NO20093054A1 - Fremgangsmate for fremstilling av hoyrent silisium - Google Patents

Fremgangsmate for fremstilling av hoyrent silisium Download PDF

Info

Publication number
NO20093054A1
NO20093054A1 NO20093054A NO20093054A NO20093054A1 NO 20093054 A1 NO20093054 A1 NO 20093054A1 NO 20093054 A NO20093054 A NO 20093054A NO 20093054 A NO20093054 A NO 20093054A NO 20093054 A1 NO20093054 A1 NO 20093054A1
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
silicon
heat treatment
aqueous solution
hno3
calcium
Prior art date
Application number
NO20093054A
Other languages
English (en)
Other versions
NO331026B1 (no
Inventor
Khalil Zeaiter
Original Assignee
Elkem Solar As
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Elkem Solar As filed Critical Elkem Solar As
Priority to NO20093054A priority Critical patent/NO331026B1/no
Priority to CN201080011131.XA priority patent/CN102369158B/zh
Priority to BRPI1005443-0A priority patent/BRPI1005443B1/pt
Priority to US13/133,914 priority patent/US8920761B2/en
Priority to ES10819087.7T priority patent/ES2627503T3/es
Priority to PCT/NO2010/000332 priority patent/WO2011037473A1/en
Priority to EP10819087.7A priority patent/EP2480497B1/en
Priority to MYPI2012000613A priority patent/MY166519A/en
Priority to CA2744802A priority patent/CA2744802C/en
Publication of NO20093054A1 publication Critical patent/NO20093054A1/no
Publication of NO331026B1 publication Critical patent/NO331026B1/no
Priority to IN1681DEN2012 priority patent/IN2012DN01681A/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/037Purification
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80Compositional purity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

