NO171968B - Fremgangsmaate for fraskillelse av forurensninger fra silisium - Google Patents
Fremgangsmaate for fraskillelse av forurensninger fra silisium Download PDFInfo
- Publication number
- NO171968B NO171968B NO883472A NO883472A NO171968B NO 171968 B NO171968 B NO 171968B NO 883472 A NO883472 A NO 883472A NO 883472 A NO883472 A NO 883472A NO 171968 B NO171968 B NO 171968B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- silicon
- melt
- silicone
- procedure
- impurities
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 title description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 42
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 7
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 7
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001062472 Stokellia anisodon Species 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
Foreliggende oppfinnelse vedrører en fremgangsmåte for fraskillelse av forurensninger fra silisium.
For en rekke anvendelser, f.eks. ved fremstillingen av Sis^ av silisiumpulver for meget rene keramiske materialer eller innenfor den fotoelektriske teknikken, er det behov for meget rent silisium. Idag anvendes for dette formålet overveiende det meget rene, men også dyre, halvledersilisiumet.
For å oppnå en bedre økonomisk situasjon arbeides det idag over hele verden med utviklingen av billige fremgangsmåter for fremstilling av rent silisium. De fremgangsmåtene som er utviklet lengst bygger på rensingen av billig, men for-urenset, silisium som utvinnes i store mengder ved karbotermisk reduksjon av kvarts, fremstillingen av rent silisium ved anvendelse av på forhånd renset karbon og kvarts ved den karbotermiske reduksjonen og den aluminotermiske reduksjonen av silisiumtetraklorid med aluminium.
I alle tilfeller er ytterligere rensoperasjoner påkrevet for å redusere de høye innholdene av fremmedatomer i form av bor, fosfor, karbon, metaller, metalloksyder og oksygen til konsentrasjoner i ppm-området.
Fremgangsmåter er kjente hvorved innholdet av disse forurensningene kan reduseres. For å redusere høye innhold av silisiumdioksyd og karbon, som overveiende foreligger i form av silisiumkarbid, i silisium utvunnet ved karbotermisk reduksjon av kvarts angis i DE-A 3.411.955 og EP-Å 0.160.294 fremgangsmåter hvorved smelteflytende silisium filtreres over filtere av grafitt eller SiC/Si-komposittmaterialer, hvorved de faste bestanddelene blir igjen i filteret. Denne fremgangsmåten er fra et økonomiske synspunkt ikke tilfreds-stillende idet f iltersj iktet under drift går tett og det kommer dermed til avbrudd av renseoperasjonen. For å fjerne forstyrrelsen må reaktoren avkjøles fra ca. 1420°C, renses og filtermaterialet kastes.
Videre er det fra DE-A 34 03 131 kjent en fremgangsmåte hvorved silisiumet smeltes i en grafittdigel, hvorved den ikke-reduserte kvartsen og det ikke-omsatte kullet samles på digelveggen. Ved kontinuerlig drift kommer det derved til slaggansamlinger på digelveggene som til sist fører til at digelen blir ubrukbar, hvorved høye kostnader forårsakes.
I patentpublikasjonene DE-A 3.416.559 og DE-A 3.303.691 beskrives fremgangsmåter hvorved faste SiC- og Si02-forurensninger fraskilles fra silisiumsmelter ved sentrifugering og sedimentering.
For å fjerne uoppløste forurensninger fra smelteflytende silisium er det fra patentlitteraturen kjent fremgangsmåter (DE-A 2.623.413, DE-A 2.929.089, EP-A 7063, DE-A 3.504.723, BR-A 83/6289, US-A 4.312.849, FR-A 2.465.684, US-A 4.298.423, DE-A 2-944.975), hvor smeiten behandles med forskjellige gasser.
Med de omtalte fremgangsmåtene er en økonomisk fjernelse av metalloksyder, spesielt aluminiumoksyd, imidlertid ikke mulig. Videre kan ingen av fremgangsmåtene drives kontinuerlig.
