beskrevet i Marc Madou, Fundamentals of Microfabrication, CRC Press New York, NY, USA, Volume A43, side 466, for å tilveiebringe et akselerometer med variabel kapasitans.

I en alternativ utførelse blir speilsammenstillingen 110 videre modifisert på kjent måte, f.eks. som beskrevet i Jan Soderkvist, Micromachined Gyroscopes, Sensor and Actuators, Vol. A43, 1994, sider 65-71 og H. Hashimoto, C. Cabuz, K. Minami og M. Easashi, Silicon Resonant Angular Rate Sensor Using Electromagnetic Excitation And Capacitive Detection, Journal Of Micromechanics and Microengineering, Volume 5, No. 3, 1995, side 219-225, for å tilveiebringe et gyroskop.

På fig. 44 er det vist flere alternative utførelser av en lokalisert oksidering av silikon (LOCOS) i mikromaskineringsfremgangsmåtene 4400 med sammensmeltede masker. I en foretrukket utførelse brukes en av disse fremgangsmåtene 4400 for å danne minst en del av speilet 210 og/eller øvre og nedre hetter 205 og 215. Som vist på fig. 44 omfatter LOCOS-mikromaskineringsmetoden 4400 fortrinnsvis følgende trinn: (1) tilveiebringe en silikonplate i trinn 4405, (2) (eventuelt) dyrke et bufferlag av silikondioksid på silikonplatens overflate i trinn 4410, (3) påføre et lag silikonnitrid på silikonplaten i trinn 4415, (4) mønstre laget av silikonnitrid i trinn 4420, (5) (eventuelt) mønstre de eksponerte deler av bufferlaget av silikondioksid i trinn 4425, (6) (eventuelt) tynnetse de eksponerte deler av overflaten av silikonplaten i trinn 4430, (7) dyrke feltlag av silikondioksid på de deler av silikonplaten som ikke er dekket av det mønstrede lag av silikonnitrid i trinn 4435 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), (8) mønstre laget eller lagene av silikondioksid i trinn 4440, nyetse de eksponerte deler av silikonplaten i trinn 4445, (10) fjerne de eksponerte deler av laget(ene) av silikondioksid i trinn 4450, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten i trinn 4445 og endelig (12) fjerne de gjenværende deler av lagene av silikondioksid og silikonnitrid i trinn 4460. På denne måte tilveiebringes fem alternative LOCOS-mikromaskineringsbehandlingsmuligheter med sammensmeltede masker for etsning av et substrat til flere etsedybder.

Som det vil fremgå for en fagmann og etter å ha lest nærværende beskrivelse, gjelder mønstringen de etterfølgende operasjoner av konvensjonell fotolitografering og etsning for å frembringe mønster i et lagmateriale eller substrat. Som det også vil fremgå gjelder etsningen, fjerning av minst en del av de eksponerte deler av et lagmateriale eller substrat.

I en foretrukket innføring av fremgangsmåtene 4400, brukes det samme fotoresistlag som et maskeringslag for alle etsetrinnene 4420, 4425, 4430 og 4440 for å minimere antall mønstringsoperasjoner. Alternativt brukes et eget fotoresistmønster for hver mønstring i trinn 4420, 4425, 4430 og 4440.

I en foretrukket anvendelse av fremgangsmåtene 4400, er etsningen av de eksponerte deler av silikonplaten i trinnene 4445 og 4455 tilveiebrakt ved hjelp av KOH.

På fig. 44 og 45a-45i omfatter den første utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten sammensmeltede masker, uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 4500 i trinn 4405 som vist på fig. 45a, (2) påføre et lag 4505 av silikonnitrid på silikonplaten 4500 i trinn 4415 som vist på fig. 45b, (3) mønstre laget 4505 av silikonnitrid i 4420 som vist på fig. 45c, (4) dyrke et feltlag av silikondioksid 4510 på de deler av silikonplaten som ikke er dekket av det mønstrede lag 4505 av silikonnitrid i trinn 4435 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som laget av silikonnitrid) som vist på fig. 45d, (5) mønstring av laget 4510 av silikondioksid i trinn 4440 som vist på fig. 45e, (6) etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 4500 i trinn 4445 som vist på fig. 45f, (7) fjerning av de eksponerte deler av laget 4510 av silikondioksid i trinn 4450 som vist på fig. 45g, (8) etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 4500 i trinn 4455 som vist på fig. 45h og endelig (9) fjerning av de gjenværende deler av lagene 4505 og 4510 av silikondioksid og silikonnitrid i trinn 4460, som vist på fig. 45i.

I en foretrukket utførelse av den første utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 4400 med sammensmeltede masker, brukes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 4505 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron og tykkelsen av laget 4510 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3 mikron.

På fig. 44 og 46a-46j, omfatter en andre utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten med sammensmeltede masker, uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, men med en tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 4600 i trinn 4405 som vist på fig. 46a, (2) påføre et lag 4605 av silikonnitrid på silikonplaten 4600 i trinn 4415 som vist på fig. 46b, (3) mønstre laget 4605 av silikonnitrid i 4420, som vist på fig. 46c, (4) tynnetse de eksponerte deler av overflaten av silikonplaten 4600 i trinn 4430, som vist på fig. 46d, (5) dyrke et feltlag 4610 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 4600 som ikke er dekket av det mønstrede lag av silikonnitrid 4605 i trinn 4435 (laget 4610 av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som laget 4605 av silikonnitrid), som vist på fig. 46e, (6) mønstre laget 4610 av silikondioksid i trinn 4440 som vist på fig. 46f, (7) etse de eksponerte deler av silikonplaten 4600 i trinn 4445 som vist på fig. 46g, (8) fjerne de eksponerte deler av laget 4610 av silikondioksid i trinn 4450 som vist på fig. 46h, (9) etsede de eksponerte deler av silikonplaten 4600 i trinn 4455, som vist på fig. 46i, og endelig (10) fjerne de gjenværende deler av lagene 4605 og 4610 av silikondioksid og silikonnitrid i trinn 4460, som vist på fig. 46j. 1 en foretrukket anvendelse av den andre utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 4400 med sammensmeltede masker, brukes de følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 4605 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2 mikron, dybden av tynnetsningen av de eksponerte deler av silikonplaten 4600 varierer fra omtrent 0,5 til 1 mikron, tykkelsen av laget 4610 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3 mikron.

På fig. 44 og 47a-47j, omfatter en tredje utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten med sammensmeltede masker, med et bufferlag av silikondioksid som ikke er mønstret separat, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 4700 i trinn 4405 som vist på fig. 47a, (2) dyrke et bufferlag 4705 av silikondioksid på overflaten av silikonplaten 4700 i trinn 4410, som vist på fig. 47b (3) påføre et lag 4710 av silikonnitrid på silikonplaten 4700 i trinn 4415 som vist på fig. 47c, (4) mønstre laget 4710 av silikonnitrid i trinn 4420, som vist på fig. 47d, (5) dyrke et feltlag 4715 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 4700 som ikke er dekket av det mønstrede lag av silikonnitrid i trinn 4435 (laget av silikondioksid 4715 er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget 4710 av silikonnitrid og bufferlaget 4705 av silikondioksid), som vist på fig. 47e, (6) mønstre lagene 4705 og 4715 av silikondioksid i trinn 4440, som vist på fig. 47f, (7) etse de eksponerte deler av silikonplaten 4700 i trinn 4445 som vist på fig. 47g, (8) fjerne de eksponerte deler av lagene 4705 og 4715 av silikondioksid i trinn 4450 som vist på fig. 47h, (9) etse de eksponerte deler av silikonplaten 4700 i trinn 4455, som vist på fig. 47i, og endelig (10) fjerne de gjenværende deler av lagene 4705, 4710 og 4715 av silikondioksid og silikonnitrid i trinn 4460, som vist på fig. 47j.

I en foretrukket anvendelse av den tredje utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 4400 med sammensmeltede masker, brukes de følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av bufferlaget 4705 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 4710 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2 mikron, tykkelsen av laget 4715 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3 mikron.

På fig. 44 og 48a-48k, omfatter en fjerde utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten med sammensmeltede masker, med et bufferlag av silikondioksid som blir mønstret separat, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 4800 i trinn 4405 som vist på fig. 48a, (2) dyrke et bufferlag 4805 av silikondioksid på overflaten av silikonplaten 4800 i trinn 4410, som vist på fig. 48b (3) påføre et lag 4810 av silikonnitrid på silikonplaten 4800 i trinn 4415 som vist på fig. 48c, (4) mønstre laget 4810 av silikonnitrid i trinn 4420, som vist på fig. 48d, (5) mønstre de eksponerte deler av bufferlaget 4805 av silikondioksid i trinn 4425, som vist på fig. 48e, (6) dyrke et feltlag 4815 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 4800 som ikke er dekket av det mønstrede lag 4810 av silikonnitrid i trinn 4435 (laget 4815 av silikondioksid er fortrinnsvis minst like tykt som den samlede tykkelse av laget 4810 av silikonnitrid og bufferlaget 4805 av silikondioksid), som vist på fig. 48f, (7) mønstre lagene 4805 og 4815 av silikondioksid i trinn 4440, som vist på fig. 48g, (8) etse de eksponerte deler av silikonplaten 4800 i trinn 4445 som vist på fig. 48h, (9) fjerne de eksponerte deler av lagene 4805 og 4815 av silikondioksid i trinn 4450 som vist på fig. 48i, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 4800 i trinn 4455, som vist på fig. 48j, og endelig (11) fjerne de gjenværende deler av lagene 4805, 4810 og 4815 av silikondioksid og silikonnitrid i trinn 4460, som vist på fig. 48k.

I en foretrukket anvendelse av den fjerde utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 4400 med sammensmeltede masker, brukes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av bufferlaget 4805 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 4810 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 1,8 mikron, tykkelsen av laget 4815 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den fjerde utførelse av LOCOS-mikromaskineringsbehandlingen 4400 med sammensmeltede masker, brukes det mønstrede lag 4810 av silikonnitrid som en etsemaske for mønstring av de eksponerte deler av bufferlaget 4805 av silikondioksid i trinn 4425.

På fig. 44 og 49a-491, omfatter en fjerde utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten med sammensmeltede masker, med et bufferlag av silikondioksid som mønstres separat, og en tynnetsning av silikonplaten, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 4900 i trinn 4405 som vist på fig. 49a, (2) dyrke et bufferlag 4905 av silikondioksid på overflaten av silikonplaten 4900 i trinn 4410, som vist på fig.

49b (3) påføre et lag 4910 av silikonnitrid på silikonplaten 4900 i trinn 4415, som vist på fig. 49c, (4) mønstre laget 4910 av silikonnitrid i trinn 4420, som vist på fig. 49d, (5) mønstre de eksponerte deler av bufferlaget 4905 av silikondioksid i trinn 4425, som vist på fig. 49e, (6) tynnetse de eksponerte deler av overflaten av silikonplaten 4900 i trinn 4430, som vist på fig. 49f, (7) dyrke et feltlag 4915 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 4900 som ikke er dekket av det mønstrede lag 4910 av silikonnitrid i trinn 4435 (laget 4915 av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget 4910 av silikonnitrid og bufferlaget 4905 av silikondioksid), som vist på fig. 49g, (8) mønstre lagene 4905 og 4915 av silikondioksid i trinn 4440, som vist på fig. 49h, (9) etse de eksponerte deler av silikonplaten 4900 i trinn 4445 som vist på fig. 49i, (10) fjerne de eksponerte deler av lagene 4905 og 4915 av silikondioksid i trinn 4450 som vist på fig. 49j, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten 4900 i trinn 4455, som vist på fig. 49k, og endelig (12) fjerne de gjenværende deler av lagene 4905, 4910 og 4915 av silikondioksid og silikonnitrid i trinn 4460, som vist på fig. 491.

I en foretrukket anvendelse av den femte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 4400 med sammensmeltede masker, brukes de følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av bufferlaget 4905 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 4910 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, dybden av tynnetsningen av de eksponerte deler av silikonplaten 4900 varierer fra omtrent 0,51 mikron og tykkelsen av feltlaget 4915 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den femte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 4400 med sammensmeltede masker, brukes det mønstrede lag 4910 av silikonnitrid som en etsemaske for mønstring av de eksponerte deler av bufferlaget 4905 av silikondioksid i trinn 4425.

På fig. 50 er det vist flere alternative utførelser av en lokalisert oksidering av silikon (LOCOS)-mikromaskineringsfremgangsmåter 5000 med sammensmeltede masker, som inkluderer flere etsedybder. I en foretrukket utførelse brukes en av disse fremgangsmåtene 5000 for å utforme minst en del av speilet 210 og/eller topp- og bunnhettene 205 og 215. Som vist på fig. 50 omfatter LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5000 med sammenflettede masker, fortrinnsvis følgende trinn: (1) tilveiebringe en silikonplate i trinn 5005, (2) (eventuelt) dyrke et bufferlag av silikondioksid på overflaten av silikonplaten i trinn 5010, (3) påføre et lag av silikonnitrid på silikonplaten i trinn 5015, (4) mønstre laget av silikonnitrid i trinn 5020, (5) (eventuelt) mønstre de eksponerte deler av bufferlaget av silikondioksid i trinn 5025, (6) (eventuelt) tynnetse de eksponerte deler av overflaten av silikonplaten i trinn 5030, (7) dyrke feltlag av silikondioksid på de deler av silikonplaten som ikke er dekket av det mønstrede lag av silikonnitrid i trinn 5035 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), (8) mønstre en fraksjon av tykkelsen av laget eller lagene av silikondioksid i trinn 5040, (9) gjenta mønstringen av tykkelsen av laget eller lagene av silikondioksid et bestemt antall ganger i trinn 5045, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten i trinn 5050, (11) fjerne en del av de eksponerte deler av laget eller lagene av silikondioksid i trinn 5055, (12) etse en del av de eksponerte deler av silikonplaten i trinn 5060 og endelig (13) gjenta oksidetsningen og silikonetsningen et bestemt antall ganger i trinn 5065. På denne måte oppnås fem alternative LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåter med sammensmeltede masker for etsning av et substrat til flere etsedybder.

Som det vil fremgå for en fagmann og etter å ha lest nærværende beskrivelse, angår mønstringen de etterfølgende operasjoner av konvensjonell fotolitografering og etsning for å frembringe mønstre i et lag materiale eller substrat. Som det også vil fremgå for en fagmann og etter å ha lest beskrivelsen, angår etsningen fjerning av minst en del av de eksponerte deler av et lag materiale eller substrat.

I en foretrukket anvendelse av fremgangsmåtene 5000 er etsningen av de eksponerte deler av silikonplaten i trinn 5050 og 5060 tilveiebrakt ved hjelp av KOH.

På fig. 50 og 51a-51k, omfatter den første utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5000 med sammensmeltede masker, uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 5100 i trinn 5005, som vist på fig. 51a, (2) påføre et lag 5105 av silikonnitrid på silikonplaten i trinn 5015, som vist på fig. 51b, (3) mønstre laget 5105 av silikonnitrid i trinn 5020, som vist på fig. 51c, (4) dyrke et feltlag 5110 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 5100 som er dekket av det mønstrede lag 5105 av silikonnitrid i trinn 5035 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 5 ld, (5) gjenta mønstring av laget 5110 av silikondioksid i trinnene 5040 og 5045, som vist på fig. 5le, (6) etse de eksponerte deler av silikonplaten 5100 i trinn 5050, som vist på fig. 51 f, (7) fjerne en del av de eksponerte deler av laget 5110 av silikondioksid i trinn 5055, som vist på fig. 5lg, (8) etse en del av de eksponerte deler av silikonplaten 5100 i trinn 5060, som vist på fig. 51h, (9) gjenta oksidetsningen og silikonetsningen i trinn 5065, som vist på fig. 5li og 51 j og (10) fjerne de gjenværende deler av laget 5105 av silikonnitrid, som vist på fig. 51k.

I en foretrukket anvendelse av den første utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5100 med sammenflettede masker, brukes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 5105 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron og tykkelsen av laget 5110 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron.

