NO303609B1 - Elektrisk tilf°rselskrets, spesielt for fotodioder - Google Patents
Elektrisk tilf°rselskrets, spesielt for fotodioder Download PDFInfo
- Publication number
- NO303609B1 NO303609B1 NO920844A NO920844A NO303609B1 NO 303609 B1 NO303609 B1 NO 303609B1 NO 920844 A NO920844 A NO 920844A NO 920844 A NO920844 A NO 920844A NO 303609 B1 NO303609 B1 NO 303609B1
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- voltage
- temperature
- output voltage
- dependent
- source
- Prior art date
Links
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02027—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for devices working in avalanche mode
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
- G05F1/567—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for temperature compensation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/087—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with IC amplifier blocks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Pens And Brushes (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
- Electrophonic Musical Instruments (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
Oppfinnelsens bakgrunn
Den foreliggende oppfinnelse vedrører en elektrisk, tilfør-selskrets, spesielt for tilførsel til en "Avalanche fotodiode" (APD), men som også kan benyttes mer generelt.
"Avalanche fotodioder" (APDer) er dioder som blir brukt som elektro-optiske omformere spesielt innen optiske sig-nal transmisj onsteknikker . Dioder av denne type gir bare en optimal optisk-elektrisk omforming ("utbytte") av et optisk inngangssignal dersom den påtrykte diodespenningen nærmer seg sammenbruddsspenningen svært. Ett problem i denne sammenhengen er at sammenbruddsspenningen er temperaturavhengig, og som et resultat av dette, dersom den påtrykte spenningen skulle holdes konstant, ville på den ene side nevnte spenning ikke nærme seg sammenbruddsspenningen nok, og som et resultat av dette ville utgangssignalet til dioden være utilstrekkelig, eller dioden ville, på den an-nen side, bryte sammen i tilfelle av enhver - uunngåelig - økning i den (omgivende) temperatur.
For å fjerne det fremsatte problem, er det kjent tilfør-selskretser for fotodioder, hvis utgangsspenning har en bestemt temperaturavhengighet som er tilpasset så godt .som mulig til den brukte fotodiodens temperaturavhengighet. JP patentpublikasjon 60-180,347 omhandler således en slik krets. Imidlertid har den nevnte krets den ulempe at ut-gangsspenningsnivået og temperaturavhengighetsgraden ikke kan styres uavhengig av hverandre, hvilket imidlertid ikke trenger å være en ulempe dersom kretsen kun er ment for tilførsel til en bestemt type fotodiode, idet komponente-nes verdier da kan justeres ved å ta hensyn til nevnte ty-pe fotodiode. Imidlertid kan det ikke samtidig tas hensyn til eksemplarvariasjoner innenfor samme type fotodiode. Som en konsekvens av dette, kan "utbyttet" til fotodioden ikke optimeres, og i praksis tilkjennegir dette likevel et tap som ikke kan overses.
Sammenfatning av oppfinnelsen
Oppfinnelsen fremskaffer en tilførselskrets som spesielt kan brukes for tilførsel til fotodioder som, i kontrast til kjente, lignende kretser, fremskaffer organer for optimal justering av både den temperaturuavhengige delen av tilførselsspenningen og den temperaturavhengige delen av den, spesielt temperaturavhengighetsgraden.
Oppfinnelsen erkarakterisert vedde trekk som fremgår av den karakteriserende del av det vedføyde patentkrav 1.
Ifølge oppfinnelsen er den temperaturuavhengige komponenten og den temperaturavhengige komponenten av tilførsels-spenning (hvilespenning) som skal påtrykkes fotodioden, generert uavhengig av hverandre av nevnte spenningskilder, og utgangs spenningene i nevnte spenningskilder er i tillegg justerbare uavhengig av hverandre, ved hjelp av de to nevnte forsterkerne, idet spenningsnivået blir regulert ved hjelp av den første forsterkeren og spen-nings/temperatur- forholdet ved hjelp av den andre forsterkeren. Disse forholdsregler gjør det mulig for enhver fotodiode å justeres ekstremt fint, og følgelig optimalt uten at, uavhengig ved hvilken temperatur, forskjellen mellom tilf ørselsspenningen og sammenbrudds spenningen blir for stor (hvilket resulterer i et lavere "utbytte"), eller at tilførselsspenningen blir i stand til å overskride sammenbruddsspenningen (idet fotodioden blir uvirksom som et resultat).
En foretrukken utførelsesform for oppfinnelsen erkarakterisert vedde trekk som fremgår av det vedføyde patentkrav 2 .
Referanser
JP 60-180,247
Eksemplifisert utførelsesform
Figuren viser en eksemplifisert utførelsesform av oppfinnelsen.
