NO170181B - Variabelt dempeledd for mikroboelger - Google Patents
Variabelt dempeledd for mikroboelger Download PDFInfo
- Publication number
- NO170181B NO170181B NO864617A NO864617A NO170181B NO 170181 B NO170181 B NO 170181B NO 864617 A NO864617 A NO 864617A NO 864617 A NO864617 A NO 864617A NO 170181 B NO170181 B NO 170181B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- line sections
- pin diodes
- terminal
- variable
- variable damping
- Prior art date
Links
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 22
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/22—Attenuating devices
Landscapes
- Attenuators (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Description
Foreliggende oppfinnelse angår et variabelt dempeledd på mikrobølger av den art som angitt i innledningen til krav 1.
Det er kjent at i mikrobølgekretser benyttes det variable dempeledd og at PIN-dioder kan benyttes for utførelsen av disse.
Det er også kjent at PIN-dioder oppviser en radiofrekvens-motstand som er en funksjon av forspenningsstrømmen som er en likestrøm gjennom diodene.
Det er også kjent at i PIN-dioder finnes det uønskede elemen-
ter, innbefattende overgangskapasitet, huskapasitet og koblingskapasitet mellom brikke-til-hus, som begrenser diodenes egenskaper. Spesielt vil disse uønskede elementer begrense den maksimalt oppnålige avkobling i seriekoblinger,
mens de fører til innføringstap i parallellkoblinger.
Sluttelig er det kjent at et dempeledd er bedre jo større
dets avkobling er og dess mindre innføringstapet er og at for å oppnå høyere avkoblingsverdier, benyttes to eller flere PIN-dioder i en innbyrdes avstand på en kvart bølgelengde
X/4. Imidlertid er de avkoblingsverdier som oppnås ved anvendelse av denne løsning, ikke tilstrekkelig hvis høye dempninger ønskes og dessuten resulterer denne løsning i bruk av mange PIN-dioder, noe som øker omkostningene og dimen-sjonene på kretsene.
Fra US-patent nr. 4 010 430 er kjent en mikrobølgedemper som
har en sentral transmisjonslinje med et diode-shuntet dempetrinn slik som et motstands-pi-nettverk. Det brukes her PIN-dioder kun for svitsjingsformål på grunn av at dempningen
er satt av motstands-pi-nettverket.
"US-patent nr. 3 859 609 angår en mikrobølgedemper innbefattende linjeseksjoner og variable demperinnretninger i form av PIN-dioder, men alle linjeseksjonene har samme karakte-
ristiske impedans som den til inngangen og utgangen til det variable dempeleddet.
Formålet med foreliggende oppfinnelse er derved å unngå de nevnte ulemper og gi anvisninger på et dempeledd med PIN-diode som muliggjør meget høye avkoblingsverdier eller, med bibehold av avkoblingen, å muliggjøre bruk av et redusert antall PIN-dioder, noe som fører til besparelser i omkost-ninger og reduserer størrelsen på kretsene og/eller tillater reduksjon i variasjonsområdet for den likespente forspen-ningsstrøm, noe som fører til redusert forbruk og påkjen-ninger på de PIN-dioder som benyttes. En ytterligere fordel som stammer fra det reduserte variasjonsområde for forspen-ningsstrømmen ligger i at de lineariserte kretser for strømmen kan forenkles.
Ovenfornevnte tilveiebringes ved hjelp av variabelt dempeledd
av den innledningsvis nevnte art hvis karakteristiske trekk fremgår av krav 1. Ytterligere trekk ved oppfinnelsen fremgår av de øvrige uselvstendige kravene.
I det påfølgende skal foreliggende oppfinnelse beskrives nærmere med henvisning til tegningene, hvor:
Fig. 1 viser et koblingsskjerna for en første utførelsesform,
et dempeledd med PIN-diode ifølge foreliggende oppfinnelse,
fig. 2 viser et koblingsskjerna for en andre utførelsesform for dempeledd med PIN-diode i henhold til oppfinnelsen,
fig. 3 viser et diagram som er knyttet til avkoblingen fra kretsene på fig. 1 og 2,
fig. 4 viser et koblingsskjerna for en tredje utførelsesform for et dempeledd med PIN-diode i henhold til oppfinnelsen,
fig. 5 viser et koblingsskjerna for en fjerde utførelsesform for et dempeledd med PIN-diode i henhold til oppfinnelsen og
fig. 6 viser et diagram som er knyttet til avkoblingen fra kretsene på fig. 4 og 5.