På fig. 50 og 52a-521, omfatter en andre utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5000 med sammenflettede masker, uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, men med en tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 5200 i trinn 5005, som vist på fig. 52a, (2) påføre et lag 5205 av silikonnitrid på silikonplaten 5200 i trinn 5015, som vist på fig. 52b, (3) mønstre laget 5205 av silikonnitrid i trinn 5020, som vist på fig. 52c, (4) tynnetse de eksponerte deler av silikonplaten 5200 i trinn 5030, som vist på fig. 52d, (5) dyrke et feltlag 5210 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 5200 som ikke er dekket av det mønstrede lag 5205 av silikonnitrid i trinn 5035 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 52e, (6) gjenta mønstring av laget 5210 av silikondioksid i trinnene 5040 og 5045, som vist på fig. 52f, (7) etse de eksponerte deler av silikonplaten 5200 i trinn 5050, som vist på fig. 52g, (8) fjerne en del av de eksponerte deler av laget 5210 av silikondioksid i trinn 5055, som vist på fig. 52h, (9) etse en del av de eksponerte deler av silikonplaten 5200 i trinn 5060, som vist på fig. 52i, (10) gjenta oksidetsningen og silikonetsningen i trinn 5065, som vist på fig. 52j og 52k og (10) fjerne de gjenværende deler av laget 5205 av silikonnitrid, som vist på fig. 521.

I en foretrukket anvendelse av den andre utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5000 med sammenflettede masker, brukes de følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 5205 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, dybden av den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 5200 varierer fra omtrent 0,5 til 1 mikron og tykkelsen av laget 5210 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron.

På fig. 50 og 53a-531, omfatter en tredje utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5000 med sammenflettede masker, med et bufferlag av silikondioksid som ikke er mønstret separat, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 5300 i trinn 5005, som vist på fig. 53a, (2) påføre et lag 5305 av silikondioksid i trinn 5010, som vist på fig. 53b, (3) påføre et lag 5310 av silikonnitrid på silikonplaten 5300 i trinn 5015, som vist på fig. 53c, (4) mønstre laget 5310 av silikonnitrid i trinn 5020, som vist på fig. 53d, (5) dyrke et feltlag 5315 av silikondioksid på deler av silikonplaten 5300 som ikke er dekket av det mønstrede lag 5310 av silikonnitrid i trinn 5035 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis minst så tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 53e, (6) gjenta mønstring av lagene 5305 og 5315 av silikondioksid i trinnene 5040 og 5045, som vist på fig. 53f, (7) etse de eksponerte deler av silikonplaten 5300 i trinn 5050, som vist på fig. 53g, (8) fjerne en del av de eksponerte deler av lagene 5305 og 5315 av silikondioksid i trinn 5055, som vist på fig. 53h, (9) etse en del av de eksponerte deler av silikonplaten 5300 i trinn 5060, som vist på fig. 53i, (10) gjenta oksidetsningen og silikonetsningen i trinn 5065, som vist på fig. 53j og 53k og (10) fjerne de gjenværende deler av lagene 5305 og 5310 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 531.

I en foretrukket anvendelse av den tredje utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5000 med sammenflettede masker, anvendes de følgende fremstillingsparametere: tykkelsen av bufferlaget 5305 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,03 til 1,0 mikron, tykkelsen av laget 5310 av silikonnitrid varierer fra omtrent 1 til 2,0 mikron og tykkelsen av laget 5315 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron.

I en foretrukket anvendelse av tredje utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5000 med sammenflettede masker, brukes det mønstrede lag 5310 av silikonnitrid som en etsemaske for mønstring av de eksponerte deler av bufferlaget 5305 av silikondioksid i trinn 5025.

På fig. 50 og 54a-54m, omfatter en fjerde utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5000 med sammenflettede masker, med et bufferlag av silikondioksid som blir separat mønstret, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 5400 i trinn 5005, som vist på fig. 54a, (2) påføre et bufferlag 5405 av silikondioksid i trinn 5010, som vist på fig. 54b, (3) påføre et lag 5410 av silikonnitrid på silikonplaten 5400 i trinn 5015, som vist på fig. 54c, (4) mønstre laget 5410 av silikonnitrid i trinn 5020, som vist på fig. 54d, (5) mønstre bufferlaget 5404 av silikondioksid i trinn 5025, som vist på fig. 54e (6) dyrke et feltlag 5415 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 5400 som ikke er dekket av det mønstrede lag 5410 av silikonnitrid i trinn 5035 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis minst så tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 54f, (7) gjenta mønstring av lagene 5405 og 5415 av silikondioksid i trinnene 5040 og 5045, som vist på fig. 54g, (8) etse de eksponerte deler av silikonplaten 5400 i trinn 5050, som vist på fig. 54h, (9) fjerne en del av de eksponerte deler av lagene 5405 og 5415 av silikondioksid i trinn 5055, som vist på fig. 54i, (10) etse en del av de eksponerte deler av silikonplaten 5400 i trinn 5060, som vist på fig. 54j, (11) gjenta oksidetsningen og silikonetsningen i trinn 5065, som vist på fig. 54k og 541 og (12) fjerne de gjenværende deler av lagene 5405 og 5410 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 54m.

I en foretrukket anvendelse av den fjerde utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5000 med sammenflettede masker, anvendes de følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av bufferlaget 5405 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,03 til 1,0 mikron, tykkelsen av laget 5410 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 5415 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron.

I en foretrukket anvendelse av fjerde utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5000 med sammenflettede masker, brukes det mønstrede lag 5410 av silikonnitrid som en etsemaske for å mønstre de eksponerte deler av bufferlaget 5405 av silikondioksid i trinn 5025.

På fig. 50 og 55a-55n, omfatter en femte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5000 med sammenflettede masker, med et bufferlag av silikondioksid som blir separat mønstret og en tynnetsning av silikonplaten, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 5500 i trinn 5005, som vist på fig. 55a, (2) påføre et bufferlag 5505 av silikondioksid i trinn 5010, som vist på fig. 55b, (3) påføre et lag 5510 av silikonnitrid på silikonplaten 5500 i trinn 5015, som vist på fig. 55c, (4) mønstre laget 5510 av silikonnitrid i trinn 5020, som vist på fig. 55d, (5) mønstre laget 5505 av silikondioksid i trinn 5025, som vist på fig. 55e (6) tynnetse de eksponerte deler av silikonplaten 5500 i trinn 5030, som vist på fig. 55f, (7) dyrke et feltlag 5515 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 5500 som ikke er dekket av det mønstrede lag 5510 av silikonnitrid i trinn 5035 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis minst like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 55g, (8) gjenta mønstring av lagene 5505 og 5515 av silikondioksid i trinnene 5040 og 5045, som vist på fig. 55h, (9) etse de eksponerte deler av silikonplaten 5500 i trinn 5050, som vist på fig. 55i, (10) fjerne en del av de eksponerte deler av lagene 5505 og 5515 av silikondioksid i trinn 5055, som vist på fig. 55j, (11) etse en del av de eksponerte deler av silikonplaten 5500 i trinn 5060, som vist på fig. 55k, (12) gjenta oksidetsningen og silikonetsningen i trinn 5065, som vist på fig. 551 og 55m og (13) fjerne de gjenværende deler av lagene 5505 og 5510 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 55n.

I en foretrukket anvendelse av den femte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5000 med sammenflettede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av bufferlaget 5505 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,03 til 1,0 mikron, tykkelsen av laget 5510 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, dybden av tynnetsningen av de eksponerte deler av silikonplaten 5500 varierer fra omtrent 0,5 til 1 mikron og tykkelsen av feltlaget 5515 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den femte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5000 med sammenflettede masker, brukes det mønstrede lag 5510 av silikonnitrid som en etsemaske for mønstring av de eksponerte deler av bufferlaget 5505 av silikondioksid i trinn 5025.

På fig. 56a og 56b, er det vist flere alternative utførelser av lokalisert oksidering av silikon (LOCOS)- mikromaskineringsfremgangsmåter 5600 med sammenflettede masker, herunder bruk av fotoresist som etsemaske. I en foretrukket utførelse brukes en av disse fremgangsmåter 5600 ved å fremstille minst en del av speilet 210 og/eller topp-og bunnhetter 205 og 215. Som vist på fig. 56a og 56b, omfatter LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammenflettede masker, fortrinnsvis følgende trinn: (1) tilveiebringe en silikonplate i trinn 5602, (2) (eventuelt) dyrke et bufferlag av silikondioksid på overflaten av silikonplaten i trinn 5604, (3) påføre et lag av silikonnitrid på silikonplaten i trinn 5606, (4) mønstre laget av silikonnitrid i trinn 5608, (5) (eventuelt) mønstre de eksponerte deler av bufferlaget av silikondioksid i trinn 5610, (6) (eventuelt) tynnetse de eksponerte deler av overflaten av silikonplaten i trinn 5612, (7) dyrke feltlag av silikondioksid på de deler av silikonplaten som ikke er dekket av det mønstrede lag av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), (8) mønstre laget eller lagene av silikondioksid i trinn 5616, (9)

(eventuelt) etse de eksponerte deler av silikonplaten ved hjelp av fotoresist som etsemaske i trinn 5618, (10) (eventuelt) påføre og mønstre et lag fotoresist på silikonplaten i trinn 5620, (11) (eventuelt) etse de eksponerte deler av silikonplaten ved hjelp av plasma eller gass-etsemiddel i trinn 5622, (12) (eventuelt) fjerne de eksponerte deler av laget eller lagene av silikondioksid i trinn 5624, (13) (eventuelt) etse en del av de eksponerte deler av silikonplaten i trinn 5626, (14) fjerne laget av fotoresist i trinn 5628, (15) etse de eksponerte deler av silikonplaten i trinn 5630, (16) etse de eksponerte deler av lagene av silikondioksid i trinn 5632 og (17) etse de eksponerte deler av silikonplaten i trinn 5634. Hvis LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåtene 5600 med sammenflettede masker utføres uten bruk av fotoresist som etsemaske i trinn 5618, blir fremgangsmåten identisk med den som er vist på fig. 44. Hvis LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammenflettede masker alternativt utføres ved hjelp av fotoresist som etsemaske i trinn 5618, vil det være tilveiebrakt 35 alternative LOCOS-mikromaskineringsutførelser med sammenflettede masker for etsing av et substrat til flere etsedybder, herunder bruk av fotoresist som etsemaske.

Som det vil fremgå for en fagmann, og etter å ha lest nærværende beskrivelse, innebærer mønstring de etterfølgende operasjoner av konvensjonell fotolitografi og etsning for å frembringe mønstre i et lagmaterial eller substrat. Som det også vil fremgå for en fagmann og etter å ha lest beskrivelsen, angår etsning fjerning av minst en del av de eksponerte deler av et lagmateriale eller et substrat.

I en foretrukket anvendelse av fremgangsmåtene 5600, er etsningen av de eksponerte deler av silikonplaten i trinnene 5630 og 5634 tilveiebrakt ved hjelp av KOH.

I en foretrukket anvendelse av fremgangsmåten 5600, er etsningen av de eksponerte deler av silikonplaten i trinnene 5622 og 5626 tilveiebrakt ved hjelp av DRIE. I en foretrukket anvendelse av fremgangsmåtene 5600, tilveiebringer etsningstrinnene 5622 og 5626 sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 57a-571, omfatter den første utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammenflettede masker, bruk av fotoresist som etsemaske uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 5700 i trinn 5602 som vist på fig. 57a, (2) påføre et lag silikonnitrid 5705 på silikonplaten 5700 i trinn 5606, som vist på fig. 57b, (3) mønstre laget 5705 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 57c, (4) dyrke et feltlag 5710 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 5700 som ikke er dekket av det mønstrede lag 5705 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis minst like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid) som vist på fig. 57d, (5) mønstre laget 5710 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 57e, (6) påføre og mønstre et lag 5715 av fotoresist på silikonplaten 5700 i trinn 5620 som vist på fig. 57f, (7) etse de eksponerte deler av silikonplaten ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5622, som vist på fig. 57g, (8) fjerne laget av fotoresist 5715 i trinn 5628, som vist på fig. 57h, (9) etse de eksponerte deler av silikonplaten 5700 i trinn 5630, som vist på fig. 57i, (10) etse de eksponerte deler av laget 5710 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 57j, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten 5700 i trinn 5634, som vist på fig. 57k og (12) fjerne de gjenværende deler av laget 5705 av silikonnitrid, som vist på fig. 571.

I en foretrukket anvendelse av den første utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammenflettede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 5705 av silikonnitrid varierer fra omtrent 1,0 til 2,0 mikron, tykkelsen av laget 5710 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 5715 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron. 1 en foretrukket anvendelse av den første utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammenflettede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 58a-58m, omfatter den andre utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammenflettede masker, fotoresist som etsemaske uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 5800 i trinn 5602 som vist på fig. 58a, (2) påføre et lag 5805 av silikonnitrid på silikonplaten 5800 i trinn 5606, som vist på fig. 58b, (3) mønstre laget 5805 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 58c, (4) dyrke et feltlag 5810 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 5800 som ikke er dekket av det mønstrede lag 5805 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 58d, (5) mønstre laget 5810 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 58e, (6) påføre og mønstre et lag 5815 av fotoresist på silikonplaten 5800 i trinn 5620 som vist på fig. 58f, (7) etse de eksponerte deler av silikonplaten 5800 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5622, som vist på fig. 58g, (8) etse de eksponerte deler av laget 5810 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 58h, (9) fjerne laget fotoresist 5715 av fotorest i trinn 5628, som vist på fig. 58i, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 5800 i trinn 5630, som vist på fig. 58j, (11) etse de eksponerte deler av laget 5810 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 58k, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 5800 i trinn 5634, som vist på fig. 581 og (13) fjerne de gjenværende deler av laget 5805 av silikonnitrid, som vist på fig. 58m.

I en foretrukket anvendelse av den andre utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammenflettede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 5805 av silikonnitrid varierer fra omtrent 1,0 til 2,0 mikron, tykkelsen av laget 5810 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 5815 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den andre utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammenflettede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E +45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 59a-59m, omfatter den tredje utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammenflettede masker, bruk av fotoresist som etsemaske uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 5900 i trinn 5602 som vist på fig. 59a, (2) påføre et lag 5905 av silikonnitrid på silikonplaten 5900 i trinn 5606, som vist på fig. 59b, (3) mønstre laget 5905 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 59c, (4) dyrke et feltlag 5910 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 5900 som ikke er dekket av det mønstrede lag 5905 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 59d, (5) mønstre laget 5910 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 59e, (6) påføre og mønstre et lag 5915 av fotoresist på silikonplaten 5900 i trinn 5620 som vist på fig. 59f, (7) etse de eksponerte deler av silikonplaten 5900 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5622, som vist på fig. 59g, (8) etse de eksponerte deler av silikonplaten 5900 ved hjelp av plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 59h, (9) fjerne laget 5915 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 59i, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 5900 i trinn 5630, som vist på fig. 59j, (11) etse de eksponerte deler av laget 5910 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 59k, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 5900 i trinn 5634, som vist på fig. 591 og (13) fjerne de gjenværende deler av laget 5905 av silikonnitrid, som vist på fig. 59m.

I en foretrukket anvendelse av den tredje utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammenflettede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 5905 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av laget 5910 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 5915 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket utførelse av den tredje utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammenflettede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E +45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 60a-60n, omfatter den fjerde utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammenflettede masker, fotoresist som etsemaske uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 6000 i trinn 5602 som vist på fig. 60a, (2) påføre et lag 6005 av silikonnitrid på silikonplaten 6000 i trinn 5606, som vist på fig. 60b, (3) mønstre laget 6005 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 60c, (4) dyrke et feltlag 6010 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 6000 som ikke er dekket av det mønstrede lag 6005 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis minst like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 60d, (5) mønstre laget 6010 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 60e, (6) påføre og mønstre et lag 6015 av fotoresist på silikonplaten 6000 i trinn 5620 som vist på fig. 60f, (7) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6000 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5622, som vist på fig. 60g, (8) etse de eksponerte deler av laget 6010 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 60h, (9) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6000 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 60i, (10) fjerne laget 6015 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 60j, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6000 i trinn 5630, som vist på fig. 60k, (12) etse de eksponerte deler av laget 6010 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 601, (13) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6000 i trinn 5634, som vist på fig. 60m og (14) fjerne de gjenværende deler av laget 6005 av silikonnitrid, som vist på fig. 60n.

I en foretrukket anvendelse av den fjerde utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 6005 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av laget 6010 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 6015 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket utførelse av den fjerde utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 61a-611, omfatter den femte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, bruk av fotoresist som etsemaske uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 6100 i trinn 5602 som vist på fig. 61a, (2) påføre et lag 6105 av silikonnitrid på silikonplaten 6100 i trinn 5606, som vist på fig. 61b, (3) mønstre laget 6105 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 61c, (4) dyrke et feltlag 6110 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 6100 som ikke er dekket av det mønstrede lag 6105 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 61d, (5) mønstre laget 6110 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 6le, (6) påføre og mønstre et lag 6115 av fotoresist på silikonplaten 6100 i trinn 5620 som vist på fig. 61 f, (7) etse de eksponerte deler av laget 6110 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 61g, (8) fjerne laget 6115 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 61h, (9) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6100 i trinn 5630, som vist på fig. 61 i, (10) etse de eksponerte deler av laget 6110 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 61j, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6100 i trinn 5634, som vist på fig. 61k og (12) fjerne de gjenværende deler av laget 6105 av silikonnitrid, som vist på fig. 611.