Den ovenfor nevnte temperaturuavhengige spenningskilden VS1 er formet av en kommersielt tilgjengelig komponent, f.eks. typen uA723, hvis (svært stabile) utgangsspenning Ul er omtrent 7 volt. Denne spenningskilden VS1 er koblet til en inngangsterminal til en styrbar spenningsforsterker Al, hvis andre inngangsterminal er koblet til jord. En spenning lik al<*>7 volt kan derfor avledes ved utgangen, idet al er det (variable) utbyttet.
Den temperaturavhengige spenningskilden VS2 er formet av en temperaturuavhengig spenningskilde VS3, f.eks. også den nevnte komponenten jxA723, med en fiksert spenningsdeler, i kombinasjon med en temperaturavhengig spenningskilde som er formet som en diode D innlemmet i en strømkrets som er forsynt av en strømkilde CS, idet nevnte strømkilde i sin tur er formet av en spenningskilde VS4 og en relativt høy-resistent motstand R. Den fikserte spenningsdeleren som er koblet til den temperaturuavhengige spenningskilden VS3, er justert på en slik måte at dens utgangsspenning er Tik spenningen over dioden D, f.eks. 0,7 volt. Fotodioden som skal få sin tilførsel og dioden er plassert på en slik må-te at de er utsatt for samme omgivende temperatur, f.eks. montert på samme printkort, idet den fikserte spenningsdeler da blir justert til den temperatur som er lik den nor-male driftstemperatur, ved hvilken fotodioden som skal få sin tilførsel opereres, vanligvis romtemperatur. I en sub-traksjonskrets "-" er diodespenningen subtrahert fra utgangsspenningen til spenningsdeleren og resultantspen-ningsdifferansen blir presentert ved inngangen til en for-sterker A2, hvis andre inngang er ved jord. Utgangsspenningen til spenningsdeleren er f.eks. 0,7 volt. Spenningen over dioden er også 0,7 volt, hvilket øker eller minker ved hjelp av det matematiske produkt til en temperaturkon- stant og forskjellen mellom den aktuelle temperaturen og romtemperaturen, idet temperaturen er konstant, f.eks. 2 millivolt per grad Celsius. I det tilfellet er spenningen presentert ved inngangen til forsterkeren A2 derfor lik (0,7 + 2 m(v/deg) - 0,7 = 2 mV/deg. Denne spenningen er derfor kun avhengig av temperatur. Den kan forsterkes av forsterkeren A2 ved et utbytte på a2, med det resultat at spenningen ved utgangen til forsterkeren A2 er lik a2<*>2mV/deg. I en spenningsadderer "+" blir utgangsspenningene til den første forsterkeren Al og til den andre forsterkeren A2, addert med hverandre, hvilket resulterer i en utgangsspenning (al<*>7 + a2<*>mV/deg), idet det derfor er mulig å justere al og a2 uavhengig av hverandre.
Claims (3)
1. Elektrisk tilførselskrets,karakterisert vedat den omfatter en før-ste temperaturuavhengig spenningskilde (VS1), hvis utgangsspenning (Ul) er konstant og som er koblet til inngangen til en første spenningsforsterker (Al) som har en styrbar forsterkning (al) , og i tillegg en andre temperaturavhengig spenningskilde (VS2), hvis utgangsspenning (U2) i det vesentlige er lik det matematiske produkt av en konstant (C) og temperaturen (t) målt ved et målepunkt og som er koblet til inngangen til en andre spenningsforsterker (A2) som har en styrbar forsterkning (a2), idet utgangs spenningen til den første spenningsforsterkeren og utgangsspenningen til den andre spenningsforsterkeren blir addert.
2. Elektrisk tilførselskrets som angitt i krav 1,karakterisert vedat den andre temperaturavhengige spenningskilde (VS2) er formet av en tredje temperaturuavhengig spenningskilde (VS3) med en tredje konstant utgangsspenning (U3), og ved en seriekrets i en strømkilde (CS) og en temperaturavhengig impedans (D) ,^i-det den fjerde utgangsspenningen (U4) som er generert ved nevnte strømkilde (CS) over nevnte temperaturavhengige impedans har en temperaturuavhengig komponent som er lik den tredje konstante utgangsspenning (U3) og en temperaturavhengig komponent, idet utspenningen (U2) fra den andre temperaturavhengige spenningskilde (VS2) blir fremskaffet ved å subtrahere den tredje konstante utgangsspenning fra den fjerde utgangsspenning.
3. Elektrisk tilførselskrets som angitt i krav 2,karakterisert vedat den temperaturavhengige impedans er formet av en halvlederdiode (D) som er tilkoblet i foroverretningen i forhold til strømkilden
(CS) .