På fig. 1 som viser et variabelt dempeledd med PIN-dioder som er koblet i parallell med hverandre, finnes det en skilleanordning 1 som ved inngangen IN tilføres det radiofrekvente inngangs signal og ved den midtre port er koblet til en tilpasset belastning 2 og ved sin utgangsport er koblet til en likestrøm skilleanordning 3. Den annen klemme av den tilpassede belastning 2 er koblet til kretsens jord 4 mens den annen klemme av skilleanordningen 3 er koblet til den ene ende av en linjeseksjon 5 med en impedanskarakteristikk Zg på 50 ohm. Den annen ende av linjeseksjonen 5 er koblet til katoden i en PIN-diode 6. PIN-dioden 6 og de øvrige PIN-dioder som vil bli omhandlet i resten av denne beskrivelse, er fremstilt av Hewlett Packard, type EPND4011, og deres arbeidsegenskaper er omhandlet i publikasjonen "Applications of pin diodes, diode and transistor designer's catalog 1984-85" som er utgitt av Hewlett Packard. Anoden i PIN-dioden 6 er koblet til en linjeseksjon 7, hvis lengde er X/4 og impedanskarakteristikken er , mindre enn Zq, som utgjør en kortslutning og som følge av dette en virtuell jord for radiofrekvens og drives fra en likespennings forspennings-strøm Idc, overfor hvilken linjeseksjonen 7 representerer en åpen krets. Katoden for PIN-dioden 6 er også koblet til en ende av en linjeseksjon 8 med en lengde på X/4 og en impedanskarakteristikk Z-p, hvis annen ende er koblet til anoden i en PIN-diode 9 og til en ende av en linjeseksjon 10, også X/4 lang, og med en impedanskarakteristikk Z-p. Katoden i PIN-dioden 9 er koblet til jord 4 for kretsen, mens den annen ende av linjeseksjonen 10 er koblet til en ende for en linjeseksjon 11 med en impedanskarakteristikk Zq. Den annen ende av linjeseksjonen 11 er koblet til en port i en like-strøm skilleanordning 12, mens radiofrekvente utgangssignaler er tilgjengelige ved dens utgangsport.
På fig. 2, som viser et variabelt dempeledd med PIN-dioder koblet i parallell i et balansert mønster, kommer radiofrekvente inngangssignaler inn ved porten IN til en kraftdeler 21, ved 90° og 3 dB. Til de øvrige tre porter til kraftdeleren 21 er det henholdsvis koblet en klemme for en tilpasset belastning 22, hvis annen klemme er koblet til kretsens jord 28, og inngangsklemmene for to likestrømskil-lere 23 og 24. Til utgangsklemmene for skillerene 23 og 24 er det henholdsvis koblet en ende av en linjeseksjon 25 og en ende av en linjeseksjon 26, begge med impedanskarakteristikk Zq = 50 ohm. Den annen ende av linjeseksjonen 25 er koblet til anoden i en PIN-diode 27, hvis kaktode er koblet til jord 28 for kretsen, mens den annen ende av linjeseksjonen 26 er forbundet med katoden i en PIN-diode 29. Anoden i PIN-dioden
29 er koblet til en linjeseksjon 30, X/4 lang og med en impedanskarakteristikk Z^ mindre enn Zq, og den mottar en likestrømforspenningsstrøm I(}C. Anoden i PIN-dioden 27 og katoden i PIN-dioden 29, er henholdsvis forbundet med en ende av en linjeseksjon 31 og en ende av en linjeseksjon 32, begge X/4 lange og med en impedanskarakteristikk Z-p. Den annen ende av linjeseksjonen 31 er forbundet med katoden i en PIN-diode 33. Den annen ende av linjeseksjonen 32 er forbundet med anoden i en PIN-diode 34. Anoden i PIN-dioden 33 og katoden i PIN-dioden 34 og med en linjeseksjon 43, X/4 lang og med en impedanskarakteristikk Z^ mindre enn Zq. Katoden i PIN-dioden 33 og anoden i PIN-dioden 34 er også forbundet med en ende av en linjeseksjon 35 og henholdsvis til en ende av en linjeseksjon 36, begge X/4 lange og med en impedanskarakteristikk Zf De andre ender av linjeseksj onene 35 og 36 er henholdsvis forbundet med en ende av en linjeseksjon 37 og en ende av en linjeseksjon 38, begge med en impedanskarakteristikk Zq. De andre ender av linjeseksjonene 37 og 38 er forbundet med inngangsklemmer til to likestrømskillere 39 og 40, hvis utgangsklemmer er forbundet med to porter for en kraftdeler 41 ved 90° og 3 dB. Den tredje port for kraftdeleren 41 er forbundet med en klemme for en tilpasset belastning 42, hvis annen klemme er forbundet til kretsens jord 28, mens radiofrekvente utgangssignaler er tilgjengelige ved den fjerde port OUT fra kraftdeleren 41.