I en foretrukket anvendelse av den femte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammenflettede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 6105 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av laget 6110 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 6115 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket utførelse av den femte utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 62a-62m, omfatter den sjette utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, bruk av fotoresist som etsemaske uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 6200 i trinn 5602, som vist på fig. 62a, (2) påføre et lag 6205 av silikonnitrid på silikonplaten 6200 i trinn 5606, som vist på fig. 62b, (3) mønstre laget 6205 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 62c, (4) dyrke et feltlag 6210 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 6200 som ikke er dekket av det mønstrede lag 6205 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 62d, (5) mønstre laget 6210 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 62e, (6) påføre og mønstre et lag 6215 av fotoresist på silikonplaten 6200 i trinn 5620 som vist på fig. 62f, (7) etse de eksponerte deler av laget 6210 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 62g, (8) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6200 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 62h, (9) fjerne laget 6215 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 62i, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6200 i trinn 5630, som vist på fig. 62j, (11) etse de eksponerte deler av laget 6210 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 62k, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6200 i trinn 5634, som vist på fig. 621, og

(13) fjerne de gjenværende deler av laget 6205 av silikonnitrid, som vist på fig. 62m.

I en foretrukket anvendelse av den sjette utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsingen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

I en foretrukket anvendelse av den sjette utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 6205 av silikonnitrid varierer fra omtrent til 1,0 til 2,0 mikron, tykkelsen av laget 6210 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 6215 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

På fig. 56a, 56b og 63a-631, omfatter den syvende utførelse av den LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, bruk av fotoresist som etsemaske uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 6300 i trinn 5602, som vist på fig. 63a, (2) påføre et lag 6305 av silikonnitrid på silikonplaten 6300 i trinn 5606, som vist på fig. 63b, (3) mønstre laget 6305 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 63c, (4) dyrke et feltlag 6310 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 6300 som ikke er dekket av det mønstrede lag 6305 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 63d, (5) mønstre laget 6310 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 63e, (6) påføre og mønstre et lag 6315 av fotoresist på silikonplaten 6300 i trinn 5620, som vist på fig. 63f, (7) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6300 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 63h, (9) fjerne laget 6315 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 63h, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6300 i trinn 5630, som vist på fig. 63i, (11) etse de eksponerte deler av laget 6310 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 63j, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6300 i trinn 5634, som vist på fig. 63k, og (13) fjerne de gjenværende deler av laget 6305 av silikonnitrid, som vist på fig. 631.

I en foretrukket anvendelse av den syvende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 6305 av silikonnitrid varierer fra omtrent til 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av laget 6310 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 6315 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den syvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsingen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 64a-64m, omfatter den åttende utførelse av den LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, bruk av fotoresist som etsemaske uten en tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten og uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 6400 i trinn 5602, som vist på fig. 64a, (2) påføre et lag av silikonnitrid 6405 på silikonplaten 6400 i trinn 5606, som vist på fig. 64b, (3) mønstre laget 6405 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 64c, (4) tynnetse de eksponerte deler av silikonplaten 6400 i trinn 5610, som vist på fig. 64d, (5) mønstre et feltlag 6410 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 6400 som ikke er dekket av det mønstrede lag 6405 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 64e, (6) mønstre laget 6410 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 64f, (7) påføre og mønstre et lag 6415 av fotoresist på silikonplaten 6400 i trinn 5620, som vist på fig. 64g, (8) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6400 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 64h, (9) fjerne laget 6415 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 64i, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6400 i trinn 5630, som vist på fig. 64j, (11) etse de eksponerte deler av laget 6410 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 64k, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6400 i trinn 5634, som vist på fig. 641, og (13) fjerne de gjenværende deler av laget 6405 av silikonnitrid, som vist på fig. 64m.

I en foretrukket anvendelse av den åttende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 6405 av silikonnitrid varierer fra omtrent til 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av laget 6410 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron, tykkelsen av laget 6415 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron og dybden av den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 6400 varierer fra omtrent 0,5 til 1 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den åttende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsingen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 65a-65n, omfatter den niende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, bruk av fotoresist som etsemaske med en tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten og uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 6500 i trinn 5602, som vist på fig. 65a, (2) påføre et lag 6505 av silikonnitrid på silikonplaten 6500 i trinn 5606, som vist på fig. 65b, (3) mønstre laget 6505 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 65c, (4) tynnetse de eksponerte deler av silikonplaten 6500 i trinn 5610, som vist på fig. 65d, (5) dyrke et feltlag 6510 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 6500 som ikke er dekket av det mønstrede lag 6505 av silikonnitrid i trinn 6514 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 65e, (6) mønstre laget 6510 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 65f, (7) påføre og mønstre et lag 6515 av fotoresist på silikonplaten 6500 i trinn 5620, som vist på fig. 65g, (8) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6500 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 65h, (9) etse de eksponerte deler av laget 6510 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 65i, (10) fjerne laget 6515 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 65j, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6500 i trinn 5630, som vist på fig. 65k, (12) etse de eksponerte deler av laget 6510 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 651, (13) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6500 i trinn 5634, som vist på fig. 65m, og (14) fjerne de gjenværende deler av laget 6505 av silikonnitrid, som vist på fig. 65n.

I en foretrukket anvendelse av den niende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 6505 av silikonnitrid varierer fra omtrent til 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av laget 6510 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron, tykkelsen av laget 6515 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron og dybden av den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 6500 varierer fra omtrent 0,5 til 1 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den niende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsingen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 66a-66n, omfatter den tiende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, bruk av fotoresist som etsemaske uten en tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten og uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 6600 i trinn 5602, som vist på fig. 66a, (2) påføre et lag 6605 av silikonnitrid på silikonplaten 6600 i trinn 5606, som vist på fig. 66b, (3) mønstre laget 6605 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 66c, (4) tynnetse de eksponerte deler av silikonplaten 6600 i trinn 5610, som vist på fig. 66d, (5) dyrke et feltlag 6610 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 6600 som ikke er dekket av det mønstrede lag 6605 av silikonnitrid i trinn 6514 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 66e, (6) mønstre laget 6610 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 66f, (7) påføre og mønstre et lag 6615 av fotoresist på silikonplaten 6600 i trinn 5620, som vist på fig. 66g, (8) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6600 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5622, som vist på fig. 66h, (9) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6600 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 66i, (10) fjerne laget 6615 av fotoresist i trinn 5628 som vist på fig. 66j, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6600 i trinn 5630, som vist på fig. 66k, (12) etse de eksponerte deler av laget 6610 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 661, (13) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6600 i trinn 5634, som vist på fig. 66m, og (13) fjerne de gjenværende deler av laget 6605 av silikonnitrid, som vist på fig. 66n.

I en foretrukket anvendelse av den tiende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 6605 av silikonnitrid varierer fra omtrent til 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av laget 6610 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron, tykkelsen av laget 6615 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron, og dybden av den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 6600 varierer fra omtrent 0,5 til 1 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den tiende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsingen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E +45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 67a-66o, omfatter den ellevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med en tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten og uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 6700 i trinn 5602, som vist på fig. 67a, (2) påføre et lag 6705 av silikonnitrid på silikonplaten 6700 i trinn 5606, som vist på fig. 67b, (3) mønstre laget 6705 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 67c, (4) tynnetse de eksponerte deler av silikonplaten 6700 i trinn 5610, som vist på fig. 67d, (5) dyrke et feltlag 6710 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 6700 som ikke er dekket av det mønstrede lag 6705 av silikonnitrid i trinn 6514 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle lag av silikondioksid), som vist på fig. 67e, (6) mønstre laget 6710 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 67f, (7) påføre og mønstre et lag 6715 av fotoresist på silikonplaten 6700 i trinn 5620, som vist på fig. 67g, (8) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6700 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5622, som vist på fig. 67h, (9) etse de eksponerte deler av laget 6710 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 67i, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6700 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 67j, (11) fjerne laget 6715 av fotoresist i trinn 5628 som vist på fig. 67k, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6700 i trinn 5630, som vist på fig. 671, (13) etse de eksponerte deler av laget 6710 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 67m, (14) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6700 i trinn 5634, som vist på fig. 67n, og (15) fjerne de gjenværende deler av laget 6705 av silikonnitrid, som vist på fig. 67o.

I en foretrukket anvendelse av den ellevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 6705 av silikonnitrid varierer fra omtrent til 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av laget 6710 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron, tykkelsen av laget 6715 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron, og dybden av den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 6700 varierer fra omtrent 0,5 til 1 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den ellevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsingen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 68a-68k, omfatter den tolvte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med en tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten og uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 6800 i trinn 5602, som vist på fig. 68a, (2) påføre et lag 6805 av silikonnitrid på silikonplaten 6800 i trinn 5606, som vist på fig. 68b, (3) mønstre laget 6805 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 68c, (4) tynnetse de eksponerte deler av silikonplaten 6800 i trinn 5610, som vist på fig. 68d, (5) dyrke et feltlag 6810 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 6800 som ikke er dekket av det mønstrede lag 6805 av silikonnitrid i trinn 6514 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 68e, (6) mønstre laget 6810 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 68f, (7) påføre og mønstre et lag 6815 av fotoresist på silikonplaten 6800 i trinn 5620, som vist på fig. 68g, (8) etse de eksponerte deler av laget 6810 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 68h, (9) fjerne laget 6815 av fotoresist i trinn 5628 som vist på fig. 68i, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6800 i trinn 5630, som vist på fig. 68j, (11) etse de eksponerte deler av laget 6810 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 68k, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6800 i trinn 5634og deretter (13) fjerne de gjenværende deler av laget 6805 av silikonnitrid.

I en foretrukket anvendelse av den tolvte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 6805 av silikonnitrid varierer fra omtrent til 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av laget 6810 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron, tykkelsen av laget 6815 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron og dybden av den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 6800 varierer fra omtrent 0,5 til 1 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den tolvte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsingen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 68a-68k og 691-n, omfatter den trettende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med en tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten og uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 6800 i trinn 5602, som vist på fig. 68a, (2) påføre et lag 6805 av silikonnitrid på silikonplaten 6800 i trinn 5606, som vist på fig. 68b, (3) mønstre laget 6805 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 68c, (4) tynnetse de eksponerte deler av silikonplaten 6800 i trinn 5610, som vist på fig. 68d, (5) dyrke et feltlag 6810 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 6800 som ikke er dekket av det mønstrede lag 6805 av silikonnitrid i trinn 6514 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 68e, (6) mønstre laget 6810 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 68f, (7) påføre og mønstre et lag 6815 av fotoresist på silikonplaten 6800 i trinn 5620, som vist på fig. 68g, (8) etse de eksponerte deler av laget 6810 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 68h, (9) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6800 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, (10) fjerne laget 6815 av fotoresist i trinn 5628, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6800 i trinn 5630, (12) etse de gjenværende deler av laget 6810 av silikondioksid i trinn 5632 for å oppnå en konfigurasjon som vist på fig. 691, (13) etse de eksponerte deler av silikonplaten 6900 (6800 på fig. 68a-68k) i trinn 5634, som vist på fig. 69m og (14) fjerne de gjenværende deler av laget 6905 (6805 på fig. 68a-68k) av silikonnitrid, som vist på fig. 69n.

I en foretrukket anvendelse av den trettende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

I en foretrukket anvendelse av den trettende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 6905 (6805 på fig. 68a-68k) av silikonnitrid varierer fra omtrent til 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av laget 6910 (6810 på fig. 68a-68k) av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron, tykkelsen av laget 6915 (6815 på fig. 68a-68k) av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron og dybden av den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 6900 (6800 på fig. 68a-68k) varierer fra omtrent 0,5 til 1 mikron.

På fig. 56a, 56b og 70a-70k, omfatter den fjortende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske, med en tynnetsning av silikonplaten og uten bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 7000 i trinn 5602, som vist på fig. 70a, (2) påføre et lag 7005 av silikonnitrid på silikonplaten 7000 i trinn 5606, som vist på fig. 70b, (3) mønstre laget 7005 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 70c, (4) tynnetse de eksponerte deler av silikonplaten 7000 i trinn 5610, som vist på fig. 70d, (5) dyrke et feltlag 7010 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 7000 som ikke er dekket av det mønstrede lag 7005 av silikonnitrid i trinn 6514 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 70e, (6) mønstre laget 7010 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 70f, (7) påføre og mønstre et lag 7015 av fotoresist på silikonplaten 7000 i trinn 5620, som vist på fig. 70g, (8) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7000 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 70h, (9) fjerne laget 7015 av fotoresist i trinn 5628 som vist på fig. 70i, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7000 i trinn 5630, som vist på fig. 70j, (11) etse de eksponerte deler av laget 7010 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 70k, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7000 i trinn 5634, som vist på fig. 701 og (13) fjerne de gjenværende deler av laget 7005 av silikonnitrid, som vist på fig. 70m.

I en foretrukket anvendelse av den fjortende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av laget 7005 av silikonnitrid varierer fra omtrent til 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av laget 7010 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron, tykkelsen av laget 7015 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron og dybden av den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 7000 varierer fra omtrent 0,5 til 1 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den fjortende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 71a-71m, omfatter den femtende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske, med bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 7100 i trinn 5602, som vist på fig. 71a, (2) påføre et bufferlag 7105 av silikondioksid på silikonplaten 7100 i trinn 5604, som vist på fig. 71b, (3) påføre et lag av silikonnitrid 7110 på silikonplaten 7100 i trinn 5606, som vist på fig. 71c (4) mønstre laget 7110 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 7 ld, (5) dyrke et feltlag 7115 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 7100 som ikke er dekket av det mønstrede lag 7110 av silikonnitrid i trinn 6514 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 7le, (6) mønstre lagene 7105 og 7115 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 71 f, (7) påføre og mønstre et lag 7120 av fotoresist på silikonplaten 7100 i trinn 5620, som vist på fig. 7lg, (8) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7100 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5622, som vist på fig. 71h, (9) fjerne laget 7120 av fotoresist i trinn 5628 som vist på fig. 71 i, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7100 i trinn 5630, som vist på fig. 71 j, (11) etse de eksponerte deler av lagene 7105 og 7115 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 71k, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7100 i trinn 5634, som vist på fig. 711 og (13) fjerne de gjenværende deler av lagene 7105, 7110 og 7115 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 7lm.

I en foretrukket anvendelse av den femtende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 7105 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 7110 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 7115 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 7120 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den femtende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 72a-72n, omfatter den sekstende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, bruk av fotoresist som etsemaske med bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 7200 i trinn 5602, som vist på fig. 72a, (2) påføre et bufferputelag 7205 av silikondioksid på silikonplaten i trinn 5604, som vist på fig. 72b, (3) påføre et lag 7210 av silikonnitrid på silikonplaten 7200 i trinn 5606, som vist på fig. 72c (4) mønstre laget 7210 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 72d, (5) dyrke et feltlag 7215 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 7200 som ikke er dekket av det mønstrede lag 7210 av silikonnitrid i trinn 6514 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 72e, (6) mønstre lagene 7205 og 7215 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 72f, (7) påføre og mønstre et lag 7220 av fotoresist på silikonplaten 7200 i trinn 5620, som vist på fig. 72g, (8) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7200 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5622, som vist på fig. 72h, (9) etse de eksponerte deler av lagene 7205 og 7215 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 72i, (10) fjerne laget 7220 av fotoresist i trinn 5628 som vist på fig. 72j, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7200 i trinn 5630, som vist på fig. 72k, (12) etse de eksponerte deler av lagene 7205 og 7215 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 721, (13) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7200 i trinn 5634, som vist på fig. 72m og (14) fjerne de gjenværende deler av lagene 7205, 7210 og 7215 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 72n.