Teknisk område
Den foreliggende oppfinnelse vedrører en fremgangsmåte for fremstilling av høyrent silisium.
Teknikkens stilling
Fra US patent nr. 4,539,194 er det kjent en fremgangsmåte for fremstilling av rensilisium hvor en eller flere kalsiumforbindelser tilsettes til smeltet metallurgisk kvalitet silisium i en mengde tilstrekkelig til å fremskaffe silisium inneholdende fra ca. 1,0 til 10 vekt % kalsium. Det kalsiumlegerte silisium støpes og det størknede silisium grovknuses og underkastes et lutetrinn ved bruk av en vanndig oppløsning av FeCI3og HCI. Dette første lutetrinnet forårsaker desintegrering av silisiumet og hvor de resulterende silisiumkornene etter vasking underkastes et andre lutetrinn med en vanndig oppløsning av HF og HNO3. Når det smeltede silisium legert med kalsium størkner, vil hovedparten av kalsium størkne som en kalsiumsilisidfase langs korngrensene av silisium. Denne kalsiumsilisidfasen inneholder også en hoveddel av andre forurensningselementer inneholdt i det metallurgiske silisium, særlig jern, aluminium, titan, vanadium, krom og andre. Kalsiumsilisidfasen inneholdende disse forurensningene oppløses i lutetrinnene og forurensningselementene inneholdt i kalsiumsilisidfasen fjernes derved fra silisiumpartiklene Det oppnås meget gode resultater ved fremgangsmåten i henhold til US patent 4,539,194. Det er imidlertid blitt funnet at ikke alle kalsiumsilisidfasene befinner seg på korngrensene av det størknede silisium. Litt av kalsiumsilisidfasen er isolert inne i silisiumkornene og i trange kanaler og er derfor ikke tilgjengelig for syreangrep under lutetrinnene beskrevet i US patent nr. 4,539,194.
Det er således et behov for ytterligere rensing av silisium som er raffinert ved bruk av fremgangsmåten ifølge US patent nr. 4,539,194.
Beskrivelse av oppfinnelsen
Den foreliggende oppfinnelse vedrører således en fremgangsmåte for fremstilling av høyrent silisium omfattende fremskaffelse av smeltet silisium inneholdende 1-10 vekt % kalsium, støping av det smeltede silisium, knusing av silisiumet og luting av det knuste silisiumet i et første lutetrinn i en vanndig løsning av HCI og/eller HCI+FeCl3og i et andre lutetrinn i en vanndig løsning av HF og HNO3, hvilken fremgangsmåte er kjennetegnet ved at de lutede silisiumpartiklene underkastes en varmebehandling ved en temperatur mellom 1250°C og 1420°C i en periode av minst 20 minutter og at de varmebehandlede silisiumpartiklene lutes i et tredje lutetrinn i en vanndig løsning av HF og HNO3.
Varmebehandlingen utføres fortrinnsvis ved en temperatur over 1300°C og mer foretrukket ved en temperatur over 1400°C.
Fortrinnsvis vaskes silisiumpartiklene med vann etter det tredje lutetrinnet.
Varmebehandlingen kan utføres enten som en batch-prosess eller kontinuerlig. En kontinuerlig varmebehandling kan eksempelvis utføres i en tunnellovn med et horisontalt bevegelig belte.
Det er overraskende blitt funnet at gjenværende kalsiumsilisidfase inneholdende forurensningselementer smelter under varmebehandlingen og migrerer til overflaten av silisiumpartiklene. I tillegg migrerer andre faser så som Cu3Si, NiSi2, CuFeSi, FeNiCuSi og andre til overflaten av silisiumpartiklene under varmebehandlingen. Fasene som migrerer til overflaten av silisiumpartiklene oppløses i det tredje lutetrinnet og resulterer i meget rene silisiumpartikler etter det tredje lutetrinnet. Det antas at ved temperaturer under smeltepunktet for silisium forårsakes migrasjon av de smeltede silisidfasene til overflaten av silisiumpartiklene av at når silisium oppvarmes til høye temperaturer smelter silisidfasene med en volumekspansjon mens silisium har en volumøkning som forårsaker krefter på de smeltede silisidfasene og derved presser de smeltede silisidfasene ut gjennom trange kanaler til den ytre overflate av silisiumpartiklene. Ved avkjøling vil de smeltede silisidfasene størkne på overflaten av silisiumpartiklene.
Eksempel 1:
Prøver av silisiumpartikler som var blitt legert med kalsium og lutet i henhold til fremgangsmåten i henhold til US patent nr. 4,539,194 ble varmebehandlet i ca. 60 minutter ved temperaturer på henholdsvis 1250°C, 1400°C og 1420°C og deretter lutet i en vanndig løsning av HF+HNO3og de resulterende silisiumpartikler ble vasket med vann og tørket.
Tabell 1, 2 og 3 viser elementanalyse før varmebehandling og etter HF+HNO3luting samt reduksjon av forurensningselementer i % oppnådd ved fremgangsmåten.
Som det kan sees fra tabellene 1, 2 og 3 oppnås det en betydelig reduksjon av innholdet av forurensningselementer fra silisiumpartiklene allerede når varmebehandlingen utføres ved 1250°C og at reduksjonen av innholdet av forurensningselementer øker betydelig ved økende varmebehandlingstemperatur. Ved varmebehandlingen ved 1420°C ble det oppnådd en reduksjon av forurensningselementer på 80% eller mer. Ved denne temperaturen er silisium nesten i smeltet tilstand og de smeltede silisidfasene segregerer til overflaten av silisiumpartiklene. De intergranulære kanalene omdannes ettersom nye polykrystallinske strukturer dannes.