Diagrammet på fig. 3 viser avkoblingene for det variable dempeledd i henhold til oppfinnelsen, koblet i parallell-mønste som en funksjon av impedanskarakteristikken Z-p for linjeseksjonene 8, 10, 31, 32, 35 og 36 og motstanden R for PIN-diodene 6, 9,, 27, 29, 33 og 34 på fig. 1 og 2.
Begge kretsene som er vist på fig. 1 og 2 benytter PIN-dioder koblet i parallell og deres virkemåte er stort sett den samme. De skiller seg fra hverandre ved at kretsen som er vist på fig. 1 har et antall komponenter som er så lite som mulig og leder vekk den reflekterte energi over den tilpassede belastning 2 gjennom skilleanordningen 1, mens kretsen som er vist på fig. 2 og som har et større antall komponenter, har en balansert oppbygning som muliggjør en bedre signalbehandling og avgir reflektert energi over de tilpassede belastninger 22 eller 42 gjennom kraftdelene 41 eller 21, noe som er langt mindre kostbart enn skilleanordningen og ikke krever noen kalibrering under sammensetningsoperasjo-nene, siden de kan bygges opp med linjeseksjoner.
Under drift vil det gjennom PIN-diodene 6 og 9 på fig. 1 og PIN-diodene 27, 29, 33 og 34 på fig. 2 flyte den samme likespente forspenningsstrøm Idc. Strømstyrken be-stemmer den radiofrekvente impedansverdi for PIN-dioden og dermed verdien av avkoblingen fra det variable dempeledd. Et resultat av oppfinnelsestanken er at den maksimale avkoblingsverdi som er oppnåelig med det variable dempeledd, ikke bare avhenger av antallet av PIN-dioder som benyttes og lengden av linjeseksjonene som kobler den sammen, men også av verdien av impedanskarakteristikken for linjeseksjonene som benyttes for sammenkobling av PIN-diodene. I virkeligheten kan det vises med enkle kjente matematiske beregninger som ikke er inntatt her, at den maksimale avkobling som er oppnåelig med det variable dempeledd, er like meget høyere som forskjellen mellom impedanskarakteristikken Z-p for linjeseksjonene som forbinder PIN-diodene og impedanskarakteristikken Zq for kretsen er større. I virkeligheten vil man ved å betrakte diagrammet på fig. 3, finne at i en krets med en impedanskarakteristikk Zq på 50 ohm, bygget opp i henhold til tidligere kjent teknikk, varierer dempeleddets avkobling fra 25 til 43 dB i overensstemmelse med PIN-diode motstander som ligger fra 10 til 3 ohm, mens i kretsen i henhold til oppfinnelsestanken får man avkoblinger på mer enn 10 dB høyere enn man har oppnådd hittil med kjent teknikk, avhengig av verdien av den valgte impedanskakrakteristikk Z-p.
