NL9100476A - Electrische voedingsschakeling, in het bijzonder voor apds. - Google Patents
Electrische voedingsschakeling, in het bijzonder voor apds. Download PDFInfo
- Publication number
- NL9100476A NL9100476A NL9100476A NL9100476A NL9100476A NL 9100476 A NL9100476 A NL 9100476A NL 9100476 A NL9100476 A NL 9100476A NL 9100476 A NL9100476 A NL 9100476A NL 9100476 A NL9100476 A NL 9100476A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- voltage
- temperature
- source
- output voltage
- amplifier
- Prior art date
Links
- FCSSPCOFDUKHPV-UHFFFAOYSA-N 2-Propenyl propyl disulfide Chemical compound CCCSSCC=C FCSSPCOFDUKHPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02027—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for devices working in avalanche mode
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
- G05F1/567—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for temperature compensation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/087—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with IC amplifier blocks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Electrophonic Musical Instruments (AREA)
- Pens And Brushes (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Description
Electrische voedingsschakeling, in het bijzonder voor APDs.
A. ACHTERGROND VAN DE UITVINDING
1. Gebied van de uitvinding
De uitvinding heeft betrekking op een electrische voedingsschakeling, in het bijzonder voor het voeden van een 'Avalanche Photo Diode' (APD), echter ook meer in het algemeen toepasbaar.
2. Stand van de techniek 'Avalanche Photo Diodes' (APDs) zijn diodes die met name in de optische signaaltransmissietechniek worden gebruikt als electro-optische omzetters. Dit soort diodes geven alleen een optimale optisch-elec-trische omzetting ('gain') van een optisch ingangssignaal indien de aangelegde diodespanning de doorslagspanning zeer dicht benadert. Een probleem daarbij is dat die doorslagspanning temperatuurafhan-kelijk is, waardoor indien de aangelegde spanning constant zou worden gehouden, enerzijds die spanning de doorslagspanning niet dicht genoeg zou benaderen, waardoor het uitgangssignaal van de diode onvoldoende is, of anderzijds de diode zou doorslaan bij enige -onvermijdelijke - stijging van de (omgevings)temperatuur.
Ter ondervanging van het gestelde probleem zijn voedingsschakelingen voor APDs bekend, waarvan de uit-gangsspanning een bepaalde temperatuursafhankelijkheid vertoont, zo goed mogelijk overeenkomend met de temperatuursafhankelijkheid van de toegepaste APD. Zo is uit de Japanse octrooiaanvrage JP60180347 een dergelijke schakeling bekend. Die schakeling heeft echter het nadeel dat de hoogte van uitgangsspanning en de mate van temperatuurafhankelijkheid niet onafhankelijk van elkaar geregeld kunnen worden, hetgeen overigens geen bezwaar behoeft te zijn indien de schakeling bedoeld is om uitsluitend een bepaald APD-type te voeden; de waarden van de componenten kunnen dan worden ingesteld, rekening houdend met dat APD-type. Overigens kan daarbij geen rekening worden gehouden met exemplaar-variaties binnen eenzelfde APD-type. Ten gevolge daarvan kan de 'gain' van de APD niet worden geoptimaliseerd, hetgeen in de praktijk toch een niet te verwaarlozen verlies betekent.
B. SAMENVATTING VAN DE UITVINDING
De uitvinding voorziet in een voedingsschakeling die in het bijzonder toepasbaar is voor het voeden van APDs, en die - in tegenstelling tot bekende soortgelijke schakelingen - voorziet in middelen voor het optimaal instellen van zowel het temperatuurs-onaf-harikelijke deel van de voedingsspanning als van het temperatuursafhankelijke deel daarvan, met name de mate van temperatuurafhankelijkheid.