Claims (4)

1. Fremgangsmåte for fremstilling av høyrent silisium omfattende fremskaffelse av smeltet silisium inneholdende 1-10 vekt % kalsium, støping av det smeltede silisium, knusing av silisiumet og luting av det knuste silisiumet i et første lutetrinn i en vanndig løsning av HCI og/eller HF+HNO3og i et andre lutetrinn i en vanndig løsning av HF of HNO3,karakterisert vedat de lutede silisiumpartiklene varmebehandles ved en temperatur mellom 1250°C og 1420°C i et tidsrom av minst 20 minutter og deretter lutes i et tredje lutetrinn i en vanndig løsning av HF og HNO3.
2. Fremgangsmåte ifølge krav 1,karakterisert vedat varmebehandlingen utføres ved en temperatur av over 1300°C og fortrinnsvis over 1400°.
3. Fremgangsmåte ifølge krav 1 eller 2,karakterisert vedat varmebehandlingen utføres i en tunnellovn med et horisontalt bevegelig belte.
4. Fremgangsmåte ifølge krav 1-3,karakterisert vedat silisiumpartiklene vaskes med vann etter det tredje lutetrinnet.
NO20093054A 2009-09-23 2009-09-23 Fremgangsmate for fremstilling av hoyrent silisium NO331026B1 (no)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO20093054A NO331026B1 (no) 2009-09-23 2009-09-23 Fremgangsmate for fremstilling av hoyrent silisium
PCT/NO2010/000332 WO2011037473A1 (en) 2009-09-23 2010-09-09 Method for producing high purity silicon
BRPI1005443-0A BRPI1005443B1 (pt) 2009-09-23 2010-09-09 Método para a produção de silício de elevada pureza
US13/133,914 US8920761B2 (en) 2009-09-23 2010-09-09 Method for producing high purity silicon
ES10819087.7T ES2627503T3 (es) 2009-09-23 2010-09-09 Método para producir silicio de alta pureza
CN201080011131.XA CN102369158B (zh) 2009-09-23 2010-09-09 生产高纯硅的方法
EP10819087.7A EP2480497B1 (en) 2009-09-23 2010-09-09 Method for producing high purity silicon
MYPI2012000613A MY166519A (en) 2009-09-23 2010-09-09 Method for producing high purity silicon
CA2744802A CA2744802C (en) 2009-09-23 2010-09-09 Method for producing high purity silicon
IN1681DEN2012 IN2012DN01681A (no) 2009-09-23 2012-02-24

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO20093054A NO331026B1 (no) 2009-09-23 2009-09-23 Fremgangsmate for fremstilling av hoyrent silisium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NO20093054A1 true NO20093054A1 (no) 2011-03-24
NO331026B1 NO331026B1 (no) 2011-09-12

Family

ID=43796046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO20093054A NO331026B1 (no) 2009-09-23 2009-09-23 Fremgangsmate for fremstilling av hoyrent silisium

Country Status (10)

Country Link
US (1) US8920761B2 (no)
EP (1) EP2480497B1 (no)
CN (1) CN102369158B (no)
BR (1) BRPI1005443B1 (no)
CA (1) CA2744802C (no)
ES (1) ES2627503T3 (no)
IN (1) IN2012DN01681A (no)
MY (1) MY166519A (no)
NO (1) NO331026B1 (no)
WO (1) WO2011037473A1 (no)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102642838B (zh) * 2012-04-28 2014-10-15 中国科学院福建物质结构研究所 采用火法冶金与湿法冶金连用技术提纯高纯硅材料的方法
JP5954854B2 (ja) 2012-06-25 2016-07-20 シリコー マテリアルズ インコーポレイテッド アルミニウムを精製するための方法およびシリコンを精製するための精製アルミニウムの使用
EP2864252A1 (en) 2012-06-25 2015-04-29 Silicor Materials Inc. Method for purifying silicon
NO339608B1 (no) 2013-09-09 2017-01-09 Elkem Solar As Multikrystallinske silisiumingoter, silisiummasterlegering, fremgangsmåte for å øke utbyttet av multikrystallinske silisiumingoter for solceller
CN106629735B (zh) * 2016-12-09 2018-12-04 成都斯力康科技股份有限公司 一种适用于硅厂的智能控制配料分离系统
CN110508552A (zh) * 2019-09-27 2019-11-29 江苏美科硅能源有限公司 一种表面附氧化物的原生硅料的处理方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2885364A (en) * 1955-05-31 1959-05-05 Columbia Broadcasting Syst Inc Method of treating semiconducting materials for electrical devices
IT1100218B (it) * 1978-11-09 1985-09-28 Montedison Spa Procedimento per la purificazione di silicio
CA1147698A (en) * 1980-10-15 1983-06-07 Maher I. Boulos Purification of metallurgical grade silicon
NO152551C (no) * 1983-02-07 1985-10-16 Elkem As Fremgangsmaate til fremstilling av rent silisium.
US4643833A (en) * 1984-05-04 1987-02-17 Siemens Aktiengesellschaft Method for separating solid reaction products from silicon produced in an arc furnace
US4612179A (en) * 1985-03-13 1986-09-16 Sri International Process for purification of solid silicon
CA1289333C (en) * 1986-03-07 1991-09-24 Angel Sanjurjo Process for purification of solid material
US5648042A (en) * 1995-10-10 1997-07-15 Centorr/Vacuum Industries, Inc High-temperature belt furnace apparatus and method of using same
NO313132B1 (no) * 1999-12-08 2002-08-19 Elkem Materials Fremgangsmåte for rensing av silisium