I en foretrukket anvendelse av den sekstende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 7205 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 7210 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 7215 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 7220 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den sekstende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 73a-73n, omfatter den syttende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, bruk av fotoresist som etsemaske og bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 7300 i trinn 5602, som vist på fig. 73a, (2) påføre et bufferputelag 7305 av silikondioksid på silikonplaten 7300 i trinn 5604, som vist på fig. 73b, (3) påføre et lag 7310 av silikonnitrid på silikonplaten 7300 i trinn 5606, som vist på fig. 73c (4) mønstre laget 7310 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 73d, (5) dyrke et feltlag 7315 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 7300 som ikke er dekket av det mønstrede lag 7310 av silikonnitrid i trinn 6514 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 73e, (6) mønstre lagene 7305 og 7315 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 73f, (7) påføre og mønstre et lag 7320 av fotoresist på silikonplaten 7300 i trinn 5620, som vist på fig. 73g, (8) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7300 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5622, som vist på fig. 73h, (9) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7300 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 73i, (10) fjerne laget 7320 av fotoresist i trinn 5628 som vist på fig. 73j, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7300 i trinn 5630, som vist på fig. 73k, (12) etse de eksponerte deler av lagene 7305 og 7315 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 731, (13) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7300 i trinn 5634, som vist på fig. 73m og (14) fjerne de gjenværende deler av lagene 7305, 7310 og 7315 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 73n.

I en foretrukket anvendelse av den syttende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 7305 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 7310 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 7315 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 7320 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den syttende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 74a-74o, omfatter den attende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, bruk av fotoresist som etsemaske og et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 7400 i trinn 5602, som vist på fig. 74a, (2) påføre et bufferputelag 7405 av silikondioksid på silikonplaten 7400 i trinn 5604, som vist på fig. 74b, (3) påføre et lag 7410 av silikonnitrid på silikonplaten 7400 i trinn 5606, som vist på fig. 74c (4) mønstre laget 7410 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 74d, (5) dyrke et feltlag 7415 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 7400 som ikke er dekket av det mønstrede lag 7410 av silikonnitrid i trinn 6514 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 74e, (6) mønstre lagene 7405 og 7415 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 74f, (7) påføre og mønstre et lag 7420 av fotoresist på silikonplaten 7400 i trinn 5620, som vist på fig. 74g, (8) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7400 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5622, som vist på fig. 74h, (9) etse de eksponerte deler av lagene 7405 og 7415 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 74i, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7400 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 74j, (11) fjerne laget 7420 av fotoresist i trinn 5628 som vist på fig. 74k, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7400 i trinn 5630, som vist på fig. 741, (13) etse de eksponerte deler av lagene 7405 og 7415 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 74m, (14) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7400 i trinn 5634, som vist på fig. 74n og (15) fjerne de gjenværende deler av lagene 7405, 7410 og 7415 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 74o..

I en foretrukket anvendelse av den attende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 7405 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 7410 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 7415 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 7420 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den attende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 75a-75m, omfatter den nittende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 7500 i trinn 5602, som vist på fig. 75a, (2) påføre et bufferputelag 7505 av silikondioksid på silikonplaten 7500 i trinn 5604, som vist på fig. 75b, (3) påføre et lag 7510 av silikonnitrid på silikonplaten 7500 i trinn 5606, som vist på fig. 75c (4) mønstre laget 7510 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 75d, (5) dyrke et feltlag 7515 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 7500 som ikke er dekket av det mønstrede lag 7510 av silikonnitrid i trinn 6514 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 75e, (6) mønstre lagene 7505 og 7515 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 75f, (7) påføre og mønstre et lag 7520 av fotoresist på silikonplaten 7500 i trinn 5620, som vist på fig. 75g, (8) etse de eksponerte deler av lagene 7505 og 7515 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 75h, (9) fjerne laget 7520 av fotoresist i trinn 5628 som vist på fig. 75i, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7500 i trinn 5630, som vist på fig. 75j, (11) etse de eksponerte deler av lagene 7505 og 7515 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 75k, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7500 i trinn 5634, som vist på fig. 751 og (13) fjerne de gjenværende deler av lagene 7505, 7510 og 7515 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 75m.

I en foretrukket anvendelse av den nittende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 7505 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 7510 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 7515 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 7520 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den nittende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 76a-76n, omfatter den tyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 7600 i trinn 5602, som vist på fig. 76a, (2) påføre et bufferputelag 7605 av silikondioksid på silikonplaten 7600 i trinn 5604, som vist på fig. 76b, (3) påføre et lag 7610 av silikonnitrid på silikonplaten 7600 i trinn 5606, som vist på fig. 76c (4) mønstre laget 7610 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 76d, (5) dyrke et feltlag 7615 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 7600 som ikke er dekket av det mønstrede lag 7610 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 76e, (6) mønstre lagene 7605 og 7615 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 76f, (7) påføre og mønstre et lag 7620 av fotoresist på silikonplaten 7600 i trinn 5620, som vist på fig. 76g, (8) etse de eksponerte deler av lagene 7605 og 7615 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 76h, (9) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7600 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 76i, (10) fjerne laget 7620 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 76j, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7600 i trinn 5630, som vist på fig. 76k, (12) etse de eksponerte deler av lagene 7605 og 7615 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 761, (13) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7600 i trinn 5634, som vist på fig. 76m og (14) fjerne de gjenværende deler av lagene 7605, 7610 og 7615 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 76n.

I en foretrukket anvendelse av den tyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 7605 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 7610 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 7615 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 7620 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den tyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E +45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 77a-77m, omfatter den enogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med bruk av et bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 7700 i trinn 5602, som vist på fig. 77a, (2) påføre et bufferputelag 7705 av silikondioksid på silikonplaten 7700 i trinn 5604, som vist på fig. 77b, (3) påføre et lag 7710 av silikonnitrid på silikonplaten 7700 i trinn 5606, som vist på fig. 77c (4) mønstre laget 7710 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 77d, (5) dyrke et feltlag 7715 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 7700 som ikke er dekket av det mønstrede lag 7710 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 77e, (6) mønstre lagene 7705 og 7715 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 77f, (7) påføre og mønstre et lag 7720 av fotoresist på silikonplaten 7700 i trinn 5620, som vist på fig. 77g, (8) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7700 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 77h, (10) fjerne laget 7720 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 77i, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7700 i trinn 5630, som vist på fig. 77j, (12) etse de eksponerte deler av lagene 7705 og 7715 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 77k, (13) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7700 i trinn 5634, som vist på fig. 771 og (14) fjerne de gjenværende deler av lagene 7705, 7710 og 7715 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 77m.

I en foretrukket anvendelse av den enogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 7705 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 7710 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 7715 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 7720 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den enogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

På fig. 56a, 56b og 78a-78n, omfatter den toogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som en etsemaske med bruk av et etset bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 7800 i trinn 5602, som vist på fig. 78a, (2) påføre et bufferputelag 7805 av silikondioksid på silikonplaten 7800 i trinn 5604, som vist på fig. 78b, (3) påføre et lag 7810 av silikonnitrid på silikonplaten 7800 i trinn 5606, som vist på fig. 78c (4) mønstre laget 7810 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 78d, (5) mønstre bufferputelaget 7805 av silikondioksid i trinn 5610, som vist på fig. 78e, (6) dyrke et feltlag 7815 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 7800 som ikke er dekket av det mønstrede lag 7810 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 78f, (7) mønstre lagene 7805 og 7815 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 78g, (8) påføre og mønstre et lag 7820 av fotoresist på silikonplaten 7800 i trinn 5620, som vist på fig. 78h, (9) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7800 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 78i, (10) fjerne laget 7820 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 78j, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7800 i trinn 5630, som vist på fig. 78k, (12) etse de eksponerte deler av lagene 7805 og 7815 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 781, (13) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7800 i trinn 5634, som vist på fig. 78m og (14) fjerne de gjenværende deler av lagene 7805, 7810 og 7815 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 78n.

I en foretrukket anvendelse av den toogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 7805 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 7810 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 7815 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 7820 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den toogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

I en foretrukket anvendelse av den toogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, blir det mønstrede lag 7810 av silikonnitrid brukt som en etsemaske for å mønstre de eksponerte deler av bufferlaget 7805 av silikondioksid i trinn 5610.

På fig. 56a, 56b og 79a-79o, omfatter den treogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med bruk av et etset bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 7900 i trinn 5602, som vist på fig. 79a, (2) påføre et bufferputelag 7905 av silikondioksid på silikonplaten i trinn 5604, som vist på fig. 79b, (3) påføre et lag 7910 av silikonnitrid på silikonplaten 7900 i trinn 5606, som vist på fig. 79c (4) mønstre laget 7910 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 79d, (5) mønstre bufferputelaget 7905 av silikondioksid i trinn 5610, som vist på fig. 79e, (6) dyrke et feltlag 7915 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 7900 som ikke er dekket av det mønstrede lag 7910 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 79f, (7) mønstre lagene 7905 og 7915 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 79g, (8) påføre og mønstre et lag 7920 av fotoresist på silikonplaten 7900 i trinn 5620, som vist på fig. 79h, (9) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7900 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5622, som vist på fig. 79i, (10) etse de eksponerte deler av lagene 7905 og 7915 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 79j, (11) fjerne laget 7920 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 79k, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7900 i trinn 5630, som vist på fig. 791, (13) etse de eksponerte deler av lagene 7905 og 7915 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 79m, (14) etse de eksponerte deler av silikonplaten 7900 i trinn 5634, som vist på fig. 79n og (15) fjerne de gjenværende deler av lagene 7905, 7910 og 7915 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 79o.

I en foretrukket anvendelse av den treogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 7905 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 7910 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 7915 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 7920 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den treogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

I en foretrukket anvendelse av den treogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, blir det mønstrede lag 7910 av silikonnitrid brukt som en etsemaske for å mønstre de eksponerte deler av bufferlaget 7905 av silikondioksid i trinn 5610.

På fig. 56a, 56b og 80a-80o, omfatter den fireogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med bruk av et etset bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 8000 i trinn 5602, som vist på fig. 80a, (2) påføre et bufferputelag 8005 av silikondioksid på silikonplaten 8000 i trinn 5604, som vist på fig. 80b, (3) påføre et lag 8010 av silikonnitrid på silikonplaten 8000 i trinn 5606, som vist på fig. 80c (4) mønstre laget 8010 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 80d, (5) mønstre bufferputelaget 8005 av silikondioksid i trinn 5610, som vist på fig. 80e, (6) dyrke et feltlag 8015 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 8000 som ikke er dekket av det mønstrede lag 8010 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 80f, (7) mønstre lagene 8005 og 8015 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 80g, (8) påføre og mønstre et lag 8020 av fotoresist på silikonplaten 8000 i trinn 5620, som vist på fig. 80h, (9) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8000 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5622, som vist på fig. 80i, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8000 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 80j, (11) fjerne laget 8020 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 80k, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8000 i trinn 5630, som vist på fig. 801, (13) etse de eksponerte deler av lagene 8005 og 8015 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 80m, (14) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8000 i trinn 5634, som vist på fig. 80n og (15) fjerne de gjenværende deler av lagene 8005, 8010 og 8015 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 80o.

I en foretrukket anvendelse av den fireogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 8005 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 8010 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 8015 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 8020 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den fireogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E +45E i forhold til horisontalt.

I en foretrukket anvendelse av den fireogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, blir det mønstrede laget 8010 av silikonnitrid brukt som en etsemaske for å mønstre de eksponerte deler av bufferlaget 8005 av silikondioksid i trinn 5610.

På fig. 56a, 56b og 81a-81p, omfatter den femogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med bruk av et etset bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 8100 i trinn 5602, som vist på fig. 81a, (2) påføre et bufferputelag 8105 av silikondioksid på silikonplaten 8100 i trinn 5604, som vist på fig. 81b, (3) påføre et lag 8110 av silikonnitrid på silikonplaten 8100 i trinn 5606, som vist på fig. 81c (4) mønstre laget 8110 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 81d, (5) mønstre bufferputelaget 8105 av silikondioksid i trinn 5610, som vist på fig. 81e, (6) dyrke et feltlag 8115 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 8100 som ikke er dekket av det mønstrede lag 8110 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 81 f, (7) mønstre lagene 8105 og 8115 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 8lg, (8) påføre og mønstre et lag 8120 av fotoresist på silikonplaten 8100 i trinn 5620, som vist på fig. 81h, (9) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8100 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5622, som vist på fig. 8li, (10) etse de eksponerte deler av lagene 8105 og 8115 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 8 lj, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8100 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 81k, (12) fjerne laget 8120 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 811, (13) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8100 i trinn 5630, som vist på fig. 8lm, (14) etse de eksponerte deler av lagene 8105 og 8115 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 8ln, (15) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8100 i trinn 5634, som vist på fig. 8lo og (16) fjerne de gjenværende deler av lagene 8105, 8110 og 8115 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 80p.

I en foretrukket anvendelse av den femogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 8105 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 8110 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 8115 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 8120 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den femogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E +45E i forhold til horisontalt.

I en foretrukket anvendelse av den femogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, brukes det mønstrede laget 8110 av silikonnitrid som en etsemaske for mønstring av de eksponerte deler av bufferlaget 8105 av silikondioksid i trinn 5610.

På fig. 56a, 56b og 82a-82m, omfatter den seksogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med bruk av et etset bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 8200 i trinn 5602, som vist på fig. 82a, (2) påføre et bufferputelag 8205 av silikondioksid på silikonplaten 8200 i trinn 5604, som vist på fig. 82b, (3) påføre et lag 8210 av silikonnitrid på silikonplaten 8200 i trinn 5606, som vist på fig. 82c (4) mønstre laget 8210 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 82d, (5) mønstre bufferputelaget 8205 av silikondioksid i trinn 5610, som vist på fig. 82e, (6) dyrke et feltlag 8215 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 8200 som ikke er dekket av det mønstrede lag 8210 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 82f, (7) mønstre lagene 8205 og 8215 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 82g, (8) påføre og mønstre et lag 8220 av fotoresist på silikonplaten 8200 i trinn 5620, som vist på fig. 82h, (9) etse de eksponerte deler av lagene 8205 og 8215 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 82i, (10) fjerne laget 8220 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 82j, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8200 i trinn 5630, som vist på fig. 82k, (12) etse de eksponerte deler av lagene 8205 og 8215 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 821, (13) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8200 i trinn 5634, som vist på fig. 82m og (14) fjerne de gjenværende deler av lagene 8205, 8210 og 8215 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 88n.

I en foretrukket anvendelse av den seksogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 8205 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 8210 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 8215 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 8220 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den seksogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

I en foretrukket anvendelse av den seksogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, brukes det mønstrede laget 8210 av silikonnitrid som en etsemaske for mønstring av de eksponerte deler av bufferlaget 8205 av silikondioksid i trinn 5610.

På fig. 56a, 56b og 83a-83o, omfatter den syvogtyvende anvendelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med bruk av et etset bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 8300 i trinn 5602, som vist på fig. 83a, (2) påføre et bufferputelag 8305 av silikondioksid på silikonplaten 8300 i trinn 5604, som vist på fig. 83b, (3) påføre et lag 8310 av silikonnitrid på silikonplaten 8300 i trinn 5606, som vist på fig. 83c, (4) mønstre laget 8310 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 83d, (5) mønstre bufferputelaget 8305 av silikondioksid i trinn 5610, som vist på fig. 83e, (6) dyrke et feltlag 8315 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 8300 som ikke er dekket av det mønstrede lag 8310 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 83f, (7) mønstre lagene 8305 og 8315 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 83g, (8) påføre og mønstre et lag 8320 av fotoresist på silikonplaten 8300 i trinn 5620, som vist på fig. 83h, (9) etse de eksponerte deler av lagene 8305 og 8315 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 83i, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8300 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 83j, (11) fjerne laget 8320 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 83k, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8300 i trinn 5630, som vist på fig. 831, (13) etse de eksponerte deler av lagene 8305 og 8315 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 83m, (14) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8300 i trinn 5634, som vist på fig. 83n og (15) fjerne de gjenværende deler av lagene 8305, 8310 og 8315 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 83o.

I en foretrukket anvendelse av den syvogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 8305 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 8310 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 8315 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 8320 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den syvogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E +45E i forhold til horisontalt.

I en foretrukket anvendelse av den syvogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, brukes det mønstrede lag 8310 av silikonnitrid som en etsemaske for mønstring av de eksponerte deler av bufferlaget 8305 av silikondioksid i trinn 5610.

På fig. 56a, 56b og 84a-84n, omfatter den åtteogtyvende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med bruk av et etset bufferlag av silikondioksid, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 8400 i trinn 5602, som vist på fig. 84a, (2) påføre et bufferputelag 8405 av silikondioksid på silikonplaten 8400 i trinn 5604, som vist på fig. 84b, (3) påføre et lag 8410 av silikonnitrid på silikonplaten 8400 i trinn 5606, som vist på fig. 84c, (4) mønstre laget 8410 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 84d, (5) mønstre bufferputelaget 8405 av silikondioksid i trinn 5610, som vist på fig. 84e, (6) dyrke et feltlag 8415 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 8400 som ikke er dekket av det mønstrede lag 8410 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 84f, (7) mønstre lagene 8405 og 8415 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 84g, (8) påføre og mønstre et lag 8420 av fotoresist på silikonplaten 8400 i trinn 5620, som vist på fig. 84h, (9) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8400 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 84i, (10) fjerne laget 8420 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 84j, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8400 i trinn 5630, som vist på fig. 84k, (12) etse de eksponerte deler av lagene 8405 og 8415 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 841, (13) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8400 i trinn 5634, som vist på fig. 84m og (14) fjerne de gjenværende deler av silikonlagene 8405, 8410 og 8415 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 84n.