De uitvinding wordt gekenmerkt door een eerste, temperatuurs-onafhankelijke spanningsbron (VS1), waarvan de uitgangsspanning (UI) constant is, en die is aangesloten op de ingang van een eerste spanningsver-sterker (Al) met een regelbare versterkingsfactor (al), en voorts door een tweede, temperatuursafhankelijke spanningsbron (VS2) waarvan de uitgangsspanning (U2) in hoofdzaak gelijk is aan het mathematisch product van een constante (C) en de op een meetpunt gemeten temperatuur (t), en die is aangesloten op de ingang van een tweede spanningsversterker (A2) met een regelbare versterkingsfactor (a2), waarbij de uitgangsspanning van de eerste spanningsversterker en de uitgangsspanning van de tweede spanningsversterker bij elkaar worden opgeteld. Volgens de uitvinding worden dus de temperatuurs-onafhankelijke en de temperatuur-afhankelijke component van de aan een APD aan te leggen voedingsspanning (rustspanning) onafhankelijk van elkaar opgewekt door de tweede genoemde spanningsbronnen en zijn de uitgangsspanningen van deze spanningsbronnen voorts onafhankelijk van elkaar instelbaar door middel van de twee genoemde versterkers; door middel van de eerste versterker wordt de hoogte van de spanning geregeld, door middel van de tweede versterker de spanning/temperatuur-ratio. Deze maatregelen maken het mogeljk dat elke APD uiterst kritisch en daardoor optimaal kan worden ingesteld, zonder dat -bij welke temperatuur ook - of het verschil tussen de voedingsspanning en de doorslagspanning te groot wordt (met een lagere 'gain' als resultaat), of de voedingsspanning de doorslagspanning kan overschrijden (met buiten werking treding van de APD als resultaat).
Een voorkeursuitvoering van de uitvinding wordt erdoor gekenmerkt dat de genoemde tweede, tempera-tuursafhankelijke spanningsbron wordt gevormd door een derde, temperatuurs-onafhankelijke spanningsbron (VS3) met een derde, constante uitgangsspanning (U3), en door een serieschakeling van een stroombron en een temperatuursafhankelijke impedantie (D), waarbij de genoemde derde uitgangsspanning gelijk is aan de door de genoemde stroombron (CS) over de impedantie opgewekte spanning (U4), en daarvan wordt afgetrokken, waarbij de genoemde impedantie bij voorkeur wordt gevormd door een in stroomdoorlaatrichting geschakelde halfgeleider diode.
C. REFERENTIES
JP60180347
D. UITVOERINGSVOORBEELD
De figuur toont een voorkeursuitvoering van de uitvinding.
De in het voorgaande genoemde temperatuurs-onaf-hankelijke spanningsbron VS1 wordt gevormd door een in de handel zijnde component, zoals van het type μΑ723, waarvan de (zeer stabiele) uitgangsspanning ül ca. 7 volt bedraagt. Deze spanningsbron VS1 is aangesloten op een ingangsaansluiting van een regelbare spannings-versterker Al, waarvan de andere ingangsaansluiting met aarde is verbonden. Aan de uitgang kan dus een spanning worden afgenomen gelijk aan al*7 volt, waarbij al de - variabele - versterkingsfactor is.
De in het voorgaande genoemde temperatuurs-afhan-kelijke spanningsbron VS2 wordt gevormd door een tem-peratuurs-onafhankelijke spanningsbron VS3, bijv. eveneens de genoemde component μΑ723 met een vaste spanningsdeler, in combinatie met een temperatuurs-afhankelijke spanningsbron die wordt gevormd door een diode D, opgenomen in een door een stroombron CS gevoed stroomcircuit; deze stroombron wordt op zich weer gevormd door een spanningsbron VS4 en een relatief hoogohmige weerstand R. De vaste spanningsdeler die op de temperatuurs-onafhankelijke spanningsbron VS3 is aangesloten, is zodanig ingesteld dat zijn uitgangsspanning gelijk is aan de spanning over de diode D, bijv. 0.7 volt. De te voeden APD en de diode worden zo geplaatst dat zij aan dezelfde omgevingstemperatuur zijn blootgesteld, bijv. gemonteerd op eenzelfde printplaat; de vaste spanningsdeler wordt dan ook ingesteld bij een temperatuur die gelijk is aan de normale bedrijfstemperatuur waarbij de te voeden APD werkt, normaliter kamertemperatuur. In een aftrekscha-keling wordt de diodespanning afgetrokken van de uitgangsspanning van de spanningsdeler en de resulterende verschilspanning wordt aan een ingang van een versterker A2 aangeboden, waarvan de andere ingang aan aarde ligt. De uitgangsspanning van de spanningsdeler is bijv. 0.7 volt. De spanning over de diode is eveneens 0.7 volt, vermeerderd of verminderd met het mathematisch product van een temperatuursconstante en het verschil tussen de actuele temperatuur en kamertemperatuur; de temperatuursconstante is bijv. 2 millivolt per graad Celsius. De aan de ingang van de versterker A2 aangeboden spanning is hierbij dus gelijk aan (0.7 + 2 mV/grd) - 0.7 = 2 mV/grd. Deze spanning is dus uitsluitend afhankelijk van de temperatuur.