Formålet med foreliggende oppfinnelse er følgelig å til-veiebringe en fremgangsmåte for fraskillelse av forurensninger fra silisium som ikke oppviser de ovenfor nevnte ulempene.
Overraskende er det nå funnet at det ved frembringelse av tynne silisiumsmeltesjikt i nær kontakt med silisiumresistente stoffer, kan oppnås en sterk reduksjon av de nevnte forurensningene.
Dersom man sørger for at silisiumsmelten kan renne av, blir forurensningene tilbake som belegg som lett kan fjernes. Gjenstand for foreliggende oppfinnelse er følgelig en fremgangsmåte for fraskillelse av forurensninger fra silisium som er kjennetegnet ved at silisiumet i form av pulver eller granulat smeltes til en silisiumsmeltefilm som over en stor flate er i kontakt med et silisiumresistent legeme og smeiten får renne av, mens urenhetene blir igjen på overflaten til legemet.
Forhistorien for silisiumet som skal renses er derved uten betydning.
Det kan f.eks. anvendes et oppmalt metallurgisk silisium med en renhet på ca. 98# eller også det ifølge EP-A 123.100 fremstilte silisiumgranulatet fra den aluminotermiske reduksjonen av silisiumtetraklorid.
En foretrukket utførelsesform av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen består i at silisiumsmeltefilmen frembringes på en skråttstilt flate med en vinkel på 5° til 60°, fortrinnsvis 25° .
Spesielt gode resultater oppnås ved fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen når overflateforholdet mellom silisiumsmelten i kontakt med den skråttstilte flaten i forhold til dens volum, er større enn 1 cm-<*>, fortrinnsvis mellom 10 cm-<*> og 30 cm-<*.>
Fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen kan uten ulempe anvendes i forskjellige atmosfærer. Herved kan det både dreie seg om inertgassatmosfære som argon eller helium, og også om reaktive gasser hvormed ytterligere kjemiske reaksjoner i smeiten kan gjennomføres. Herved kommer i første rekke halogenholdige reaktive gasser, som f.eks. SiCl4 eller klorsilaner, på tale, men også blandinger med hydrogen eller inerte gasser.
For å fjerne uoppløste gasser fra smeiten er det gunstig å gjennomføre en vakuumavgasning ved avslutningen av fremgangsmåten .
Ifølge oppfinnelsen består det silisiumresistente legemet, hvorpå silisiumsmeltefilmen frembringes, av keramiske materialer, blandings-keramiske materialer, meget tett grafitt og/eller kvarts. Spesielt egnet ved foreliggende oppfinnelse er som keramisk materiale SiC, Si3N4 og/eller Å1203.
En spesielt fordelaktig variant av fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen sammenlignet med andre kjente rensefremgangs-måter består i at fremgangsmåten gjennomføres kontinuerlig.
Ofte kan det, for gjennomførbarheten av fremgangsmåten, være en fordel at silisiumet før smeltingen er oksydert på overflaten.
Oppfinnelsen skal belyses ved hjelp av de følgende eks-emplene .
Eksempel 1
Forsøkene på kontinuerlig smelting og samtidig rensing av silisium ble gjennomført med en silisiumsand som var oppnådd ved en fra EP-Å 0.123.100 kjent fremgangsmåte ved reduksjon av SiCl4 med aluminiumsand. Ved denne fremgangsmåten oppstår en silisiumsand med en korndiameter på ca. 1 mm.
Denne sanden ble, ved hjelp av en transportskrue, ført inn i et skråttstilt grafittrør oppvarmet til silisiumsmeltetemp-eraturen, smeltet over rørlengden og ved enden av røret fjernet som smelte, henholdsvis som et over en fallstrekning stivnet silisiumgranulat. Ved en rørskråning på 25° ble det oppnådd en optimal produktstrøm. Som beskyttelsesgass ble det anvendt argon. Ved en doseringshastighet på 1 kg Si/time ble smeltingen drevet kontinuerlig i 10 timer.