Fig. 4 som viser et variabelt dempeledd med PIN-dioder koblet i serie med hverandre, innbefatter en skilleanordning 51, tilsluttet inngangsporten IN som tilføres radiofrekvente inngangssignaler, til den midtre port som er tilkoblet en klemme for en tilpasset belastning 52 og til utgangsporten som er tilsluttet en klemme for en likestrøm skilleanordning 53. Den annen klemme for den tilpassede belastning 52 er koblet til jord 54 for kretsen, mens den annen klemme for skilleanordningen 53 er tilsluttet en ende av en linjeseksjon 55 hvis impedanskarakteristikk Zq er 50 ohm. Den annen ende av linjeseksjonen 55 er koblet til anoden i en PIN-diode 56 og til en ende av en linjeseksjon 57, X/4 lang og med en impedanskarakteristikk Z£ større enn impedanskarakteristikken Zq for kretsen. Den annen ende av linjeseksjonen 57 er forbundet med en ende av en linjeseksjon 58, X/4 lang og med en impedanskarakteristikk Z^ mindre enn Zq og drives fra en likestrøm forspenningsstrøm IdC. Katoden i PIN-dioden 56 er forbundet med en ende av en linjeseksjon 59, X/4 lang og med en impedanskarakteristikk Z-p, hvis annen ende er forbundet med anoden i en PIN-diode 60. Katoden i PIN-dioden 60 er forbundet med en ende av en linjeseksjon 61, X/4 lang og med en impedanskarakteristikk Z-p. Den annen ende av linjeseksjonen 61 er forbundet med en ende av en linjeseksjon 62 også X/4 lang og med en impedanskarakteristikk Z2 større enn Zq og med en ende av en linjeseksjon 63 med en impedanskarakteristikk Zq. Den annen ende av linjeseksjonen 62 er forbundet med jord 54 for kretsen, mens den annen ende av linjeseksjonen 63 er forbundet med en port til en likestrøm skilleanordning 64, der radiofrekvente utgangssignaler er tilgjengelige ved den annen port OUT. På fig. 5 som viser et variabelt dempeledd med PIN-dioder i serie i henhold til en balansert oppbygning, vil radiofrekvente inngangssignaler komme inn ved en port IN for en kraftdeler 71 ved 90° og 3 dB. De øvrige tre porter i kraftdeleren 71 er tilsluttet de følgende komponenter: En ende av en tilpasset belastning 72, hvis annen klemme er forbundet med jord 73 for kretsen, og inngangsklemmene for to likestrøm skilleanordninger 74 og 75. Til utgangsklemme for skilleanordningene 74 og 75 er det henholdsvis koblet en ende av en linjeseksjon 76 og en ende av en linjeseksjon 77, som begge har en impedanskarakteristikk Zq på 50 ohm. Den annen ende av linjeseksjonen 76 er forbundet med anoden i en PIN-diode 78 og til en ende av en linjeseksjon 79, X/4 lang og med en impedanskarakteristikk Z2 større enn Zq. Den annen ende av linjeseksjonen 79 er forbundet med en ende av en linjeseksjon 80, X/4 lang og med en impedanskarakteristikk Z^ mindre enn Zq og drevet fra en likestrøms forspenningsstrøm I^ c. Den annen ende av linjeseksjonen 77 er forbundet med katoden i en PIN-diode 81 og med en ende av en linjeseksjon 82 X/4 lang og med en impedanskarakteristikk Z2 større enn Zq, mens den annen ende av denne er koblet til jord 73 for kretsen. Katoden i PIN-dioden 78 og anoden i PIN-dioden 81 er henholdsvis forbundet med en ende av en linjeseksjon 83 og en ende av en linjeseksjon 84, begge X/4 lange og med en impedanskarakteristikk Z-p. Den annen ende av linjeseksjonen 83 er forbundet med anoden i en PIN-diode 85, mens den annen ende av linjeseksjonen 84 er forbundet med katoden for en PIN-diode 86. Katoden i PIN-dioden 85 og anoden i PIN-dioden 86 er henholdsvis forbundet
med en ende av en linjeseksjon 87 og en ende av en linjeseksjon 88, begge X/4 lange og med en impedanskarakteristikk Z-p. De andre ender av linjeseksjonene 87 og 88 er henholdsvis forbundet med en ende av en linjeseksjon 89 og en ende av en linjeseksjon 90, begge X/4 lange og med en impedanskarakteristikk Zg større enn Zq. De andre ender av linjeseksjonen 89 og 90 er forbundet med hverandre og med en ende av en linjeseksjon 91, X/4 lang og med en impedanskarakteristikk Z^ mindre enn Zq. De andre ender av linjeseksjonene 87 og 88 er henholdsvis forbundet med en ende av en linjeseksjon 92 og en ende av en linjeseksjon 93, begge med en impedanskarakteristikk Zq, hvis andre ender er forbundet med inngangsklemmene for to likestrømskillere 94 og 95. Utgangsklemmene for skillerene 94 og 95 er forbundet med to porter i en kraftdeler 96 ved 90° og 3 dB. Den tredje port i kraftdeleren 96 er forbundet med klemmen for en tilpasset belastning 97. Den annen klemme for den tilpassede belastning 97 er forbundet med jord 73 for kretsen og radiofrekvente utgangssignaler er tilgjengelige ved den fjerde utgangsport OUT for kraftdeleren 96.
Diagrammet på fig. 6 viser avkoblingen av det variable dempeledd i henhold til oppfinnelsen, koblet i et serie-mønster som funksjon av impedanskarakteristikken Z-p for linjeseksjonene 59, 61, 83, 84, 87 og 88 og av motstanden R for PIN-diodene 56, 60, 78, 81, 85 og 86 på fig. 4 og 5.