Door de versterker A2 kan deze spanning versterkt worden met een versterkingsfactor a2, zodat de spanning aan de uitgang van de versterker A2 gelijk is aan a2*2mV/grd. In een spanningsopteller '+' worden de uitgangsspanningen van de eerste versterker Al en die van de tweede versterker A2 bij elkaar opgeteld, resulterend in een uitgangsspanning (al*7 + a2*2mV/grd), waarbij al en a2 dus onafhankelijk van elkaar kunnen worden ingesteld.
Claims (3)
1. Electrische voedingsschakeling, gekenmerkt door een eerste, temperatuurs-onafhankelijke spanningsbron (VSl), waarvan de uitgangsspanning (UI) constant is, en die is aangesloten op de ingang van een eerste spanningsversterker (Al) met een regelbare verster-kingsfactor (al), en voorts door een tweede, tempera-tuursafhankelijke spanningsbron (VS2) waarvan de uitgangsspanning (U2) in hoofdzaak gelijk is aan het mathematisch product van een constante (C) en de op een meetpunt gemeten temperatuur (t), en die is aangesloten op de ingang van een tweede spanningsversterker (A2) met een regelbare versterkingsfactor (a2), waarbij de uitgangsspanning van de eerste spanningsversterker en de uitgangsspanning van de tweede spanningsversterker bij elkaar worden opgeteld.
2. Electrische voedingsschakeling volgens conclusie 1, met het kenmerk dat de genoemde tweede, temperatuurs-afhankelijke spanningsbron wordt gevormd door een derde, temperatuurs-onafhankelijke spanningsbron (VS3) met een derde, constante uitgangsspanning (U3), en door een serieschakeling van een stroombron en een temperatuursafhankelijke impedantie (D), waarbij de genoemde derde uitgangsspanning gelijk is aan de door de genoemde stroombron (CS) over de impedantie opgewekte spanning (U4), en daarvan wordt afgetrokken.
3. Electrische voedingsschakeling volgens conclusie 2, met het kenmerk dat de genoemde impedantie wordt gevormd door een in stroomdoorlaatrichting geschakelde halfgeleiderdiode (D).
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL9100476A NL9100476A (nl) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | Electrische voedingsschakeling, in het bijzonder voor apds. |
NO920844A NO303609B1 (no) | 1991-03-18 | 1992-03-04 | Elektrisk tilf°rselskrets, spesielt for fotodioder |
AT92200678T ATE127619T1 (de) | 1991-03-18 | 1992-03-11 | Elektrische versorgungsschaltung, insbesondere für lawinen-photodioden. |
DE69204508T DE69204508T2 (de) | 1991-03-18 | 1992-03-11 | Elektrische Versorgungsschaltung, insbesondere für Lawinen-Photodioden. |
EP92200678A EP0504974B1 (en) | 1991-03-18 | 1992-03-11 | Electrical supply circuit, in particular for APDs |
JP4101535A JP2821829B2 (ja) | 1991-03-18 | 1992-03-11 | Apd用電気供給回路 |
FI921161A FI104451B (fi) | 1991-03-18 | 1992-03-18 | Sähköinen syöttöpiiri erityisesti APD-diodeja varten |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL9100476 | 1991-03-18 | ||
NL9100476A NL9100476A (nl) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | Electrische voedingsschakeling, in het bijzonder voor apds. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL9100476A true NL9100476A (nl) | 1992-10-16 |
Family
ID=19859030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL9100476A NL9100476A (nl) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | Electrische voedingsschakeling, in het bijzonder voor apds. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0504974B1 (nl) |
JP (1) | JP2821829B2 (nl) |
AT (1) | ATE127619T1 (nl) |
DE (1) | DE69204508T2 (nl) |
FI (1) | FI104451B (nl) |
NL (1) | NL9100476A (nl) |
NO (1) | NO303609B1 (nl) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69739284D1 (de) | 1997-11-05 | 2009-04-16 | St Microelectronics Srl | Temperaturkorrelierter Spannungsgeneratorschaltkreis und zugehöriger Spannungsregler für die Speisung einer Speicherzelle mit einer einzigen Stromversorgung, insbesondere vom FLASH-Typ |