Tinder den kontinuerlige smeltingen ble det observert en adskillelse av slagg og Si-smelte. Under smeltingen utskilles slagget og anrikes ved produktinnføringssiden av smelterøret som løst støv. Slagget ble støtt ut mekanisk ved hjelp av en sjaber. I smeiten foregikk en utskillelse av slaggdannende elementer som Al, Ca og Mg (se tabell 1).
Eksempler 2 til 4
Ved forsøksgjennomføring tilsvarende eksempel 1 ble det undersøkt forskjellige rørmaterialer. Det ble anvendt kvartsglass, Si3N4~ og A^Os-keramiske materialer. For fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen egner alle rørmaterialene seg like godt, idet det i alle tilfeller ble observert en god adskillelse av slagg og smelte, samt en rensevirkning tilsvarende eksempel 1. Avhengig av det anvendte rørmateri-alet finnes det i slagget ytterligere, ved reaksjon med smeiten, dannede bestanddeler (se tabell 2).
Eksempel 5
Fjernelsen av rest-reduksjonsmidlet lykkes også ved nærvær av stoffer som danner slagg med reduksjonsmidlet. Følgelig ble silisiumgranulatet som skulle renses i et ytterligere forsøk først oksydert med luft for dannelse av S102 på overflaten, og deretter ble den kontinuerlige smeltingen gjennomført.
Herved ble det oppnådd en støkiometrisk reduksjon av aluminiuminnholdet. Denne effekten kan også oppnås ved tilsats av finfordelt Si02 til silisiumet som skal smeltes.
Claims (7)
1.
Fremgangsmåte for fråskilleise av forurensninger fra silisium, karakterisert ved at silisiumet i form av pulver eller granulat smeltes til en silisiumsmeltefilm som over en stor flate er i kontakt med et silisiumresistent legeme og smeiten får renne av, mens urenhetene blir igjen på overflaten til legemet.
2.
Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at silisiumsmeltefilmen frembringes på en skråttstilt flate med en helningsvinkel på 5" til 60° , fortrinnsvis til 25° .
3.
Fremgangsmåte ifølge et av kravene 1 eller 2, karakterisert ved at overflateforholdet mellom silisiumsmelten i kontakt med den skråttstilte flaten og dens volum er større en 1 cm~^, fortrinnsvis mellom 10 cm-<*> og 30 cm-1.
4.
Fremgangsmåte ifølge ett eller flere av kravene 1 til 3, karakterisert ved at det silisiumresistente legemet består av keramiske materialer, blandingskeramiske materialer, meget tett grafitt og/eller kvarts.
5.
Fremgangsmåte ifølge krav 4, karakterisert ved at det som keramisk materiale anvendes SiC, Si3N4 og/eller AI2O3.
6.
Fremgangsmåte ifølge ett eller flere av kravene 1 til 5,
karakterisert ved at fremgangsmåten gjennomføres kontinuerlig.
7.
Fremgangsmåte ifølge ett eller flere av kravene 1 til 6, karakterisert ved at silisiumet før smelting oksyderes på overflaten.