Linjeseksjonene 57, 58 og 62 på fig. 4; 79, 80, 82 og 89, 90, 91 på fig. 5 benyttes til å la den likestrøm som er nødvendig til forspenning av PIN-diodene passere gjennom. Lengden X/4 og impedanskarakteristikkene Z^ of Z2 som er henholdsvis lavere og høyere enn impedanskarakteristikken Zq for kretsen, er valgt på en slik måte at linjeseksjonene ikke virker inn på radiofrekvenssignalet.
På de foregående figurer kan skillerene 1 og 51 dannes av sirkulære kretser, de tilpassede belastninger 2, 22, 42, 52, 72 og 97 kan komme istand med konsentrerte eller fordelte motstander og likestrømskillerene 3, 12, 23, 24, 39, 40, 53, 64, 74, 75, 94 og 95 kan frembringes av kondensatorer eller lignende linjeseksjoner som vender mot hverandre.
De samme betraktninger som ble gjort for kretsene på fig. 1 og 2, gjelder også kretsene på fig. 4 og 5 når det gjelder både balansert eller ubalansert utførelse og virkemåte og av den grunn er betraktningen ikke gjentatt her. Det skal bare bemerkes at ved å se på diagrammet på fig. 6, vil i en krets med impedanskarakteristikk Zq på 50 ohm, frembragt i henhold til tidligere kjent teknikk, dempeleddet ha avkoblingsområder mellom 35 og 75 dB i overensstemmelse med PIN-diode motstander som ligger mellom 500 og 5000 ohm, mens kretsen som bygger på oppfinnelsestanken avkobler mer enn 10 dB høyere enn det som hittil har kunnet oppnås med kjent teknikk, avhengig av den impedanskarakteristikk Z-j- som velges.
Fordelene med det variable dempeledd som har PIN-dioder i henhold til oppfinnelsen, skulle fremgå av beskrivelsen. Særlig består disse fordeler i at det er mulig å oppnå høye avkoblingsverdier, at den ønskede avkoblingsverdi kan oppnås ved bruk av et redusert antall PIN-dioder eller ved reduksjon av variasjonsområdet for forspenningslikestrømmen i forhold til kjent teknikk så langt, ved at kraftforbrukene og påkjenningene på PIN-diodene som benyttes, er redusert, ved at det er mulig å forenkle lineariseringskretsene for forspenningsstrømmen og ved at utførelsen blir meget fleksi-bel , takket være det forhold at de fleste passende verdier for impedanskarakteristikkens Z-j- for linjeseksjonen som benyttes til kobling av PIN-diodene kan velges som funksjon av de ventede avkoblingsverdier.
Det er klart at mange endringer er mulige for det variable dempeledd med PIN-dioder som er beskrevet som eksempel, noe som gir seg selv for fagfolk på området og alle mulige løsninger skal betraktes som liggende innenfor oppfinnelsens ånd og ramme. I en av de nevnte mulige endringer kan kraftdelerene ved 90° og 3 dB, 21, 41, 71 og 96 komme istand med linjeseksjoner som er koblet sammen ved radiofrekvenser og avkoblet ved likestrøm. På grunn av at avkoblingen utføres med likestrøm, tillater denne løsning utelatelse av likestrømskillerene 23, 24, 39, 40, 74, 75, 94 og 96 i <1 >kretsene på fig. 2 og 5.
Claims (12)
1.
Variabelt dempeledd for mikrobølger innbefattende inngangs-koblingsinnretning for kobling av et mikrobølge-inngangs-signal til en PIN-diodeanordning, som frembringer et dempet signal koblet med en utgangsbelastning ved hjelp av utgangskoblingsinnretningen, og en likespenningsforspennings-innretning for PIN-dioder, karakterisert ved at
inngangskoblingsinnretningen (1, 21, 51, 71) kobler mikrobølgeinngangssignalet med første linjeseksjoner (5, 25, 26, 55, 76, 77) som har en første karakteristiske impedans (Z0),
første linjeseksjoner er koblet respektivt med første PIN-dioder (6, 27, 29, 56, 78, 81) respektivt forbundet med andre PIN-dioder (9, 33, 34, 60, 85, 86) ved hjelp av innskutte andre linjeseksj oner (8, 31, 32, 59, 83, 84) som har en andre karakteristisk impedans (Z-p) forskjellig fra den første (Zq) og en lengde på en kvart bølgelengde ved midtfrekvensen til demperens operativbånd,
de andre PIN-diodene er respektivt forbundet med tredje linjeseksjoner (10, 35, 36, 61, 87, 88) lik de andre linjeseksjonene, idet de tredje linjeseksjonene er koblet med fjerde linjeseksjoner (11, 37, 38, 63, 92, 93) som har første karakteristiske impedans (Zq), og
de fjerde linjeseksjonene er koblet med utgangskoblingsinnretningen (41, 96).