US7405552B2 (en) | 2006-01-04 | 2008-07-29 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor temperature sensor with high sensitivity |
JP2006303524A (ja) * | 2006-06-08 | 2006-11-02 | Oki Comtec Ltd | アバランシェフォトダイオード用バイアス電圧制御回路およびその調整方法 |
CN115542229B (zh) * | 2022-11-25 | 2023-03-24 | 中国兵器装备集团自动化研究所有限公司 | 一种复杂温度环境下恒流源校准系统 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61163737A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光伝送装置 |
JPS639164A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Fujitsu Ltd | Apdの増倍率制限回路 |
DE3640242A1 (de) * | 1986-11-25 | 1988-05-26 | Vdo Schindling | Schaltungsanordnung fuer einen sensor |
JP2733763B2 (ja) * | 1987-01-30 | 1998-03-30 | 日本電信電話株式会社 | Apdバイアス回路 |
JPH02113640A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Toshiba Corp | 自動利得制御装置 |
JPH0314244A (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-22 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-03-18 NL NL9100476A patent/NL9100476A/nl not_active Application Discontinuation
-
1992
- 1992-03-04 NO NO920844A patent/NO303609B1/no not_active IP Right Cessation
- 1992-03-11 EP EP92200678A patent/EP0504974B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-11 DE DE69204508T patent/DE69204508T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-11 JP JP4101535A patent/JP2821829B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-11 AT AT92200678T patent/ATE127619T1/de not_active IP Right Cessation
- 1992-03-18 FI FI921161A patent/FI104451B/fi active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FI921161A0 (fi) | 1992-03-18 |
NO303609B1 (no) | 1998-08-03 |
EP0504974A1 (en) | 1992-09-23 |
NO920844D0 (no) | 1992-03-04 |
FI104451B (fi) | 2000-01-31 |
EP0504974B1 (en) | 1995-09-06 |
DE69204508T2 (de) | 1996-03-14 |
NO920844L (no) | 1992-09-21 |
FI921161A (fi) | 1992-09-19 |
DE69204508D1 (de) | 1995-10-12 |
JP2821829B2 (ja) | 1998-11-05 |
ATE127619T1 (de) | 1995-09-15 |
JPH07183559A (ja) | 1995-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0086528B1 (en) | A bias control circuit for light-emitting diode having temperature compensation | |
CA2127647C (en) | Bias circuit for avalanche photodiode | |
US4355341A (en) | Power protection circuit for transistors | |
HU181275B (en) | Apparatus for automatic controlling output power of the transmitter in a fibre-optics system | |
US5224112A (en) | Semiconductor laser device driving circuit | |
NL9100476A (nl) | Electrische voedingsschakeling, in het bijzonder voor apds. | |
KR830001456B1 (ko) | 전력트랜지스터용 과전류 보호회로 | |
US4725770A (en) | Reference voltage circuit | |
US6429638B1 (en) | N-diode peak detector | |
NL7907277A (nl) | Werkwijze en keten voor het besturen van een niet- lineaire drempelketen. | |
US5659249A (en) | Semiconductor magnetic-to-electric converter with hall device having improved temperature characteristics | |
US4524317A (en) | Precision, dynamic low voltage measurement system | |
US5184036A (en) | Method of limiting output current from an interface drive circuit | |
US5625305A (en) | Load detection apparatus | |
JP3318118B2 (ja) | 半導体レーザ制御装置 | |
US4864120A (en) | Electronic correction of photodiode radiant sensitivity | |
KR100459884B1 (ko) | 상한 전압 제한기 및 이를 채용한 레이저 다이오드 구동장치 | |
GB2217540A (en) | Automatic biassing of amplifiers | |
KR100246772B1 (ko) | 레이저 구동 장치 | |
EP0507394A2 (en) | Optical transmitter | |
JPS63136585A (ja) | 半導体レ−ザの光出力自動制御装置 | |
JPS62209882A (ja) | 半導体レ−ザ−の直流バイアス回路 | |
JPS61182336A (ja) | Apd保護回路 | |
JPH0159750B2 (nl) | ||
NL8600483A (nl) | Schakelingsinrichting voor temperatuurstabilisatie. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A1B | A search report has been drawn up | ||
BV | The patent application has lapsed |