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL9100476A NL9100476A (nl) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | Electrische voedingsschakeling, in het bijzonder voor apds. |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO920844D0 NO920844D0 (no) | 1992-03-04 |
NO920844L NO920844L (no) | 1992-09-21 |
NO303609B1 true NO303609B1 (no) | 1998-08-03 |
Family
ID=19859030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO920844A NO303609B1 (no) | 1991-03-18 | 1992-03-04 | Elektrisk tilf°rselskrets, spesielt for fotodioder |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0504974B1 (no) |
JP (1) | JP2821829B2 (no) |
AT (1) | ATE127619T1 (no) |
DE (1) | DE69204508T2 (no) |
FI (1) | FI104451B (no) |
NL (1) | NL9100476A (no) |
NO (1) | NO303609B1 (no) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0915407B1 (en) * | 1997-11-05 | 2009-03-04 | STMicroelectronics S.r.l. | Temperature correlated voltage generator circuit and corresponding voltage regulator for a single power memory cell, particularly of the FLASH-type |
US7405552B2 (en) | 2006-01-04 | 2008-07-29 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor temperature sensor with high sensitivity |
JP2006303524A (ja) * | 2006-06-08 | 2006-11-02 | Oki Comtec Ltd | アバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路およびその調整方法 |
CN115542229B (zh) * | 2022-11-25 | 2023-03-24 | 中国兵器装备集团自动化研究所有限公司 | 一种复杂温度环境下恒流源校准系统 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61163737A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光伝送装置 |
JPS639164A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Fujitsu Ltd | Apdの増倍率制限回路 |
DE3640242A1 (de) * | 1986-11-25 | 1988-05-26 | Vdo Schindling | Schaltungsanordnung fuer einen sensor |
JP2733763B2 (ja) * | 1987-01-30 | 1998-03-30 | 日本電信電話株式会社 | Apdバイアス回路 |
JPH02113640A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Toshiba Corp | 自動利得制御装置 |
JPH0314244A (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-22 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-18 NL NL9100476A patent/NL9100476A/nl not_active Application Discontinuation
-
1992
- 1992-03-04 NO NO920844A patent/NO303609B1/no not_active IP Right Cessation
- 1992-03-11 AT AT92200678T patent/ATE127619T1/de not_active IP Right Cessation
- 1992-03-11 DE DE69204508T patent/DE69204508T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-11 EP EP92200678A patent/EP0504974B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-11 JP JP4101535A patent/JP2821829B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-18 FI FI921161A patent/FI104451B/fi active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FI921161A0 (fi) | 1992-03-18 |
ATE127619T1 (de) | 1995-09-15 |
DE69204508T2 (de) | 1996-03-14 |
EP0504974B1 (en) | 1995-09-06 |
FI921161A (fi) | 1992-09-19 |
NO920844L (no) | 1992-09-21 |
JP2821829B2 (ja) | 1998-11-05 |
NL9100476A (nl) | 1992-10-16 |
EP0504974A1 (en) | 1992-09-23 |
JPH07183559A (ja) | 1995-07-21 |
DE69204508D1 (de) | 1995-10-12 |
NO920844D0 (no) | 1992-03-04 |
FI104451B (fi) | 2000-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0633517B1 (en) | Bias circuit for avalanche photodiode | |
EP0086528B1 (en) | A bias control circuit for light-emitting diode having temperature compensation | |
EP0615665B1 (en) | Wavelength stabilization | |
US4475103A (en) | Integrated-circuit thermocouple signal conditioner | |
US4298835A (en) | Voltage regulator with temperature dependent output | |
KR100226210B1 (ko) | 광 외부강도 변조기 및 광 외부강도 변조방법 | |
US11740136B2 (en) | Signal processing circuit, corresponding sensor device and apparatus | |
NO303609B1 (no) | Elektrisk tilf°rselskrets, spesielt for fotodioder | |
US6919716B1 (en) | Precision avalanche photodiode current monitor | |
US5699004A (en) | Temperature compensation of logarithmic amplifiers in a sampled data system | |
JP3999325B2 (ja) | 光検出回路 | |
SE422369B (sv) | Anordning for kompensering av overforingsfunktion | |
US4091329A (en) | Logarithmic circuit with wide dynamic range | |
US4599527A (en) | Device for stabilizing gain of a photosensitive avalanche member | |
US7612322B2 (en) | Temperature-compensated high dynamic range optical receiver | |
NL7907277A (nl) | Werkwijze en keten voor het besturen van een niet- lineaire drempelketen. | |
US4441071A (en) | Temperature compensation circuit for thermocouples | |
JPS60180347A (ja) | アバランシエフオトダイオ−ドの温度補償回路 | |
KR0145591B1 (ko) | 써모파일 센서를 이용한 온도 감지방법 및 그 장치 | |
JPS58165020A (ja) | 光電変換装置 | |
SU333418A1 (ru) | Цветовой пирометр | |
KR970022253A (ko) | 자동 문턱값 설정 회로 | |
JPS5995711A (ja) | アバランシエフオトダイオ−ドの駆動回路 | |
JPS6014293B2 (ja) | 光受信回路 | |
JPS6145420B2 (no) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM1K | Lapsed by not paying the annual fees |
Free format text: LAPSED IN SEPTEMBER 2003 |