2.
Variabelt dempeledd ifølge krav 1, karakterisert ved at inngangssignalet er koblet til de første linjeseksjonene (5, 25, 26) og de første, andre (8, 31, 32), tredje (10, 35, 36) og fjerde (11, 37, 38) linjeseksjoner er respektivt serieforbundet,
at de første PIN-dioder (6, 27, 29) er anbrakt mellom et felles punkt mellom første og andre linjeseksjon og en radiofrekvensjord,
at de andre PIN-dioder (9, 33, 34) er anbrakt mellom et felles punkt mellom den andre og tredje linjeseksjonen og en radiofrekvensjord,
og at den andre karakteristiske impedansen (Z-p) er større enn første karakteristiske impedans (Zq).
3.
Variabelt dempeledd ifølge krav 1, karakterisert ved at inngangssignalet er koblet med de første linjeseksjonene (55, 76, 77), som er koblet etter serie-mønster med første PIN-dioder (56, 78, 81), andre linjeseksjoner (59, 83, 84), andre PIN-dioder (60, 85, 86), tredje linjeseksjoner (61, 87, 88) og de fjerde linjeseksjonene (63, 92, 93),
og at den andre karakteristiske impedansen (Z-p) er mindre enn den første karakteristiske impedansen (Zq).
4.
Variabelt dempeledd ifølge krav 1, karakterisert ved at den innbefatter en likestrømsskille-anordning (3, 12, 23, 24, 39, 40, 53, 64, 74, 75, 94, 95) anbrakt mellom første linjeseksjoner (5, 25, 26, 55, 76, 77) og inngangsinnretningen (1, 21, 51, 71), og mellom fjerde linjeseksjoner (11, 37, 38, 63, 92, 93) og utgangskoblingsinnretningen (41, 96).
5.
Variabelt dempeledd ifølge krav 1, karakterisert ved at koblingsinnretningene (1, 51) er skilleanordninger med en første terminal (IN) for inngangen til mikrobølge-inngangssignalet som skal bli dempet, en andre terminal koblet med den første linjeseksjonen (5, 55), og en tredje terminal koblet med en tilpasset belastning (2, 52) for spredning av energien reflektert fra den variable demperen.
6.
Variabelt dempeledd ifølge krav 5, karakterisert ved at skilleanordningene (1, 51) er dannet av sirkulatorer.
7.
Variabelt dempeledd ifølge krav 1, karakterisert ved at inngangskoblingsinnretningen (21, 71) er energidelere med en første terminal (IN) for inngangen til mikrobølge-inngangssignalet som skal bli dempet, en andre og en tredje terminal respektivt koblet med første linjeseksjoner (25, 26, 76, 77), og en fjerde terminal koblet med en tilpasset belastning (22, 72) for^ spredning av energien reflektert fra det variable dempeleddet.
8.
Variabelt dempeledd ifølge krav 1 eller 7, karakterisert ved at utgangskoblingsinnretningen (41, 96) er energidelere med en første og en andre terminal respektivt koblet med de fjerde linjeseksjonene (37, 38, 92,
93), en tredje terminal (OUT) koblet med utgangsbelastningen, og en fjerde terminal koblet med en tilpasset belastning (42, 97) for spredning av energien reflektert fra den variable demperen.
9.
Variabelt dempeledd ifølge krav 7 eller 8, karakterisert ved at inngangs- og utgangsenergi-delerne (21, 71, 41, 96) er av typen 3 dB 90".
10.
Variabelt dempeledd ifølge krav 4, karakterisert ved at likestrømsskilleanordningene (3, 12, 23, 24, 39, 40, 53, 64, 74, 75, 94, 95) er kondensatorer.
11.
Variabelt dempeledd ifølge krav 4, karakterisert ved at likestrømsskilleanordningene (3, 12, 23, 24, 39, 40, 53, 64, 74, 75, 94, 95) er mot hverandre vendte linjeseksjoner.
12.