Also Published As

Publication number Publication date
CA2744802C (en) 2017-01-03
US20110250118A1 (en) 2011-10-13
BRPI1005443A2 (pt) 2016-03-08
CA2744802A1 (en) 2011-03-31
CN102369158A (zh) 2012-03-07
BRPI1005443B1 (pt) 2020-08-11
ES2627503T3 (es) 2017-07-28
EP2480497A1 (en) 2012-08-01
IN2012DN01681A (no) 2015-06-05
US8920761B2 (en) 2014-12-30
MY166519A (en) 2018-07-05
NO331026B1 (no) 2011-09-12
CN102369158B (zh) 2014-05-14
EP2480497A4 (en) 2016-06-15
EP2480497B1 (en) 2017-03-15
WO2011037473A1 (en) 2011-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO20093054A1 (no) Fremgangsmate for fremstilling av hoyrent silisium
US8329133B2 (en) Method and apparatus for refining metallurgical grade silicon to produce solar grade silicon
TW201033123A (en) Method for manufacturing a silicon material with high purity
CN1221470C (zh) 高纯度硅的生产方法
AU2001293924B9 (en) Preparing aluminium-silicon alloys
CA2393511C (en) Refining of metallurgical grade silicon
CN103693648B (zh) 一种强化工业硅湿法化学除杂的方法
Margarido et al. The structural effect on the kinetics of acid leaching refining of Fe-Si alloys
JP6800128B2 (ja) Al合金の再生方法
NO760925L (no)
CN109266863A (zh) 一种高纯钛锭提纯方法
US4049470A (en) Refining nickel base superalloys
NO154192B (no) Fremgangsmùte ved rensing av rùsilicium.
Reis et al. Thixoforging of Al–3.8% Si alloy recycled from aluminum cans
Espelien et al. Effect of acid leaching conditions on impurity removal from silicon doped by magnesium
JP2010173911A (ja) シリコンの精製方法
CN109182805A (zh) 一种铝材的熔炼方法
CN105018785A (zh) 一种自行车车架用的低脆性钛合金及其制备方法
US7670A (en) Bichakd s
JP3604035B2 (ja) マルエージング鋼の製造方法
CN114807662A (zh) 一种新型铝镁硅合金微合金化的工艺方法
NO153846B (no) Fremgangsmaate for rensning av silisium.
JP2005001906A (ja) セレンの真空蒸留方法及びその装置
EP0117932B1 (en) Improving the hot workability of an age hardenable nickel base alloy
CN105018787A (zh) 一种可折叠自行车车架用的钛合金及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
CHAD Change of the owner's name or address (par. 44 patent law, par. patentforskriften)

Owner name: REC SOLAR NORWAY AS, NO