I en foretrukket anvendelse av den åtteogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 8405 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 8410 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 8415 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron og tykkelsen av laget 8420 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den åtteogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

I en foretrukket anvendelse av den åtteogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, blir det mønstrede lag 8410 av silikonnitrid brukt som en etsemaske for å mønstre av de eksponerte deler av bufferlaget 8405 av silikondioksid i trinn 5610.

På fig. 56a, 56b og 85a-85o, omfatter den niogtyvende utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med bruk av et etset bufferlag av silikondioksid og en tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 8500 i trinn 5602, som vist på fig. 85a, (2) påføre et bufferputelag 8505 av silikondioksid på silikonplaten 8500 i trinn 5604, som vist på fig. 85b, (3) påføre et lag 8510 av silikonnitrid på silikonplaten 8500 i trinn 5606, som vist på fig. 85c, (4) mønstre laget 8510 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 85d, (5) mønstre bufferputelaget 8505 av silikondioksid i trinn 5610, som vist på fig. 85e, (6) tynnetse de eksponerte deler av silikonplaten 8500 i trinn 5612, som vist på fig. 85f, (7) dyrke et feltlag 8515 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 8500 som ikke er dekket av det mønstrede lag 8510 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 85g, (8) mønstre lagene 8505 og 8515 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 85h, (9) påføre og mønstre et lag 8520 av fotoresist på silikonplaten 8500 i trinn 5620, som vist på fig. 85i, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8500 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5622, som vist på fig. 85j, (11) fjerne laget 8520 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 85k, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8500 i trinn 5630, som vist på fig. 851, (13) etse de eksponerte deler av lagene 8505 og 8515 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 85m, (14) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8500 i trinn 5634, som vist på fig. 85n og (15) fjerne de gjenværende deler av lagene 7805, 7810 og 7815 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 85o.

I en foretrukket anvendelse av den niogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 8505 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 8510 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 8515 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron, tykkelsen av laget 8520 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron og dybden av den tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten 8500 varierer fra omtrent 0,1 til 1 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den niogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E +45E i forhold til horisontalt.

I en foretrukket anvendelse av den niogtyvende utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, blir tynnetsningen av de eksponerte deler av silikonplaten 8500 i trinn 5612 utført ved hjelp av et lag fotoresist som et maskeringslag.

På fig. 56a, 56b og 86a-86p, omfatter den tredevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med bruk av et etset bufferlag av silikondioksid og en tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 8600 i trinn 5602, som vist på fig. 86a, (2) påføre et bufferputelag 8605 av silikondioksid på silikonplaten 8600 i trinn 5604, som vist på fig. 86b, (3) påføre et lag 8610 av silikonnitrid på silikonplaten 8600 i trinn 5606, som vist på fig. 86c, (4) mønstre laget 8610 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 86d, (5) mønstre bufferputelaget 8605 av silikondioksid i trinn 5610, som vist på fig. 86e, (6) tynnetse de eksponerte deler av silikonplaten 8600 i trinn 5612, som vist på fig. 86f, (7) dyrke et feltlag 8615 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 8600 som ikke er dekket av det mønstrede lag 8610 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis minst like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle lag av silikondioksid), som vist på fig. 86g, (8) mønstre lagene 8605 og 8615 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 86h, (9) påføre og mønstre et lag 8620 av fotoresist på silikonplaten 8600 i trinn 5620, som vist på fig. 86i, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8600 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5622, som vist på fig. 86j, (11) etse de eksponerte deler av lagene 8605 og 8615 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 86k, (12) fjerne laget 8620 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 861, (13) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8600 i trinn 5630, som vist på fig. 86m, (14) etse de eksponerte deler av lagene 8605 og 8615 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 86n, (15) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8600 i trinn 5634, som vist på fig. 86o og (16) fjerne de gjenværende deler av lagene 8605, 8610 og 8615 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 86p.

I en foretrukket anvendelse av den tredevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 8605 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 8610 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 8615 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron, tykkelsen av laget 8620 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron og dybden av den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 8600 varierer fra omtrent 0,5 til 1 mikron. 1 en foretrukket anvendelse av den tredevte utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

I en foretrukket anvendelse av den tredevte utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, utføres den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 8600 i trinn 5612 ved hjelp av et lag fotoresist som maskeringslag.

På fig. 56a, 56b og 87a-87p, omfatter den enogtredevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med bruk av et etset bufferlag av silikondioksid og en tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 8700 i trinn 5602, som vist på fig. 87a, (2) påføre et bufferputelag 8705 av silikondioksid på silikonplaten 8700 i trinn 5604, som vist på fig. 87b, (3) påføre et lag 8710 av silikonnitrid på silikonplaten 8700 i trinn 5606, som vist på fig. 87c, (4) mønstre laget 8710 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 87d, (5) mønstre bufferputelaget 8705 av silikondioksid i trinn 5610, som vist på fig. 87e, (6) tynnetse de eksponerte deler av silikonplaten 8700 i trinn 5612, som vist på fig. 87f, (7) dyrke et feltlag 8715 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 8700 som ikke er dekket av det mønstrede lag 8710 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 87g, (8) mønstre lagene 8705 og 8715 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 87h, (9) påføre og mønstre et lag 8720 av fotoresist på silikonplaten 8700 i trinn 5620, som vist på fig. 87i, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8700 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5622, som vist på fig. 87j, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8700 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 87k, (12) fjerne laget 8720 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 871, (13) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8700 i trinn 5630, som vist på fig. 87m, (14) etse de eksponerte deler av lagene 8705 og 8715 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 87n, (15) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8700 i trinn 5634, som vist på fig. 87o og (16) fjerne de gjenværende deler av lagene 8705, 8710 og 8715 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 87p.

I en foretrukket anvendelse av den enogtredevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 8705 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 8710 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 8715 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron, tykkelsen av laget 8720 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron og dybden av tynnetsningen av de eksponerte deler av silikonplaten 8700 varierer fra omtrent 0,5 til 1 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den enogtredevte utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E +45E i forhold til horisontalt.

I en foretrukket anvendelse av den enogtredevte utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600, utføres den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 8700 i trinn 5612 ved hjelp av et lag fotoresist som et maskeringslag.

På fig. 56a, 56b og 88a-88q, omfatter den toogtredevte anvendelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med bruk av et etset bufferlag av silikondioksid og en tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 8800 i trinn 5602, som vist på fig. 88a, (2) påføre et bufferputelag 8805 av silikondioksid på silikonplaten 8800 i trinn 5604, som vist på fig. 88b, (3) påføre et lag 8810 av silikonnitrid på silikonplaten 8800 i trinn 5606, som vist på fig. 88c, (4) mønstre laget 8810 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 88d, (5) mønstre bufferputelaget 8805 av silikondioksid i trinn 5610, som vist på fig. 88e, (6) tynnetse de eksponerte deler av silikonplaten 8800 i trinn 5612, som vist på fig. 88f, (7) dyrke et feltlag 8815 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 8800 som ikke er dekket av det mønstrede lag 8810 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 88g, (8) mønstre lagene 8805 og 8815 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 88h, (9) påføre og mønstre et lag 8820 av fotoresist på silikonplaten 8800 i trinn 5620, som vist på fig. 88i, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8800 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5622, som vist på fig. 88j, (11) etse de eksponerte deler av lagene 8805 og 8815 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 88k, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8800 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 881, (13) fjerne laget 8820 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 88m, (14) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8800 i trinn 5630, som vist på fig. 88n, (15) etse de eksponerte deler av lagene 8805 og 8815 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 88o, (16) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8800 i trinn 5634, som vist på fig. 88p og (17) fjerne de gjenværende deler av lagene 8805, 8810 og 8815 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 88q.

I en foretrukket anvendelse av den toogtredevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 8805 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 8810 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 8815 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron, tykkelsen av laget 8820 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron og dybden av tynnetsningen av de eksponerte deler av silikonplaten 8800 varierer fra omtrent 0,5 til 1 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den toogtredevte utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E +45E i forhold til horisontalt.

I en foretrukket anvendelse av den toogtredevte utførelsen av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600, med sammensmeltede masker, utføres den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 8800 i trinn 5612 ved hjelp av et lag fotoresist som maskeringslag.

På fig. 56a, 56b og 89a-89o, omfatter den treogtredevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med bruk av et etset bufferlag av silikondioksid og en tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 8900 i trinn 5602, som vist på fig. 89a, (2) påføre et bufferputelag 8905 av silikondioksid på silikonplaten 8900 i trinn 5604, som vist på fig. 89b, (3) påføre et lag 8910 av silikonnitrid på silikonplaten 8900 i trinn 5606, som vist på fig. 89c, (4) mønstre laget 8910 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 89d, (5) mønstre bufferputelaget 8905 av silikondioksid i trinn 5610, som vist på fig. 89e, (6) tynnetse de eksponerte deler av silikonplaten 8900 i trinn 5612, som vist på fig. 89f, (7) dyrke et feltlag 8915 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 8900 som ikke er dekket av det mønstrede lag 8910 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 89g, (8) mønstre lagene 8905 og 8915 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 89h, (9) påføre og mønstre et lag 8920 av fotoresist på silikonplaten 8900 i trinn 5620, som vist på fig. 89i, (10) etse de eksponerte deler av lagene 8905 og 8915 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 89j, (11) fjerne laget 8920 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 89k, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8900 i trinn 5630, som vist på fig. 891, (13) etse de eksponerte deler av lagene 8905 og 8915 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 89m, (14) etse de eksponerte deler av silikonplaten 8900 i trinn 5634, som vist på fig. 89n og (15) fjerne de gjenværende deler av lagene 8905, 8910 og 8915 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 89o.

I en foretrukket anvendelse av den treogtredevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 8905 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 8910 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 8915 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron, tykkelsen av laget 8920 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron og dybden av den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 8900 varierer fra omtrent 0,5 til 1 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den treogtredevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

I en foretrukket anvendelse av den treogtredevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600, med sammensmeltede masker, utføres den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 8800 i trinn 5612 ved hjelp av et lag fotoresist som et maskeringslag.

På fig. 56a, 56b og 90a-90p, omfatter den fireogtredevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med bruk av et etset bufferlag av silikondioksid og en tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 9000 i trinn 5602, som vist på fig. 90a, (2) påføre et bufferputelag 9005 av silikondioksid på silikonplaten 9000 i trinn 5604, som vist på fig. 90b, (3) påføre et lag 9010 av silikonnitrid på silikonplaten 9000 i trinn 5606, som vist på fig. 90c, (4) mønstre laget 9010 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 90d, (5) mønstre bufferputelaget 9005 av silikondioksid i trinn 5610, som vist på fig. 90e, (6) tynnetse de eksponerte deler av silikonplaten 9000 i trinn 5612, som vist på fig. 90f, (7) dyrke et feltlag 9015 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 9000 som ikke er dekket av det mønstrede lag 9010 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 90g, (8) mønstre lagene 9005 og 9015 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 90h, (9) påføre og mønstre et lag 9020 av fotoresist på silikonplaten 9000 i trinn 5620, som vist på fig. 90i, (10) etse de eksponerte deler av lagene 9005 og 9015 av silikondioksid i trinn 5624, som vist på fig. 90j, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten 9000 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 90k, (12) fjerne laget 9020 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 901, (13) etse de eksponerte deler av silikonplaten 9000 i trinn 5630, som vist på fig. 90m, (14) etse de eksponerte deler av lagene 9005 og 9015 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 90n, (15) etse de eksponerte deler av silikonplaten 9000 i trinn 5634, som vist på fig. 90o, og (16) fjerne de gjenværende deler av lagene 9005, 9010 og 9015 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 90p.

I en foretrukket anvendelse av den fireogtredevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 9005 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 9010 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 9015 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron, tykkelsen av laget 9020 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron og dybden av den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 9000 varierer fra omtrent 0,5 til 1 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den fireogtredevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

I en foretrukket anvendelse av den fireogtredevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600, med sammensmeltede masker, utføres den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 9000 i trinn 5612 ved hjelp av et lag fotoresist som et maskeringslag.

På fig. 56a, 56b og 91a-91o, omfatter den femogtredevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, fotoresist som etsemaske med bruk av et etset bufferlag av silikondioksid og en tynnetsning av de eksponerte deler av silikonplaten, trinnene: (1) tilveiebringe en silikonplate 9100 i trinn 5602, som vist på fig. 91a, (2) påføre et bufferputelag 9105 av silikondioksid på silikonplaten 9100 i trinn 5604, som vist på fig. 91b, (3) påføre et lag 9110 av silikonnitrid på silikonplaten 9100 i trinn 5606, som vist på fig. 91c, (4) mønstre laget 9110 av silikonnitrid i trinn 5608, som vist på fig. 91d, (5) mønstre bufferputelaget 9105 av silikondioksid i trinn 5610, som vist på fig. 9le, (6) tynnetse de eksponerte deler av silikonplaten 9100 i trinn 5612, som vist på fig. 91f, (7) dyrke et feltlag 9115 av silikondioksid på de deler av silikonplaten 9100 som ikke er dekket av det mønstrede lag 9110 av silikonnitrid i trinn 5614 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis minst like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), som vist på fig. 9lg, (8) mønstre lagene 9105 og 9115 av silikondioksid i trinn 5616, som vist på fig. 91h, (9) påføre og mønstre et lag 9120 av fotoresist på silikonplaten 9100 i trinn 5620, som vist på fig. 9li, (10) etse de eksponerte deler av silikonplaten 9100 ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 5626, som vist på fig. 9lj, (11) fjerne laget 9120 av fotoresist i trinn 5628, som vist på fig. 91k, (12) etse de eksponerte deler av silikonplaten 9100 i trinn 5630, som vist på fig. 911, (13) etse de eksponerte deler av lagene 9105 og 9115 av silikondioksid i trinn 5632, som vist på fig. 91m, (14) etse de eksponerte deler av silikonplaten 9100 i trinn 5634, som vist på fig.

91n og (15) fjerne de gjenværende deler av lagene 9105, 9110 og 9115 av silikondioksid og silikonnitrid, som vist på fig. 9lo.

I en foretrukket anvendelse av den femogtredevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, anvendes følgende bearbeidingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget 9105 av silikondioksid varierer fra omtrent til 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget 9110 av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget 9115 av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron, tykkelsen av laget 9120 av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron og dybden av den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten 9100 varierer fra omtrent 0,5 til 1 mikron.

I en foretrukket anvendelse av den femogtredevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600 med sammensmeltede masker, omfatter etsningen i trinnene 5622 og 5626 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt.

I en foretrukket anvendelse av den femogtredevte utførelse av LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 5600, med sammensmeltede masker, utføres tynnetsningen av de eksponerte deler av silikonplaten 9100 i trinn 5612 ved hjelp av et lag fotoresist som maskeringslag.

I en alternativ utførelse brukes våte anisotropiske etsemidler, f.eks. (1) vannholdig KOH blandet med isopropylalkohol, (2) tetrametylammoniumhydroksid, (3) blanding av etylendiamin og pyrosatestol, (4) sesiumhydroksid, (5) en blanding av etylendiaminpyrosatestol og vann, (6) en blanding av etanolamin, gallussyre og vann eller (7) hydrasin i stedet for KOH.

I en alternativ utførelse, hvor maskeringslaget av silikondioksid brukes med KOH-etsning, brukes et tykkere lag av silikondioksid og deretter mønstret og tynnet for å frembringe en struktur med flere tykkelser. Et lag av et annet maskeringsmateriale, f.eks. silikonnitrid eller silikonkarbid blir så påført og mønstret. Denne kombinasjon av maskeringslag vil frembringe en sammenblandet maskering.

I en alternativ utførelse, hvor DRIE-etsning kombineres med KOH-etsning brukes et antall maskeringslag for bruk med KOH, mens andre maskeringslag mønstres for bruk med DRIE. En kombinasjon av DRIE- og KOH-etsning iblandet maskeringsfjerning brukes så for å frembringe flere etsningsdybder i et substrat.