Variabelt dempeledd ifølge krav 9, karakterisert ved at energideleren (21, 71, 41, 96) er dannet av linjeseksjoner som er koblet for radiofrekvens og avkoblet for likestrøm.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT22923/85A IT1186383B (it) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | Perfezionamenti agli attenuatori a diodi pin |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO864617D0 NO864617D0 (no) | 1986-11-19 |
NO864617L NO864617L (no) | 1987-05-21 |
NO170181B true NO170181B (no) | 1992-06-09 |
NO170181C NO170181C (no) | 1992-09-16 |
Family
ID=11201938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO864617A NO170181C (no) | 1985-11-20 | 1986-11-19 | Variabelt dempeledd for mikroboelger |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4754240A (no) |
EP (1) | EP0223289B1 (no) |
JP (1) | JPH0815241B2 (no) |
CN (1) | CN1010637B (no) |
AU (1) | AU594984B2 (no) |
DE (1) | DE3685553T2 (no) |
IT (1) | IT1186383B (no) |
NO (1) | NO170181C (no) |
ZA (1) | ZA868801B (no) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4810980A (en) * | 1987-06-04 | 1989-03-07 | Texas Instruments, Inc. | Matched variable attenuation switched limiter |
EP0350714B1 (en) * | 1988-07-13 | 1994-03-09 | Collaborative Biomedical Products Inc. | Tissue immobilization and cell culturing system and method for affixing biologically active moieties to a substrate |
FR2641388B1 (fr) * | 1988-12-30 | 1991-03-15 | Radiotechnique Compelec | Circuit integre comprenant un generateur de courant commutable |
US5126701A (en) * | 1990-12-28 | 1992-06-30 | Raytheon Company | Avalanche diode limiters |
DE4204199A1 (de) * | 1992-02-13 | 1993-08-19 | Deutsche Aerospace | Amplitudenbegrenzer |
US5289142A (en) * | 1992-03-31 | 1994-02-22 | Raytheon Company | Transmit/receive switch for phased array antenna |
US5270667A (en) * | 1992-03-31 | 1993-12-14 | Raytheon Company | Impedance matching and bias feed network |
US5300900A (en) * | 1992-09-03 | 1994-04-05 | Watkins Johnson Company | High-frequency limiter and switch-limiter circuit having improved recovery time |
US5375257A (en) * | 1993-12-06 | 1994-12-20 | Raytheon Company | Microwave switch |
US6448867B1 (en) * | 2000-07-25 | 2002-09-10 | Lucent Technologies Inc. | High frequency voltage variable attenuator |
US6919774B2 (en) * | 2001-10-03 | 2005-07-19 | Microtune (Texas), L.P. | Broadband PIN diode attenuator bias network |
US7208992B1 (en) * | 2001-11-08 | 2007-04-24 | C-Cor.Net Corporation | Lossy linearizers for analog optical transmitters |
DE10240496A1 (de) * | 2002-09-03 | 2004-03-11 | Robert Bosch Gmbh | Regelschaltung für einen Hochfrequenzverstärker |
KR100480071B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2005-03-31 | 엘지전자 주식회사 | 가변 감쇠기 |
WO2006100726A1 (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Fujitsu Limited | 可変減衰器及び集積回路 |
WO2020103450A1 (en) * | 2018-11-21 | 2020-05-28 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Programmable on-chip self-calibrating balanced attenuator |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2096027A (en) * | 1936-01-30 | 1937-10-19 | Bell Telephone Labor Inc | Attenuation equalizer |
US3289120A (en) * | 1963-10-18 | 1966-11-29 | Bell Telephone Labor Inc | Variable electric attenuator networks |
US3808561A (en) * | 1967-11-29 | 1974-04-30 | Us Army | Directional diode expander |
US3775708A (en) * | 1973-01-12 | 1973-11-27 | Anaren Microwave Inc | Microwave signal attenuator |
US3859609A (en) * | 1973-07-23 | 1975-01-07 | Texas Instruments Inc | Absorptive pin attenuators |
JPS5554015Y2 (no) * | 1975-10-16 | 1980-12-15 | ||
US4010430A (en) * | 1975-10-17 | 1977-03-01 | General Electric Company | Low loss, broadband switchable microwave step attenuator |