i
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873727647 DE3727647A1 (de) | 1987-08-19 | 1987-08-19 | Verfahren zur abtrennung von verunreinigungen aus silicium |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO883472D0 NO883472D0 (no) | 1988-08-04 |
NO883472L NO883472L (no) | 1989-02-20 |
NO171968B true NO171968B (no) | 1993-02-15 |
NO171968C NO171968C (no) | 1993-05-26 |
Family
ID=6334057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO883472A NO171968C (no) | 1987-08-19 | 1988-08-04 | Fremgangsmaate for fraskillelse av forurensninger fra silisium |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0304714B1 (no) |
JP (1) | JPH0755813B2 (no) |
CA (1) | CA1336354C (no) |
DE (2) | DE3727647A1 (no) |
NO (1) | NO171968C (no) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4620432B2 (ja) * | 2004-11-17 | 2011-01-26 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | 溶融シリコン流通部材とシリコンの移送方法 |
US20080308970A1 (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | General Electric Company | Process for melting silicon powders |
DE102008036143A1 (de) * | 2008-08-01 | 2010-02-04 | Berlinsolar Gmbh | Verfahren zum Entfernen von nichtmetallischen Verunreinigungen aus metallurgischem Silicium |
US20110167961A1 (en) | 2008-08-11 | 2011-07-14 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method for purifying material containing metalloid element or metal element as main component |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4242175A (en) * | 1978-12-26 | 1980-12-30 | Zumbrunnen Allen D | Silicon refining process |
DE3220343A1 (de) * | 1982-05-28 | 1983-12-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen polykristalliner siliciumstaebe |
-
1987
- 1987-08-19 DE DE19873727647 patent/DE3727647A1/de not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-08-04 NO NO883472A patent/NO171968C/no unknown
- 1988-08-08 DE DE8888112886T patent/DE3866994D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-08-08 EP EP88112886A patent/EP0304714B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-08-16 JP JP63202798A patent/JPH0755813B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-08-17 CA CA000574929A patent/CA1336354C/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0755813B2 (ja) | 1995-06-14 |
CA1336354C (en) | 1995-07-25 |
JPS6476907A (en) | 1989-03-23 |
DE3866994D1 (de) | 1992-01-30 |
EP0304714B1 (de) | 1991-12-18 |
DE3727647A1 (de) | 1989-03-02 |
NO171968C (no) | 1993-05-26 |
NO883472D0 (no) | 1988-08-04 |
NO883472L (no) | 1989-02-20 |
EP0304714A1 (de) | 1989-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4837376A (en) | Process for refining silicon and silicon purified thereby | |
US4900532A (en) | Continuous process for refining silicon | |
US4388286A (en) | Silicon purification | |
CN101511731B (zh) | 用于提纯低级硅材料的方法和装置 | |
NL8620174A (nl) | Werkwijze voor de zuivering van vaste stof. | |
Suzuki et al. | Gaseous removal of phosphorus and boron from molten silicon | |
ZA200400346B (en) | Medium purity metallurgical silicon and method for preparing same | |
JP5768714B2 (ja) | シリコンの製造方法 | |
KR100935959B1 (ko) | 고순도 실리콘 제작 방법 | |
EP1437326B1 (en) | Method for producing silicon | |
CA2224185A1 (en) | Pyrometallurgical process for treating metal-containing materials | |
NO171968B (no) | Fremgangsmaate for fraskillelse av forurensninger fra silisium | |
EP0089353B1 (fr) | Procede de chloruration selective de melanges d'oxydes metalliques d'origine naturelle ou synthetique | |
WO1989002415A1 (en) | Method for the purification of silicon | |
ES2941508T3 (es) | Procedimiento para el refinado de masas fundidas de silicio en bruto por medio de un mediador particulado | |
EP0161316B1 (en) | Formation of tungsten monocarbide from a molten tungstate-halide phase by gas sparging | |
CN113748086B (zh) | 使用颗粒介体精炼粗硅熔体的方法 | |
RU2237616C2 (ru) | Способ получения кремния солнечного качества | |
JPH05270814A (ja) | 太陽電池用シリコンの製造方法 | |
RU2181104C2 (ru) | Способ выделения кремния | |
US2844462A (en) | Recovery of zinc | |
CA1222125A (en) | Silicon metal upgrading for high purity applications | |
JPS60122713A (ja) | ケイ素精製方法 | |
RU2173738C1 (ru) | Способ получения мульти- и монокристаллического кремния | |
Mimura et al. | Direct Production of Pure Molybdenum Metal From Molybdenite Concentration(MoS sub 2) by Using a Plasma-Arc Melting Method |