I en alternativ utførelse brukes gass- eller plasmaetsning i kombinasjon med DRIE. På denne måte kan det frembringes en blandet maskering med flere fotoresistlag eller fotoresistlag i kombinasjon med metallmaskeringslag.

I en alternativ utførelse brukes vekselvis DRIE- og plasmaetsning.

I en alternativ utførelse brukes maskeringsmaterialer som omfatter diamant, SiC, metaller og polymer i forbindelse med bruk av en kombinasjon av våtetsning og tørretsning.

I en alternativ utførelse brukes tidsbestemt erosjon av etsningsmotstandslag av materiale med flere tykkelser for å tilveiebringe forskjellige maskeringslag.

I en alternativ utførelse brukes f.eks. gassholdige etsningsmidler, f.eks. xenondifluorid, klortrofluorid, bromtrofluorid, bromheptafluorid, eller jodheptafluorid i stedet for, eller i tillegg til DRIE.

I en alternativ utførelse brukes maskeringsmaterialer som f.eks. silikonkarbid, polykrystallindiamant, etsebestandig polymer, eller aluminium i stedet for silikondioksid og/eller silikonnitrid.

På fig. 92a og 92b er det vist flere alternative utførelser av lokalisering oksidering av silikon (LOCOS) mikromaskineringsfremgangsmåter 9200 med sammensmeltede masker, herunder flere etsdybder og eventuelt bruk av fotoresist som etsemaske. Fremgangsmåtene 9200 er vesentlig i kombinasjon av fremgangsmåtene 5000 og 5600, beskrevet ovenfor under henvisning til fig. 50-9lo. I en foretrukket utførelse blir en av disse fremgangsmåtene 9200 brukt ved fremstilling av minst en del av speilet 210 og/eller topp- og bunnhetter 205 og 215. Som vist på fig. 92a og 92b, omfatter fortrinnsvis LOCOS-mikromaskineringsfremgangsmåten 9200 med sammensmeltede masker, fortrinnsvis følgende trinn: (1) tilveiebringe en silikonplate i trinn 9202, (2)

(eventuelt) dyrke et bufferputelag av silikondioksid på overflaten av silikonplaten i trinn 9204, (3) påføre et silikonnitrid på silikonplaten i trinn 9206, (4) mønstre laget av silikonnitrid i trinn 9208, (5) (eventuelt) mønstre de eksponerte deler av bufferlaget av silikondioksid i trinn 9210, (6) (eventuelt) tynnetse de eksponerte deler av overflaten av silikonplaten i trinn 9212, (7) dyrke feltlag av silikondioksid på de deler av silikonplaten som ikke er dekket av det mønstrede lag av silikonnitrid i trinn 9214 (feltlaget av silikondioksid er fortrinnsvis minst like tykt som den samlede tykkelse av laget av silikonnitrid og det eventuelle bufferlag av silikondioksid), (8) mønstre laget eller lagene av silikondioksid i trinn 9216 (etsedybden er en brøkdel av den totale tykkelse av lagene av silikondioksid), (9) gjenta trinn 9216 et bestemt antall ganger i trinn 9218, (10)

(eventuelt) etse de eksponerte deler av silikonplaten ved hjelp av fotoresist som etsemaske i trinn 9220, (11) (eventuelt) påføre og mønstre et lag fotoresist på silikonplaten i trinn 9222, (12) (eventuelt) etse de eksponerte deler av silikonplaten ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 9224, (13) (eventuelt) fjerne de eksponerte deler av laget eller lagene av silikondioksid i trinn 9226, (14) (eventuelt) etse de eksponerte deler av silikonplaten i trinn 9228, (15) fjerne laget av fotoresist i trinn 9230, (16) etse de eksponerte deler av silikonplaten i trinn 9232, (17) etse de eksponerte deler av lagene av silikondioksid i trinn 9234 (etsedybden er en brøkdel av den totale tykkelse av lagene av silikondioksid), (18) etse de eksponerte deler av silikonplaten i trinn 9236 og (19) gjenta trinnene 9234 og 9236 et bestemt antall ganger.

Som det vil fremgå for en fagmann og etter å ha lest nærværende beskrivelse, hjelper mønstring de etterfølgende operasjoner av konvensjonell fotolitografi og etsning for å frembringe mønstre i et lagmateriale eller et substrat. Som det også vil fremgå for en fagmann og etter å ha lest beskrivelsen, angår etsning fjerning av minst en del av de eksponerte deler av et lag materiale eller et substrat.

I en foretrukket anvendelse av fremgangsmåtene 9200, anvendes følgende behandlingsparametere: tykkelsen av putebufferlaget av silikondioksid varierer fra omtrent 0,03 til 1 mikron, tykkelsen av laget av silikonnitrid varierer fra omtrent 0,1 til 2,0 mikron, tykkelsen av feltlaget av silikondioksid varierer fra omtrent 0,2 til 3,0 mikron, tykkelsen av laget av fotoresist varierer fra omtrent 1 til 10 mikron, dybden av den tynne etsning av de eksponerte deler av silikonplaten varierer fra omtrent 0,5 til 1 mikron, den delvise etsning av lagene av silikondioksid gjentas fra en til ti ganger for etsningsdybder som varierer fra omtrent 0,01 til 3 mikron og den delvise etsning av silikonsubstratet gjentas fra en til ti ganger for etsningsdybder som varierer fra omtrent 1 til 500 mikron.

I en foretrukket anvendelse av fremgangsmåten 9200 omfatter etsningen i trinnene 9224 og 9228 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ±45E i forhold til horisontalt. I en foretrukket anvendelse av fremgangsmåtene 9200 omfatter etsningen i trinn 9232 og 9236 fortrinnsvis KOH-etsning.

I en foretrukket anvendelse av fremgangsmåtene 9200 er etsningen av de eksponerte deler av silikonplaten i trinn 9232 og 9236 tilveiebrakt ved hjelp av KOH.

På fig. 93a og 93b er det vist flere alternative utførelser mikromaskineringsfremgangsmåtene 9300 med sammensmeltede masker herunder bruk av forskjellige alternative maskeringsmaterialer, flere etsedybder og eventuelt bruk av fotoresist som etsemaske. Fremgangsmåtene 9300 er vesentlig identisk med fremgangsmåtene 9200 med unntagelse av de forskjellige alternative fremgangsmåter for LOCOS, men med tillegg av forskjellige alternative maskeringsmaterialer. I en foretrukket utførelse brukes en av disse fremgangsmåter 9300 ved utforming av minst en del av speilet 210 og/eller topp- og bunnhetter 205 og 215. Som vist på fig. 93a og 93b, omfatter mikromaskineringsfremgangsmåten 9300 med sammenflettede masker fortrinnsvis følgende trinn: (1) tilveiebringe en silikonplate i trinn 9302, (2) påføre et maskeringslag av et av flere alternative materialer i trinn 9304, (3) mønstre maskeringslaget i trinn 9306 (etsedybden er en brøkdel av den totale tykkelse av maskeringsmaterialet), (4) gjenta trinn 9306 et bestemt antall ganger i trinn 9308, (5)

(eventuelt) etse de eksponerte deler av silikonplaten ved hjelp av fotoresist som etsemaske i trinn 9310, (6) (eventuelt) påføre og mønstre et lag fotoresist på silikonplaten i trinn 9312, (7) (eventuelt) etse de eksponerte deler av silikonplaten ved hjelp av et plasma eller gassholdig etsemiddel i trinn 9314, (8) (eventuelt) fjerne de eksponerte deler av maskeringslaget i trinn 9316, (9) (eventuelt) etse de eksponerte deler av silikonplaten i trinn 9318, (10) fjerne laget av fotoresist i trinn 9320, (11) etse de eksponerte deler av silikonplaten i trinn 9322, (12) etse en brøkdel av de eksponerte deler av maskeringslaget

i trinn 9324 (etsedybden er en brøkdel av den totale tykkelsen av maskeringslaget), (13) etse de eksponerte deler av silikonplaten i trinn 9326 (etsedybden er en brøkdel av den totale tykkelse av silikonplaten) og (14) gjenta trinnene 9324 og 9326 et bestemt antall ganger i trinn 9328.

Som det vil fremgå for en fagmann og etter å ha lest den nærværende beskrivelse, gjelder mønstring de etterfølgende operasjoner av konvensjonell fotolitografi og etsning for å frembringe mønster i et lagmateriale eller substrat. Som det også vil fremgå for en fagmann og etter å ha lest beskrivelsen, gjelder etsning fjerning av minst en del av de eksponerte deler av et lagmateriale eller substrat.

I en foretrukket anvendelse av fremgangsmåtene 9300 anvendes følgende bearbeidingsparametere: den delvise etsning av maskeringslaget gjentas fra en til ti ganger for etsningsdybder som varierer fra omtrent 0,01 til 3 mikron og den delvise etsning av silikonsubstratet gjentas fra en til ti ganger for etsningsdyber som varierer fra omtrent 1 til 500 mikron.

I en foretrukket anvendelse av fremgangsmåten 9300 omfatter etsningen i trinnene 9314 og 9318 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ± 45E i forhold til horisontalt. I en foretrukket anvendelse av fremgangsmåtene 9300, omfatter etsningen i trinnene 9322 og 9326 KOH-etsning.

I en foretrukket anvendelse av fremgangsmåtene 9300, blir etsningen av de eksponerte deler av silikonplaten i trinnene 9322 og 9326 tilveiebrakt ved hjelp av KOH.

På fig. 94-95h, vil det nå bli beskrevet en utførelse av en fremgangsmåte 9400 med sammensmeltede masker for å tilveiebringe etsedybder i et substrat. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten 9400 trinnene: (1) tilveiebringe et silikonsubstrat 9500 i trinn 9405, som vist på fig. 95a, (2) anbringe et lag 9505 av et første maskeringsmateriale på silikonsubstratet 9500 i trinn 9410, som vist på fig. 95b, (3) mønstre laget 9505 av det første maskeringsmaterialet i trinn 9415, som vist på fig. 95c, (4) anbringe et lag 9510 av et andre maskeringsmateriale på silikonsubstratet 9500 i trinn 9420, som vist på fig. 95d, (5) mønstre laget 9510 av det andre maskeringsmaterialet i trinn 9425, som vist på fig. 95e, (6) etse de eksponerte deler 9500a av silikonsubstratet 9500 til en første dybde i trinn 9430, som vist på fig. 95f, (7) etse de eksponerte deler av laget 9505 av det første maskeringsmaterialet i trinn 9435, som vist på fig. 95g og (8) etse de eksponerte deler 9500a, 9500b og 9500c av silikonsubstratet 9500 til en andre dybde i trinn 9440, som vist på fig. 95h.

Som det vil fremgå for en fagmann og etter å ha lest nærværende beskrivelse, gjelder mønstring de etterfølgende operasjoner av konvensjonell fotolitografi og etsning for å frembringe mønster i et lagmateriale eller substrat. Som det også vil fremgå for en fagmann og etter å ha lest nærværende beskrivelse, gjelder etsning fjerning av minst en del av de eksponerte deler av et lagmateriale eller substrat.

I en foretrukket utførelse, som vist på fig. 95e-95h, har de eksponerte deler 9500a, 9500b og 9500c av silikonsubstratet 9500 omtrent samme bredde. På denne måte, og i en foretrukket utførelse, har området 9500a en dypere, endelig etsning enn områdene 9500b og 9500c.

I en foretrukket anvendelse av fremgangsmåten 9500 omfatter det første maskeringsmaterialet silikondioksid, det andre maskeringsmaterialet fotoresist, idet tykkelsen av det første maskeringsmaterialet varierer fra omtrent 1.000 til 6.000 Angstrom, tykkelsen av det andre maskeringsmaterialet varierer fra omtrent 3 til 4 mikron, idet den første etsedybde varierer fra omtrent 10 til 250 mikron og den andre etsedybde varierer fra omtrent 10 til 300 mikron. I en alternativ utførelse av fremgangsmåten 9400, omfatter det første maskeringsmaterialet metall og det andre maskeringsmaterialet fotoresist, eller en etsebestandig polymer.

I en foretrukket anvendelse av fremgangsmåten 9400, omfatter etsningen i trinnene 9430 og 9440 DRIE eller plasmaetsning og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ± 45E i forhold til horisontalt.

På fig. 96-97h, vil det nå bli beskrevet en utførelse av en fremgangsmåte 9600 med sammensmeltede masker for etsning av et silikonsubstrat. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten 9600 trinnene: (1) tilveiebringe et silikonsubstrat 9700 i trinn 9605, som vist på fig. 97a, (2) anbringe et lag 9705 av et første maskeringsmateriale på silikonsubstratet 9700 i trinn 9610, som vist på fig. 97b, (3) mønstre laget 9705 av det første maskeringsmaterialet i trinn 9615, som vist på fig. 97c, (4) anbringe et lag 9710 av et andre maskeringsmateriale på silikonsubstratet 9700 i trinn 9620, som vist på fig. 97d, (5) mønstre laget 9710 av det andre maskeringsmaterialet i trinn 9625, som vist på fig. 97e, (6) etse de eksponerte deler av silikonsubstratet 9700 i en første tidsperiode, som vist på fig. 97f, (7) etse de eksponerte deler av laget 9705 av det første maskeringsmaterialet, som vist på fig. 97g og (8) etse de eksponerte deler av silikonsubstratet 9700 i en andre tidsperiode, som vist på fig. 97h. På denne måte blir etsedybdene i alle de etsede områder av silikonsubstratet 9700 vesentlig like.

Som det vil fremgå for en fagmann og etter å ha lest nærværende beskrivelse, gjelder mønstring de etterfølgende operasjoner av konvensjonell fotolitografi og etsning for å frembringe mønster i et lagmateriale eller substrat. Som det også vil fremgå for en fagmann og etter å ha lest nærværende beskrivelse, gjelder etsning fjerning av minst en del av de eksponerte deler av et lag av materiale eller substrat.

I en foretrukket utførelse, og som vist på fig. 97e-97h, har den eksponerte del 9700a av silikonsubstratet 9500 en mindre bredde enn delene 9700b og 9700c. På denne måte, og i en foretrukket utførelse, har områdene 9700a, 9700b og 9700c en endelig etsedybde som er vesentlig lik. I en foretrukket utførelse blir etsetidsperiodene tilpasset som funksjon av breddene av de eksponerte deler 9700a, 9700b og 9700c av silikonsubstratet 9500 for å tilveiebringe vesentlig lik, endelig etsedybde, hvor den mindre eksponerte del 9700a blir etset oftere enn de større, eksponerte deler 9700b og 9700c.

I en foretrukket anvendelse av fremgangsmåten 9600 omfatter det første maskeringsmaterialet silikondioksid, det andre maskeringsmaterialet fotoresist, idet tykkelsen av det første maskeringsmaterialet varierer fra omtrent 1.000 til 6.000 Angstrom, tykkelsen av det andre maskeringsmaterialet varierer fra omtrent 3 til 4 mikron, idet den første tidsperiode varierer fra omtrent 5 til 30 minutter, og den andre tidsperiode varierer fra omtrent 30 minutter til 2 timer. Mer generelt og i en foretrukket utførelse, er den første tidsperiode og den andre tidsperiode empirisk bestemt ved å måle etsehastigheten i forskjellige områder i et substrat med forskjellig bredde. 1 en alternativ utførelse av fremgangsmåten 9600 er det første maskeringsmaterialet silikondioksid, metall eller en etsebestandig polymer. I en alternativ utførelse av fremgangsmåten 9600, er det andre maskeringsmaterialet fotoresist, eller en etsebestandig polymer. 1 en foretrukket anvendelse av fremgangsmåten 9600, omfatter etsningen i trinnene 9630 og 9640 DRIE og tilveiebringer sidevegger med en vinkel på 90E ± 45E i forhold til horisontalt.

I en foretrukket utførelse brukes fremgangsmåten 9600 for å eliminere såkalt mikrolasteeffekt av plasmatørretsning, hvor mindre eksponerte områder av silikon blir etset i en lavere hastighet enn de større eksponerte områder. Således tilveiebringer fremgangsmåten 9600 flere etsningsområder som har forskjellige eksponerte områder i et silikonsubstrat som har vesentlig like, endelige etsningsdybder. På denne måte unngås mikrolasteeffekten av plasmatørretsningen, samt andre typer etsning, på en optimal måte.