FR2338582A1 (fr) * | 1976-01-13 | 1977-08-12 | Barbier Christophe | Attenuateur, notamment pour generateur haute frequence |
JPS53123643A (en) * | 1977-04-04 | 1978-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave variable attenuator |
JPS5937889B2 (ja) * | 1977-06-27 | 1984-09-12 | 株式会社日立製作所 | Pinダイオ−ドを用いた可変アツテネ−タ回路 |
SU915138A1 (ru) * | 1979-08-07 | 1982-03-23 | Yurij G Vulchin | Сверхвысокочастотный аттенюатор 1 |
US4267538A (en) * | 1979-12-03 | 1981-05-12 | Communications Satellite Corporation | Resistively matched microwave PIN diode switch |
JPS5744314A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-12 | Nec Corp | Variable attenuator |
US4517535A (en) * | 1982-07-28 | 1985-05-14 | Dalmo Victor Operations, Bell Aerospace Textron, Div. Of Textron, Inc. | High speed high power step attenuator method and apparatus |
JPS59180502U (ja) * | 1983-05-19 | 1984-12-03 | 三菱電機株式会社 | 定位相可変減衰器 |
JPS6197206U (no) * | 1984-12-03 | 1986-06-21 | ||
JPS61140602U (no) * | 1985-02-22 | 1986-08-30 |
-
1985
- 1985-11-20 IT IT22923/85A patent/IT1186383B/it active
-
1986
- 1986-10-24 AU AU64392/86A patent/AU594984B2/en not_active Ceased
- 1986-11-04 DE DE8686201920T patent/DE3685553T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-11-04 EP EP86201920A patent/EP0223289B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-11-06 US US06/927,622 patent/US4754240A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-11-19 JP JP61274221A patent/JPH0815241B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-11-19 NO NO864617A patent/NO170181C/no unknown
- 1986-11-19 CN CN86107728A patent/CN1010637B/zh not_active Expired
- 1986-11-20 ZA ZA868801A patent/ZA868801B/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0223289A2 (en) | 1987-05-27 |
EP0223289A3 (en) | 1988-09-28 |
JPS62128201A (ja) | 1987-06-10 |
JPH0815241B2 (ja) | 1996-02-14 |
AU594984B2 (en) | 1990-03-22 |
IT1186383B (it) | 1987-11-26 |
CN86107728A (zh) | 1987-07-15 |
DE3685553D1 (de) | 1992-07-09 |
NO864617L (no) | 1987-05-21 |
EP0223289B1 (en) | 1992-06-03 |
DE3685553T2 (de) | 1992-12-24 |
AU6439286A (en) | 1987-05-28 |
NO864617D0 (no) | 1986-11-19 |
US4754240A (en) | 1988-06-28 |
IT8522923A0 (it) | 1985-11-20 |
ZA868801B (en) | 1987-07-29 |
NO170181C (no) | 1992-09-16 |
CN1010637B (zh) | 1990-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO170181B (no) | Variabelt dempeledd for mikroboelger | |
US4764740A (en) | Phase shifter | |
US7084717B2 (en) | Quadrature hybrid circuit | |
US4502028A (en) | Programmable two-port microwave network | |
US7411471B2 (en) | High-frequency switch | |
EP1713144A1 (en) | Quadrature hybrid circuit | |
EP0474337A1 (en) | Switched low-loss attenuator | |
US5119050A (en) | Low loss 360 degree x-band analog phase shifter | |
US6489859B1 (en) | Power divider/combiner | |
US6756859B2 (en) | R.F. antenna switch for use with internal and external antennas | |
EP1001480B1 (en) | Microwave semiconductor variable attenuation circuit | |
US4626806A (en) | RF isolation switch | |
CN109546989A (zh) | 低通匹配式大动态常数相位的数控衰减电路 | |
Chung et al. | Power routing scheme with dual operating modes: Two-way Wilkinson divider and one-way signal path | |
EP0361801A2 (en) | A microwave semiconductor switch | |
US11018641B2 (en) | Power combiner circuit | |
AU706738B2 (en) | Bypassable wilkinson divider | |
US3400342A (en) | Voltage controlled microwave phase shifter | |
KR100362877B1 (ko) | 3단 체비셰프 매칭변환기를 이용한 전력분배기/합성기 | |
GB2285190A (en) | Variable attenuator using hybrid and PIN diodes | |
CN111384908A (zh) | 功分器电路、功分器及功分器电路的设计方法 | |
Linner et al. | Theory and design of broad-band nongrounded matched loads for planar circuits (short paper) | |
JPH11317606A (ja) | Pinダイオードスイッチ | |
JP2007318264A (ja) | リミッタ回路 | |
KR100225472B1 (ko) | Vhf 및 uhf 대역용 소형 가변 감쇄기 |