1 flere alternative utførelser av mikromaskineringsfremgangsmåtene beskrevet i oppfinnelsen, med sammensmeltede masker, som f.eks. vist på fig. 44-97h, kan etsningen av silikonsubstratet utføres på flere forskjellige måter. F.eks. kan energiserte ioner frembrakt i et plasma brukes for å etse silikon. Eksempler på gasser som brukt i et plasma for å etse silikon, omfatter: svovelheksafluorid, klor og brom. En foretrukket etseteknikk for grøfteetsning med høyaspekt-forhold, også kalt dypreaktiv ioneetsning (DRIE), er og tidsmultiplekse en etsegass, f.eks. svovelheksafluorid med en gass som brukes for å frembringe etsepasiifserende lag på sideveggene av grøften. C4F8 er et eksempel på en gass som brukes for pasifisering av silikonsideveggene. En annen, alternativ fremgangsmåte for etsning av silikon er bruk av en gass som er tilstrekkelig reaktiv til at etsningen av silikon kan finne sted uten aktivering av et plasma. Eksempler på reaktive gasser for etsning av silikon omfatter f.eks. xenondifluorid, klortrifluorid, bromtrifluorid, bromheptafluorid og jodheptafluorid. Enda en alternativ fremgangsmåte for å etsning av silikon ved hjelp av en fremgangsmåte med sammensmeltede masker, omfatter bruk av flytende etsemidler. Væsken kan etse et enkelt krystallsilikon på en anisotropisk måte. Eksempler på våte anisotropiske etsemidler av silikon omfatter f.eks. vannholdig kaliumhydroksid (KOH), vannholdig KOH blandet med isopropylalkohol, tetrametylammoniumhydroksid, vannholdig sesiumhydroksid, en blanding av etylendiamin, pyrokatektol og vann og en blanding av etanollamin, gallussyre og vann. Væske kan etse enkeltkrystallsilikon isotropisk. Et eksempel på et isotropisk etsemiddel av silikon, er en blanding av salpetersyre, ammoniumfluorid og vann.

I flere alternative utførelser av fremgangsmåten beskrevet i denne søknad, med sammensmeltede masker, og som f.eks. er vist på fig. 44-97h, kan etsning av silikonsubstratet tilføres f.eks. ved en kombinasjon av fremgangsmåter. F.eks. kan etsningen av silikonsubstratet fortsettes med et, vått anisotropisk etsemiddel og deretter kan silikonsubstratet settes inn i et annet anisotropisk etsemiddel eller etsekammer. I en foretrukket utførelse av bruken av en kombinasjon av etsemidler omfatte bruk av: (1) vannholdig KOH for å etse silikon for å oppnå fordelen med relativ høy etsehastighet av silikon, og deretter (2) vannholdig KOH blandet med isopropylalkohol for å etse silikon for å oppnå et stort forhold av etsehastigheter mellom lettdopede enkeltkrystall silikon og enkelt krystallsilikon med vesentlig bordoping. Generelt og i en foretrukket utførelse omfatter etsningen: (1) et etsemiddel fra en av klassene av våte etsemidler, plasmaetsemidler og reaktive gassholdige etsemidler og deretter (2) gå over til et annet etsemiddel fra en av tre klasser. I en foretrukket utførelse kan endringen av silikonetsningen finne sted flere ganger. Overgangen mellom etsemidlene utnytter gjerne fordelene med de forskjellige etsningsegenskapene, slik at det frembringes etseprofiler som egner seg for en spesiell mikromekanisk struktur.

I flere alternative utførelser av fremgangsmåtene beskrevet i denne søknad med sammensmeltede masker, og som f.eks. er vist på fig. 44-97h, velges den foretrukne utførelse for etsning av silikonsubstratet slik at etsningsfremgangsmåten forårsaker en ubetydelig erosjon av maskeringsmaterialet.

I flere alternative utførelser, under henvisning til fig. 44, er silikonetsemidler fra en av de tre klassene av våte etsemidler, plasmaetsemidler og reaktive, gassholdige etsemidler foretrukket for begge silikonetsningene 4445 og 4455. På fig. 44 kan silikonetsemidler fra en av de tre klassene av våte etsemidler, plasmaetsemidler og reaktive, gassholdige etsemidler f.eks. brukes for de eventuelt tynne silikonetsetrinnene 4430, men en mer foretrukket utførelse bruker et plasmaetsemiddel.

I flere alternative utførelser, og under henvisning til fig. 50, er silikonetsemidler fra en av de tre klassene av våte etsemidler, plasmaetsemidler og reaktive, gassholdige etsemidler foretrukket for silikonetsetrinnene 5050, 5060 og 5065. Blant disse klassene av våte etsemidler, er tetrametylammoniakkhydroksid, med sin relativt lave etsehastighet av silikondioksid, foretrukket sammenlignet med silikonetsehastigheten.

I flere alternative utførelser, og under henvisning til fig. 56a-56b, er silikonetsemidler fra en av de tre klassene av våte etsemidler, plasmaetsemidler og reaktive, gassholdige etsemidler foretrukket i silikonetsetrinnene 5630 og 5634. Et silikonetsemiddel fra klassen av plasmaetsemidler eller reaktive, gassholdige etsemidler er foretrukket for silikonetsetrinnene 5622 og 5626.

I flere alternative utførelser, og under henvisning til fig. 92a-92b, er silikonetsemidler fra en av de tre klassene av våte etsemidler, plasmaetsemidler og reaktive, gassholdige etsemidler foretrukket for silikonetsetrinnene 9232, 9236 og 9238. Et silikonetsemiddel fra klassen av plasmaetsemidler eller reaktive, gassholdige etsemidler er fortrukket for silikonetsningstrinnene 9224 og 9228.

I flere alternative utførelser, og under henvisning til fig. 93a-93b, er silikonetsemidler fra en av de tre klassene av våte etsemidler, plasmaetsemidler og reaktive, gassholdige etsemidler foretrukket for silikonetsetrinnene 9322, 9326 og 9328. Et silikonetsemiddel fra klassen av plasmaetsemidler eller reaktive, gassholdige etsemidler er foretrukket for silikonetsetrinnene 9314 og 9318.

I flere alternative utførelser, og under henvisning til fig. 94-97h, er den foretrukne silikonetsning et plasmaetsemiddel og den særlig foretrukne etsefremgangsmåte er plasmaetsning ved tidsmultipleksing av en etsegass og en gass for passivisering av silikonsideveggene.

På fig. 44-97h, omfatter mikromaskineringsfremgangsmåtene med sammensmeltede masker, bare trekkene på en plateoverflate, men i en foretrukket utførelse blir disse fremgangsmåtene utført på begge sider av platen. På denne måte kan etsningen utføres på begge sider av platen.

En fremgangsmåte for å fremstille en tredimensjonal konstruksjon har blitt beskrevet som omfatter (1) tilveiebringe et substrat, (2) påføre et lag av et første maskeringsmateriale på substratet, (3) mønstre laget av det første maskeringsmateriale, (4) påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som laget av det første maskeringsmateriale, mens (5) mønstre laget av det andre maskeringsmateriale, (6) etse de eksponerte deler av substratet, (7) etse de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmaterialet og (8) etse de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, før trinn (4), etsning av de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter etsningen av de eksponerte deler av substratet, tynnetsning. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (2) påføring av et lag av et tredje maskeringsmateriale på substratet og påføre laget av det første maskeringsmateriale på laget av det tredje maskeringsmaterialet. I en foretrukket utførelse omfatter påføring av laget av det tredje maskeringsmaterialet termisk oksidering av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (4) påføring av et lag av det andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som den samlede tykkelse av lagene av det første og tredje maskeringsmateriale. I en foretrukket utførelse omfatter påføring av laget av det andre materialet lokal oksidering av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (5) mønstring av lagene av andre og tredje maskeringsmaterialer. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, før trinn (4) etsning av de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter etsningen av de eksponerte deler av substratet, tynnetsning. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (4), påføring av et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som den samlede tykkelse av lagene av første og andre maskeringsmaterialer. I en foretrukket utførelse omfatter påføring av laget av det andre maskeringsmaterialet, lokal oksidering av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (5) mønstring av lagene av andre og tredje maskeringsmaterialer. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, før trinn (4) etsning av de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter etsningen av de eksponerte deler av substratet, tynnetsning. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (4), påføring av et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som den samlede tykkelse av lagene av det første og tredje maskeringsmateriale. I en foretrukket utførelse omfatter påføring av laget av det andre maskeringsmaterialet, lokal oksidering av substratet. 1 en foretrukket utførelse omfatter trinn (5) mønstring av lagene av det andre og tredje maskeringsmaterialet. I en foretrukket utførelse omfatter det første maskeringsmaterialet silikonnitrid, og hvor det andre maskeringsmaterialet omfatter silikondioksid. I en foretrukket utførelse omfatter det første maskeringsmaterialet silikonnitrid, det andre maskeringsmaterialet omfatter silikondioksid og det tredje maskeringsmaterialet omfatter silikondioksid. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (6) og (8) våtetsning av de eksponerte deler av substratet.

En fremgangsmåte for å fremstille en tredimensjonal struktur har også blitt beskrevet, som omfatter tilveiebringing av et substrat, påføre et lag av et første maskeringsmateriale på substratet, mønstre laget av det første maskeringsmateriale, påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på det mønstrede lag av det første maskeringsmateriale, mønstre laget av det andre maskeringsmateriale, tørretse de eksponerte deler av substratet, etse de eksponerte deler av det mønstrede lag av det første maskeringsmateriale og tørretse de eksponerte deler av substratet. 1 en foretrukket utførelse omfatter påføring av laget av det første maskeringsmateriale, termisk oksidering av substratet. I en foretrukket utførelse blir det første maskeringsmateriale valgt fra gruppen som består av silikondioksid, metall og etsebestandig polymer og det andre maskeringsmaterialet velges fra gruppen som består av fotoresist og etsebestandig polymer. I en foretrukket utførelse omfatter tørretsning, dypreaktiv ioneetsning.

Fremgangsmåter for å fremstille en tredimensjonal struktur har også blitt beskrevet som omfatter (1) tilveiebringe et substrat, (2) påføre et lag av et første maskeringsmateriale på substratet, (3) mønstre laget av det første maskeringsmateriale, (4) påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som laget av det første maskeringsmateriale, (5) mønstre en del av tykkelsen av laget av det andre maskeringsmateriale flere ganger, (6) etse de eksponerte deler av substratet, (7) etse en del av tykkelsen av de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmateriale, (8) etse de eksponerte deler av substratet og (9) gjenta trinnene (7) og (8) flere ganger. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, før trinn (4) etsning av de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tynnetse. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (2) påføring av et lag av et tredje maskeringsmateriale på substratet og påføre laget av det første maskeringsmateriale på laget av det tredje maskeringsmateriale. I en foretrukket utførelse omfatter laget av det tredje maskeringsmateriale termisk oksidering av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (4) påføring av et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som den samlede tykkelse av lagene av første og tredje maskeringsmaterialer. I en foretrukket utførelse omfatter påføring av et lag av det andre maskeringsmateriale, lokal oksidering av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (5) mønstring av en del av tykkelsen av lagene av andre og tredje maskeringsmaterialer, flere ganger. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, før trinn (4) mønstring av laget av det tredje maskeringsmateriale. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (4) påføring av et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som den samlede tykkelse av lagene av det første og tredje maskeringsmateriale. 1 en foretrukket utførelse omfatter laget av det andre maskeringsmateriale lokal oksidering av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (5) mønstring av en del av lagene av andre og tredje maskeringsmateriale flere ganger. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, før trinn (4), etsning av de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tynnetset. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (4) påføring av et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som den samlede tykkelse av lagene av første og tredje maskeringsmaterialer. I en foretrukket utførelse omfatter påføring av laget av det andre maskeringsmateriale lokal oksidering av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (5) mønstring av en del av lagene av andre og tredje maskeringsmaterialer flere ganger. I en foretrukket utførelse omfatter det første maskeringsmateriale silikonnitrid og hvor det andre maskeringsmateriale omfatter silikondioksid. I en foretrukket utførelse omfatter det første maskeringsmateriale silikonnitrid, hvor det andre maskeringsmateriale omfatter silikondioksid og hvor det tredje maskeringsmateriale omfatter silikondioksid. I en foretrukket utførelse omfatter trinnene (6) og (8) våtetsning av de eksponerte deler av substratet.

En fremgangsmåte for å fremstille en tredimensjonal struktur er også blitt beskrevet som omfatter (1) tilveiebringe et substrat, (2) påføre et lag av et første maskeringsmateriale på substratet, (3) mønstre laget av det første maskeringsmateriale, (4) påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som laget av det første maskeringsmateriale, (5) mønstre laget av det andre maskeringsmateriale (6) påføre et lag av det tredje maskeringsmateriale på substratet. (7) mønstre laget av det tredje maskeringsmaterialet, (8) etse laget av det tredje maskeringsmateriale, (9) etse de eksponerte deler av substratet, (10) etse de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmateriale og (11) etse de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter første, andre og tredje maskeringsmateriale silikonnitrid, silikondioksid og fotoresist. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten, før trinn (4), etsning av de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tynnetset. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (2) påføring av et lag av et fjerde maskeringsmateriale på substratet og påføre laget av det første maskeringsmateriale på laget av det fjerde maskeringsmateriale. I en foretrukket utførelse omfatter påføring av laget av det fjerde maskeringsmateriale termisk oksidering av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (4) påføring av et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som den samlede tykkelse av lagene av første og fjerde maskeringsmaterialer. I en foretrukket utførelse omfatter påføring av laget av det andre maskeringsmateriale, lokal oksidering av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter trinn 5 mønstring av lagene av andre og fjerde maskeringsmaterialer. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, før trinn (4) mønstring av laget av det fjerde maskeringsmateriale. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (4) påføring av et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som den samlede tykkelse av lagene av første og fjerde maskeringsmaterialer. I en foretrukket utførelse omfatter påføring av laget av det andre maskeringsmateriale, lokal oksidering av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (5) mønstring av lagene av andre og fjerde maskeringsmateriale. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, før trinn (4) etsning av de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tynnetset. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (4) påføring av et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som den samlede tykkelse av lagene av første og fjerde maskeringsmateriale. I en foretrukket utførelse omfatter påføring av laget av det andre maskeringsmateriale, lokal oksidering av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (5) mønstring av lagene av andre og fjerde maskeringsmaterialer. I en foretrukket utførelse omfatter første maskeringsmateriale silikonnitrid, idet det andre maskeringsmateriale omfatter silikondioksid og det tredje maskeringsmateriale omfatter et fotoresistmateriale. I en foretrukket utførelse omfatter det første maskeringsmateriale silikonnitrid, idet det andre maskeringsmateriale omfatter silikondioksid, og det tredje maskeringsmateriale omfatter et fotoresistmateriale, og det fjerde maskeringsmateriale omfatter silikondioksid. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre trinnene (7) og (8), etsning av de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tynnetset. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, mellom trinnene (7) og (8), utføring av følgende: etsning av de eksponerte deler av substratet og etse de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmateriale. I en foretrukket utførelse blir etsningen av de eksponerte deler av substratet tørretset. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre mellom trinn (7) og (8), utføring av følgende: etsning av de eksponerte deler av substratet flere ganger. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tørretset. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, mellom trinn (7) og (8), utføring av følgende: etse de eksponerte deler av substratet, etse de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmateriale og etse de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tørretset. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, mellom trinn (7) og (8) utføring av følgende: etse de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmaterialet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tørretset. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, mellom trinn (7) og (8), utføring av følgende: etse de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmateriale og etse de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tørretset. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (9) og (11) våtetsning av de eksponerte deler av substratet.

En fremgangsmåte for å fremstille en tredimensjonal struktur er også blitt beskrevet som omfatter (1) tilveiebringe et substrat, (2) påføre et lag av et første maskeringsmateriale på substratet, (3) mønstre laget av det første maskeringsmateriale, (4) påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som laget av det første maskeringsmateriale, (5) mønstre en del av tykkelsen av laget av det andre maskeringsmateriale flere ganger, (6) påføre et lag av et tredje maskeringsmateriale på substratet, (7) mønstre laget av det tredje maskeringsmateriale, (8) etse laget av det tredje maskeringsmateriale, (9) etse de eksponerte deler av substratet, (10) etse en del av tykkelsen av de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmateriale, (11) etse de eksponerte deler av substratet og (12) gjenta trinnene (10) og (11) flere ganger. 1 en foretrukket utførelse omfatter første, andre og tredje maskeringsmaterialer silikonnitrid, silikondioksid og fotoresist. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, men før trinn (4), etsning av de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tynnetset. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (2) påføring av et lag av et fjerde maskeringsmateriale på substratet og påføre et lag av det første maskeringsmateriale på laget av det fjerde maskeringsmateriale. I en foretrukket utførelse omfatter påføring av laget av det fjerde maskeringsmateriale, termisk oksidering av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (4) påføring av et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som den samlede tykkelse av lagene av første og fjerde maskeringsmateriale. I en foretrukket utførelse omfatter påføring av laget av det andre maskeringsmateriale lokal oksidering av substratet. 1 en foretrukket utførelse omfatter trinn (5) mønstring av en del av tykkelsen av lagene av andre og fjerde maskeringsmateriale flere ganger. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, før trinn (4) mønstring av laget av det fjerde maskeringsmateriale. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (4) påføring av et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som den samlede tykkelse av lagene av første og fjerde maskeringsmateriale. I en foretrukket utførelse omfatter påføring av laget av det andre maskeringsmateriale, lokal oksidering av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (5) mønstring av en del av tykkelsen av lagene av andre og fjerde maskeringsmateriale flere ganger. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, før trinn (4) etsning av de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tynnetset. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (4) påføring av et lag av et andre maskeringsmateriale på de eksponerte deler av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som den samlede tykkelse av lagene av første og fjerde maskeringsmateriale. 1 en foretrukket utførelse omfatter påføringen av laget av det andre maskeringsmaterialet lokal oksidering av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter trinnet (5) mønstring av en del av tykkelsen av lagene av det andre og fjerde maskeringsmateriale flere ganger. I en foretrukket utførelse omfatter det første maskeringsmateriale silikonnitrid, det andre maskeringsmateriale silikondioksid og det tredje maskeringsmateriale et fotoresistmateriale. I en foretrukket utførelse omfatter det første maskeringsmateriale silikonnitrid, det andre maskeringsmateriale silikondioksid, det tredje maskeringsmateriale et fotoresistmateriale og det fjerde maskeringsmateriale silikondioksid. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, mellom trinn (7) og (8), etsning av de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tørretset. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, mellom trinn (7) og (8), utføring av følgende: etsning av de eksponerte deler av substratet og etsning av de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmaterialet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tørretset. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, mellom trinn (7) og (8) , utføring av følgende: etsning av de eksponerte deler av substratet flere ganger. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tørretset. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, mellom trinn (7) og (8), utføring av følgende: etsning av de eksponerte deler av substratet, etsning av de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmateriale og etsning av de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tørretset. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, mellom trinn (7) og (8), utføring av følgende: etsning av de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmateriale. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, mellom trinn (7) og (8), utføring av følgende: etsning av de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmateriale og etsning av de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tørretset. I en foretrukket utførelse omfatter trinnene (9) og (11) tørretsning.

En fremgangsmåte for fremstilling av en tredimensjonal struktur har også blitt beskrevet som omfatter: (1) tilveiebringe et substrat, (2) påføre et lag av et første maskeringsmateriale på substratet, (3) mønstre en del av tykkelsen av laget av det første maskeringsmateriale flere ganger, (4) påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på substratet, (5) mønstre laget av det andre maskeringsmateriale, (6) etse laget av det andre maskeringsmateriale, (7) etse de eksponerte deler av substratet, (8) etse en del av tykkelsen av de eksponerte deler av laget av det første maskeringsmateriale, (9) etse de eksponerte deler av substratet og (10) gjenta trinn (8) og (9) flere ganger. I en foretrukket utførelse blir det første maskeringsmateriale valgt fra gruppen som består av silikonkarbid, silikonnitrid, polykrystallindiamant og etsebestandig polymer. I en foretrukket utførelse omfatter det andre maskeringsmateriale et fotoresistmateriale. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, mellom trinn (5) og (6), etsning av de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tørretset. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, mellom trinn (5) og (6), utføring av følgende: etsning av de eksponerte deler av substratet og etse de eksponerte deler av substratet av det andre maskeringsmateriale. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tørretset. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, mellom trinn (5) og (6), utføring av følgende: etsning av de eksponerte deler av substratet flere ganger. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tørretset. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, mellom trinn (5) og (6), utføring av følgende: etsning av de eksponerte deler av substratet, etse de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmateriale og etse de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tørretset. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, mellom trinn (5) og (6), utføring av følgende: etse de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmateriale. 1 en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten videre, mellom trinn (5) og (6), utføring av følgende: etse de eksponerte deler av laget av det andre maskeringsmateriale og etse de eksponerte deler av substratet. 1 en foretrukket utførelse blir de eksponerte deler av substratet tørretset. I en foretrukket utførelse omfatter trinn (7) og (9) tørretsning.

En fremgangsmåte for fremstilling av tredimensjonal struktur er også blitt beskrevet som omfatter tilveiebringing av et substrat, påføre et lag av første maskeringsmateriale på substratet, mønstre laget av det første maskeringsmateriale, påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på det mønstrede første lag av maskeringsmaterialet, mønstre laget av det andre maskeringsmaterialet, tørretse de eksponerte deler av substratet, etse de eksponerte deler av laget av det første maskeringsmateriale og tørretse de eksponerte deler av substratet. 1 en foretrukket utførelse omfatter tørretsningen dypreaktiv ioneetsning. I en foretrukket utførelse blir det første maskeringsmateriale valgt fra gruppen som består av silikondioksid, metall og etsebestandig polymer og det andre maskeringsmateriale velges fra gruppen som består av fotoresist og etsebestandig polymer.

En fremgangsmåte for fremstilling av en tredimensjonal struktur har også blitt beskrevet som omfatter tilveiebringing av et substrat, påføre et lag av et første maskeringsmateriale på substratet, mønstre laget av det første maskeringsmateriale, påføre et lag av et andre maskeringsmateriale på det mønstrede første lag av maskeringsmaterialet, mønstre laget av det andre maskeringsmaterialet, tørretse en første gruppe av eksponerte deler av substratet i en første tidsperiode, etse de eksponerte deler av laget av det første maskeringsmateriale og tørretse en andre gruppe av eksponerte deler av substratet i en andre tidsperiode, hvor den første tidsperiode og den andre tidsperiode er en funksjon av de relative størrelser av de eksponerte deler av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter den første gruppe av eksponerte deler av substratet eksponerte deler med et første tverrsnitt og en andre gruppe av de eksponerte deler av substratet omfatter eksponerte deler med første og andre tverrsnitt. De andre tverrsnittsområder er større enn de første. 1 en foretrukket utførelse omfatter tørretsning, dypreaktiv ioneetsning. I en foretrukket utførelse velges det første maskeringsmateriale fra gruppen som består av silikondioksid, metall og etsebestandig polymer og det andre maskeringsmateriale velges fra gruppen som består av fotoresist og etsebestandig polymer.

En fremgangsmåte for mikromaskinering av et substrat har også blitt beskrevet som omfatter våtetsning av substratet og tørretsning av substratet. I en foretrukket utførelse omfatter våtetsningen en mikromaskineringsfremgangsmåte med sammensmeltede masker. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten bruk av maskeringslag som omfatter silikondioksid og silikonnitrid. 1 en foretrukket utførelse omfatter tørretsningen en mikromaskineringsfremgangsmåte med sammensmeltede masker. I en foretrukket utførelse omfatter fremgangsmåten bruk av maskeringslag som består av silikondioksid og fotoresist.

En fremgangsmåte for å frembringe flere maskeringslag for bruk ved mikromaskinering av et substrat har også blitt beskrevet som omfatter påføring av et lag av et etsebestandig materiale på substratet og erodere forskjellige områder av laget i forskjellige hastigheter for å frembringe et lag med forskjellig tykkelse.

En fremgangsmåte for mikromaskinering av et substrat har også blitt beskrevet som omfatter bruk av en kombinasjon av forskjellige etsemidler med forskjellige anisotropiske egenskaper.

En fremgangsmåte for mikromaskinering av et substrat har også blitt beskrevet som omfatter avkopling av en første etsebehandling fra en andre etsebehandling.

Selv om oppfinnelsen har blitt vist og beskrevet under henvisning til forskjellige utførelser, er det tenkt at en lang rekke modifiseringer, endringer og erstatninger kan innføres i den foregående beskrivelse. I enkelte tilfeller kan enkelte egenskaper ved oppfinnelsen anvendes uten tilsvarende bruk av andre. Likeledes er det tenkt at de vedføyde krav skal forstås bredt og på en måte som faller innenfor oppfinnelsens omfang.

Claims

1. Fremgangsmåte for fremstilling av en tredimensjonal struktur, karakterisert ved at den omfatter de trinn å tilveiebringe et substrat (5700 .. 9100), å påføre et lag av et første maskeringsmateriale (5710 .. 7010, 7115 .. 9115) på substratet, å mønstre laget av det første maskeringsmateriale (5710 .. 7010, 7115 .. 9115) for å avdekke et parti av substratet, å tynnetse de avdekkede partier av substratet å påføre et lag av et andre maskeringsmateriale (5715 .. 7015, 7120 .. 9120) på de avdekke de partier av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som laget av det første maskeringsmateriale, å mønstre laget av det andre maskeringsmateriale (5715 .. 7015, 7120 .. 9120), å etse de avdekkede partier av substratet, å etse de avdekkede partier av laget av det andre maskeringsmateriale, og å etse de avdekkede partier av substratet.

2. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at mønstringen av laget av det andre maskeringsmateriale og etsingen av det avdekkede parti av substratet videre omfatter de trinn å mønstre en brøkdel av tykkelsen av laget av det andre maskeringsmateriale et antall ganger, å etse de avdekkede partier av substratet (5700 .. 9100), å etse en brøkdel av tykkelsen av de avdekke de partier av laget av det andre maskeringsmateriale, å etse de avdekke de partier av substratet, og å gjenta etsingen av en brøkdel av tykkelsen av de avdekkede partier av laget av det andre maskeringsmateriale og etsingen av de avdekkede partier av substratet et antall ganger.

3. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at den, etter den nevnte mønstring av laget av det andre maskeringsmateriale, omfatter påføring av et lag av et tredje maskeringsmateriale på substratet (5700 .. 9100), mønstring av laget av det tredje maskeringsmateriale, og etsing av laget av det tredje maskeringsmateriale.

4. Fremgangsmåte ifølge krav 3, karakterisert ved at den omfatter etsing av avdekke de partier av substratet (5700 .. 9100) etter mønstringen av laget av det tredje maskeringsmater i ale.

5. Fremgangsmåte ifølge krav 4, karakterisert ved at den omfatter etsing av avdekkede partier av det andre maskeringsmateriale (5715 .. 7015, 7120 .. 9120) etter mønstringen av laget av det tredje maskeringsmateriale.

6. Fremgangsmåte ifølge krav 2, karakterisert ved at den - etter mønstringen av en brøkdel av tykkelsen av laget av det andre maskeringsmateriale (5715 .. 7015, 7120 .. 9120) et antall ganger omfatter de trinn å påføre et lag av et tredje maskeringsmateriale på substratet, å mønstre laget av det tredje maskeringsmateriale, å etse laget av det tredje maskeringsmateriale, og å etse de avdekkede partier av substratet før den nevnte etsing av en brøkdel av tykkelsen av de avdekkede partier av laget av det andre maskeringsmateriale.

7. Fremgangsmåte ifølge ett av kravene 3-6, karakterisert ved at påføring av laget av første maskeringsmateriale (5710 .. 7010, 7115 .. 9115) omfatter påføring av et lag av et fjerde maskeringsmateriale på substratet, og påføring av laget av det første maskeringsmateriale på laget av det fjerde maskeringsmateriale.

8. Fremgangsmåte ifølge krav 7, karakterisert ved at mønstring av laget av andre maskeringsmateriale (5715 .. 7015, 7120 .. 9120) omfatter mønstring av lagene av det andre og fjerde maskeringsmateriale.

9. Fremgangsmåte ifølge krav 7 eller 8, karakterisert ved at laget av det andre maskeringsmateriale (5715 .. 7015, 7120 .. 9120) er minst like tykt som den kombinerte tykkelse av lagene av det første og fjerde maskeringsmateriale.

10. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at mønstring av det første lag av maskeringsmateriale (5710 .. 7010, 7115 .. 9115) omfatter mønstring av en brøkdel av tykkelsen av laget av det første maskeringsmateriale et antall ganger, og at fremgangsmåten - etter etsingen av laget av det andre maskeringsmateriale og etsing av de avdekkede partier av substratet, videre omfatter etsing av en brøkdel av tykkelsen av de avdekkede partier av laget av det første maskeringsmateriale, etsing av de avdekkede partier av substratet, og gjentakelse av etsingen av en brøkdel av tykkelsen av de avdekkede partier av laget av det første maskeringsmateriale og etsingen av de avdekkede partier av substratet et antall ganger.

11. Fremgangsmåte ifølge ett av kravene 1-10, karakterisert ved at maskeringslagene dannes ved å påføre et lag av et etsebestandig materiale på substratet, og å erodere forskjellige områder av laget ved forskjellige hastigheter for å danne et lag med flere tykkelser.

12. Fremgangsmåte ifølge ett av kravene 1-11, karakterisert ved at påføring av et lag av et første maskeringsmateriale (5710 .. 7010, 7115 .. 9115) på substratet omfatter påføring av et lag av et tredje maskeringsmateriale på substratet, og påføring av laget av det første maskeringsmateriale på laget av det tredje maskeringsmateriale.

13. Fremgangsmåte ifølge krav 12, karakterisert ved at påføring av laget av det tredje maskeringsmateriale omfatter termisk oksidasjon av substratet.

14. Fremgangsmåte ifølge krav 12 eller 13, karakterisert ved at påføringen av et lag av et andre maskeringsmateriale (5715 .. 7015, 7120 .. 9120) på de avdekkede partier av substratet omfatter påføring av et lag av et andre maskeringsmateriale på de avdekke de partier av substratet, idet laget av det andre maskeringsmateriale er minst like tykt som den kombinerte tykkelse av lagene av det første og tredje maskeringsmateriale.

15. Fremgangsmåte ifølge ett av kravene 12-14, karakterisert ved at mønstring av laget av det andre maskeringsmateriale (5715 .. 7015, 7120 .. 9120) omfatter - mønstring av lagene av det andre og tredje maskeringsmateriale.

16. Fremgangsmåte ifølge ett av kravene 12-15, karakterisert ved at den omfatter mønstring av laget av det tredje maskeringsmateriale forut for påføringen av et lag av et andre maskeringsmateriale på de avdekkede partier av substratet.

17. Fremgangsmåte ifølge ett av kravene 1-16, karakterisert ved at påføring av laget av det andre maskeringsmateriale (5715 .. 7015, 7120 .. 9120) omfatter lokal oksidasjon av substratet.

18. Fremgangsmåte ifølge ett av kravene 1-17, karakterisert ved at det første maskeringsmateriale omfatter silisiumnitrid, og at det andre maskeringsmateriale omfatter silisiumdioksid.

19. Fremgangsmåte ifølge krav 18, karakterisert ved at det første maskeringsmateriale (5710 .. 7010, 7115 .. 9115) omfatter silisiumnitrid, at det andre maskeringsmateriale omfatter silisiumdioksid, og at det tredje maskeringsmateriale omfatter silisiumdioksid.

20. Fremgangsmåte ifølge ett av kravene 1-19, karakterisert ved at etsing av de avdekkede partier av substratet omfatter våtetsing av de avdekke de partier av substratet.

21. Fremgangsmåte ifølge ett av kravene 1-20, karakterisert ved at den omfatter mønstring av laget av det første maskeringsmateriale.

22. Fremgangsmåte ifølge ett av kravene 12-16, karakterisert ved at det første maskeringsmateriale (5710 .. 7010, 7115 .. 9115) omfatter silisiumnitrid, at det andre maskeringsmateriale omfatter silisiumdioksid, og at det tredje maskeringsmateriale omfatter et fotoresistmateriale.

23. Fremgangsmåte ifølge ett av kravene 1-22, karakterisert ved at det første maskeringsmateriale (5710 .. 7010, 7115 .. 9115) velges fra den gruppe som består av silisiumkarbid, et metall, silisiumnitrid, polykrystalinsk diamant og etsebestandig polymer.

24. Fremgangsmåte ifølge krav 23, karakterisert ved at det andre maskeringsmateriale omfatter et fotoresistmateriale.

25. Fremgangsmåte ifølge ett av kravene 1-24, karakterisert ved at en første gruppe av avdekkede partier av substratet omfatter avdekkede partier med første tverrsnittsarealer, at en andre gruppe av avdekke de partier av substratet omfatter avdekkede partier med første og andre tverrsnittsarealer, og at de andre tverrsnittsarealer er like store som eller større enn de første tverrsnittsarealer.

26. Fremgangsmåte ifølge ett av kravene 1-25, karakterisert ved at etsing av de avdekkede partier av substratet etter mønstring av laget av det andre markeringsmateriale omfatter tørretsing av de avdekke de partier av substratet.

27. Fremgangsmåte ifølge krav 26, karakterisert ved at tørretsingen omfatter dyp reaktiv ioneetsing.